Akty Prawne
Monitor Polski
M.P.1996.15.206

Ustalenie wykazów towarów i technologii objętych szczególną kontrolą obrotu z zagranicą.

ZARZĄDZENIE

MINISTRA WSPÓŁPRACY GOSPODARCZEJ Z ZAGRANICĄ

z dnia 21 grudnia 1995 r.

w sprawie ustalenia wykazów towarów i technologii objętych szczególną kontrolą obrotu z zagranicą.

Na podstawie art. 1 ust. 2 ustawy z dnia 2 grudnia 1993 r. o zasadach szczególnej kontroli obrotu z zagranicą towarami i technologiami w związku z porozumieniami i zobowiązaniami międzynarodowymi (Dz. U. Nr 129, poz. 598) zarządza się, co następuje:

ZAŁĄCZNIK Nr 1

WYKAZ TOWARÓW I TECHNOLOGII OBJĘTYCH SZCZEGÓLNĄ KONTROLĄ OBROTU Z ZAGRANICĄ W ZWIĄZKU Z POROZUMIENIAMI I ZOBOWIĄZANIAMI MIĘDZYNARODOWYMI WYWOŻONYCH ZA GRANICĘ I PRZEWOŻONYCH PRZEZ TERYTORIUM RZECZYPOSPOLITEJ POLSKIEJ

KATEGORIE

Kategoria 0 - Materiały, instalacje i urządzenia jądrowe

Kategoria 1 - Materiały, substancje chemiczne, "mikroorganizmy" i "toksyny"

Kategoria 2 - Przetwórstwo materiałów

Kategoria 3 - Elektronika

Kategoria 4 - Komputery

Kategoria 5 - Urządzenia telekomunikacyjne i "ochrona informacji"

Kategoria 6 - Czujniki i lasery

Kategoria 7 - Nawigacja i awionika

Kategoria 8 - Urządzenia okrętowe

Kategoria 9 - Układy napędowe, pojazdy kosmiczne i ich wyposażenie

Każda z wymienionych kategorii jest podzielona na następujące grupy:

A. Urządzenia, zespoły i części

B. Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

C. Materiały

D. Oprogramowanie

E. Technologia

Uwaga do Technologii Jądrowej: (Czytać łącznie z grupą E kategorii 0)

Transfer technologii bezpośrednio związanej z jakimikolwiek towarami w kategorii 0 podlega sprawdzeniu i kontroli w takim samym stopniu jak te towary.

Technologia niezbędna do rozwoju, produkcji lub wykorzystania towarów objętych kontrolą pozostaje pod taką samą kontrolą nawet wtedy, gdy może być stosowana do towarów taką kontrolą nie objętych.

Zgoda na eksport określonych towarów upoważnia również do eksportu do tego samego użytkownika minimalnej technologii wymaganej dla instalacji, działania, utrzymania i naprawy tych towarów.

Kontrole transferu technologii nie mają zastosowania do informacji stanowiących własność publiczną lub związanych z podstawowymi badaniami naukowymi.

Uwaga Ogólna do Technologii: (Czytać łącznie z grupą E kategorii od 1 do 9)

Transfer technologii, która jest niezbędna do rozwoju, produkcji lub wykorzystania towarów wymienionych w kategoriach od 1 do 9, podlega kontroli na warunkach podanych w każdej z tych kategorii.

Zgoda na eksport określonych towarów upoważnia również do eksportu do tego samego użytkownika końcowego minimalnej technologii niezbędnej do instalacji, działania, utrzymania i naprawy tych towarów.

Uwaga: Powyższe nie dotyczy technologii napraw wyszczególnionej pod pozycją 8E002.a.

Kontrole transferu technologii nie mają zastosowania do informacji stanowiących własność publiczną lub związanych z podstawowymi badaniami naukowymi.

Uwaga Ogólna do Oprogramowania:

Niniejsza uwaga wyklucza jakąkolwiek kontrolę oprogramowania w grupie D kategorii od 1 do 9, które jest:

a. ogólnie dostępne przez:

1. sprzedaż gotowego oprogramowania w punktach sprzedaży detalicznej bez żadnych ograniczeń w wyniku:

a. bezpośrednich transakcji sprzedaży

b. transakcji realizowanych na zamówienie pocztowe

c. transakcji realizowanych drogą telefoniczną, i

2. przygotowanie do samodzielnej instalacji przez użytkownika bez konieczności dalszej pomocy sprzedawcy.

b. własnością publiczną.

KATEGORIA 0 - MATERIAŁY, INSTALACJE I URZĄDZENIA JĄDROWE

0A Urządzenia, zespoły i podzespoły

0A001 "Reaktory jądrowe", tj. reaktory zdolne do pracy w taki sposób, żeby mogła w nich przebiegać kontrolowana, samopodtrzymująca się reakcja łańcuchowa, oraz urządzenia i podzespoły specjalnie przeznaczone lub przygotowane do użytkowania w powiązaniu z "reaktorami jądrowymi", w tym:

a. Zbiorniki ciśnieniowe, tj. metalowe zbiorniki stanowiące kompletne zespoły lub części do nich, specjalnie zaprojektowane lub wykonane do umieszczania w nich rdzenia "reaktora jądrowego" i wytrzymałe na ciśnienia robocze chłodziwa pierwotnego reaktora, w tym górne pokrywy zbiornika ciśnieniowego reaktora;

b. Urządzenia do manipulowania elementami paliwowymi, w tym maszyny do załadunku i wyładunku paliwa reaktorowego;

c. Pręty regulacyjne specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do sterowania reakcją łańcuchową w "reaktorze jądrowym", w tym absorbenty neutronów, odpowiednie elementy nośne lub zawieszenia, oraz prowadnice rurowe do prętów regulacyjnych.

d. Elektroniczne urządzenia sterujące do sterowania poziomami mocy "reaktorów jądrowych", łącznie z mechanizmami napędowymi prętów regulacyjnych reaktora oraz aparatura do detekcji i pomiaru promieniowania w celu określenia wielkości strumienia neutronów;

e. Przewody ciśnieniowe reaktora specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem na elementy paliwowe i chłodziwo w "reaktorze jądrowym", wytrzymałe na ciśnienia eksploatacyjne powyżej 5,1 MPa;

f. Rury lub zespoły rur wykonane z cyrkonu metalicznego lub jego stopów, w których stosunek wagowy hafnu do cyrkonu wynosi poniżej 1:500, specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do "reaktorów jądrowych";

g. Pompy pierwotnego obiegu specjalnie zaprojektowane lub wykonane z przeznaczeniem do przetaczania chłodziwa w "reaktorach jądrowych";

h. Zespoły wewnętrzne specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do pracy w "reaktorach jądrowych", w tym elementy nośne rdzenia, osłony termiczne, przegrody, siatki dystansujące rdzenia i płyty rozpraszające;

i. Wymienniki ciepła.

0A002 Generatory energii lub urządzenia napędowe specjalnie przeznaczone do "reaktorów jądrowych" używanych w przestrzeni kosmicznej, marynarce lub w innych instalacjach ruchomych.

Uwaga: Pozycja ta nie dotyczy konwencjonalnych instalacji energetycznych, które, pomimo ich przeznaczenia do stosowania w konkretnych siłowniach jądrowych, można w zasadzie stosować do instalacji konwencjonalnych.

0B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

0B001 Następujące instalacje do separacji izotopów z "uranu naturalnego" i "uranu zubożonego", "specjalnych materiałów rozszczepialnych" i "innych materiałów rozszczepialnych", oraz urządzenia specjalnie do nich zaprojektowane lub wykonane;

a. Następujące instalacje specjalnie przeznaczone do separacji izotopów "uranu naturalnego" i "uranu zubożonego", "specjalnych materiałów rozszczepialnych" i "innych materiałów rozszczepialnych":

1. Instalacji do dyfuzyjnego rozdzielania gazów;

2. Instalacje do rozdzielania gazów metodą wirowania;

3. Instalacje do rozdzielania metodami aerodynamicznymi;

4. Instalacje do rozdzielania metodami wymiany chemicznej;

5. Instalacje do rozdzielania techniką wymiany jonów;

6. Instalacje do rozdzielania izotopów za pomocą "laserów" na parach metali;

7. Instalacje do rozdzielania izotopów za pomocą "laserów" molekularnych;

8. Instalacje do rozdzielania metodami plazmowymi;

9. Instalacje do rozdzielania metodami elektromagnetycznymi;

b. Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do separacji metodą dyfuzji gazowej:

1. Zawory mieszkowe wykonane z materiałów odpornych na działanie UF₆(np. aluminium, stopów aluminium, niklu lub jego stopów zawierających 60% wagowych niklu lub więcej), o średnicy od 40 do 1500 mm;

2. a. Sprężarki (wyporowe, odśrodkowe i osiowe) lub dmuchawy do gazów, o objętościowej pojemności ssania UF₆ wynoszącej 1 m³/min lub więcej oraz o ciśnieniu wylotowym do 667,7 kPa, wykonane z materiałów odpornych na działanie UF₆ albo chronione takimi materiałami (np. aluminium, stopy aluminium, nikiel lub jego stopy zawierające 60% wagowych niklu lub więcej);

b. Uszczelnienia wirujących wałów sprężarek lub dmuchaw wymienionych w pozycji 0B001.b.2.a, skonstruowane w taki sposób, żeby objętościowe natężenie przepływu gazu buforowego przez nieszczelności wynosiło poniżej 1000 cm³/min;

3. Przegrody do dyfuzji gazowej wykonane z porowatych materiałów metalowych, polimerowych lub ceramicznych, odpornych na żrące właściwości UF₆, i posiadające pory o średnicach od 10 do 100 nm, grubość 5 mm lub mniejszą oraz w przypadku elementów cylindrycznych, średnicę 25 mm lub mniejszą;

4. Obudowy dyfuzorów gazowych wykonane lub chronione materiałami odpornymi na działanie UF₆;

5. Wymienniki ciepła wykonane z aluminium, miedzi, niklu lub jego stopów zawierających ponad 60% wagowych niklu, albo z kombinacji tych metali, takie jak rury platerowane, przeznaczone do pracy w warunkach podciśnienia przy zachowaniu natężenia przepływu przez nieszczelności na takim poziomie, że ogranicza ono wzrost ciśnienia do mniej niż 10 Pa na godzinę przy różnicy ciśnień rzędu 100 kPa;

c. Następujące urządzenia i zespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonywane do stosowania w procesach wzbogacania metodą wirowania gazów:

1. Wirówki gazowe;

2. Kompletne zespoły rotorów składające się z jednego lub więcej wirujących cylindrów;

3. Cylindryczne zespoły rotorów o grubości 12 mm lub mniejszej, średnicy od 75 do 400 mm, wykonane z jednego z następujących materiałów o wysokim stosunku wytrzymałości mechanicznej do gęstości;

a. stal maraging o wytrzymałości na rozciąganie rzędu 2.050 MPa lub większej;

b. stopy aluminium o wytrzymałości na rozciąganie rzędu 460 MPa lub większej; lub

c. "materiały włókniste lub włókienkowe" o "module właściwym" powyżej 3,18 x 10⁶ m i "wytrzymałości właściwej na rozciąganie" powyżej 76,2 x 10³ m;

4. Łożyska na poduszce magnetycznej składające się z pierścieniowego magnesu zawieszonego w obudowie wykonanej z materiału odpornego na UF₆ (np. aluminium, stopów aluminium, niklu lub jego stopów zawierających 60% wagowych niklu lub więcej) zawierającej wewnątrz czynnik tłumiący i posiadające magnes sprzężony z nabiegunnikiem lub drugim magnesem osadzonym w pokrywie górnej wirnika;

5. Specjalnie wykonane łożyska składające się z zespołu czop-panewka osadzonego na amortyzatorze.

6. Pierścienie lub mieszki ze ściankami o grubości 3 mm lub większej i średnicy od 75 mm do 400 mm przeznaczone do lokalnego osadzenia cylindra wirnika albo do połączenia ze sobą wielu cylindrów wirników, wykonane z jednego z materiałów cechujących się wysokim stosunkiem wytrzymałości do gęstości, opisanych w Uwadze poniżej;

7. Deflektory o średnicy od 75 mm do 400 mm przeznaczone do instalowania wewnątrz cylindra wirnika odśrodkowego, wykonane z jednego z materiałów cechujących się wysokim stosunkiem wytrzymałości do gęstości, opisanych w Uwadze poniżej;

8. Pokrywy górne i dolne o średnicy od 75 mm do 400 mm pasujące do końców cylindra wirnika, wykonane z jednego z następujących materiałów:

a. stal maraging o wytrzymałości na rozciąganie rzędu 2.050 MPa lub większej;

b. stopy aluminium o wytrzymałości na rozciąganie rzędu 460 MPa lub większej; lub

c. "materiały włókniste lub włókienkowe" o "module właściwym" powyżej 3,18 x 10⁶ i "wytrzymałości właściwej na rozciąganie" powyżej 76,2 x 10³ m;

9. Pompy molekularne zawierające cylindry z wewnętrznymi, obrobionymi techniką skrawania lub wytłoczonymi, spiralnymi rowkami i wewnętrznymi wywierconymi otworami.

10. Pierścieniowe stojany silników do wysokoobrotowych wielofazowych silników histerezowych (lub reluktancyjnych) do pracy synchronicznej w próżni z częstotliwością 600-2.000 Hz i mocą od 50 do 1.000 woltoamperów.

11. Przemienniki częstotliwości (konwertory lub inwentory) specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do zasilania stojanów silników wirówek gazowych do wzbogacania, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne, i specjalnie do nich przeznaczone podzespoły:

a. Wyjście wielofazowe o częstotliwości od 600 do 2.000 Hz;

b. Regulacja częstotliwości z dokładnością lepszą niż 0,1%;

c. Zniekształcenia harmoniczne poniżej 2%, oraz

d. Sprawność powyżej 80%;

12. Obudowy (komory) wirówek, w których znajdują się zespoły wirników cylindrycznych wirówki gazowej, składające się ze sztywnego cylindra ze ściankami o grubości do 30 mm z precyzyjnie obrobionymi końcami i wykonane z materiałów odpornych na UF₆ lub też zabezpieczone takimi materiałami;

13. Zbieraki składające się z rurek o średnicy wewnętrznej do 12 mm, przeznaczone do ekstrahowania gazowego UF₆ z wirnika wirówki na zasadzie rurki Pitota, wykonane z materiałów odpornych na UF₆ lub też zabezpieczone takimi materiałami;

d. Następujące urządzenia i podzespoły specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do aerodynamicznego wzbogacania materiałów:

1. Dysze separujące składające się ze szczelinowych, zakrzywionych kanałów o promieniu krzywizny poniżej 1 mm, zawierające w środku ostre krawędzie rozdzielające gaz płynny w dyszach na dwa strumienie;

2. Cylindryczne lub stożkowe rury napędzane stycznym strumieniem wlotowym (rurki wirowe) wykonane z materiałów odpornych na UF₆ lub też zabezpieczone takimi materiałami, mające średnicę od 0,5 cm do 4 cm i stosunek długości do średnicy 20 : 1 lub mniejszy, oraz jeden lub kilka stycznych wlotów;

3. Sprężarki (wyporowe, odśrodkowe i osiowe) lub dmuchawy do gazów, o objętościowej pojemności ssania 2 m³/min, wykonane z materiałów odpornych na działanie UF₆ albo zabezpieczone takimi materiałami (np. aluminium, stopy aluminium, nikiel lub jego stopy zawierające 60% udziału wagowego niklu lub więcej), oraz wirujące uszczelnienia wałów do nich;

4. Obudowy aerodynamicznych elementów rozdzielających, wykonane z materiałów odpornych na działanie UF₆ albo zabezpieczone takimi materiałami, przeznaczone na rurki wirowe lub dysze rozdzielające;

5. Wymienniki ciepła wykonane z aluminium, miedzi, niklu lub jego stopów zawierających ponad 60% wagowych niklu, albo z kombinacji tych metali, np. rury platerowane, przeznaczone do pracy przy ciśnieniach 600 kPa lub mniejszych;

6. Zawory mieszkowe wykonane z materiałów odpornych na działanie UF₆ albo zabezpieczone takimi materiałami, mające średnicę od 40 do 1500 mm;

7. Instalacje przetwórcze do oddzielania UF₆ od gazu nośnego (wodoru lub helu) do zawartości 1 ppm UF₆ lub mniejszej, w tym:

a. Kriogeniczne wymienniki ciepła i separatory zdolne do pracy w temperaturach -120^oC lub mniejszych;

b. Zamrażarki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur -120^oC lub niższych;

c. Dysze rozdzielające lub zespoły rurek wirowych do oddzielania UF₆ od gazu nośnego;

d. Wymrażarki UF₆ zdolne do pracy w temperaturach -20^oC lub niższych;

e. Następujące urządzenia i podzespoły do nich, specjalnie przeznaczone lub wykonywane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów techniką wymiany chemicznej:

1. Cieczowo-cieczowe kontaktory odśrodkowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urządzenia rzędu 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stężony kwas solny (np. wykonane lub pokryte odpowiednimi tworzywami sztucznymi takimi jak polimery fluorowęglowe lub pokryte szkłem);

2. Cieczowo-cieczowe kolumny impulsowe do szybkiej wymiany chemicznej z czasem przebywania czynnika w stopniu urządzenia rzędu 30 sekund lub krótszym oraz odporne na stężony kwas solny (np. wykonane lub pokryte odpowiednimi tworzywami sztucznymi takimi jak polimery fluorowęglowe lub pokryte szkłem);

3. Elektrochemiczne ogniwa redukcyjne do obniżania wartościowości uranu;

4. Urządzenia zasilania elektrochemicznego ogniw redukcyjnych, pobierające U⁺⁴ ze strumieni substancji organicznych, wykonane w strefach kontaktu z przetwarzanym strumieniem z odpowiednich materiałów lub chronione takimi materiałami (na przykład szkło, polimery fluorowęglowe, polisiarczan fenylu, polisulfon eteru i grafit nasycony żywicą);

5. Urządzenia do sporządzania półproduktów do wytwarzania roztworu chlorku uranu o wysokiej czystości, składające się z zespołów do rozpuszczania, ekstrakcji rozpuszczalnikowej i/lub wymiany jonowej, przeznaczone do oczyszczania, oraz ogniwa elektroniczne do redukowania uranu U⁺⁶lub U⁺⁴ do U⁺³;

6. Urządzenia do utleniania uranu ze stanu U⁺³ do U⁺⁴;

f. Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonywane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów techniką wymiany jonów:

1. Szybko reagujące żywice jonowymienne, żywice błonkowate lub porowate makrosiatkowe, w których grupy chemiczne biorące aktywny udział w wymianie znajdują się wyłącznie w powłoce na powierzchni nieaktywnej porowatej struktury nośnej, oraz inne materiały kompozytowe w dowolnej stosownej formie, w tym w postaci cząstek lub włókien, ze średnicami rzędu 0,2 mm lub mniejszymi, odporne na stężony kwas solny i wykonane w taki sposób, że ich półczas wymiany wynosi poniżej 10 sekund, oraz zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 100^oC do 200^oC;

2. Kolumny jonitowe (cylindryczne) o średnicy powyżej 1000 mm, wykonane z materiałów odpornych na stężony kwas solny, lub chronione takimi materiałami (np. tytan lub tworzywa fluorowęglowe) i zdolne do pracy w temperaturach w zakresie od 100^oC do 200^oC i przy ciśnieniach powyżej 0,7 MPa;

3. Jonitowe urządzenia zwrotne (urządzenia do chemicznego lub elektrochemicznego utleniania lub redukcji) przeznaczone do regeneracji substancji do chemicznej redukcji lub utleniania, stosowanych w jonitowych kaskadach do wzbogacania materiałów;

g. Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonywane z przeznaczeniem do separacji izotopów za pomocą "laserów" na parach metali:

1. Działa elektronowe o bardzo dużej mocy wynoszącej powyżej 50 kW oraz działa elektronowe wytwarzające strumień elektronów w reakcji zdzierania albo skaningowe działa elektronowe o mocy doprowadzanej powyżej 2,5 kW/cm, przeznaczone do urządzeń do przeprowadzania uranu w stan pary;

2. Tygle korytkowe oraz instalacje chłodnicze wykonane z materiałów odpornych na ciepło i korozyjne działanie stopionego uranu lub jego stopów (np. tantal, grafit powlekany tlenkiem itrowym, grafit powlekany tlenkami innych metali ziem rzadkich lub ich mieszanki) albo też chronione materiałami tego typu;

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 2A225.

3. Urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych, wykonane z materiałów odpornych na działanie cieplne korozyjne par uranu, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal;

4. Obudowy modułów urządzeń rozdzielających (zbiorniki cylindryczne lub prostopadłościenne) przeznaczone na źródła par uranu metalicznego, działa elektronowe oraz urządzenia do gromadzenia produktu i frakcji końcowych;

5. Lasery lub urządzenia laserowe do rozdzielania izotopów uranu wyposażone w stabilizatory częstotliwości przystosowane do pracy przez dłuższe okresy czasu;

h. Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do rozdzielania izotopów za pomocą "laserów" molekularnych:

1. Naddźwiękowe dysze rozprężne do chłodzenia mieszanin UF₆ z gazem nośnym do temperatur 150 K lub niższych, wykonane z materiałów odpornych na działanie UF₆;

2. Urządzenia do gromadzenia fluorku uranu (UF₅), składające się z kolektorów filtracyjnych, udarowych lub cyklonowych lub ich kombinacji, wykonane z materiałów odpornych na działanie UF₅/UF₆ (np. z aluminium, stopów aluminium, niklu lub stopów zawierających 60% wagowych niklu oraz z całkowicie fluorowanych polimerów wodorowęglowych odpornych na działanie UF₆);

3. Urządzenia do fluorowania UF₅ do UF₆;

4. Sprężarki wykonane z materiałów odpornych na działanie UF₆ albo zabezpieczone takimi materiałami (np. aluminium, stopy aluminium, nikiel lub jego stopy zawierające 60% wagowych niklu lub więcej), oraz wirujące uszczelnienia wałów do nich;

5. Urządzenia przetwórcze do oddzielania UF₆ od gazu nośnego (np. azotu lub argonu), w tym:

a. Kriogeniczne wymienniki ciepła i separatory zdolne do pracy w temperaturach -120^oC lub mniejszych;

b. Zamrażarki kriogeniczne zdolne do wytwarzania temperatur -120^oC lub niższych;

c. Wymrażarki UF₆ zdolne do pracy w temperaturach -20^oC lub niższych;

6. Lasery lub urządzenia laserowe do rozdzielania izotopów uranu wyposażone w stabilizatory częstotliwości przystosowane do pracy przez dłuższe okresy czasu;

i. Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do plazmowego rozdzielania materiałów:

1. Urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych, wykonane z materiałów odpornych na działanie cieplne i korozyjne par uranu, takich jak grafit powlekany tlenkiem itru lub tantal;

2. Wysokoczęstotliwościowe cewki do wzbudzania jonów pracujące w zakresie częstotliwości powyżej 100 kHz i zdolne do pracy w warunkach średniej mocy powyżej 40 kW;

3. Źródła mikrofal i anteny do wytwarzania lub przyspieszania jonów, o częstotliwości wyjściowej powyżej 30 GHz i średniej mocy wyjściowej powyżej 50 kW;

4. Urządzenia do wytwarzania plazmy uranowej;

5. Urządzenia do manipulowania płynnym uranem metalicznym składające się z tygli, wykonanych z odpowiednich materiałów odpornych na korozję i ciepło, albo chronionych materiałami (np. tantal, grafit powlekany tlenkiem itru, grafit powlekany tlenkami innych metali ziem rzadkich lub ich mieszanki) oraz instalacje chłodzące do tygli;

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 2A225.

6. Obudowy modułów separatorów (cylindryczne) na źródło plazmy uranowej, cewki na prądy wysokiej częstotliwości oraz kolektory do produktu i frakcji końcowych, wykonane z odpowiednich materiałów niemagnetycznych (np. ze stali nierdzewnej).

k. Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonywane z przeznaczeniem do wzbogacania materiałów metodami elektromagnetycznymi:

1. Źródła jonów, pojedyncze lub wielokrotne, składające się ze źródła pary, jonizatora oraz akceleratora wiązki wykonane z odpowiednich materiałów (np. grafitu, stali nierdzewnej lub miedzi) i zdolne do wytwarzania wiązki jonów o całkowitym natężeniu 50 mA lub większym;

2. Płytkowe kolektory jonów do gromadzenia wzbogaconych lub zubożonych wiązek jonów uranu, składające się z dwóch lub więcej szczelin i kieszeni i wykonane z odpowiednich (niemagnetycznych) materiałów (np. grafitu lub stali nierdzewnej);

3. Obudowy próżniowe do elektromagnetycznych separatorów uranu wykonane z materiałów niemagnetycznych (np. z grafitu lub stali nierdzewnej) i skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniach 0,1 Pa lub niższych;

4. Elementy biegunów magnesów o średnicy powyżej 2 m;

5. Wysokonapięciowe zasilacze do źródeł jonów, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

a. Zdolne do pracy w trybie ciągłym;

b. Napięcie wyjściowe 20.000 V lub większe;

c. Natężenie prądu na wyjściu 1 A lub większe;

d. Regulacja napięcia z dokładnością lepszą niż 0,01% w ciągu 8 godzin;

6. Zasilacze magnesów (wysokiej mocy, prądu stałego) mające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Zdolne do pracy w trybie ciągłym z prądem wyjściowym o natężeniu 500 A lub większym i napięciu 100 V lub większym;

b. Regulacja natężenia lub napięcia prądu z dokładnością większą niż 0,01% w ciągu 6 godzin.

0B002 Następujące specjalnie zaprojektowane lub wykonane pomocnicze instalacje, urządzenia i podzespoły do instalacji separacji izotopów wymienionych w pozycji 0B001, wykonane z materiałów odpornych na UF₆ lub chronione materiałami tego typu:

a. Autoklawy, piece lub instalacje do doprowadzania UF₆ do instalacji do wzbogacania;

b. Desublimatory lub wymrażarki do odprowadzania UF₆ z instalacji przetwórczych i dalszego jego transportu po ogrzaniu;

c. Instalacje do "produktu" lub "frakcji końcowych" do transportu UF₆ do zbiorników.

d. Instalacje do skraplania lub zestalania stosowane do usuwania UF₆ z procesu wzbogacania drogą sprężania i przetwarzania UF₆ w ciecz lub ciało stałe;

e. Instalacje rurociągowe i zbiorniki specjalnie przeznaczone do transportu i manipulowania UF₆ w procesach rozdzielania izotopów metodą dyfuzji, ultrawirowania lub kaskady aerodynamicznej, wykonane z materiałów odpornych na UF₆;

f. 1. Próżniowe instalacje rur rozgałęźnych lub zbiorników o wydajności ssania rzędu 5 m³ na minutę lub większej; lub

2. Pompy próżniowe specjalnie przeznaczone do pracy w atmosferze UF₆;

g. Spektrometry masowe (źródła jonów), specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do bieżącego (on-line) pobierania próbek surowca, produktu lub frakcji końcowych ze strumieni zawierających UF₆, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

1. Jednostkową rozdzielczość masy atomowej powyżej 320;

2. Źródła jonów wykonane lub powlekane nichromem lub monelem albo niklowane;

3. Elektronowe źródła jonizacyjne; i

4. Wyposażone w kolektory umożliwiające analizę izotopową.

0B003 Następujące instalacje do produkcji sześciofluorku uranu (UF₆) oraz specjalnie przeznaczone lub wykonywane do nich urządzenia i podzespoły:

a. Instalacje do produkcji UF₆;

b. Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do produkcji UF₆:

1. Ślimakowe reaktory do fluorowania i hydrofluorowania oraz reaktory i wieże płomieniowe;

2. Instalacje destylacyjne do oczyszczania UF₆.

0B004 Następujące instalacje do produkcji ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru oraz specjalnie do nich zaprojektowane i wykonane urządzenia:

a. Następujące instalacje do produkcji ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru oraz specjalnie do nich zaprojektowane i wykonane urządzenia:

1. Instalacje do produkcji metodą wymiany siarkowodór-woda;

2. Instalacje do produkcji metodą wymiany amoniak-wodór;

3. Instalacje do destylacji wodoru;

b. Następujące urządzenia i podzespoły, przeznaczone do:

1. Produkcji metodą wymiany siarkowodór-woda:

a. Półkowe wymienniki wieżowe;

b. Sprężarki do gazowego siarkowodoru;

2. Produkcji metodą wymiany amoniak-wodór:

a. Wysokociśnieniowe wymienniki wieżowe typu amoniak-wodór;

b. Wysokowydajne kontaktory stopniowe;

c. Stopniowe, zanurzeniowe pompy recyrkulacyjne;

d. Instalacje do krakowania amoniaku zdolne do pracy przy ciśnieniach powyżej 3 MPa;

3. Produkcji metodą destylacji wodoru:

a. Kriogeniczne wieże i zimne komory do destylacji wodoru zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej 34 K (-238^oC);

b. Zespoły turborozprężarek lub turborozprężarko-sprężarek zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej 35 K (-238^oC);

4. Produkcji metodą stężania ciężkiej wody do poziomu reaktorowego (99,75 procent udziału wagowego tlenku deuteru):

a. Wieże do destylacji wody ze specjalnie zaprojektowanymi wypełniaczami;

b. Wieże do destylacji amoniaku ze specjalnie zaprojektowanymi wypełniaczami;

c. Palniki kataliczne do konwersji całkowicie wzbogaconego deuteru w ciężką wodę;

d. Podczerwone analizatory absorpcyjne zdolne do bieżącej (on-line) analizy stosunku wodoru do deuteru w warunkach, w których stężenia wagowe wodoru do deuteru są równe lub większe niż 90%;

0B005 Instalacje specjalnie przeznaczone do wytwarzania elementów paliwowych do "reaktorów jądrowych" oraz specjalnie do nich przeznaczone urządzenia.

Uwaga: Instalacje do wytwarzania elementów paliwowych do "reaktorów jądrowych" są wyposażone w urządzenia, które:

a. Pozostają w bezpośrednim kontakcie z materiałami jądrowymi albo bezpośrednio je przetwarzają lub sterują procesem ich produkcji.

b. Uszczelniają materiały jądrowe wewnątrz ich koszulek

c. Kontrolują szczelność koszulek; oraz

d. Kontrolują końcową obróbkę paliwa stałego.

0B006 Instalacje do przerobu napromieniowanych elementów paliwowych "reaktorów jądrowych" oraz specjalnie dla nich przeznaczone lub wykonane urządzenia i podzespoły, w tym:

a. Maszyny do rozdrabniania lub kruszenia elementów paliwowych, tj. zdalnie sterowane urządzenia do cięcia, rozdrabniania lub krojenia napromieniowanych zespołów, wiązek lub prętów paliwowych "reaktorów jądrowych";

b. Urządzenia do rozpuszczania, zbiorniki podkrytyczne (np. pierścieniowe lub płaskie zbiorniki o małych średnicach), specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do rozpuszczania napromieniowanego paliwa do "reaktorów jądrowych", odporne na działanie gorących, silnie żrących płynów, oraz przystosowane do zdalnego załadunku i obsługi;

c. Ekstraktory przeciwprądowe i urządzenia do separacji metodą wymiany jonów, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do przerobu napromieniowanego "uranu naturalnego", "uranu zubożonego" lub "specjalnych materiałów rozszczepialnych" i "innych materiałów rozszczepialnych";

d. Instrumenty do sterowania procesem przetwarzania, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do monitorowania lub sterowania przerobem napromieniowanego "uranu naturalnego", "uranu zubożonego" lub "specjalnych materiałów rozszczepialnych" i "innych materiałów rozszczepialnych";

e. Zbiorniki technologiczne lub magazynowe, specjalnie zaprojektowane w taki sposób, że są podkrytyczne i odporne na żrące działanie kwasu azotowego;

UWAGA: Zbiorniki podkrytyczne mogą mieć następujące właściwości, dzięki którym są bezpieczne z punktu widzenia osiągnięcia w nich stanu krytycznego:

1. Ścianki lub struktury wewnętrzne z co najmniej dwuprocentowym ekwiwalentem borowym;

2. maksymalną średnicę rzędu 175 mm w przypadku zbiorników cylindrycznych; lub

3. maksymalną szerokość 75 mm w przypadku zbiorników płytowych lub pierścieniowych.

f. Kompletne instalacje specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do konwersji azotanu plutonu w tlenek plutonu;

g. Kompletne instalacje specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do produkcji metalicznego plutonu.

UWAGA: Do instalacji do przetwarzania napromieniowanych elementów paliwowych "reaktorów jądrowych" należą urządzenia i podzespoły, które zazwyczaj wchodzą w bezpośredni kontakt z materiałami jądrowymi, służą do ich bezpośredniego przetwarzania lub sterowania ich przepływem;

0B007 Następujące urządzenia specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do separacji izotopów litu:

a. Cieczowo-cieczowe wymienniki kolumnowe z wypełnieniem specjalnie przeznaczone do amalgamatów litu;

b. Pompy do amalgamatów;

c. Ogniwa do elektrolizy amalgamatów;

d. Aparaty wyparne do stężonych roztworów wodorotlenku litu.

0B008 Urządzenia do "reaktorów jądrowych";

a. Symulatory specjalnie przeznaczone do "reaktorów jądrowych";

b. Ultradźwiękowa lub magnetoindukcyjna aparatura kontrolna specjalnie przeznaczona do "reaktorów jądrowych".

0B009 Następujące instalacje do przetwarzania uranu i urządzenia specjalnie przeznaczone lub wykonywane z przeznaczeniem do nich:

a. Instalacje do przetwarzania koncentratów rudy uranowej na UO₃;

b. Instalacje do przetwarzania UO₃ na UF₆;

c. Instalacje do przetwarzania UO₃ na UO₂;

d. Instalacje do przetwarzania UO₂ na UF₄;

e. Instalacje do przetwarzania UF₄ na UF₆;

f. Instalacje do przetwarzania UF₄ na metaliczny uran;

g. Instalacje do przetwarzania UF₆ na UO₂;

h. Instalacje do przetwarzania UF₆ na UF₄;

0C Materiały

0C001 "Uran naturalny" lub "uran zubożony" lub tor w formie metalu, stopu, związku chemicznego lub koncentratu i dowolnego innego materiału zawierającego jeden lub więcej z powyższych materiałów;

z wyjątkiem:

a. Czterech gramów lub mniej "uranu naturalnego" lub "uranu zubożonego" jeżeli znajdują się w czujnikach instrumentów pomiarowych;

b. "Uranu zubożonego" specjalnie wyprodukowanego z przeznaczeniem do wyrobu następujących produktów cywilnych spoza dziedziny jądrowej:

1. Osłony;

2. Wypełnienia;

3. Balasty;

4. Przeciwwagi.

0C002 "Specjalne materiały rozszczepialne" i "inne materiały rozszczepialne", tzn.: Pluton-239, "uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233" oraz dowolny, zawierający go materiał

z wyjątkiem:

Czterech "gramów efektywnych" lub mniej, w przypadku ich stosowania w czujnikach instrumentów pomiarowych.

0C003 Następujące materiały, które można zastosować w jądrowych instalacjach ciepłowniczych:

a. Pluton w dowolnej postaci zawierający izotop pluton-238 w ilości powyżej 50%;

z wyjątkiem:

Trzech gramów lub mniej, w przypadku kiedy znajduje się w czujnikach instrumentów pomiarowych;

b. "Uprzednio separowany" neptun-237 w dowolnej formie;

z wyjątkiem:

Dostaw zawierających neptun-237 w ilości jednego grama lub mniejszej.

0C004 Deuter, ciężka woda, deuterowane parafiny i wszystkie inne związki deuteru oraz ich mieszaniny i roztwory, w których stosunek liczby atomów deuteru do atomów wodoru jest większy niż 1 : 5000.

0C005 Grafit klasy jądrowej, o stopniu zanieczyszczenia poniżej 5 części na milion "ekwiwalentu boru" oraz gęstości większej niż 1,50 g/m³.

0C006 Następujący nikiel w proszku i porowaty nikiel metaliczny:

a. Proszek o procentowym stopniu czystości w proporcji wagowej 99,9 lub powyżej i średniej wielkości cząstek poniżej 10 mikrometrów, mierzonej według normy Amerykańskiego Towarzystwa Materiałoznawczego (ASTM) B330 i bardzo wysokim stopniu jednorodności wymiarowej cząstek;

b. Porowaty nikiel metaliczny wytwarzany z materiałów wymienionych w pozycji 0C006.a.;

z wyjątkiem:

Pojedynczych porowatych blach o wielkości nie przekraczającej 930 cm², przeznaczonych do wyrobu akumulatorów do zastosowań cywilnych.

0C201 Specjalnie sporządzone związki lub proszki, inne niż z niklu, odporne na żrące działanie UF₆ (np. tlenek glinu i całkowicie fluorowane polimery wodorowęglowe), przeznaczone do produkcji przegród do separacji materiałów techniką dyfuzji gazowej, o procentowym stopniu czystości w proporcji wagowej 99,9 lub powyżej i średniej wielkości cząstek poniżej 10 mikrometrów, mierzonej według normy Amerykańskiego Towarzystwa Materiałoznawczego (ASTM) B330 i bardzo wysokim stopniu jednorodności wymiarowej cząstek.

KATEGORIA 1 - MATERIAŁY, SUBSTANCJE CHEMICZNE, "MIKROORGANIZMY" I "TOKSYNY"

1A Urządzenia, zespoły i elementy

1A001 Następujące elementy wykonywane ze związków fluorowych:

a. Uszczelnienia, uszczelki, masy uszczelniające lub przepony w układach paliwowych, przeznaczone dla przemysłu lotniczego lub kosmicznego, w których ponad 50% zawartości stanowi jeden z materiałów objętych kontrolą według pozycji 1.C009.b lub c.;

b. Polimery i kopolimery piezoelektryczne wykonane z fluorku winylidenu:

1. w postaci arkuszy albo folii; i

2. o grubości większej od 200 mikrometrów;

c. Uszczelnienia, uszczelki, gniazda zaworów, przepony albo membrany wykonane z elastomerów fluorowych zawierających co najmniej jeden monomer eteru winylowego, specjalnie opracowane do samolotów, rakiet kosmicznych lub pocisków rakietowych.

"Pocisk rakietowy" oznacza w pozycji 1A001.c kompletne systemy rakietowe i bezzałogowe systemy obiektów latających w powietrzu.

1A002 Wyroby albo laminaty "kompozytowe":

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 1A202, 9A010 i 9A110.

a. Posiadające "matrycę" organiczną i wykonane z materiałów objętych kontrolą według pozycji 1C010.c, d lub e.; albo

b. Posiadające "matrycę" metalową lub węglową i wykonane z:

1. Węglowych "materiałów włóknistych lub włókienkowych" o:

a. "module właściwym" powyżej 10.15 x 10⁶ m; i

b. "wytrzymałości właściwej na rozciąganie" powyżej 17.7 x 10⁴ m; lub

2. Materiałów wymienionych w pozycji 1C10.c.

UWAGA: 1A002 nie dotyczy wyrobów kompozytowych ani laminatów wykonanych z żywic epoksydowych impregnowanych węglowymi "materiałami włóknistymi lub włókienkowymi", przeznaczonych do naprawy elementów lub laminatów samolotowych, pod warunkiem, że ich wielkość nie przekracza 1 m².

1A003 Wyroby z substancji polimerowych nie fluorowanych, określonych w pozycji 1C008.a, w postaci folii, arkuszy, taśm lub wstęg:

a. o grubości powyżej 0,254 mm; lub

b. powlekane lub laminowane węglem, grafitem, metalami lub substancjami magnetycznymi.

1A102 Przesycane pirolizowane materiały typu węgiel-węgiel przeznaczone do systemów wymienionych w pozycjach 9A004 lub 9A104.

1A202 Elementy kompozytowe, różne od wymienionych w pozycji 1A002, w postaci rur o średnicy wewnętrznej od 75 mm do 400 mm wykonane z "materiałów włóknistych lub włókienkowych" wymienionych w pozycji 1C010.a. lub b. albo 1C210.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 9A110.

1A225 Katalizatory platynowe specjalne opracowane lub przygotowane do wspomagania reakcji wymiany izotopów wodoru pomiędzy wodorem a wodą w celu separacji trytu z ciężkiej wody albo w celu produkcji ciężkiej wody.

1A226 Wyspecjalizowane wkłady do oddzielania ciężkiej wody od wody zwykłej, wykonane z siatek z brązu fosforowego lub miedzi (w obu przypadkach obrobione chemicznie w celu zwiększenia zwilżalności) i przeznaczone do stosowania w próżniowych wieżach destylacyjnych.

1A227 Okna ochronne o wysokiej gęstości (ze szkła ołowiowego lub podobnych materiałów) o krawędzi bocznej powyżej 0,3 m, gęstości powyżej 3 g/m³ i grubości 100 mm lub większej; oraz specjalnie do nich skonstruowane ramy.

1B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

1B001 Następujące urządzenia do produkcji włókien, materiałów do prasowania laminatów zbrojonych, preform lub "kompozytów" wymienionych w pozycji 1A002 lub 1C010, oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 1B101 I 1B201.

a. Maszyny nawojowe do włókien, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów "kompozytowych" lub laminatów z "materiałów włóknistych lub włókienkowych";

b. Maszyny do układania taśm albo mat z włókien, z koordynowanymi i programowanymi w dwóch lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem taśm, mat lub płyt, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do "kompozytowych" elementów konstrukcyjnych płatowca samolotu lub pocisku rakietowego;

"Pocisk rakietowy" oznacza w pozycji 1B001.b kompletne systemy rakietowe i bezzałogowe systemy obiektów latających w powietrzu.

c. Wielokierunkowe, wielowymiarowe maszyny tkackie albo maszyny do przeplatania, włącznie z zestawami adaptacyjnymi i modyfikacyjnymi, przeznaczone do tkania, przeplatania lub oplatania włókien w celu wytworzenia elementów "kompozytowych";

z wyjątkiem:

maszyn tekstylnych nie zmodyfikowanych do wspomnianych powyżej zastosowań końcowych;

d. Następujące urządzenia specjalnie skonstruowane albo przystosowane do produkcji włókien wzmocnionych:

1. Urządzenia do przetwarzania włókien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, włókno z celulozy regenerowanej, pak albo polikarbosilan) we włókna węglowe lub włókna węglika krzemu, włącznie ze specjalnymi urządzeniami do naprężania włókien podczas ogrzewania;

2. Urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków lub związków chemicznych na ogrzanych podłożach włóknistych w celu wyprodukowania włókien z węglika krzemu;

3. Urządzenia do mokrego przędzenia ogniotrwałych materiałów ceramicznych (takich jak tlenek aluminiowy);

4. Urządzenia do przetwarzania za pomocą obróbki cieplnej włókien macierzystych zawierających aluminium we włókna aluminiowe;

e. Urządzenia do produkcji materiałów do prasowania laminatów zbrojonych, wymienionych w pozycji 1C010.e., metodą topienia termicznego (hot melt);

f. Urządzenia do badań nieniszczących, umożliwiające kontrolę wad w trzech wymiarach, metodą tomografii ultradźwiękowej albo rentgenowskiej i specjalnie skonstruowane do materiałów "kompozytowych";

1B002 Systemy i elementy do nich specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji stopów metali, proszków ze stopów metali lub materiałów stopowych wymienionych w pozycji 1C002.a.2, 1C002.b lub 1C002.c.

1B003 Narzędzia, matryce, formy lub osprzęt o specjalnej konstrukcji, do przetwarzania tytanu albo aluminium lub ich stopów w "stanie nadplastycznym" albo metodą "zgrzewania dyfuzyjnego" z przeznaczeniem do produkcji:

a. Konstrukcji lotniczych i kosmicznych;

b. Silników lotniczych i kosmicznych; lub

c. Specjalnie skonstruowanych zespołów do wspomnianych powyżej konstrukcji lub silników.

1B101 Następujące urządzenia, różne od wymienionych w pozycji 1B001, do produkcji kompozytów konstrukcyjnych; oraz specjalnie do nich skonstruowane elementy i akcesoria:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 1B201.

UWAGA:

Do wymienionych w tej pozycji elementów i akcesoriów należą formy, trzpienie, uchwyty i oprzyrządowanie do wstępnego prasowania, utrwalania, odlewania, spiekania lub spajania elementów kompozytowych, laminatów i wytworzonych z nich wyrobów.

a. Maszyny nawojowe do włókien, z koordynowanymi i programowanymi w trzech lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów z materiałów włóknistych lub włókienkowych;

b. Maszyny do układania taśm z koordynowanymi i programowanymi w dwóch lub więcej osiach ruchami związanymi z ustawianiem w odpowiednim położeniu i układaniem taśm, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do "kompozytowych" elementów konstrukcyjnych płatowca samolotu lub pocisku rakietowego;

c. Następujące urządzenia specjalnie skonstruowane albo przystosowane do produkcji materiałów włóknistych lub włókienkowych:

1. Urządzenia do przetwarzania włókien polimerowych (takich jak poliakrylonitryl, włókno z celulozy regenerowanej albo polikarbosilan) włącznie ze specjalnymi urządzeniami do naprężania włókien podczas ogrzewania;

2. Urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków lub związków chemicznych na ogrzanych podłożach włóknistych; oraz

3. Urządzenia do mokrego przędzenia ogniotrwałych materiałów ceramicznych (takich jak tlenek aluminiowy);

d. Urządzenia skonstruowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do specjalnej obróbki powierzchniowej włókien albo do wytwarzania materiałów do prasowania laminatów zbrojonych i preform wymienionych w pozycji 9A110.

UWAGA: Do urządzeń ujętych w niniejszym podrozdziale zalicza się rolki, naprężacze, zespoły powlekające, urządzenia do cięcia i formy zatrzaskowe.

1B115 Urządzenia do produkcji, manipulowania i testowania odbiorczego paliw i składników paliw wymienionych w pozycji 1C115 lub przeznaczonych dla zastosowań militarnych, oraz specjalnie do nich skonstruowane podzespoły.

UWAGI:

1. Jedynymi mieszarkami zaliczanymi do tego punktu są urządzenia umożliwiające mieszanie próżniowe w zakresie od zera do 13,326 kPa, w których można regulować temperaturę w komorze mieszania:

a. mieszarki okresowe o całkowitej wydajności objętościowej 110 litrów lub powyżej i co najmniej z jednym wałkiem mieszającym lub ugniatającym osadzonym mimośrodowo;

b. mieszarki ciągłe z dwoma lub więcej wałami mieszającymi lub ugniatającymi, o konstrukcji umożliwiającej otwieranie komory mieszania.

2. Urządzenia specjalnie skonstruowane do produkcji wyrobów militarnych wymagają indywidualnej oceny każdego przypadku.

1B116 Dysze o specjalnej konstrukcji, przeznaczone do wytwarzania materiałów pochodzenia pirolitycznego, formowanych w matrycy, na trzpieniu albo innym podłożu, z gazów macierzystych rozkładających się w zakresie temperatur od 1.573 K (1300^oC) do 3173 K (2900^oC) przy ciśnieniach w zakresie od 130 Pa do 20 kPa.

1B201 Maszyny do nawijania włókien, różne od wymienionych w pozycji 1B001 lub 1B101, z koordynowanymi i programowanymi w dwóch lub więcej osiach ruchami, związanymi z ustawianiem, owijaniem i nawijaniem włókien, specjalnie skonstruowane z przeznaczeniem do produkcji wyrobów kompozytowych lub laminatów z "materiałów włóknistych lub włókienkowych", zdolne do nawijania cylindrycznych wirników o średnicy od 75 mm do 400 mm i długości 600 mm lub większej oraz przeznaczone do nich sterowniki koordynujące i programujące oraz precyzyjne trzpienie.

1B225 Ogniwa elektrolityczne do produkcji fluoru o wydajności większej niż 250 gramów fluoru na godzinę.

1B226 Elektromagnetyczne separatory izotopów, skonstruowane z przeznaczeniem do współpracy z jednym lub wielu źródłami jonów zdolnymi do uzyskania wiązki jonów o całkowitym natężeniu rzędu 50 mA lub więcej, albo wyposażone w takie źródło lub źródła.

UWAGA: Pozycja 1B226 obejmuje następujące separatory:

a. zdolne do wzbogacania izotopów trwałych;

b. ze źródłami i kolektorami jonów zarówno w polu magnetycznym jak i w takich instalacjach, w których zespoły te znajdują się na zewnątrz pola.

1B227 Konwertery do syntezy amoniaku lub urządzenia do syntezy amoniaku, w których gaz do syntezy (azot lub wodór) jest odprowadzany z wysokociśnieniowej kolumny wymiennej amoniakowo-wodorowej, a zsyntetyzowany amoniak wraca do wspomnianej kolumny.

1B228 Kolumny do kriogenicznej destylacji wodoru posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

a. skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy temperaturach wewnętrznych 35 K (-238^oC) lub mniejszych;

b. skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniach wewnętrznych od 0,5 do 5 MPa (5 do 50 atmosfer);

c. skonstruowane z drobnoziarnistych stali nierdzewnych klasy 300 o niskiej zawartości siarki lub równoważnych materiałów kriogenicznych dostosowanych do działania w atmosferze H₂; oraz

d. o średnicach wewnętrznych 1 m lub większych i długościach efektywnych 5 m lub większych.

1B229 Kolumny półkowe do wymiany typu woda-siarkowodór wykonane z drobnoziarnistej stali węglowej o średnicy 1,8 m lub większej z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniu nominalnym 2 MPa lub wyższym.

UWAGI:

1. w przypadku kolumn specjalnie skonstruowanych lub spreparowanych do produkcji ciężkiej wody patrz 0B004.

2. pozycja 1B229 obejmuje kontaktory wewnętrzne w kolumnach, będące segmentowymi półkami o zespołowej średnicy roboczej 1,8 m lub większej, takie jak półki sitowe, półki zaworowe, półki dzwonowe, oraz półki rusztowe skonstruowane w sposób ułatwiający kontakt czynników w przepływie przeciwprądowym i wykonane z materiałów odpornych na korozję w wyniku działania mieszanki siarkowodoru z wodą, takich jak stal nierdzewna klasy 304L lub 316.

3. drobnoziarniste stale węglowe w tym stale określone w ASTM A516.

1B230 Pompy do przetłaczania roztworów katalizatora z amidku potasu rozcieńczonego lub stężonego w ciekłym amoniaku (KNH₂/NH₃), posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

a. szczelne dla powietrza (tj. hermetycznie zamknięte);

b. do stężonych roztworów amidku potasu (1% lub powyżej), z ciśnieniem roboczym 1,5-60 MPa (15-600 atmosfer); do rozcieńczonych roztworów amidku potasu (poniżej 1%), z ciśnieniem roboczym 20-60 MPa (200-600 atmosfer); oraz

c. o wydajności powyżej 8,5 m³/godz.

1B231 Urządzenia lub instalacje do produkcji, odzyskiwania, ekstrakcji, stężania lub manipulowania trytem, oraz następujące wyposażenie:

a. urządzenia do chłodzenia wodoru lub helu zdolne do chłodzenia do temperatury 23 K (-250^oC) lub poniżej, o wydajności odprowadzania ciepła powyżej 150 watów; lub

b. instalacje do magazynowania i oczyszczania izotopów wodoru za pomocą wodorków metali jako środków do magazynowania lub oczyszczania.

1C Materiały

1C001 Następujące materiały specjalnie opracowane z przeznaczeniem na pochłaniacze fal elektromagnetycznych, albo polimery przewodzące samoistnie:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 1C101

a. Materiały pochłaniające fale o częstotliwościach powyżej 2 x 10⁸ Hz ale poniżej 3 x 10¹² Hz;

z wyjątkiem:

następujących materiałów:

UWAGA: Żadne sformułowanie w pozycji 1C001.a nie zwalnia materiałów magnetycznych używanych jako pochłaniacze fal w farbach.

1. Pochłaniaczy typu włosowego, wykonanych z włókien naturalnych albo syntetycznych, w której pochłanianie osiąga się innym sposobem niż magnetyczny;

2. Pochłaniaczy nie wykazujących strat magnetycznych, oraz takich których powierzchnia, na którą pada promieniowanie nie jest planarna, w tym ostrosłupów, stożków, klinów i powierzchni zwichrowanych;

3. Pochłaniaczy planarnych:

a. Wykonanych:

1. ze spienionych tworzyw sztucznych (elastycznych albo nieelastycznych) wzmacnianych węglem, albo z materiałów organicznych, włącznie z materiałami wiążącymi, dających więcej niż 5% echa w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ±15% od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 450 K (177^oC); lub

2. z materiałów ceramicznych dających ponad 20% echa więcej w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ±15% od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 800 K (527^oC);

Uwaga techniczna:

Próbki do badania stopnia pochłaniania materiałów wymienionych w pozycji 1C001.a.3.a powinny być kwadratami o boku równym co najmniej 5 długościom fali o częstotliwości centralnej i umieszczone w miejscu oddalonym od elementu wysyłającego fale elektromagnetyczne.

b. Posiadających wytrzymałość na rozciąganie poniżej 7 x 10⁶ N/m²; oraz

c. Posiadających wytrzymałość na ściskanie poniżej 14 x 10⁶ N/m²;.

4. Pochłaniaczy planarnych wykonanych ze spieku ferrytowego, charakteryzującego się:

a. Ciężarem właściwym powyżej 4,4; oraz

b. Maksymalną temperaturą roboczą 548 K (275^oC);

b. Materiały pochłaniające fale o częstotliwościach w zakresie od 1,5 x 10¹⁴ Hz do 3,7 x 10¹⁴ Hz i nieprzezroczyste dla promieniowania widzialnego;

c. Materiały polimerowe przewodzące samoistnie, o objętościowej przewodności elektrycznej powyżej 10.000 S/m (simensów na metr) albo oporności powierzchniowej poniżej 200 omów/m², których podstawowym składnikiem jest jeden z następujących polimerów:

1. Polianilina;

2. Polipirol;

3. Politiofen;

4. Polifenylenowinylen; lub

5. Politienylowinylen.

Uwaga techniczna:

Objętościową przewodność elektryczną oraz oporność powierzchniową należy określać zgodnie z normą ASTM D-257 albo jej odpowiednikami.

1C002 Następujące stopy metali, proszki stopów metali albo materiały stopowe:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 1C202

UWAGA: Pozycja 1C002 nie obejmuje kontrolą stopów metali, proszków stopów metali ani materiałów stopowych do podłoży powlekanych.

a. Następujące stopy metali:

1. Następujące stopy na osnowie niklu albo tytanu w postaci przedstawionych poniżej glinków, w formie surowej albo półprzetworzonej:

a. Glinki niklu zawierające 10 procent wagowych lub więcej aluminium;

b. Glinki tytanu zawierające 12 procent wagowych lub więcej aluminium;

2. Następujące stopy metali wykonane z proszków stopów metali albo materiałów jednorodnych wymienionych w pozycji 1C002.b:

a. Stopy niklu o:

1. Trwałości w próbie pełzania do zerwania wynoszącej 10.000 lub więcej godzin, w temperaturze 923 K (650^oC) przy naprężeniach 550 MPa; lub

2. Trwałości w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych wynoszącej 10.000 lub więcej cykli w temperaturze 823 K (550^oC) przy maksymalnym naprężeniu 700 MPa;

b. Stopy niobu o:

1. Trwałości w próbie pełzania do zerwania wynoszącej 10.000 lub więcej godzin, w temperaturze 1.073 K (800^oC) przy naprężeniach 400 MPa; lub

2. Trwałości w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych wynoszącej 10.000 lub więcej cykli w temperaturze 973 K (700^oC) przy maksymalnym naprężeniu 700 MPa;

c. Stopy tytanu o:

1. Trwałości w próbie pełzania do zerwania wynoszącej 10.000 lub więcej godzin, w temperaturze 723 K (450^oC) przy naprężeniu 200 MPa; lub

2. Trwałości w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych wynoszącej 10.000 lub więcej cykli w temperaturze 723 K (450^oC) przy maksymalnym naprężeniu 400 MPa;

d. Stopy aluminium o wytrzymałości na rozciąganie:

1. 240 MPa lub większej w temperaturze 473 K (200^oC); lub

2. 415 MPa lub większej w temperaturze 298 K (25^oC);

e. Stopy magnezu o wytrzymałości na rozciąganie 345 MPa lub większej i szybkości korozji w 3% wodnym roztworze chlorku sodowego, mierzonej według normy ASTM G-31 albo jej odpowiedników, wynoszącej poniżej 1 mm/rok;

Uwagi techniczne:

1. Do stopów metalu według pozycji 1C002.a zalicza się takie, które zawierają wyższy procent wagowy danego metalu niż dowolnego innego pierwiastka.

2. Trwałość w próbie pełzania do zerwania powinna być określana według normy ASTM E-139 lub jej odpowiedników.

3. Trwałość w niskocyklowych badaniach zmęczeniowych należy określać według normy ASTM E-606 "Zalecana metoda niskocyklowego badania zmęczeniowego przy stałej amplitudzie" albo jej odpowiedników. Badania należy prowadzić przy obciążeniu skierowanym osiowo, przy średniej wartości współczynnika asymetrii cyklu 1 oraz wartości współczynnika spiętrzania naprężeń (K_t) równej 1. Naprężenie średnie definiuje się jako różnicę naprężenia maksymalnego i minimalnego podzieloną przez naprężenie maksymalne.

b. Następujące proszki stopu metalu albo materiału jednorodnego do wyrobu materiałów ujętych w pozycji 1C002.a:

1. Wykonane z dowolnego z podanych poniżej komponentów:

Uwaga techniczna:

W podanych poniżej związkach X oznacza jeden lub więcej składników stopu.

a. Stopów niklu (Ni-Al-X, Ni-X-Al) przeznaczonych do wyrobu części albo zespołów silników turbinowych, tj. zawierających mniej niż 3 cząsteczki niemetalowe (wprowadzone podczas procesu produkcji), o wielkości przekraczającej 100 mikrometrów, na 10⁹ cząstek stopu;

b. Stopów niobu (Nb-Al-X lub Nb-X-Al, Nb-Si-X lub Nb-X-Si, Nb-Ti-X lub Nb-X-Ti);

c. Stopów tytanu (Ti-Al-X lub Ti-X-Al);

d. Stopów aluminium (Al-Mg-X lub Al-X-Mg, Al-Zn-X lub Al-X-Zn, Al-Fe-X lub Al-X-Fe); lub

e. Stopów magnezu (Mg-Al-X lub Mg-X-Al); oraz

2. Wyprodukowane w atmosferze o regulowanych parametrach jedną z następujących metod:

a. "Rozpylania próżniowego";

b. "Rozpylania gazowego";

c. "Rozpylania rotacyjnego";

d. "Chłodzenia ultraszybkiego";

e. "Przędzenia ze stopu" i "proszkowania";

f. "Ekstrakcji ze stopu" i "proszkowania"; lub

g. "Stapiania mechanicznego";

c. Materiały stopowe, w postaci niesproszkowanych płatków, wstążek lub cienkich pręcików, produkowanych w atmosferze o regulowanych parametrach metodą "ultraszybkiego chłodzenia", "przędzenia ze stopu" lub "ekstrakcji ze stopu", używane do produkcji proszku stopu metali lub materiału jednorodnego, ujęte w pozycji 1C002.b.

1C003 Metale magnetyczne, bez względu na typ i postać, posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych

a. Początkową względną przenikalność magnetyczną 120.000 lub wyższą i grubość 0,05 mm albo mniejszą;

Uwaga techniczna:

Początkową względną przenikalność magnetyczną należy mierzyć na materiałach całkowicie wyżarzonych.

b. Stopy magnetostrykcyjne o:

1. Magnetostrykcji nasycenia powyżej 5 x 10^-4; lub

2. Współczynniki sprzężenia żyromagnetycznego (k) powyżej 0,8; lub

c. Taśmy ze stopów amorficznych o:

1. Składzie minimum 75% żelaza, kobaltu lub niklu; lub

2. Indukcji magnetycznej nasycenia (B_s) 1,6 T lub wyższej, i:

a. Grubości taśm 0,02 mm lub mniejszej; lub

b. Oporności właściwej 2 x 10^-4 ohm cm lub większej.

1C004 Stopy uranowotytanowe lub stopy wolframu na "matrycy" z żelaza, niklu lub miedzi, posiadające wszystkie wymienione poniżej właściwości.

a. Gęstość powyżej 17,5 g/cm³;

b. Granicę sprężystości powyżej 1.250 MPa;

c. Wytrzymałość na rozciąganie powyżej 1.270 MPa;

d. Wydłużenie powyżej 8%.

1C005 Następujące "nadprzewodzące" przewodniki "kompozytowe" o długości powyżej 100 m lub masie powyżej 100 g:

a. Wielowłókienkowe "nadprzewodzące" przewodniki "kompozytowe", w których skład wchodzi jedno albo więcej włókien niobowo-tytanowych:

1. Osadzonych w "matrycy" różnej od miedzianej lub "matrycy" mieszanej na osnowie miedzi; lub

2. O polu przekroju poprzecznego poniżej 0,28 x 10^-4 mm² (o średnicy 6 mikrometrów w przypadku włókien o przekroju kołowym);

b. "Nadprzewodzące" przewodniki "kompozytowe", w których skład wchodzi jedno albo więcej włókien "nadprzewodzących" różnych od niobowo-tytanowych:

1. O "temperaturze krytycznej" przy zerowej indukcji magnetycznej powyżej 9,85 K 9-263,31^oC) ale poniżej 24 K (-249,16^oC);

2. O polu przekroju poprzecznego poniżej 0,28 x 10^-4 mm2; i

3. Zachowujące swoją "nadprzewodowość" w temperaturze 4,2 K (-268,96^oC) pod działaniem pola magnetycznego równoważnego indukcji magnetycznej 12 T.

1C006 Następujące ciecze i materiały smarne:

a. Ciecze hydrauliczne zawierające jako składniki podstawowe dowolny z następujących związków chemicznych albo materiałów:

1. Syntetyczne oleje węglowodorowe lub krzemowęglowodorowe o następujących właściwościach:

a. Temperaturze zapłonu powyżej 477 K (204^oC);

b. Temperaturze krzepnięcia 239 K (-34^oC) lub niższej,

c. Wskaźniki lepkości 75 lub więcej; i

d. Stabilności termicznej w temperaturze 616 K (343^oC); lub

UWAGA: Dla celów pozycji 1C006.a.1 zakłada się, że oleje krzemowęglowodorowe zawierają wyłącznie krzem, wodór i węgiel.

2. Chlorofluoropochodne węglowodorów o następujących właściwościach:

a. Bez temperatury zapłonu;

b. Temperaturze samozapłonu powyżej 977 K (704^oC);

c. Temperaturze krzepnięcia 219 K (-54^oC) lub niższej;

d. Wskaźniku lepkości 80 lub więcej; i

e. Temperaturze wrzenia 473 K (200^oC) lub wyższej;

UWAGA: Dla celów pozycji 1C006.a.2, zakłada się, że chlorofluoropochodne węglowodorów zawierają wyłącznie węgiel, fluor i chlor.

b. Materiały smarne zwierające jako składniki podstawowe dowolny z następujących związków chemicznych albo materiałów:

1. Etery albo tioetery lub alkilofenylowe, albo ich mieszaniny, zawierające powyżej dwóch grup funkcyjnych eteru lub tioeteru, lub ich mieszaninę; lub

2. Fluorowe oleje silnikowe o lepkości kinematycznej poniżej 5.000 mm²/s (5.000 centystokesów) mierzonej w temperaturze 298 K (25^oC);

c. Ciecze zwilżające lub flotacyjne o czystości powyżej 99,8%, zawierające mniej niż 25 cząstek o średnicy 200 mikrometrów lub większej w 100 ml i wykonane co najmniej w 85% z dowolnego z następujących związków chemicznych lub materiałów:

1. Dibromotetrafluoroetanu;

2. Polichlorotrifluoroetylenu (tylko modyfikowanego olejem albo woskiem); lub

3. Polibromotrifluoroetylenu;

Uwaga techniczna:

Dla celów pozycji 1C006:

a. Temperaturę zapłonu określa się metodą Cleveland Open Cup Method (Otwartego kubka) opisaną w normie ASTM D-92 lub jej odpowiednikach.

b. Temperaturę krzepnięcia określa się metodą opisaną w normie ASTM D-97 albo jej odpowiednikach.

c. Wskaźnik lepkości określa się metodą opisaną w normie ASTM D-2270 albo jej odpowiednikach.

d. Stabilność termiczną określa się według przedstawionej poniżej procedury albo jej odpowiedników:

Umieścić dwadzieścia ml badanej cieczy w komorze ze stali nierdzewnej typu 317 o pojemności 46 ml, w której znajdują się trzy kulki o średnicy (nominalnej) 12,5 mm, jedna ze stali narzędziowej M-10, druga ze stali 52100 i trzecia z mosiądzu morskiego dwufazowego (60% Cu, 39% Zn, 0,75% Sn). Następnie napełnić komorę azotem, zamknąć pod ciśnieniem atmosferycznym, podnieść temperaturę do 644 + 6 K (371 + 6^oC) i utrzymać ją na tym poziomie przez sześć godzin.

Próbkę uznaje się za stabilną termicznie jeżeli po zakończeniu badania spełnione są wszystkie następujące warunki:

1. Spadek wagi każdej z kulek jest mniejszy niż 10 mg/mm2 powierzchni kulki;

2. Zmiana lepkości początkowej określonej w temperaturze 311 K (38^oC) jest mniejsza niż 25%; i

3. Całkowita liczba kwasowa lub zasadowa jest mniejsza niż 040;

e. Temperaturę samozapłonu wyznacza się metodą opisaną w normie ASTM E-659 albo w jej odpowiednikach.

1C007 Następujące materiały na osnowie ceramicznej, niekompozytowe materiały ceramiczne, materiały kompozytowe na "matrycy" ceramicznej oraz materiały macierzyste:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 1C107

a. Materiały podłożowe z pojedynczych albo złożonych borków tytanowych, w których łączna ilość zanieczyszczeń metalicznych, z wyłączeniem dodatków zamierzonych, wynosi poniżej 5.000 ppm (części na milion), przeciętne wymiary cząstek są równe albo mniejsze niż 5 mikrometrów oraz zawierają nie więcej niż 10% cząstek o wielkości powyżej 10 mikrometrów;

b. Niekompozytowe materiały ceramiczne w postaci nieprzerobionej albo półprzetworzonej, złożone z borków tytanowych o gęstości stanowiącej 98% lub więcej gęstości teoretycznej;

z wyjątkiem:

materiałów ściernych;

c. Materiały "kompozytowe" ceramiczno-ceramiczne na "matrycy" szkła albo tlenkowej i wzmacniane włóknami wykonanymi z jednego z następujących komponentów:

1. Si-N;

2. Si-C;

3. Si-Al-O-N; lub

4. Si-O-N;

d. Materiały "kompozytowe: ceramiczno-ceramiczne, z fazą metaliczną o strukturze ciągłej albo bez tej fazy, zawierające rozproszone drobne cząstki albo fazy dowolnego materiału włóknistego albo przypominającego wisker, w którym "matrycę" stanowią węgliki albo azotki krzemu, cyrkonu lub boru;

e. Następujące materiały macierzyste (tj. specjalne polimery albo materiały metaloorganiczne) do wytwarzania dowolnej fazy albo faz materiałów ujętych w pozycji 1C007.c:

1. Polidiorganosilany (do produkcji węglika krzemu);

2. Polisilazany (do produkcji azotka krzemu);

3. Polikarbosilazany (do produkcji materiałów ceramicznych zawierających składniki krzemowe, węglowe i azotowe);

1C008 Następujące materiały polimerowe nie zawierające fluoru:

a. 1. Bismalemidy;

2. Poliamidoimidy aromatyczne;

3. Poliimidy aromatyczne;

4. Polieteroimidy aromatyczne o temperaturze zeszklenia (Tg) powyżej 503 K (230^oC) mierzonej metodą mokrą;

UWAGA: Pozycja 1C008.a nie obejmuje kontrolą nietopliwych proszków do prasowania w formach ani wytłoczek.

b. Ciekłe kryształy z kopolimerów termoplastycznych o temperaturze ugięcia pod obciążeniem powyżej 523 (250^oC) mierzonej według normy ASTM D-648, metodą A, albo jej odpowiedników, przy obciążeniu 1,82 N/mm², w których skład wchodzą:

1. Jeden z następujących komponentów:

a. Fenylen, bifenylen lub naftalen; lub

b. Fenylen, bifenylen lub naftalen z podstawnikiem metylowym, trzeciorzędowym butylowym albo fenylowym; i

2. Dowolny z następujących kwasów:

a. Kwas tereftalowy;

b. Kwas 6-hydroksy-2 naftoesowy; lub

c. Kwas 4-hydroksybenzoesowy;

c. Następujące poliketony arylenoeterowe:

1. Poliketon eterowo-eterowy (PEEK);

2. Poliketon eterowo-ketonowy (PEKK);

3. Poliketon eterowy (PEK);

4. Poliketon eterowo-ketonowo-eterowo-ketonowy (PEKEKK);

d. Poliketony arylenowe;

e. Polisiarczki arylenowe, w których grupa arylenową jest bifenyl, trifenyl albo ich kombinacja;

f. Polisulfon bifenylenoeterowy;

1C009 Następujące nie przetwarzane związki fluorowe:

a. Kopolimery fluorku winylidenu posiadające w 75%, albo więcej, struktu beta krystaliczną bez rozciągania;

b. Poliimidy fluorowane zawierające 30% albo więcej związanego fluoru;

c. Fluorowane elastomery fosfazenowe zawierające 30% albo więcej związanego fluoru.

1C010 Następujące "materiały włókniste lub włókienkowe", które można zastosować w materiałach "kompozytowych" lub laminatach z "matrycą organiczną, metalową lub węglową:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 1C210.

a. Organiczne materiały "włókniste lub włókienkowe" (z wyjątkiem polietylenu) o:

1. "Module właściwym" powyżej 12,7 z 10⁶ m; i

2. "Wytrzymałości właściwej na rozciąganie" powyżej 23,5 x 10⁴ m;

b. "Włókniste i włókienkowe" materiały węglowe o:

1. "Module właściwym" powyżej 12,7 x 10⁶ m; i

2. "Wytrzymałości właściwej" na rozciąganie powyżej 23,5 x 10⁴ m;

Uwaga techniczna:

Właściwości materiałów ujętych w pozycji 1C010.b. należy określać zalecanymi przez Stowarzyszenie Dostawców Wysokojakościowych Materiałów Kompozytowych (SACMA) metodami SRM 12 do 17, albo równoważnymi metodami badania włókien, takimi jak Japońska Norma Przemysłowa JIS-R-7601, Paragraf 6.6.2., i opartymi na badaniu przeciętnej próbki z partii materiału.

UWAGA: Pozycja 1C010.b. nie dotyczy kontroli tkanin wykonanych z "materiałów włóknistych lub włókienkowych" przeznaczonych do naprawy konstrukcji lotniczych ani laminatów, pod warunkiem, że wymiary pojedynczych arkuszy materiału nie przekraczają wielkości 50 cm x 90 cm.

c. Nieorganiczne "materiały włókniste lub włókienkowe" o:

1. "Module właściwym" powyżej 2,54 x 10⁶ m; i

2. Temperaturze topnienia, rozkładu lub sublimacji powyżej 1.922 K (1.649^oC) w środowisku obojętnym;

UWAGA: Pozycja 1C010.c nie dotyczy kontroli:

1. Nieciągłych, wielofazowych, polikrystalicznych włókien aluminiowych w postaci włókien ciętych albo mat o strukturze bezładnej, zawierających 3 procent wagowych albo więcej krzemu, i mających "moduł właściwy" poniżej 10 x 10⁶ m;

2. Włókien molibdenowych i ze stopów molibdenowych;

3. Włókien borowych;

4. Nieciągłych włókien ceramicznych o temperaturze topnienia, rozkładu lub sublimacji poniżej 2.043 K (1.770^oC) w środowisku obojętnym.

d. "Materiały włókniste albo włókienkowe";

1. Zawierające dowolny z następujących związków:

a. Polieteroimidy określone w pozycji 1C008.a.; lub

b. Materiały ujęte w pozycjach 1C008.b, c, d, e, lub f,; lub

2. Złożone z materiałów ujętych w pozycji 1C010.d.1.a lub B i "zmieszane" z innymi materiałami włóknistymi ujętymi w pozycjach 1C010.a, b, lub c;

e. Następujące włókna impregnowane żywicą lub pakiem (materiały do prasowania laminatów zbrojonych), włókna powlekane metalem lub węglem (preformy) włókien węglowych;

UWAGA; PATRZ RÓWNIEŻ 9A010

1. Wykonane z "materiałów włóknistych lub włókien" określonych w pozycji 1C010.a, b, lub c;

2. wykonane z organicznych lub węglowych "materiałów włóknistych lub włókienkowych";

a. o "wytrzymałości właściwej na rozciąganie" powyżej 17,7 x 10⁴ m;

b. o "module właściwym" powyżej 10,15 x 10⁶ m;

c. nie ujęte w pozycji 1010.a lub b; i

d. w przypadku gdy są impregnowane materiałami określonymi w pozycjach 1C008 lub 1C009.b, albo żywicami fenolowymi lub epoksydowymi, o temperaturze zeszklenia (Tg) powyżej 383 K (110 ^oC).

UWAGA: Pozycja 1C010.e. nie dotyczy impregnowanych żywicą epoksydową matryc z "materiałów włóknistych lub włókienkowych" (materiałów do prasowania laminatów zbrojonych) przeznaczonych do naprawy konstrukcji lotniczych ani laminatów, pod warunkiem, że wymiary pojedynczych arkuszy materiału nie przekraczają wielkości 50 cm x 90 cm.

1C101 Materiały i urządzenia do obiektów o zmniejszonej wykrywalności za pomocą odbitych fal radarowych, śladów w zakresie promieniowania nadfioletowego i (lub) podczerwonego i śladów akustycznych, inne niż określone w pozycji 1C001, w zastosowaniu do "pocisków rakietowych" i ich podsystemów.

UWAGI: 1. 1C101 obejmuje:

a. Materiały strukturalne i powłoki specjalne opracowane pod kątem zmniejszenia ich echa radarowego;

b. Powłoki, w tym farby, specjalnie opracowane pod kątem zmniejszenia ilości odbijanego lub emitowanego promieniowania z zakresu mikrofalowego, podczerwonego lub nadfioletowego promieniowania elektromagnetycznego.

2. 1C101 nie dotyczy powłok, pd warunkiem, że są specjalnie używane do regulacji temperatur w satelitach.

1C107 Następujące materiały grafitowe i ceramiczne:

a. Drobnoziarniste, rekrystalizowane materiały grafitowe luzem o gęstości nasypowej co najmniej 1,72 g/cm³ lub większej, mierzonej w temperaturze 288 K (15^oC) i o wymiarach cząstek 100 mikrometrów lub mniejszych, materiały grafitowe pirolityczne lub wzmacniane włóknami, używane do produkcji dysz do rakiet i na przednie krawędzie zespołów obiektów kosmicznych lądujących na ziemi.

b. Ceramiczne materiały kompozytowe (o stałej dielektrycznej poniżej 6 przy częstotliwościach od 100 Hz do 10.000 MHz), nadające się również do wyrobu kopułek anten radiolokatorów, oraz skrawalne, niepalne materiały ceramiczne wzmacniane włóknami krzemowo-węglowymi, używane do wyrobu przednich krawędzi obiektów latających.

1C115 Następujące substancje napędowe i związki chemiczne do nich:

a. Substancje napędowe:

1. Sferyczny proszek aluminiowy, różny od specjalnie przeznaczonego do zastosowań militarnych, złożony z cząstek o równomiernej średnicy i wielkości poniżej 500 mikrometrów i zawartości aluminium rzędu 97 procent wagowych lub większej;

2. Paliwa metalowe, różne od specjalnie przeznaczonych do zastosowań militarnych, w postaci cząstek o średnicy poniżej 500 mikrometrów, w postaci sferycznej, zatomizowanej, sferoidalnej, płatków lub silnie rozdrobnionego proszku, zawierające 97 procent wagowych lub więcej jednego z następujących składników:

a. cyrkonu;

b. berylu;

c. boru;

d. magnezu;

e. cynku;

f. stopów metali określonych w pozycjach od a do e powyżej; lub

g. mieszanki metali (miszmetale);

3. Następujące płynne utleniacze:

a. tritlenek diazotu;

b. ditlenek azotu, tetratlenek diazotu;

c. pentatlenek diazotu;

b. Substancje polimerowe:

1. polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą karboksylową (CTPB);

2. polibutadiem o łańcuchach zakończonych grupą hydroksylową (HTPB), różny od specjalnie przeznaczonego do zastosowań militarnych;

3. kopolimer butadienu z kwasem akrylowym (PBAA);

4. kopolimer butadienu z kwasem akrylowym i akrylonitrylem (PBAN).

c. Inne dodatki i środki do paliw:

1. butacen;

2. diazotan glikoietylenowego (TEGDN) (diazotan 3,6 dioksaokatno-1,8-diolu0;

3. 2-nitrodifenyloamina;

1C116 Stale maraging (stale charakteryzujące się wysoką zawartością niklu, bardzo niską zawartością węgla i pewną zawartością składników zastępczych, umożliwiających utwardzanie wydzielinowe), o wytrzymałości na rozciąganie 1500 MPa lub większej, mierzonej w temperaturze 293 K (20^oC), w postaci blach, płyt lub rur o grubości ścianek rur lub grubości płyt równej lub mniejszej niż 5 mm.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 1C216.

1C117 Wolfram, molibden oraz stopy tych metali w postaci regularnych albo rozpylonych cząstek o średnicy 500 mikrometrów lub mniejszej i czystości 97 procent lub wyższej, przeznaczone do produkcji zespołów silników rakietowych; tj. osłon termicznych, elementów dysz, gardzieli dysz i powierzchni do sterowania wektorem ciągu.

1C202 Następujące stopy, różne od określonych w pozycji 1C002.a.2.c lub d.:

a. Stopy aluminium, które mogą uzyskać wytrzymałość na rozciąganie 460 MPa lub powyżej w temperaturze 293 K (20^oC), w postaci rur lub elementów litych (w tym odkuwek) o średnicy zewnętrznej powyżej 75 mm.

b. Stopy tytanu, mogą uzyskać wytrzymałość na rozciąganie 900 MPa lub powyżej w temperaturze 293 K (20^oC), w postaci rur lub elementów litych (w tym odkuwek) o średnicy zewnętrznej powyżej 75 mm.

Uwaga techniczna:

Sformułowanie "które mogą uzyskać" dotyczy stopów przed lub po obróbce cieplnej.

1C210 Następujące "materiały włókniste lub włókienkowe", różne od określonych w pozycji 1C010.a lub b.:

a. Węglowe lub z poliamidu aromatycznego "materiały włókniste lub włókienkowe" o "module właściwym" 12,7 x 10⁶ m lub większym lub "wytrzymałości właściwej na rozciąganie" 23,5 x 10⁴ lub powyżej, lub

b. Szklane "materiały włókniste lub włókienkowe" o "module właściwym" 3,18 x 10⁶ m lub większym i "wytrzymałości właściwej na rozciąganie" 7,62 x 10⁴ m lub większej.

1C216 Stal maraging, różna od określonej w pozycji 1C116, która może uzyskać wytrzymałość na rozciąganie 2050 MPa lub większą, w temperaturze 293 K (20^oC); z wyjątkiem:

Elementów, w których żaden z wymiarów liniowych nie jest większy niż 75 mm.

Uwaga techniczna:

Sformułowanie "stal maraging, która może uzyskać", obejmuje stal maraging przed lub po obróbce cieplnej.

1C225 Bor i związki boru, mieszanki i materiały obciążone, w których zawartość izotopu boru-10 wynosi powyżej 20% wagowych całkowitej zawartości boru.

1C226 Wolfram w następujących postaciach: części wykonanych z wolframu, węglika wolframu lub stopów wolframu (powyżej 90% wolframu) o masie powyżej 20 kg i symetrii cylindrycznej (w tym segmenty cylindryczne) o średnicy wewnętrznej powyżej 100 mm ale poniżej 300 mm;

z wyjątkiem:

Części skonstruowanych z przeznaczeniem specjalnie na odważniki lub na kolimatory promieniowania gamma.

1C227 Wapń (o wysokiej czystości) zawierający poniżej 1000 części wagowych na milion zanieczyszczeń metalowych różnych od magnezu oraz poniżej 10 części na milion boru.

1C228 Magnez (o wysokiej czystości) zawierający poniżej 200 części wagowych na milion zanieczyszczeń metalowych różnych od wapnia oraz poniżej 10 części na milion boru.

1C229 Bizmut o wysokiej czystości (99,99% lub większej) z bardzo małą zawartością srebra (poniżej 10 części na milion).

1C230 Beryl metaliczny, stopy zawierające beryl w ilości powyżej 50% wagowych, związki zawierające beryl i wyroby z tych substancji;

z wyjątkiem:

a. Okienek metalowych do aparatury rentgenowskiej;

b. Profili tlenkowych w postaci przetworzonej lub półprzewodnikowych, skonstruowanych specjalnie do elementów zespołów elektronicznych lub jako podłoża do obwodów elektronicznych.

UWAGA: Niniejsza pozycja obejmuje również odpady i złom zawierające beryl w określonych tu proporcjach

1C231 Hafn metaliczny, stopy i związki zawierające hafn w ilości powyżej 60% wagowych oraz wyroby z tych substancji.

1C232 Hel w dowolnej postaci wzbogacony w izotop helu-3, w mieszankach z innymi materiałami lub w stanie czystym albo znajdujący się w urządzeniach lub aparaturze;

z wyjątkiem:

Wyrobów lub urządzeń zawierających poniżej 1 g helu-3.

1C233 Lit w następujących postaciach:

a. Metalicznej, wodorków lub stopów litu wzbogaconych w izotop 6(6Li) do stężenia powyżej występującego w warunkach naturalnych (7,5% na podstawie udziału atomowego);

b. W postaci dowolnych innych materiałów zawierających lit wzbogacony w izotop 6 (w tym w postaci związków, mieszanin i koncentratów);

z wyjątkiem:

6Li znajdującego się w dozymetrach termoluminescencyjnych.

1C234 Cyrkon w następujących postaciach: metalicznej, stopów zawierających powyżej 50% wagowych cyrkonu i związków, w których stosunek wagowy hafnu do cyrkonu wynosi poniżej 1 części na 500, oraz wyrobów z tych materiałów;

z wyjątkiem:

Cyrkonu w postaci folii o grubości nie większej niż 0,10 mm.

Uwaga: Niniejsza pozycja dotyczy również odpadów i złomu zawierającego cyrkon w podanych tu proporcjach.

1C235 Tryt, związki trytu i mieszanki zawierające tryt, w których stosunek atomów trytu do wodoru wynosi 1 część na 1000.

z wyjątkiem:

Wyrobu lub urządzenia zawierającego nie więcej niż 40 Ci (kiur) trytu w dowolnej postaci chemicznej lub fizycznej.

1C236 Radionuklidy emitujące cząstki alfa o półokresie trwania 10 dni lub dłuższym a nie poniżej 200 lat, w tym urządzenia, związki i mieszanki zawierające radionuklidy tego typu o całkowitej radioaktywności alfa 1 kiur na kilogram (37 GBq/kg) lub większej;

z wyjątkiem:

Urządzeń zawierających radionuklidy o radioaktywności alfa poniżej 100 milikiurów (3,7 GBq) na urządzenie.

1C237 Rad-236;

z wyjątkiem:

Radu znajdującego się w aplikatorach medycznych.

1C238 Trifluorek chloru (CIF3).

1C239 Materiały wybuchowe kruszące, różne od specjalnie przeznaczonych do zastosowań militarnych, albo substancje lub mieszanki zawierające materiały tego typu w ilości powyżej 2%, o gęstości krystalicznej powyżej 1,8 gm na cm3 i mające prędkość detonacji powyżej 8000 m/s.

1C350 Następujące substancje chemiczne, które można stosować jako prekursory do wyrobu toksycznych związków chemicznych:

1. Tiodiglikol (sulfid di(2-hydroksyetylowy) (11148-8)

2. Tlenochlorek fosforu (10025-87-3)

3. Metylofosfonian dimetylu (756-79-6)

4. Difluorek metylofosfonowy (676-99-3)

5. Dichlorek metylofosfonowy (676-97-1)

6. Fosfonian dimetylu (868-85-9)

7. Trichlorek fosforu (7719-12-2)

8. Fosforym trimetylu (121-45-9)

9. Chlorek tionylu (7719-09-7)

10. 3-Hydroksy-1-metylopiperydyna (3554-74-3)

11. N.N-diizopropylo-2-chloroetyloamina (96-79-7)

12. 2-(N,N-diizopropyloamino)-etanotiol (5842-07-9)

13. 3-chinuklidynol (1619-34-7)

14. Fluorek potasu (7789-23-3)

15. 2-Chloroetanol (107-07-3)

16. Dimetyloamina (124-40-3)

17. Etylofosfonian dietylu (78-38-6)

18. N,N-dimetylofosforoamidan dietylu (2404-03-7)

19. Fosfonian dietylu (762-04-9)

20. Chlorowodorek dimetyloaminy (506-59-2)

21. Dichloro(etylo)fosfina (1498-40-4)

22. Dichlorek etylofosfonowy (1066-50-8)

23. Difluorek etylofosfonowy (753-98-0)

24. Fluorowodór (7664-39-3)

25. Benzilan metylu (76-89-1)

26. Dichloro(metylo)fosfina (676-83-5)

27. 2(N,N-diizopropyloamino) etanol (96-80-0)

28. Alkohol pinaolinowy (3,3-dimetylo-2-butanol) (464-07-3)

29. O-etylometylofosfinin 2-diizopropyloaminoetylu (57856-11-8)

30. Fosforyn treitylu (122-52-1)

31. Trichlorek arsenu (7784-34-1)

32. Kwas benzilowy (76-93-7)

33. Metylofosfinin dietylu (15715-41-0)

3. Etylofosfonian dimtylu (6163-75-3)

35. Etylodifluorofosfina (430-78-4)

36. Difluoro(metylo)fosfina (753-59-3)

37. 3-Chinuklidynon (3731-38-2)

38. Pentachlorek fosforu (10026-13-8)

39. Pinakolon (75-97-8)

40. Cyjanek potasu (151-50-8)

41. Wodorodifluorek potasu (7789-29-9)

42. Wodorodifluorek amonu (1341-49-7)

43. Fluorek sodu (7681-49-4)

44. Wodorodifluorek sodu (1333-83-1)

45. Cyjanek sodu (143-33-9)

46. Trietanoloamina (102-71-6)

47. Pentasiarczek difosforu (1314-80-3)

48. Diizopropyloamina (108-18-9)

49. Dietyloaminoetanol (100-37-8)

50. Siarczek sodu (1313-82-2)

51. Dichlorek disiarki (10025-67-9)

52. Dichlorek siarki (10545-99-0)

53. Chlorowodorek trietanoloaminy (637-39-8)

54. Chlorowodorek N,N-diizopropylo-2-chloroetyloaminy (4261-68-1)

1C351 Substancje wywołujące choroby u ludzi, choroby przenoszone przez zwierzęta i "toksyny":

a. Następujące naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane wirusy, w postaci izolowanych żywych kultur lub materiału zawierającego substancję żywą, który specjalnie zaszczepiono lub zakażono takimi kulturami:

1. Wirus gorączki Chikungunya (Chikungunya virus)

2. Wirus gorączki krwotocznej kongijsko-krymskiej (Congo-Crimean heamorrhagic fever virus)

3. Wirus dengi (arbowirus grupy B) (Dengue fever virus)

4. Wirus wschodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu (Eastern equine encephalitis virus)

5. Wirus Ebla

6. Wirus Hantaan

7. Wirus Junin (wirus argentyńskiej gorączki krwotocznej)

8. Wirus gorączki Lassa (wirus Lassa)

9. Wirus limfocytowego zapalenia opon mózgowych (Lymphocytic choriomeningitis virus)

10. Wirus Machupo (wirus boliwijskiej gorączki krwotocznej)

11. Wirus Marburg

12. Wirus ospy małp (Monkey pox virus)

13. Wirus gorączki doliny Ritt (Ritt Valley fever virus)

14. Wirus zapalenia mózgu przenoszony przez kleszcze (wirus kleszczowego rosyjskiego zapalenia mózgu) (Tick-bome encephalitis virus)

15. Wirus ospy (Variola virus)

16. Wirus wenezuelskiego końskiego zapalenia mózgu i rdzenia (Venezuelan equine encephalitis virus)

17. Wirus zachodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu i rdzenia (Western equine encephalitis virus)

18. Wirus ospówki (White pox)

19. Wirus żółtej gorączki (Yellow fever virus)

20. Wirus japońskiego zapalenia mózgu (Japanese encephalitis fever)

b. Następujące naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane riketsje w postaci izolowanych żywych kultur lub materiału zawierającego substancję żywą, który specjalnie zaszczepiono lub zakażono takimi kulturami:

1. Coxiella burnetti (drobnoustrój wywołujący gorączkę Q)

2. Riketsja gorączki wołyńskiej (Rickettsia quintana, Rochalimea quintana)

3. Riketsja duru wysypkowego (Rickettsia prowasecki)

4. Riketsja gorączki Gór Skalistych (Rickettsia rickettsii)

c. Następujące naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane bakterie w postaci izolowanych żywych kultur lub materiału zwierającego substancję żywą, który specjalnie zaszczepiono lub zakażono takimi kulturami:

1. Laseczka wąglika (Bacillus anthracis)

2. Pałeczka ronienia bydła (Brucella abortus)

3. Pałeczka maltańska (Brucella melitensis)

4. Pałeczka ronienia świń (Brucella suis)

5. Zarazek papuzicy (Chlamydia psittaci)

6. Laseczka jadu kiełbasianego (Clostridium botulinum)

7. Pałeczka tularemii (Francisella tularensis)

8. Pałeczka nosacizny (Pseudomonas mallei)

9. Pałeczka melioidozy (nosacizny rzekomej) (Pseudomonas pseudomallei)

10. Pałeczka duru (Salmonella typhi)

11. Pałeczka shigella dyzenterii (czerwonki) (Shigella dysenteriae)

12. Przecinkowiec cholery (Vibrio cholerae)

13. Pałeczka dżumy (Yersinia pestis)

d. Następujące "toksyny":

1. Toksyny jadu kiełbasianego (Botulinum toxins)

2. Toksyny laseczki zgorzeli gazowej (Clostridium perfringens toxins)

3. Conotoksyna (Conotoxin)

4. Rycyna (toksyczne białko pochodzenia roślinnego) (Ricin)

5. Saxitoksyna (Saxitoxin)

6. Toksyna shiga (Shiga toxin)

7. Toksyny gronkowca złocistego (Staphylococcus aureus toxins)

8. Tetrodotoksyna (Tetrodotoxin)

9. Verotoksyna (Verotoxin)

10. Torbielka (cyanginosin) (Microcystin)

1C352 Następujące mikroorganizmy wywołujące choroby zwierząt:

1. Afrykański wirus cholery świń (African swine fever virus);

2. Wirusy grypy ptaków (Avian influenza virus):

a. nie scharakteryzowane; lub

b. następujące wirusy określone w Dyrektywie EWG 92/40/EC (OJ No L 16 23.1.1992, s. 19) jako wirusy o silnych właściwościach chorobotwórczych:

1. wirusy typu A posiadające IVPI (wskaźnik dożylnej zjadliwości wirusa) dla kurczaków 6-tygodniowych powyżej 1,2; lub

2. wirusy typu A podtypu H5 lub H7, dla których sekwencjonowanie nukleotydów wykazuje istnienie licznych aminokwasów zasadowych w miejscu hydrolizy (=rozcięcia) hemaglutyniny;

3. Wirus choroby niebieskiego języka owiec (Bluetongue virus);

4. Wirus pryszczycy (wirus choroby pyska i racic) (Foot and mouth disease virus);

5. Wirus ospy kóz (Goat pox virus);

6. Wirus opryszczki (rzekomej wścieklizny świń) (Herpes virus, Aujeszky's disease);

7. Wirus cholery świń (hog cholera virs), Swine vesicular virus);

8. Wirus Lyssa;

9. Wirus choroby Newcastle (wirus ptasiego zapalenia płuc i mózgu) (Newscastle disease virus);

10. Wirus "peste des petits ruminants";

11. Enterowirus świński, typ 9 (Porcine enterovirus type 9, Swine vesicular disease virus);

12. Wirus zarazy bydła (wirus księgosuszu) (Rinderpest virus);

13. Wirus ospy owczej (Sheep pox virus);

14. Wirus choroby cieszyńskiej (Teschen disease virus)

15. Wirus pryszczycy (Vesicular stomatitis virus)

b. Naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane mikoplazmowe drobnoustroje grzybowate w postaci izolowanych żywych kultur lub materiału zawierającego substancję żywą, który specjalnie zaszczepiono lub zakażono takimi drobnoustrojami.

1C353 Następujące "mikroorganizmy" zmodyfikowane genetycznie:

a. "mikroorganizmy" zmodyfikowane genetycznie lub elementy genetyczne zawierające sekwencje kwasów nukleinowych z wbudowanymi sekwencjami patogennymi (= o charakterze chorobotwórczym) i pochodzące z organizmów ujętych w pozycjach 1C351.a do c lub 1C352 lub 1 C354;

b. "mikroorganizmy" zmodyfikowane genetycznie lub elementy genetyczne zawierające sekwencje kwasów nukleinowych kodujące jedną z "toksyn" ujętych w pozycji 1C351.d.

1C354 Następujące szczepy chorobotwórcze:

a. Następujące naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane bakterie w postaci "izolowanych żywych kultur" lub materiału zawierającego substancję żywą, który specjalnie zaszczepiono lub zakażono takimi kulturami:

1. Xantomonas albilineans;

2. Xantomonas campestris pv. citri zawierające szczepy określane jako Xantomonas campestris pv. citri typy A, B, C, D, E lub inaczej klasyfikowane jako Xantomonas citri, Xantomonas campestris pv. aurantifolia lub Xantomonas campestris pv. citrumelo;

b. Następujące naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane grzyby w postaci "izolowanych żywych kultur" lub materiału zawierającego substancję żywą, który specjalnie zaszczepiono lub zakażono takimi kulturami:

1. Colletotrichum coffeanum var. virulans;

2. Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae);

3. Microcyclus ulei (synonim Dothidella ulei);

4. Puccinia graminis (synonim Puccinia graminis f. sp. tritici);

5. Puccinia striiformis (synonim Piccinia glumarum);

6. Magnaporthe grisea (Pyricularia grisea/Pyricularia oryzae).

1D Oprogramowanie

1D001 "Oprogramowanie" specjalnie opracowane albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do "rozwoju" "produkcji" albo "użytkowania" wyrobów ujętych w pozycjach od 1B001 do 1B003.

1D002 "Oprogramowanie" do "rozwoju" "matryc" organicznych, metalowych lub węglowych do laminatów lub "kompozytów".

1D101 "Oprogramowanie" specjalnie opracowane do "użytkowania" wyrobów ujętych w pozycji 1B101.

1D103 "Oprogramowanie" specjalnie opracowane do analizy obiektów o zmniejszonej wykrywalności za pomocą odbitych fal radarowych, śladów w zakresie promieniowania nadfioletowego i/lub podczerwonego i śladów akustycznych.

1D201 "Oprogramowanie" specjalnie opracowane do "użytkowania" wyrobów ujętych w pozycji 1B201.

1E Technologia

1E001 "Technologia" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń lub materiałów ujętych w pozycji 1A001.b., 1A001.c, 1A002, 1A003, 1B lub 1C.

1E002 Inne "technologie";

a. "Technologia" do "rozwoju" lub "produkcji" polibenzotiazoli lub polibenzoksazoli;

b. "Technologia" do "rozwoju" lub "produkcji" elastomerów fluorowych zawierających co najmniej jeden monomer eteru winylowego;

c. "Technologia" do projektowania albo "produkcji" następujących materiałów podstawowych albo nie-"kompozytowych" materiałów ceramicznych:

1. Materiałów podstawowych mających wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. zawierające jeden z następujących związków:

1. pojedyncze albo kompleksowe tlenki cyrkonu oraz kompleksowe tlenki krzemu lub glinu;

2. pojedyncze azotki boru (w postaci regularnych kryształów);

3. pojedyncze albo kompleksowe węgliki krzemu lub boru; albo

4. pojedyncze albo kompleksowe azotki krzemu;

b. o całkowitej zawartości zanieczyszczeń metalicznych, z wyłączeniem dodatków zamierzonych, mniejszej niż:

1. 1.000 ppm (części na milion) w przypadku tlenków lub węglików pojedynczych; lub

2. 5.000 ppm w przypadku pojedynczych azotków lub związków kompleksowych;

c. 1. o przeciętnych wymiarach cząsteczek równych albo mniejszych od 5 mikrometrów i nie zawierających więcej niż 10% cząstek przekraczających wielkość 10 mikrometrów; albo

UWAGA: Dla tlenku cyrkonowego wartości te wynoszą odpowiednio 11 mikrometr oraz 5 mikrometrów.

2. a. w postaci płytek o stosunku długości do grubości większym niż 5;

b. wiskerów o stosunku długości do średnicy większym od 10 przy średnicach poniżej 2 mikrometrów;

c. ciągłych albo pociętych włókien o średnicy poniżej 10 mikrometrów;

2. Niekompozytowych materiałów ceramicznych (z wyjątkiem materiałów ściernych) składających się z materiałów wymienionych w pozycji 1E002.c.1;

d. "Technologia" "produkcji" włókien z poliamidów aromatycznych;

e. "Technologia" instalowania, konserwacji lub naprawy materiałów ujętych w pozycji 1C001;

f. "Technologia" naprawy elementów "kompozytowych", laminatów lub materiałów ujętych w pozycji 1A002, 1C007.c lub d.

UWAGA: Pozycja 1E002.f nie obejmuje "technologii" do naprawy elementów "samolotów cywilnych" za pomocą węglowych "materiałów włóknistych lub włókienkowych" i żywic epoksydowych, wymienionych w instrukcjach obsługi wydawanych przez producentów samolotów.

1E101 "Technologia" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "Użytkowania" wyrobów ujętych w pozycjach 1A102, 1B001, 1B101, 1B115, 1B116, 1C001, 1C101, 1C107, 1C115, 1C117, 1D101 lub 1D103.

1E102 "Technologia" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" "oprogramowania" ujętego w pozycjach 1D001, 1D101 lub 1D103.

1E103 "Technologia" regulacji temperatur, ciśnień lub atmosfery w autoklawach lub hydroklawach w przypadku jej stosowania do produkcji kompozytów lub kompozytów częściowo przetworzonych.

1E104 "Technologia" dotycząca produkcji materiałów pochodzenia pirolitycznego wytwarzanych w formie, na trzpieniu lub na innym podłożu z gazów prekursorowych ulegających rozkładowi w zakresie temperatur od 1573 K (1300^oC) do 3173 K (2900^oC) przy ciśnieniach od 130 Pa do 200 kPa.

UWAGA: Pozycja ta obejmuje "technologię" do rozkładania gazów prekursorowych oraz harmonogramów i parametrów natężeń przepływu i sterowania przebiegiem procesu.

1E201 "Technologia" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "użytkowania" wyrobów ujętych w pozycjach 1A002, 1A202, 1A225 do 1A227, 1B201, 1B225 do 1B231, 1C002.a.2.c lub d, 1C101.b, 1C202, 1C210, 1C216, 1C225 do 1C239 lub 1D201.

1E202 "Technologia" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" lub "produkcji" wyrobów ujętych w pozycjach 1A202 lub 1A225 do 1A227.

2B203 "Technologia" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" "oprogramowania" ujętego w pozycji 1D201.

KATEGORIA 2 - PRZETWÓRSTWO MATERIAŁÓW

2A Urządzenia, zespoły i części

Uwagi techniczne do pozycji 2A001 do 2A006;

1. DN jest iloczynem średnicy otworu łożyska w mm i prędkości obrotowej łożyska w obrotach na minutę (rpm).

2. Do temperatur roboczych zalicza się również te temperatury, które powstają po zatrzymaniu silnika turbogazowego po pracy.

2A001 Łożyska kulkowe lub pełne wałeczkowe (z wyjątkiem wałeczkowych stożkowych) o tolerancjach określonych przez producentach według norm Annular Bearning Engineers Committee (ABEC) 7, ABEC 7P, ABEC 7T lub Normy ISO (albo według jej odpowiedników) jako łożyska Klasy 4 lub wyższej, i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Bieżnie, kulki albo wałeczki wykonane ze stopu Monela albo berylu;

b. Wyprodukowane z przeznaczeniem do eksploatacji w temperaturach roboczych powyżej 573 K (300^oC) ze specjalnych materiałów albo specjalnymi technikami obróbki cieplnej; albo

c. Z elementami smarnymi lub modyfikacjami składników, które, według danych technicznych producenta, zostały specjalnie opracowane w taki sposób, że mogą pracować z szybkościami powyżej 2,3 miliona DN;

2A002 Inne łożyska kulkowe pełne wałeczkowe (z wyjątkiem wałeczkowych stożkowych) o tolerancjach określonych przez producenta według norm Komitetu Inżynierów Łożysk Pierścieniowych (ABEC) 9, ABEC 9P lub Normy ISO (albo według jej odpowiedników) jako łożyska Klasy 2 lub wyższej;

2A003 Pełne stożkowe łożyska wałeczkowe, o tolerancjach określonych przez producenta według norm ANSI i Stowarzyszenia Producentów Łożysk Przeciwtarciowych (AFBMA) (albo według ich odpowiedników) jako łożyska Klasy 00 (całe) lub Klasy A (metryczne) lub wyższej, i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Z elementami smarnymi lub modyfikacjami składników, które, według danych technicznych producenta, zostały specjalnie opracowane w taki sposób, że mogą pracować z szybkościami powyżej 2,3 miliona DN; lub

b. Wyprodukowane z przeznaczeniem do pracy w temperaturach poniżej 219 K 9-54^oC) lub powyżej 423 K (150^oC).

2A004 Łożyska na poduszce gazowej wyprodukowane z przeznaczeniem do pracy w temperaturach 561 K (288^oC) lub wyższych oraz o nośności wyższej od 1 MPa.

2A005 Aktywne zespoły łożysk magnetycznych.

2A006 Łożyska tekstolitowe wahliwe albo poprzeczne przesuwne wyprodukowane z przeznaczeniem do pracy w temperaturach poniżej 219 K (-54^oC) albo powyżej 423 K (150^oC).

2A225 Następujące tygle wykonane z materiałów odpornych na płynne aktynowce:

a. Tygle o pojemności od 150 ml do 8 litrów i wykonane z jednego z następujących materiałów lub powlekane nim, o czystości 98% lub wyższej:

1. Fluorek wapniowy (CaF₂);

2. Cyrkonian wapnia (metacyrkonian) (Ca₂ZrO₃);

3. Siarczek ceru (Ce₂S₃);

4. Tlenek erbowy (Er₂O₃);

5. Tlenek hafnowy (HfO₂);

6. Tlenek magnezowy (MgO);

7. Azotowany stop niobu z tytanem i wolframem (około 50% Nb, 30% Ti, 20% W);

8. Tlenek itrowy (Y₂O₃); lub

9. Tlenek cyrkonowy (ZrO₂);

b. Tygle o pojemności od 50 ml do 2 litrów wykonane z tantalu lub powlekane nim, mającego czystość 99,9% lub wyższą;

c. Tygle o pojemności od 50 ml do 2 litrów wykonane z tantalu lub powlekane nim (mającego czystość 98% lub wyższą), powlekane węglikiem, azotkiem lub borkiem tantalu (albo materiałem stanowiącym dowolną ich kombinację).

2A226 Zawory o średnicy 5 mm lub większej, z uszczelnieniami mieszkowymi, wykonane w całości lub powlekane aluminium, stopem aluminium, niklem lub stopem zawierającym 60% lub więcej niklu, regulowane ręcznie lub automatycznie.

2B Urządzenia testowe, kontrolne i produkcyjne

UWAGA: Pozycje 2B001 do 2B009 nie dotyczą kontroli interferometrycznych systemów pomiarowych, pracujących zarówno ze sprzężeniem zwrotnym w obwodzie zamkniętym jak i otwartym, wyposażonych w "laser" do pomiarów błędów przemieszczenia sań w obrabiarkach, urządzeniach do kontroli wymiarowej lub podobnych urządzeniach.

2B001 Następujące urządzenia "sterowane numerycznie", "karty sterowania ruchami" specjalnie opracowane do urządzeń "sterowanych numerycznie" na obrabiarkach, obrabiarki i specjalnie opracowane do nich zespoły:

Uwagi techniczne:

1. Pomocnicze, równoległe osie konturowe, np. oś "w" w wiertarkach poziomych albo pomocnicza oś obrotu, której linia centralna biegnie równolegle do głównej osi obrotu, nie są zaliczane do całkowitej liczby osi kształtowych.

Uwaga: osie obrotu nie muszą obracać się o 360^o. Oś obrotu może być napędzana za pomocą urządzenia liniowego, np. śruby albo mechanizmu zębatkowego.

2. Nazewnictwo osi powinno być zgodne z Normą Międzynarodową ISO 841, "Maszyny Sterowane Numerycznie - Nazewnictwo Osi Ruchów".

a. Następujące urządzenia do "sterowania numerycznego" obrabiarkami oraz specjalnie opracowane do nich części:

UWAGA: Pozycja 2B001.a nie obejmuje kontrolą następujących urządzeń "sterowanych numerycznie";

a. zmodyfikowanych z przeznaczeniem do maszyn nie ujętych w niniejszej pozycji i zainstalowanych w takich maszynach; lub

b. specjalnie opracowanych do maszyn nie ujętych w niniejszej pozycji.

1. Posiadające ponad cztery osie interpolacyjne, które można równocześnie koordynować w celu "sterowania kształtowego";

2. Posiadające dwie, trzy lub cztery osie interpolacyjne, które można równocześnie koordynować w celu "sterowania kształtowego" i:

a. Mające możliwość przetwarzania danych w czasie rzeczywistym" w celu modyfikacji, w czasie obróbki, drogi narzędzia, szybkości posuwu i parametrów pracy wrzeciona poprzez:

1. automatyczne obliczanie i modyfikację danych programowych do obróbki w dwóch lub więcej osiach za pomocą cykli pomiarowych i dostępu do źródeł danych; lub

2. "sterowanie adaptacyjne" za pomocą więcej niż jednej zmiennej fizycznej mierzonej i przetwarzanej za pomocą modelu obliczeniowego (strategia) w celu zmiany jednej lub więcej instrukcji obróbkowych pod kątem optymalizacji procesu:

b. Mające możliwość odbierania bezpośrednich (on-line) i przetworzonych danych pochodzących z projektowania wspomaganego komputerowo (CAD) z przeznaczeniem do przygotowania we własnym zakresie instrukcji obróbkowych; lub

c. Do których można, bez przeprowadzania modyfikacji, według danych technicznych producenta, przyłączać dodatkowe karty sterujące, zwiększające ich możliwości powyżej poziomów sterowania ujętych w pozycji 2B001, z punktu widzenia liczby osi interpolacyjnych możliwych do równoczesnej koordynacji w celu "sterowania kształtowego", nawet jeżeli te dodatkowe karty sterujące nie znajdują się na ich wyposażeniu;

b. "Karty sterowania ruchami" specjalnie opracowane do obrabiarek i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Mające możliwość interpolacji w więcej niż czterech osiach;

2. Mające możliwość "przetwarzania w czasie rzeczywistym" według opisu w pozycji 2B001.a.2.a; lub

3. Mające możliwość odbierania i przetwarzania danych z programów projektowania wspomaganego komputerowo (CAD) według opisu w pozycji 2B001.a.2.b;

c. Następujące obrabiarki do skrawania albo cięcia metali, materiałów ceramicznych albo kompozytów, które, według danych technicznych producenta, mogą być wyposażone w urządzenia elektroniczne do równoczesnego "sterowania kształtowego" w dwóch lub więcej osiach:

1. Obrabiarki do toczenia, szlifowania, frezowania albo ich dowolnej kombinacji, posiadające:

a. Dwie albo więcej osi możliwych do równoczesnej koordynacji w celu "sterowania kształtowego"; i

b. Jedną z podanych poniżej cech charakterystycznych:

1. Dwie albo więcej sterowane osie obrotu;

Uwaga techniczna:

Oś "c" w szlifierkach współrzędnościowych, wykorzystywana do utrzymywania tarczy szlifierskiej w położeniu normalnym do obrabianej powierzchni, nie jest uważana za sterowaną oś obrotu.

2. Jedno albo więcej kształtowych "wrzecion wahliwych";

UWAGA: Pozycja 2Boo1.c.1.b.2 dotyczy tylko obrabiarek do szlifowania lub frezowania.

3. "Bicie osiowe" (przemieszczenie osiowe) podczas jednego obrotu wrzeciona mierzone jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR) jest mniejsze (lepsze) niż 0,0006 mm;

UWAGA: POzycja 2B001.c.1.b.3 dotyczy tylko obrabiarek do toczenia.

4. "Bicie" (zejście z właściwych parametrów) podczas jednego obrotu wrzeciona, mierzone jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR) jest mniejsze (lepsze) niż o 0,0006 mm;

5. Dokładności ustalania położenia, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, są większe (lepsze) niż:

a. 0,001o w przypadku dowolnej osi obrotowej; lub

b. 1. 0,004 mm wzdłuż dowolnej osi liniowej (całkowite ustalenie położenia) w przypadku szlifierek;

2. 0,006 mm wzdłuż dowolnej osi liniowej (całkowite ustalenie położenia) w przypadku tokarek i frezarek; lub

UWAGA: Pozycja 2B001.c.1.b.5 nie obejmuje kontrolą frezarek lub tokarek o dokładności ustalania położenia wzdłuż jednej osi, z uwzględnieniem wszystkich możliwych kompensacji, równej albo maksymalnej (gorszej) niż 0,005 mm.

Uwaga techniczna: Dokładność ustalania położenia obrabiarek "sterowanych numerycznie" powinna być określana i podawana według normy ISO/DIS 230/2 paragraf 2.13, w połączeniu z podanymi poniżej warunkami:

a. Warunki badania (paragraf 3);

1. W ciągu 12 godzin przed i podczas pomiarów zarówno obrabiarka, jak i przyrządy do pomiaru dokładności powinny być trzymane w tej samej temperaturze otoczenia. W okresie poprzedzającym pomiary należy stale przesuwać sanie obrabiarki w taki sam sposób w jaki będą one przesuwane podczas pomiarów dokładności.

2. Obrabiarka powinna być zaopatrzona we wszystkie elementy do kompensacji mechanicznej, elektronicznej lub programowej, z jakimi ma być wysłana na eksport;

3. Dokładność instrumentów pomiarowych powinna być co najmniej czterokrotnie wyższa od przewidywanej dokładności obrabiarki;

4. Zasilanie napędów sań powinno spełniać następujące warunki:

a. Wahania napięcia sieciowego nie powinny być większe niż +10% wartości nominalnej;

b. Wahania częstotliwości nie powinny być wyższe niż +2 Hz w stosunku do wartości nominalnej;

c. Nie dopuszcza się wyłączeń ani przerw w zasilaniu.

b. Program badań (paragraf 4);

1. Szybkość posuwu (szybkość sań) podczas pomiarów powinna być największą szybkością przesuwu poprzecznego;

UWAGA: W przypadku obrabiarek do obróbki powierzchni o jakości optycznej, szybkość posuwu powinna wynosić co najwyżej 50 mm na minutę.

2. Pomiary powinny być wykonywane przyrostowo od jednego położenia granicznego przesuwu do osi drugiego, bez powracania w każdym ruchu do położenia wyjściowego przed przesunięciem do położenia docelowego;

3. Podczas pomiarów w jednej osi, pozostałe osie, które w danej chwili nie są przedmiotem pomiarów, powinny być ustawione w środku zakresu swojego ruchu;

c. Sposób podawania wyników pomiarów (paragraf 2):

Należy podać następujące wyniki pomiarów:

1. Dokładność ustalania położenia (A); oraz

2. Średni błąd zwrotny (B).

6. a. Dokładności "ustalania położenia" większej (lepszej) niż 0,007 mm; i

b. Ruchu sań z położenia spoczynkowego dla wszystkich sań w granicach 20% sygnału sterującego ruchem dla sygnałów wejściowych o wartości mniejszej niż 0,5 mikrometra.

Uwaga techniczna:

Minimalny przyrost podczas badań ruchowych (ruch suwaka od położenia spoczynkowego):

Badanie to należy przeprowadzać tylko pod warunkiem, że obrabiarka jest wyposażona w urządzenie sterujące, którego minimalny przyrost jest mniejszy (lepszy) niż 0,5 mikrometra. Obrabiarkę należy przygotować do badania według wskazówek podanych w normie ISO 230/2 paragrafy 3.1, 3.2, 3.3,

Badania każdej osi (sań) obrabiarki należy prowadzić w następujący sposób:

a. Przesunąć dwukrotnie oś na odległość wynoszącą co najmniej 50% jej maksymalnego zakresu ruchu, zarówno w kierunku dodatnim jak i ujemnym, z maksymalną szybkością posuwu, najwyższą szybkością przesuwu poprzecznego albo sterowania posuwem;

b. Poczekać co najmniej 10 sekund;

c. Wprowadzić z konsoli sterowania ręcznego minimalny przyrost programowy urządzenia sterującego;

d. Zmierzyć przemieszczenie osi;

e. Wyzerować urządzenie sterujące poprzez zerowanie pętli sprzężenia zwrotnego, kasowanie albo usuwanie wszystkich sygnałów (napięcie) w pętli sprzężenia zwrotnego w dowolny inny sposób;

f. Powtórzyć pięciokrotnie czynności według punktów b do f, dwukrotnie w tym samym kierunku i trzykrotnie w kierunku przeciwnym dla sześciu punktów pomiarowych;

g. Jeżeli ruch osi wynosi od 80 do 120% minimalnego programowego sygnału wejściowego dla czterech z sześciu punktów pomiarowych, obrabiarka jest objęta kontrolą.

W przypadku osi obrotowych, pomiary należy wykonywać w odległości 200 mm od środka obrotu.

UWAGI:

1. Pozycja 2B001.c.1 nie obejmuje kontrolą szlifierek do zewnętrznego, wewnętrznego i zewnętrzno-wewnętrznego szlifowania cylindrów, posiadających wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Szlifierek kłowych (szczękowych);

b. Tylko do szlifowania powierzchni cylindrycznych;

c. O maksymalnej zewnętrznej średnicy albo długości roboczej 150 mm;

d. Posiadających tylko dwie osie możliwe do równoczesnej koordynacji w celu "sterowania kształtowego"; oraz

e. Nie posiadających sterowanej osi c.

2. Pozycja 2B001.c.1 nie obejmuje kontrolą obrabiarek skonstruowanych specjalnie jako szlifierki współrzędnościowe i posiadających obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Osie graniczne do x, y, c i a, gdzie oś c jest wykorzystywana do utrzymywania tarczy szlifierskiej w położeniu normalnym do obrabianej powierzchni, a oś a jest sterowana w celu szlifowania walcowych krzywek bębnowych, oraz

b. "Bicie" wrzeciona nie mniejsze (nie lepsze) niż 0,0006 mm.

3. Pozycja 2B001.c.1 nie obejmuje kontrolą szlifierek obrabiających lub tnących posiadających wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Dostarczanych jako kompletne systemy z "oprogramowaniem" specjalnie przeznaczonym do produkcji narzędzi lub noży do obróbki;

b. Posiadających nie więcej niż dwie osie obrotowe możliwe do równoczesnej koordynacji w celu "sterowania kształtowego";

c. O "biciu" (odejściu od wyznaczonych parametrów) podczas jednego obrotu wrzeciona, mierzonym jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR), nie mniejszym (nie lepszym) niż 0,0006 mm; oraz

d. W których położenie jest ustalane z dokładnością, po uwzględnieniu wszystkich możliwych kompensacji, nie większą (nie lepszą) niż:

1. 0,004 mm wzdłuż dowolnej osi liniowej w przypadku całkowitego ustalenia położenia; albo

2. 0,001o dla dowolnej osi obrotowej.

2. Obrabiarki elektroerozyjne (EDM), drutowe, z pięcioma albo więcej osiami równocześnie koordynowanymi w celu "sterowania kształtowego";

3. Obrabiarki elektroerozyjne (EDM), niedrutowe, z dwiema albo więcej osiami obrotowymi równocześnie koordynowanymi w celu "sterowania kształtowego";

4. Obrabiarki do obróbki metali, materiałów ceramicznych lub kompozytowych;

a. Za pomocą:

1. Dysz wodnych lub dysz z innymi cieczami roboczymi, w tym z dyszami z płynami zawierającymi substancje ścierne;

2. Wiązki elektronów; lub

3. Wiązki "laserowej"; oraz

b. Z dwiema albo więcej osiami obrotowymi, które:

1. Mogą być równocześnie koordynowane w celu "sterowania kształtowego"; i

2. Mają "dokładność ustalania położenia" większą (lepszą) niż 0,003o.

Uwaga techniczna:

Obrabiarki możliwe do równoczesnego koordynowania w celu "sterowania kształtowego" w dwóch lub więcej osiach obrotu, lub z jednym, lub z większą liczbą wrzecion wychylnych, są objęte kontrolą bez względu na liczbę równocześnie koordynowanych osi kształtowych, którymi można sterować za pomocą urządzenia do "sterowania numerycznego" dołączonego do obrabiarki.

2B002 Następujące obrabiarki "bez sterowania numerycznego" do wytwarzania powierzchni o jakości optycznej:

a. Tokarki z narzędziem jednoostrzowym, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Dokładność ustalania położenia sań większą (lepszą) niż 0,0005 mm na drodze o długości 300 mm;

2. Dwukierunkowa powtarzalność ustalania położenia sań mniejsza (lepsza) niż 0,00025 mm na drodze o długości 300 mm;

3. "Bicie" i "bicie osiowe" wrzeciona, mierzone jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR), mniejsze (lepsze) niż o 0,0004 mm;

4. Odchylenie kątowe ruchu sań (pochylenie, przechylenie i odchylenie), mierzone jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR), mniejsze niż 2 sekundy łukowe, mierzone na całej długości drogi; oraz

5. Prostopadłość sań mniejsza (lepsza) niż 0,001 mm na drodze o długości 300 mm.

Uwaga techniczna: Dwukierunkowa powtarzalność ustalania położenia sań (R) dla danej osi jest określana jako maksymalna wartość powtarzalności ustalania położenia w dowolnej pozycji wzdłuż albo wokół osi, wyznaczona za pomocą procedury i na warunkach podanych w części 2.11 normy ISO 230/2: 1988.

b. Frezarki z frezem jednoostrzowym posiadające obie z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. "Bicie" i "bicie osiowe" wrzeciona, mierzone jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR), mniejsze (lepsze) niż o 0,0004 mm; oraz

2. Odchylenie kątowe ruchu sań (pochylenie, przechylenie i odchylenie), mierzone jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR), mniejsze (lepsze) niż 2 sekundy łukowe, na całej długości drogi.

2B003 Następujące obrabiarki "sterowane numerycznie" albo ręcznie, specjalnie opracowane do obróbki, wykańczania, szlifowania albo honorowania jednej z podanych poniżej klas hartowanych kół zębatych stożkowych albo walcowych (Rc = 40 lub więcej), oraz specjalnie do nich opracowane zespoły, urządzenia sterujące i akcesoria:

a. Hartowane koła zębate stożkowe wykończone do jakości powyżej klasy określonej przez Stowarzyszenie Amerykańskich Producentów Kół Zębatych (AGMA) 13 (równoważna klasie 4 według normy ISO 1328); lub

b. Hartowane koła zębate walcowane o zębach prostych, koła zębate śrubowe i koła zębate daszkowe o średnicy podziałowej powyżej 1.250 mm i szerokości wieńca wynoszącej 15% średnicy podziałowej albo większej, wykończone do jakości AGMA 14 albo wyższej (równoważna klasie 3 według normy ISO 1328);

2B004 Następujące, pracujące na gorąco "prasy izostatyczne" oraz specjalnie opracowane do nich matryce, formy, zespoły, akcesoria i urządzenia sterujące:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJE 2B104 I 2BB204.

a. Prasy z możliwością regulacji warunków termicznych w zamkniętej formie oraz wyposażone w komorę formy o średnicy wewnętrznej 406 mm albo większej; oraz

b. Posiadające:

1. Maksymalne ciśnienie robocze powyżej 207 MPa;

2. Możliwość regulacji warunków termicznych powyżej 1.773 K (1500^oC); lub

3. Możliwość nasycenia węglowodorami i usuwania powstających gazowych produktów rozkładu;

Uwaga techniczna:

Wymiarem wewnętrznym komory jest ten wymiar, w którym uzyskuje się zarówno temperaturę roboczą jak i ciśnienie robocze i ni dotyczy uchwytów. Jest to mniejsza ze średnic wewnętrznej komory ciśnieniowej albo wewnętrznej izolowanej komory piecowej, w zależności od tego, która z tych dwóch komór znajduje się wewnątrz drugiej.

2B005 Następujące urządzenia specjalne opracowane do osadzania, przetwarzania i automatycznej kontroli czynnej pokryć i powłok nieorganicznych oraz modyfikacji warstw powierzchniowych, z przeznaczeniem do wytwarzania podłoży nieelektronicznych, technikami wymienionymi w Tabeli i Uwagach załączonych po pozycji 2E003.d. i specjalnie do nich opracowane zautomatyzowane zespoły do manipulacji, ustalania położenia, przenoszenia i sterowania:

a. Urządzenia produkcyjne do osadzania chemicznego z pary (CVD) ze "sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" posiadające następujące cechy charakterystyczne:

1. Możliwość następujących modyfikacji procesu:

a. CVD pulsujące;

b. Rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD); albo

c. CVD intensyfikowane albo wspomagane plazmowo; i

2. Posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

a. Wyposażone w wysokopróżniowe (równe lub mniejsze od 0,01 Pa) uszczelnienia wirujące; lub

b. Wyposażone we wbudowane urządzenia do bieżącej regulacji grubości powłoki;

b. Urządzenia produkcyjne do implantacji jonów ze "sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" o natężeniu wiązki 5 mA albo większym;

c. Urządzenia produkcyjne do elektronowego naparowywania próżniowego (EB-PVD) ze "sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" zaopatrzone w:

1. Układy zasilania o mocy powyżej 80 kW;

2. "Laserowy" system regulacji poziomu cieczy, umożliwiający precyzyjne sterowanie podawaniem materiału wsadowego; oraz

3. System sterowanej komputerowo kontroli wydajności, działający na zasadzie fotoluminescencji zjonizowanych atomów w strumieniu odparowanego czynnika, umożliwiający sterowanie wydajnością osadzania powłok składających się z dwóch lub więcej pierwiastków;

d. Urządzenia produkcyjne do napylania plazmowego ze "sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

1. Pracujące w atmosferze o regulowanym niskim ciśnieniu (równym lub mniejszym od 10 kPa, mierzonym powyżej i w zakresie 300 mm od wylotu dyszy natryskowej) w komorze próżniowej, w której przed rozpoczęciem napylania można obniżyć ciśnienie do 0,01 Pa; lub

2. Zaopatrzone we wbudowane urządzenia do sterowania grubością powłoki.

e. Urządzenia produkcyjne do napylania jonowego ze "sterowaniem zaprogramowanym w pamięci", w których można osiągnąć prąd o gęstości 0,1 mA/mm² lub wyższy przy wydajności napylania 15 mikrometrów na godzinę lub wyższej;

f. Urządzenia produkcyjne do napylania katodowego ze "sterowaniem zaprogramowanym w pamięci", w których skład wchodzi zestaw elektromagnesów do sterowania łukiem na katodzie;

g. Urządzenia produkcyjne do powlekania jonowego ze "sterowaniem zaprogramowanym w pamięci", umożliwiającym na miejscu bieżący pomiar jednego z następujących parametrów:

1. Grubości powłoki na podłożu i regulację wydajności procesu; lub

2. Właściwości optycznych;

UWAGA: Pozycja 2B005.g nie obejmuje kontrolą standardowych urządzeń do jonowego powlekania narzędzi skrawających.

2B006 Następujące systemy i urządzenia do kontroli wymiarowej lub pomiarów:

a. Sterowane komputerowo, "sterowane numerycznie" albo "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" urządzenia do kontroli wymiarowej, mające obie z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. dwie lub więcej osi; i

2. "Niepewność pomiarową" wzdłuż jednej z osi równą albo mniejszą (lepszą) niż (1,25 + L/1.000) mikrometra, mierzoną czujnikiem o "dokładności" większej (lepszej) niż 0,2 mikrometra (L jest mierzoną długością w mm);

b. Następujące przyrządy do pomiaru przemieszczenia liniowego i kątowego:

1. Przyrządy do pomiaru długości posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

a. Bezstykowe układy pomiarowe o "rozdzielczości" równej lub mniejszej (lepszej) niż 0,2 mikrometra w zakresie pomiarowym do 0,2 mm;

b. Liniowe systemy przetworników napięciowych posiadające obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. "Liniowość" równą lub mniejszą (lepszą) niż 0,1% w zakresie pomiarowym do 5 mm; oraz

2. Niestabilność zera równą albo mniejszą (lepszą) niż 0,1% na dzień w standardowej temperaturze pomieszczenia pomiarowego + 1 K; lub

c. Systemy pomiarowe posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

1. Wyposażone w "laser"; i

2. Utrzymujące, przez co najmniej 12 godzin, temperaturę wzorcową z dokładnością + 1 K przy ciśnieniu wzorcowym:

a. "Rozdzielczość" w pełnym zakresie wynoszącą 0,1 mikrometra lub mniejszą (lepszą); oraz

b. "Niepewność pomiarową" równą lub mniejszą (lepszą) niż (0,2 + L/2.000) mikrometra (L jest mierzoną długością w mm);

2. Przyrządy do pomiaru kąta o "odchyleniu położenia kątowego" równym lub mniejszym (lepszym) niż 0,00025o",

UWAGA: Pozycja 2B006.b.2 nie obejmuje kontrolą przyrządów optycznych, takich jak autoklimatory, w których do wykrywania odchylenia kątowego zwierciadła wykorzystywania jest wiązka światła o równoległym biegu promieni.

c. Urządzenia do równoczesnej kontroli położenia liniowego i kątowego półpowłok, posiadające obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. "Niepewność pomiarową" wzdłuż dowolnej osi liniowej równą lub mniejszą (lepszą) niż 3,5 mikrometra na 5 mm; i

2. "Odchylenie położenia kątowego" równe lub mniejsze (lepsze) niż 0,02o;

d. Urządzenia do pomiaru nieregularności powierzchni poprzez pomiar rozproszenia światła w funkcji kąta, posiadające czułość 0,5 nm lub większą (lepszą);

Uwagi techniczne:

1. Do określenia "niepewności pomiarowej" urządzenia do kontroli wymiarowej należy stosować czujniki wymienione w VDINDE 2617 części 2, 3 i 4.

2. Wszystkie wartości pomiarowe w pozycji 2B006 odnoszą się do dopuszczalnych odchyleń dodatnich i ujemnych od wartości docelowej, tj. nie do całego zakresu.

UWAGI:

1. Obrabiarki, które można wykorzystać do celów pomiarowych są do celów pomiarowych, są objęte kontrolą, jeżeli spełniają albo wykraczają poza kryteria określone dla funkcji obrabiarek lub funkcji maszyny pomiarowej.

2. Obrabiarka opisana w pozycji 2B006 jest objęta kontrolą, jeżeli jej parametry w jakimkolwiek zakresie eksploatacji wykraczają poza wartości graniczne objęte dla maszyn objętych kontrolą.

2B007 Następujące "roboty" oraz specjalnie do nich opracowane urządzenia sterujące i "mechanizmy robocze".

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 2B207.

a. Mające możliwość pełnego trójwymiarowego przetwarzania obrazów lub pełnej trójwymiarowej analizy obrazów w czasie rzeczywistym w celu utworzenia albo modyfikacji "programów" albo w celu utworzenia lub modyfikacji danych numerycznych do programu.

UWAGA: Ograniczenia dotyczące analizy obrazów nie obejmują aproksymacji trzeciego wymiaru poprzez rzutowanie pod zadanym kątem, ani do stosowanego w ograniczonym zakresie cieniowania według skali szarości, służącego do percepcji głębi lub tekstury zaaprobowanych zadań (2 1/2 D).

b. Specjalnie opracowane w taki sposób, że spełniają wymagania krajowych norm bezpieczeństwa, stosowanych w miejscach, w których znajdują się wybuchowe środki bojowe; oraz

c. Specjalnie opracowane lub odpowiednio zabezpieczone przed promieniowaniem, w zakresie wykraczającym poza potrzeby istniejące w normalnych, przemysłowych (t.j. poza przemysłem jądrowym) warunkach promieniowania jonizującego;

2B008 Następujące zespoły, podzespoły lub wkładki specjalnie przeznaczone do obrabiarek albo do urządzeń ujętych w pozycji 2B006 lub 2B007:

a. Wrzecienniki składające się w przypadku minimalnego zestawu z wrzecion i łożysk, z "biciem" promieniowym albo "biciem osiowym" na jeden obrót wrzeciona, mierzonym jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR), mniejszym (lepszym) niż 0,0006 mm;

b. Urządzenia ze sprzężeniem zwrotnym położenia liniowego (np. urządzenia typu indukcyjnego, z podziałką stopniową, urządzenia na podczerwień lub urządzenia "laserowe") o całkowitej "dokładności" większej (lepszej) niż (800 + (600 x L x 10^-3) nm (L równa się długości efektywnej w mm);

c. Urządzenia ze sprzężeniem zwrotnym położenia obrotowego, np. urządzenia typu indukcyjnego, z podziałką stopniową, urządzenia na podczerwień lub urządzenia "laserowe", o "dokładności" większej (lepszej) niż 0,00025^o;

d. Zespoły sań składają się z minimalnego zespołu prowadnic, łoża i sań, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Odchylenie kierunkowe, pochylenie lub przechylenie, mierzone jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR), mniejsze (lepsze) niż 2 sekundy, dla pomiarów kątowych (patrz: ISO/DIS 230/1) w pełnym zakresie ruchu;

2. Odchylenie od prostoliniowości w poziomie mniejsze (lepsze) niż 2 mikrometry na odcinku o długości 300 mm; i

3. Odchylenie od prostoliniowości w pionie mniejsze (lepsze) niż 2 mikrometry na odcinku o długości 300 mm.

e. Wkładki diamentowe do narzędzi jednoostrzowych, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Bez wad i zadziorów na krawędziach roboczych widocznych przy powiększeniu 400 razy w dowolnym kierunku;

2. Promień skrawania od 0,1 do 5 mm; oraz

3. Owalność promienia skrawania, mierzona jako różnica pomiędzy skrajnymi wskazaniami czujnika (TIR), mniejsza (lepsza) niż 0,002 mm.

2B009 Specjalnie opracowane płytki z obwodami drukowanymi z zainstalowanymi zespołami i oprogramowaniem do nich, albo "stoły obrotowo-przechylne", lub "wrzeciona wychylne", umożliwiające (według danych technicznych producenta) poprawę parametrów urządzeń "sterowanych numerycznie", obrabiarek lub urządzeń ze sprzężeniem zwrotnym, do albo ponad poziom określony w pozycjach 2B001 do 2B008.

2B104 Środki do sterowania urządzeniami i przebiegiem procesu skonstruowane lub zmodyfikowane pod kątem zagęszczenia i pirolizy dysz rakietowych z kompozytów strukturalnych oraz końcówek na krawędziach natarcia pojazdów kosmicznych lądujących na ziemi.

UWAGA: Jedynymi "prasami izostatycznymi" i piecami ujętymi w tej pozycji są:

a. "Prasy izostatyczne", różne od ujętych w pozycji 2B004, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

1. Maksymalne ciśnienie robocze 69 MPa lub większe;

2. Skonstruowane w taki sposób, że są w stanie osiągnąć i utrzymać środowisko o regulowanych parametrach technicznych rzędu 873 K (600^oC) lub większych; oraz

3. Posiadają komorę o średnicy wewnętrznej 254 mm lub większej;

b. Piece do chemicznego osadzania par, skonstruowane nie zmodyfikowane pod kątem zagęszczenia kompozytów węgiel-węgiel.

2B115 Maszyny do tłoczenia kształtowego oraz specjalnie opracowane do nich elementy:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 2B215.

a. które według specyfikacji technicznej producenta, mogą być wyposażone w zespoły do sterowania numerycznego lub komputerowego, nawet wtedy, kiedy nie są wyposażone w takie zespoły przy dostawie; oraz

b. o więcej niż dwóch osiach, które mogą być równocześnie synchronizowane w celu "sterowania kształtowego".

Uwaga techniczna:

1. Z punktu widzenia niniejszego punktu, urządzenia kombinowane, do łącznego wyoblania i tłoczenia kształtowego są traktowane jako urządzenia do tłoczenia kształtowego.

2. Pozycja 2B115 nie obejmuje maszyn nie nadających się do produkcji elementów i urządzeń systemu napędowego (np. osłon silników) do systemów wymienionych w pozycji 9A007.a.1.

2B116 Następujące urządzenia do testowania wibracyjnego i ich zespoły:

a. Urządzenia do testowania wibracyjnego, w których zastosowano techniki sprzężania zwrotnego lub techniki sterowania w układzie zamkniętej pętli, wyposażone w sterowniki cyfrowe, przystosowane do wymuszania wibracji o średniej wartości kwadratowej 10 g lub większej w całym zakresie od 20 Hz do 2000 Hz, i działające z siłami rzędu 50 kN (11,250 funtów), mierzonymi "stół bez utwierdzenia", lub większymi;

b. Sterowniki cyfrowe współpracujące ze specjalnie opracowanym oprogramowaniem do badań wibracyjnych, cechujące się pasmem przenoszenia informacji w czasie rzeczywistym powyżej 5 Hz, opracowane pod kątem zastosowania w wymienionych w podpunkcie (a) powyżej urządzeniach do badań wibracyjnych;

c. Mechanizmy do wymuszania wibracji (wstrząsarki) wyposażone, albo nie, w odpowiednie wzmacniacze, wymuszające siłę 50 kN (12.500 funtów), mierzoną "bez utwierdzenia" lub większą, i używane w wymienionych w podpunkcie (a) powyżej urządzeniach do badań wibracyjnych;

d. Elementy nośne do próbek badawczych i urządzenia elektroniczne opracowane pod kątem łączenia wielu wstrząsarek w kompletny system siły skutecznej 50 kN, mierzonej "stół bez utwierdzenia", lub większej, i nadające się do stosowania we wspomnianych w podpunkcie (a) powyżej urządzeniach do badań wibracyjnych.

W pozycji 2B116 przez pojęcie "stół bez utwierdzenia" należy rozumieć płaski stół, albo powierzchnię, bez uchwytów i elementów mocujących.

2B204 "Prasy izostatyczne", różne od ujętych w pozycjach 2B004 lub 2B104, zdolne do osiągnięcia maksymalnego ciśnienia roboczego 69 MPa lub większego i posiadające komorę o średnicy wewnętrznej 152 mm oraz specjalnie do nich skonstruowane matryce, formy i zespoły sterujące.

2B207 "Roboty" i "manipulatory", różne od ujętych w pozycji 2B007, specjalnie skonstruowane zgodnie z krajowymi normami bezpieczeństwa stosowanymi do manipulowania kruszącymi materiałami wybuchowymi (na przykład, spełniające warunki ujęte w przepisach elektrycznych stosowanych w odniesieniu do kruszących materiałów wybuchowych) oraz specjalnie do nich skonstruowane sterowniki.

2B215 Maszyny do wyoblania i tłoczenia kształtowego, różne od wymienionych w pozycjach 2B115, oraz precyzyjne trzpienie do formowania wirników skonstruowane z przeznaczeniem do formowania wirników o średnicy wewnętrznej od 75 mm do 400 mm;

a. które według specyfikacji technicznej producenta można wyposażyć w urządzenia do "sterowania numerycznego" lub sterowania komputerowego; oraz

b. o więcej niż dwóch osiach, które mogą być równocześnie synchronizowane w celu "sterowania kształtowego".

Uwaga techniczna:

Jedynymi maszynami do wyoblania, podlegającymi kontroli na mocy tego punktu, są maszyny kombinowane do łącznego wyoblania i tłoczenia kształtowego.

2B225 Następujące zdalnie sterowane manipulatory do mechanicznego przekształcania działań człowieka za pomocą urządzeń elektrycznych, hydraulicznych lub mechanicznych na ramię robocze i uchwyt, których można używać do zdalnego wykonania prac podczas rozdzielania radiochemicznego oraz do wykonywania prac w komorach gorących:

a. zdolne do przenikania na odległość 0,6 m lub więcej od ścianki komory; lub

b. zdolne do przechodzenia ponad górną krawędzią ścianki komory o grubości 0,6 m lub większej.

2B226 Piece indukcyjne próżniowe lub z regulowaną atmosferą (gaz obojętny) zdolne do pracy w temperaturach powyżej 1123 K (850^oC) wyposażone w cewki indukcyjne o średnicy 600 mm lub mniejszej, oraz specjalnie skonstruowane instalacje do ich zasilania o wydajności nominalnej 5 KW lub większej.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 3B

UWAGA: Niniejsza pozycja nie obejmuje kontrolą pieców przeznaczonych do przetwarzania płytek półprzewodnikowych.

2B227 Następujące piece metalurgiczne i odlewnicze, próżniowe i z regulowaną atmosferą; oraz specjalnie do nich opracowane komputerowe instalacje do sterowania i śledzenia przebiegu procesów:

a. Łukowe piece do przetapiania i odlewania, wyposażone w elektrodę topliwą, o pojemności od 1000 cm³ do 20.000 cm³, zdolne do pracy w temperaturach topnienia powyżej 1973 K (1700^oC);

b. Piece do topienia wiązką elektronów oraz plazmowe piece do atomizacji i topienia, o mocy 50 kW lub większej, zdolne do pracy w temperaturach topnienia powyżej 1473 K (1200^oC).

2B228 Następujące urządzenia do wytwarzania i montażu wirników oraz trzpienie do formowania mieszków i matryc:

a. Urządzenia do montażu wirników przeznaczone do montażu elementów wirników gazowych wirówek odśrodkowych, kierownic i pokryw, włącznie z precyzyjnymi trzpieniami, zaciskami i maszynami do pasowania skurczowego.

b. Urządzenia do prostowania wirników przeznaczone do osiowania poszczególnych sekcji wirnika odśrodkowego na jednej wspólnej osi.

Uwaga techniczna:

Zazwyczaj urządzeni tego typu posiada bardzo dokładne czujniki pomiarowe połączone z komputerem, który następnie steruje pracą, na przykład, pneumatycznego bijaka stosowanego do pozycyjnego strojenia poszczególnych sekcji wirnika.

c. Trzpienie i matryce do formowania mieszków oraz do wytwarzania mieszków jednozwojowych (mieszki wykonane z wysoko wytrzymałych stopów aluminium, stali maraging lub wysoko wytrzymałych materiałów włókienkowych). Mieszki te mają następujące wszystkie wymiary:

1. średnica wewnętrzna od 75 mm do 400 mm;

2. długość 12,7 mm lub większa;

3. głębokość pojedynczego zwinięcia powyżej 2 mm.

2B229 Następujące odśrodkowe maszyny do wielopłaszczyznowego wyważania, stałe lub przenośne poziome lub pionowe:

a. Wyważarki odśrodkowe przeznaczone do wyważania podatnych wirników o długości 600 mm lub większej, i posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

1. wychylenie lub średnica czopa 75 mm lub więcej;

2. zdolność do wyważania zespołów o masie od 0,9 do 23 kg; oraz

3. prędkość obrotowa podczas wyważania powyżej 5000 obrotów na minutę;

b. Wyważarki odśrodkowe przeznaczone do wyważania cylindrycznych zespołów wirnika, i posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

1. średnica czopa 75 mm lub więcej;

2. zdolność do wyważania zespołów o masie od 0,9 do 23 kg;

3. możliwość wyważania z niewyważaniem szczątkowym rzędu 0,01 kg mm/kg w danej płaszczyźnie lub lepszym; oraz

4. napęd pasowy.

2B230 Aparatura umożliwiająca pomiary ciśnień do 13 kPa z dokładnością lepszą niż 1% (w pełnym zakresie pomiarowym), wyposażona w odporne na korozję czujniki ciśnień wykonane z niklu, stopów niklu, brązu fosforowego, stali nierdzewnej, aluminium lub stopów aluminium.

2B231 Pompy próżniowe z gardzielą wlotową o średnicy 380 mm lub większej i wydajności pompowania 15.000 litrów/s lub większej i zdolne do wytwarzania próżni końcowej o ciśnieniu poniżej 13 mPa.

Uwaga techniczna:

Próżnię końcową określa się na wlocie do pompy po jego zatkaniu.

2B232 Wielostopniowe wyrzutnie gazowe lub inne urządzenia do wyrzucania obiektów z wysoką prędkością (cewkowe, elektromagnetyczne, elektromechaniczne lub inne nowoczesne systemy tego typu) zdolne do przyspieszania pocisków do prędkości 2 km/s lub większej.

2B350 Następujące instalacje i urządzenia do produkcji substancji chemicznych:

a. Zbiorniki reakcyjne lub reaktory, wyposażone w mieszadła lub bez nich, o całkowitej pojemności wewnętrznej (geometrycznej) powyżej 0,1 m³ (100 litrów) i poniżej 20 m³ (20.000 litrów), w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości powyżej 25% wagowych niklu i 20% wagowych chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami ceramicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;

5. Tantalu lub stopów tantalu;

6. Tytanu lub stopów tytanu; albo

7. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

b. Mieszadła do zbiorników reakcyjnych lub reaktorów, w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami chemicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;

5. Tantalu lub stopów tantalu;

6. Tytanu lub stopów tytanu; albo

7. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

c. Zbiorniki magazynowe, zasobniki lub odbiorniki o całkowitej pojemności wewnętrznej (geometrycznej) powyżej 0,1 m³ (100 litrów), w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami chemicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;

5. Tantalu lub stopów tantalu;

6. Tytanu lub stopów tytanu; albo

7. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

d. Wymienniki ciepła lub skraplacze o polu powierzchni wymiany ciepła poniżej 20 m2, w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami chemicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Grafitu;

5. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;

6. Tantalu lub stopów tantalu;

7. Tytanu lub stopów tytanu; albo

8. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

e. Kolumny destylacyjne lub absorpcyjne o średnicy wewnętrznej powyżej 0,1 m, w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami chemicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Grafitu;

5. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;

6. Tantalu lub stopów tantalu;

7. Tytanu lub stopów tytanu; albo

8. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

f. Zdalnie sterowane urządzenia napełniające, w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;

2. Niklu lub stopów o zawartości powyżej 40% wagowych;

g. Zawory z uszczelnieniem wielokrotnym wyposażone w okna do wykrywania nieszczelności, zawory z uszczelnieniem mieszkowym, zawory zwrotne lub zawory przeponowe, w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami ceramicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;

5. Tantalu lub stopów tantalu;

6. Tytanu lub stopów tytanu; albo

7. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

h. Rury wielościankowe wyposażone w okna do wykrywania nieszczelności, w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;

2. Polimerów fluorowych;

3. Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami ceramicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

4. Grafitu;

5. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;

6. Tantalu lub stopów tantalu;

7. Tytanu lub stopów tytanu; albo

8. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

i. Pompy wielokrotnie uszczelnione, obudowane, z napędem magnetycznym, mieszkowe lub przeponowe, o maksymalnym natężeniu przepływu według specyfikacji producenta powyżej 0,6 m³/godzinę, lub pompy próżniowe o maksymalnym natężeniu przepływu według specyfikacji producenta powyżej 5 m³/godzinę (w znormalizowanych warunkach temperatury (273 K (0^oC) i ciśnienia (101,3 kPa)), w których wszystkie powierzchnie stykające się bezpośrednio z wytwarzanym lub znajdującym się w nich środkiem chemicznym (lub środkami chemicznymi) są wykonane z jednego z następujących materiałów:

1. Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;

2. Materiałów ceramicznych;

3. Żelazokrzemu;

4. Polimerów fluorowych

5. Szkła (w tym materiałów powlekanych substancjami ceramicznymi lub emaliowanych albo wykładanych szkłem);

6 Grafitu;

7. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;

8. Tantalu lub stopów tantalu;

9. Tytanu lub stopów tytanu; albo

10. Cyrkonu lub stopów cyrkonu;

j. Piece do spalania, przeznaczone do niszczenia substancji chemicznych wyspecyfikowanych w pozycji 1C350, wyposażone w specjalnie skonstruowane instalacje do doprowadzania odpadów, specjalne urządzenia do manipulowania i komorę o przeciętnej temperaturze spalania powyżej 1273 K (1000^oC), w których wszystkie powierzchnie w instalacji do doprowadzania odpadów stykające się bezpośrednio z odpadami są wykonane z jednego z następujących materiałów lub nim wyłożone:

1. Stopów o zawartości niklu powyżej 25% wagowych i 20% wagowych chromu;

2. Materiałów ceramicznych; lub

3. Niklu lub stopów o zawartości niklu powyżej 40% wagowych;

2B351 Następujące instalacje do monitorowania gazów toksycznych; oraz przeznaczone do nich czujniki:

a. Skonstruowane z przeznaczeniem do pracy ciągłej i zdolne do wykonywania chemicznych substancji bojowych, środków chemicznych wyspecyfikowanych w pozycji 1C350 lub substancji organicznych zawierających fosfor, siarkę, fluor lub chlor, w stężeniach poniżej 0,3 mg/m³; lub

b. Skonstruowane z przeznaczeniem do wykrywania aktywności wstrzymującej cholinoesterazę.

2B352 Następujące urządzenia biologiczne:

a. Kompletne biologiczne obudowy zabezpieczające na poziomie P3, P4;

Uwaga techniczna:

Poziomy zabezpieczenia P3 lub P4 (BL3, BL4, L3, L4) według specyfikacji zawartej w instrukcji WHO w sprawie Bezpieczeństwa Biologicznego Laboratoriów (Genewa, 1983).

b. Fermentory zdolne do działania bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

1. Pojemność równą 300 litrów lub większą;

2. Złącza z podwójnym lub wielokrotnym uszczelnieniem w obszarze występowania pary wodnej; oraz

3. Zdolne do sterylizacji in situ w stanie zamkniętym;

Uwaga techniczna:

Do kadzi fermentacyjnych zalicza się bioreaktory, chemostaty oraz instalacje o przepływie ciągłym.

c. Separatory odśrodkowe, zdolne do ciągłego oddzielenia bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

1. Natężenie przepływu powyżej 100 litrów na godzinę:

2. Elementy z polerowanej stali nierdzewnej lub tytanu;

3. Złącza z podwójnym lub wielokrotnym uszczelnieniem w obszarze występowania pary wodnej; oraz

4. Zdolne do sterylizacji in situ w stanie zamkniętym;

Uwaga techniczna:

Do separatorów odśrodkowych zalicza się również dekantery.

d. Urządzenia do filtrowania typu cross-flow, przeznaczone do ciągłego rozdzielania bez rozprzestrzeniania aerozoli, posiadające obie poniższe cechy charakterystyczne:

1. Pole powierzchni 5 metrów kwadratowych lub większe; oraz

2. Zdolne do sterylizacji na miejscu;

e. Sterylizowane parą wodną urządzenia do liofilizacji o wydajności kondensatora w zakresie od 50 kg lodu w ciągu 24 godzin do 1000 kg lodu w ciągu 24 godzin;

f. Następujące urządzenia zawierające obudowy ochronne kategorii P3 lub P4 lub w nich zawarte:

1. Pełne lub częściowe obudowy ochronne z niezależną wentylacją:

2. Komory bezpieczne pod względem biologicznym lub izolowane pojemniki, w których można pracować ręcznie z zachowaniem warunków odpowiadających ochronie biologicznej na poziomie klasy III;

UWAGA: W pozycji tej przez pojęcie pojemniki izolowane należy również rozumieć elastyczne pojemniki izolowane, komory suche, komory anaerobowe oraz komory rękawowe.

g. Komory do testowania aerozoli zawierających "mikroorganizmy" patogenne lub "toksyny" i mające pojemność 1 m³ lub większą.

2D Oprogramowanie

2D001 "Oprogramowanie" specjalnie opracowane albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do "rozwoju", "produkcji" lub "użytkowania" urządzeń ujętych w pozycjach 2A001 do 2A007 lub 2B001 do 2B009.

2D002 Następujące "oprogramowanie" specjalne:

a. "Oprogramowanie" umożliwiające "sterowanie adaptacyjne" i posiadające obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Przeznaczone do "uniwersalnych jednostek produkcyjnych" (FMU) składających się co najmniej z urządzeń ujętych w pozycji b.1 i b.2 w definicji "uniwersalnej jednostki produkcyjnej"; oraz

2. Umożliwiające tworzenie lub modyfikowanie, podczas "przetwarzania w czasie rzeczywistym", "programów" lub danych dzięki wykorzystaniu sygnałów uzyskiwanych równocześnie przez urządzenia, w których zastosowano co najmniej dwie techniki detekcji, takie jak:

a. Widzenie maszynowe (w zakresie optycznym);

b. Przetwarzanie obrazu w podczerwieni;

c. Akustyczne przetwarzanie obrazu (w zakresie akustycznym);

d. Pomiar sensorowy;

e. Bezwładnościowe ustalanie położenia;

f. Pomiar sił;

g. Pomiar momentów;

UWAGA: Pozycja 2D002.a nie obejmuje kontrolą "oprogramowania" zapewniającego wyłącznie zmianę harmonogramu identycznego funkcjonalnie urządzenia w ramach "uniwersalnych jednostek produkcyjnych" za pomocą zapamiętanych programów obróbki części oraz zapamiętanej strategii rozprowadzania programów obróbki części.

b. "Oprogramowanie" urządzeń elektronicznych z wyłączeniem ujętych w pozycjach 2B001.a lub b., umożliwiające "sterowanie numeryczne" urządzeniami ujętymi w pozycji 2B001.

2D101 "Oprogramowanie" specjalnie opracowane do "użytkowania" urządzeń wyspecyfikowanych w pozycjach 2B104, 2B115 lub 2B116.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9D004.

2D201 "Oprogramowanie" specjalnie opracowane do "użytkowania" urządzeń wyspecyfikowanych w pozycjach 2B204, 2B207, 2B215, 2B227 lub 2B229.

2E Technologia

2E001 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do "rozwoju" urządzeń lub "oprogramowania" ujętych w pozycjach 2A, 2B lub 2D.

2E002 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do "produkcji" urządzeń ujętych w pozycjach 2A lub 2B.

2E003 Następujące inne "technologie";

a. "Technologie":

1. Umożliwiające "rozwój" grafiki interakcyjnej, stanowiącej integralną część urządzeń "sterowanych numerycznie", przeznaczonej do przygotowania lub modyfikacji programów obróbki części;

2. Umożliwiające "rozwój" generatorów instrukcji dla obrabiarek (np. programów do obróbki części) na podstawie danych konstrukcyjnych rezydujących w urządzeniach "sterowanych numerycznie";

3. Umożliwiające "rozwój" "oprogramowania" zintegrowanego do wprowadzania systemów eksperskich, przeznaczonych do wspomagania procesu decyzyjnego podczas operacji warsztatowych, do urządzeń "sterowanych numerycznie";

b. Następujące produkcyjne "technologie" obróbki metali:

1. Technologie projektowania narzędzi, form lub uchwytów specjalnie opracowane do następujących procesów:

a. "Obróbki w stanie nadplastycznym";

b. "Zgrzewania dyfuzyjnego";

c. "Bezpośredniego tłoczenia hydraulicznego";

2. Dane techniczne, obejmujące metody lub parametry procesu, stosowane do sterowania przebiegiem następujących procesów:

a. "Obróbka w stanie nadplastycznym" stopów aluminium, stopów tytanu lub "nadstopów":

1. Przygotowanie powierzchni;

2. Właściwości plastyczne;

3. Temperatura;

4. Ciśnienie;

b. "Zgrzewanie dyfuzyjne" "nadstopów" lub stopów tytanu:

1. Przygotowanie powierzchni;

2. Temperatura;

3. Ciśnienie;

c. "Bezpośrednie tłoczenie hydrauliczne" stopów aluminium i stopów tytanu:

1. Ciśnienie;

2. Czas cyklu;

d. "Izostatyczne" prasowanie "na gorąco" stopów aluminium lub "nadstopów":

1. Temperatura;

2. Ciśnienie;

3. Czas cyklu;

c. "Technologie" do "rozwoju" lub "produkcji" obciągarek hydraulicznych i form do nich, do wytwarzania struktur płatowca:

d. "Technologia" do:

nakładania powłok nieorganicznych albo powłok nieorganicznych modyfikowanych powierzchniowo, wymienionych w kolumnie 3 poniższej Tabeli:

podłoży nie-elektronicznych, wymienionych w kolumnie 2 poniższej Tabeli:

sposobów wymienionych w kolumnie 1 poniższej Tabeli zdefiniowanych w Uwadze Technicznej;

(Indeksy w nawiasach odnoszą się do Uwag zamieszczonych pod Tabelą).

TABELA - TECHNIKI NAPYLANIA

1. Technika powlekania	2. Podłoże	3. Powłoka wynikowa
A. Osadzanie z pary lotnej (CVD)	"Nadstopy"	Glinki na kanały wewnętrzne
	Materiały ceramiczne i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Krzemki Węgliki Warstwy dielektryczne
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Metale ogniotrwałe Mieszanki powyższych Warstwy dielektryczne Glinki Glinki stopowe
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Węgliki Wolfram Mieszanki powyższych Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Warstwy dielektryczne
	Materiały na okienka wziernikowe	Warstwy dielektryczne
B. Termiczne naparowywanie próżniowe (TE-PVD) 1. Naparowywanie próżniowe (PVD): Wiązką elektronów (EB-PVD)	"Nadstopy	Krzemki stopowe Glinki stopowe MCrAlX Zmodyfikowany cyrkon Krzemki Glinki Ich mieszaniny
	Materiały ceramiczne i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Warstwy dielektryczne
	Stale odporne na korozję	MCrAlX Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Ich mieszanki
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Metale ognioodporne Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Węgliki Wolfram Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Warstwy dielektryczne Borki
	Materiały na okienka wziernikowe	Warstwy dielektryczne
	Stopy tytanu	Borki Azotki
B.2. Napylanie techni- ką ogrzewania wspomaganego jo- nowo (Napylanie jonowe)	Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Warstwy dielektryczne
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Warstwy dielektryczne
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Warstwy dielektryczne
	Materiały na okienka wziernikowe	Warstwy dielektryczne
B.3. Napylanie próż- niowe: "odparowy- wanie laserowe"	Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Krzemki Warstwy dielektryczne
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Warstwy dielektryczne
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Warstwy dielektryczne
B.4. Naparowywanie próżniowe: za po- pomocą łuku katodowego	"Nadstopy"	Krzemki stopowe Glinki stopowe MCrAlX
	"Kompozyty" na matrycy polimerowej i organicznej	Borki Węgliki Azotki
C. Osadzanie fluidyza- cyjne (patrz A po- wyżej dla innych technik)	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Ich mieszanki
	Stopy tytanu	Krzemki Glinki
	Metale i stopy ognioodporne	Glinki stopowe
D. Napylanie plazmowe	"Nadstopy"	MCrAlX Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Ich mieszanki Materiał ścierny nikiel-grafit Materiał ścierny Ni-Cr-Al-Bentonit Materiał ścierny Al-Si-Poliester Glinki stopowe
	Stopy aluminium	MCrAlX Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Krzemki Ich mieszanki
	Metale i stopy ognioodporne	Glinki Krzemki Węgliki
	Stale odporne na korozję	Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Ich mieszanki
	Stopy tytanu	Węgliki, Glinki Krzemki Glinki stopowe Materiały ścierne nikiel-grafit Materiały ścierne Ni-Cr-Al Bentonit Materiały ścierne Al-Si-Poliester
E. Powlekanie zawiesinowe	Metale i stopy ognioodporne	Krzemki stopione. Glinki stopione z wyjątkiem elementów do nagrzewania oporowego
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Ich mieszanki
F. Rozpylanie jonowe	"Nadstopy"	Krzemki stopowe Glinki stopowe Glinki zmodyfikowane metalem szlachetnym MCrAlX Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Platyna Ich mieszanki
	Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Krzemki Platyna Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Stopy tytanu	Borki Azotki Tlenki Krzemki Glinki Glinki stopowe Węgliki
	Kompozyty na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Metale ognioodporne Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Węgliki Wolfram Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Borki Warstwy dielektryczne
	Materiały na okienka wziernikowe	Warstwy dielektryczne
	Metale i stopy ognioodporne	Glinki Krzemki Tlenki Węgliki
G. Implantacja jonów	Żarowytrzymałe stale łożyskowe	Dodatki chromu, tantalu lub niobu
	Stopy tytanu	Borki Azotki
	Beryl i stopy berylu	Borki
	Spiekany węglik wolframu	Węgliki Azotki

UWAGI DO TABELI TECHNIK NAPYLANIA

(1) Termin "technika powlekana" obejmuje zarówno naprawę i odnawianie powłok jak i nakładanie nowych.

(2) Termin "powłoka z glinku stopowego" obejmuje powłoki uzyskane w procesie jedno- albo wieloetapowych, w którym każdy pierwiastek albo pierwiastki są nakładane przed albo podczas nakładania powłoki glinkowej, nawet jeżeli pierwiastki te są nakładane podczas innego procesu powlekania. Jednakże nie obejmuje to przypadku wieloetapowego stosowania jednostopniowych procesów osadzania fluidyzacyjnego, mającego na celu uzyskanie glinków stopowych.

(3) Termin "powłoka z glinku modyfikowanego metalem szlachetnym" obejmuje powłoki wytwarzane w procesie wieloetapowym, podczas którego przed położeniem powłoki z glinku na podłoże nakładany jest, w innym procesie powlekania, jeden albo kilka metali szlachetnych.

(4) Mieszanki składają się z przesyconego materiałem powłoki podłoża, składników pośrednich, materiału współosadzonego oraz wielowarstwowego materiału osadzonego i są wytwarzane jedną albo kilku technikami powlekania, wymienionymi w Tabeli.

(5) Pod terminem MCrAIX należy rozumieć powłokę stopową, w której M oznacza kobalt, żelazo, nikiel lub ich kombinację, a X hafn, itr, krzem, tantal w dowolnych lub innych zamierzonych ilościach dodatkowych, wynoszących powyżej 0,01 procenta wagowych w różnych proporcjach i kombinacjach, z wyjątkiem:

a. Powłok CoCrAIY, w których znajduje się poniżej 22 procent wagowych chromu, poniżej 7 procent wagowych aluminium i poniżej 2 procent wagowych itru;

b. Powłok CoCrAIY, w których znajduje się 22 do 24 procent wagowych chromu, 10 do 12 procent wagowych aluminium i 0,5 do 0,7 procent wagowych itru; lub

c. Powłok NiCrAIY, w których znajduje się 21 do 23 procent wagowych chromu, 10 do 12 procent wagowych aluminium i 0,9 do 1,1 procent wagowych itru.

(6) Termin "stopy aluminium" dotyczy stopów, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20(0)C), wynosi 190 MPa lub więcej.

(7) Termin "stale odporne na korozję" odnosi się do stali serii 300 według AISI (American Iron and Steel Institute) lub równoważnych norm krajowych.

(8) Do metali żarowytrzymałych zaliczają się następujące metale i ich stopy: niob, molibden, wolfram i tantal.

(9) Następujące materiały na okienka wziernikowe: tlenek glinu, krzem, german, siarczek cynku, selenek cynku, arsenek galu i następujące halogenki metali: jodek potasu, fluorek potasu albo materiały na okienka wziernikowe o średnicy powyżej 40 mm z bromku talu (III) (bromku talowego) i chlorobromku talu.

(10) W ramach Kategorii 2 nie objęto kontrolą "technologii" jednoetapowego utwardzania techniką cieplno-chemiczną litych profili aerodynamicznych.

(11) Następujące polimery: polimidy, poliestry, polisiarczki, poliwęglany i poliuretany.

(12) Przez termin zmodyfikowany tlenek cyrkonowy należy rozumieć tlenek cyrkonowy z dodatkami innych tlenków metali, np. tlenku wapnia, tlenku magnesu, tlenku itru, tlenku hafnu, tlenków lantanowców, ipt. w celu stabilizacji pewnych faz krystalicznych i składników faz. Kontrola nie dotyczy powłok antytermicznych wykonanych z tlenku cyrkonowego modyfikowanego poprzez mieszanie albo stapianie z tlenkiem wapnia albo magnezu.

(13) Przez termin stopy tytanu należy rozumieć stopy stosowane w technice kosmicznej, których wytrzymałość na rozciąganie, mierzona w temperaturze 293 K (20(0)C), wynosi 900 MPa lub więcej.

(14) Przez termin szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej należy rozumieć szkła, dla których wartość współczynnika rozszerzalności cieplnej, mierzona w temperaturze 293 K (20(0)C), wynosi 1 x 10(7) K(7) lub mniej.

(15) Przez termin warstwy dielektryczne należy rozumieć powłoki wielowarstwowe z materiałów izolacyjnych, w których interferencyjne właściwości konstrukcji złożonej z materiałów o różnych współczynnikach załamania są wykorzystywane do odbijania, przepuszczania lub pochłaniania fal o różnych długościach. Jako warstwy dielektryczne należy rozumieć materiały składające się z więcej niż czterech warstw dielektrycznych lub "kompozytorów" z materiałów dielektrycznych i metali.

(16) Spiekany węglik wolframu nie obejmuje materiałów na narzędzia skrawające i formujące wykonane z węglika wolframu/(kobaltu, niklu), węglika tytanu/(kobaltu, niklu), węglika chromu/nikiel-chrom i węglika chromu/nikiel.

TABELA - TECHNIKI POWLEKANIA - UWAGA TECHNICZNA

Definicje procesów wymienionych w Kolumnie 1 Tabeli:

a. Osadzanie z pary lotnej (CVD) jest procesem nakładania powłoki albo modyfikacji powierzchni podłoża, polegającym na osadzaniu na rozgrzanym podłożu metalu, stopu, "kompozytu", dielektryka albo materiału ceramicznego. W sąsiedztwie podłoża następuje rozkład albo łączenie gazowych substratów reakcji wskutek czego osadza się na nim pożądany pierwiastek, stop albo związek.

Potrzebna do rozkładu związków albo do reakcji chemicznych energia może być dostarczana przez rozgrzane podłoże, plazmę łub wyładowań jarzeniowych, lub za pomocą "lasera".

UWAGA: 1. CVD obejmuje następujące techniki: Osadzanie w ukierunkowanym przepływie gazów bez zanurzania w proszku. CVD pulsujące, rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), CVD intensyfikowane albo wspomagane za pomocą plazmy.

2. Zanurzanie w proszku polega na zanurzaniu podłoża w mieszaninie sproszkowanych substancji.

3. Gazowe substraty reakcji, wykorzystywane w technice, w której nie stosuje się zanurzania w proszku, są wytwarzane podczas takich samych reakcji podstawowych i przy takich samych parametrach jak w przypadku osadzania fluidyzacyjnego: z tym wyjątkiem, że powlekane podłoże nie styka się z mieszaniną proszku.

b. Naparowywanie termiczne - fizyczne osadzanie par (TE-PVD) jest techniką powlekania w próżni przy ciśnieniach poniżej 0,1 pA, w której do odparowania materiału powlekającego używa się energii termicznej. Rezultatem tego procesu jest kondensacja albo osadzenie odparowanych składników na odpowiednio usytuowanych powierzchniach.

Zwykle proces ten jest modyfikowany poprzez wpuszczanie do komory próżniowej podczas powlekania dodatkowych gazów, co umożliwia wytwarzanie powłok o złożonym składzie.

Innym, powszechnie stosowanym sposobem jego modyfikacji jest używanie wiązki jonów albo elektronów lub plazmy do intensyfikacji albo wspomagania osadzania powłoki. W technice tej można stosować monitory do bieżącego pomiaru parametrów optycznych i grubości powłoki.

Wyróżnia się następujące odmiany tej techniki:

1. PVD z zastosowaniem wiązki elektronów - do rozgrzania i odparowania materiału, który ma stanowić powłokę, używa się wiązki elektronów;

2. PVD z ogrzewaniem oporowym - do wytwarzania odpowiedniego i równomiernego strumienia odparowanych składników powłokowych wykorzystywane są źródła elektrycznego ogrzewania oporowego;

3. Odparowanie "laserowe" - do ogrzania materiału przeznaczonego na powłokę używana jest ciągła albo impulsowa wiązka "laserowa";

4. Osadzanie wspomagane lukiem katodowym - katoda jest wykonana z materiału mającego stanowić powłokę; łuk powstaje na powierzchni tego materiału po włączeniu zasilania. Dzięki możliwości sterowania procesem rozkładu powierzchni katody powstaje plazma o wysokim stopniu jonizacji. Anodę może stanowić stożek osadzony w izolatorze na obwodzie katody albo komora. Osadzanie w miejscach nie leżących na linii biegu wiązki uzyskuje się dzięki odpowiedniej polaryzacji podłoża.

UWAGA: Definicja ta nie obejmuje bezładnego osadzania wspomaganego łukiem katodowym w przypadku powierzchni niepolaryzowanych.

c. Powlekanie jonowe stanowi specjalną modyfikację procesu TE-PVD, w której do jonizacji osadzanych składników jest wykorzystywane źródło plazmy albo jonów, natomiast podłoże jest polaryzowane ujemnie, co ułatwia wychwyt z plazmy tych składników, które mają być osadzone. Do często spotykanych odmian tej techniki należą: wprowadzanie składników aktywnych, odparowywanie substancji stałych wewnątrz komory roboczej oraz bieżący pomiar parametrów optycznych i grubości powłok za pomocą monitorów.

d. Osadzanie fluidyzacyjne jest techniką powlekania albo modyfikacji powierzchni podłoża, w której podłoże jest zanurzane w mieszaninie proszków, składającej się z:

1. Proszków metalicznych, które mają być osadzone (zazwyczaj aluminium, chrom, krzem lub ich kombinacje);

2. Aktywatora (zazwyczaj sól halogenkowa); oraz

3. Proszku obojętnego, najczęściej tlenku glinu.

Podłoże wraz z mieszaniną proszków znajduje się w retorcie, która jest podgrzewana do temperatury od 1 030 K (75(0)C) do 1 375L (1 102(")C) przez okres wystarczający do osadzenia powłoki.

e. Napylanie plazmowe jest techniką powlekania, w której do pistoletu służącego do wytwarzania i sterowania strumieniem plazmy jest doprowadzany materiał do powlekania w postaci proszku albo pręta. Pistolet topi materiał i wyrzuca go na podłoże, na którym powstaje silnie z nim związana powłoka. Odmianami tej techniki są napylanie plazmowe niskociśnieniowe oraz napylanie plazmowe z wysoką prędkością, przeprowadzane pod wodą.

UWAGA: Niskociśnieniowe oznacza pod ciśnienie niższym od ciśnienia atmosferycznego otoczenia.

2. Wysoka prędkość odnosi się do prędkości gazów na wylocie z dyszy przekraczającej wartość 750 m/s sprowadzoną do temperatury 293 K (20(0)C) i ciśnienia 0,1 MPa.

f. Osadzanie zawiesinowe jest techniką powlekaną albo modyfikacji powierzchni, w której stosowana jest zawiesina proszku metalicznego lub ceramicznego ze spoiwem organicznym w cieczy, nakładana na podłoże technikę natryskiwania, zanurzania lub malowania. Następnym etapem jest suszenie w powietrzu albo w piecu i obróbka cieplna w wyniku czego powstaje powłoka o odpowiedniej charakterystyce.

g. Rozpylanie jonowe jest techniką powlekania, opartą na zjawisku przenoszenia pędu, w której naładowane dodatnio jony są przyspieszane przez pole elektryczne w kierunku powierzchni docelowej (materiał powłokowy). Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do wyrwania atomów z powierzchni materiału powłokowego i osadzenia ich na odpowiednio usytuowanej powierzchni podłoża.

UWAGA: 1. Tabela dotyczy tylko rozpylania jonowego za pomocą triody, magnetronowego i reakcyjnego, które jest wykorzystywane do zwiększania przyczepności powłoki i wydajności osadzania oraz do rozpylania jonowego wspomaganego prądami wysokiej częstotliwości, wykorzystywanego do intensyfikacji odparowania niemetalicznych materiałów powłokowych.

2. Do aktywacji osadzania można zastosować wiązki jonów o niskiej energii (poniżej 5 keV).

h. Implantacja jonowa jest techniką modyfikacji powierzchni polegającą na jonizacji pierwiastka, który ma być stopiony, przyspieszaniu go za pomocą różnicy potencjałów i wstrzeliwaniu w odpowiedni obszar powierzchni podłoża. Technika ta może być stosowana równocześnie z napylaniem jonowym wspomaganym za pomocą wiązki elektronów albo rozpylaniem jonowym.

2E101 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do "użytkowania" urządzeń lub "oprogramowania" ujętych w pozycjach 2B004, 2B104, 2B115, 2B116 lub 2D101.

2E201 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do "użytkowania" urządzeń lub "oprogramowania" ujętych w pozycjach 2A225, 2A226, 2B001, 2B006, 2B007.b, 2B007.c, 2B008, 2B009, 2B204, 2B007, 2B215, 2B225, do 2B232 lub 2D201.

2E301 "Technologie" niezbędne do "użytkowania" wyrobów wyspecjalizowanych w pozycjach 2B350 do 2B352.

KATEGORIA 3 - ELEKTRONIKA

3A Urządzenia, zespoły i części

UWAGI:

1. Status kontroli wyposażenia, urządzeń i części opisanych w pozycjach 3A001 lub 3A002, innych niż wymienione w pozycji 3A001.a.3 do 10 lub 3A001.a.12, specjalnie przeznaczonych do innych urządzeń albo posiadających te same cechy funkcjonalne co inne urządzenia, jest taki sam jak status kontroli tych innych urządzeń.

2. Status kontroli układów scalonych ujętych w pozycjach 3A001.a.3 do 9 lub 3A001.a.12, zaprogramowanych na stałe bez możliwości wprowadzenia zmian albo przeznaczonych do specjalnych funkcji, jest taki sam jak status kontroli tych innych urządzeń.

UWAGA: W razie gdy producent lub wnioskodawca nie jest w stanie określić statusu kontroli tych innych urządzeń, status kontroli danych układów scalonych jest określony w pozycjach 3A001.a.3 do 9 lub 3A001.a.12.

Jeżeli układ scalony jest krzemowym "mikroobwodowym mikrokomputerem" lub mikrosterowanym mikroobwodem ujętym w pozycji 3A001.a.3 o długości słowa operanda (danych) 8 bitów lub mniej, status kontroli układu scalonego określono w pozycji 3A001.a.3.

3A001 Urządzenia i części elektroniczne

a. Następujące układy scalone ogólnego przeznaczenia:

UWAGI:

1. Status KONTROLI płytek (gotowych albo niegotowych) posiadających wyznaczoną funkcję, należy określać na podstawie parametrów podanych w pozycji 3A001.a.

2. Do obwodów scalonych zaliczane są następujące typy:

"Układy scalone monolityczne";

"Układy scalone wielopłytkowe";

"Układy scalone warstwowe" włącznie z układami scalonymi typu krzem na szafirze;

"Układy scalone optyczne".

1. Układy scalone skonstruowane albo przystosowane w taki sposób, że są odporne na promieniowanie jonizujące i wytrzymują:

a. dawkę całkowitą 5 x 10(5) radów (Si) lub wyższą; lub

b. wzrost dawki o 5 x 10(8) radów (Si)/s lub większy;

2. Następujące układy scalone ujęte w pozycjach 3A001.a.3 do 10 lub 3A001.a.12:

a. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia powyżej 398 K (125(0)C)

b. przystosowane do pracy w temperaturze otoczenia poniżej 218 K (-55(0)C); lub

c. przystosowane do pracy w całym przedziale wartości temperatur od 218 K (-55(0)C) do 398 K (125(0)C);

Uwaga: Pozycja 3A001.a.2 nie obejmuje układów scalonych do silników do pojazdów cywilnych ani kolejowych.

3. "Układy mikroprocesorowe", "układy mikrokomputerowe" i mikroukłady do mikrosterowników posiadające jedną z następujących cech:

Uwaga: Pozycja 3A001.a.3 obejmuje cyfrowe procesowy sygnałowe, cyfrowe procesory tablicowe i koprocesory cyfrowe.

a. Posiadają jednostkę arytmetyczno-logiczną z szyną dostępu o szerokości 32 bitów lub większej i "całkowitej teoretycznej mocy obliczeniowej" (CTP) 80 milionów operacji teoretycznych na sekundę (Mtops) lub więcej;

b. Są wykonane z półprzewodników złożonych i pracują z częstotliwością zegara powyżej 40 MHz; lub

c. Posiadają więcej niż jedną szynę danych albo rozkazów albo szeregowy port komunikacji zewnętrznej w procesorze równoległym o prędkości transmisji danych powyżej 2,5 Mbajtów/s;

4. Następujące wymazywanie elektryczne, programowalne pamięci stałe (EEPROM), statyczne pamięci o dostępie swobodnym (SRAM) i pamięci na układach scalonych wykonanych z półprzewodników złożonych:

a. Pamięci EEPROM o pojemności:

1. Przekraczającej 16 Mbitów na pakiet w przypadku pamięci błyskowych; lub

2. Przekraczającej jedną z następujących wartości granicznych dla wszystkich innych typów pamięci EEPROM:

a. 4 Mbity na pakiet; lub

b. 1 Mbit na pakiet i posiadające maksymalny czas dostępu poniżej 80 ns;

b. Statyczne pamięci o dostępie bezpośrednich (SRAM) o pojemności:

1. Powyżej 4 Mbitów na pakiet; lub

2. Powyżej 1 Mbit na pakiet i posiadające maksymalny czas dostępu poniżej 20 ns;

c. Pamięciowe układy scalone wytwarzane z półprzewodników złożonych;

5. Następujące przetworniki analogowo-cyfrowe i cyfrowo-analogowe na układach scalonych:

a. Przetworniki analogowo-cyfrowe posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

1. Rozdzielczość 8 bitów lub więcej, ale poniżej 12 bitów i całkowity czas przetwarzania z maksymalną rozdzielczością poniżej 10ns;

2. Rozdzielczość 12 bitów i całkowity czas przetwarzania z maksymalną rozdzielczości; poniżej 200 ns; lub

3. Rozdzielczość powyżej 12 bitów i całkowity czas przetwarzania z maksymalną rozdzielczością poniżej 2 mikrosekund;

b. Przetworniki cyfrowo-analogowe o rozdzielczości 12 bitów lub większej i "czasem ustalania" poniżej 10ns;

6. Układy scalone elektrooptyczne albo "optyczne układy scalone" do "przetwarzania sygnałów" posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Posiadające jedną albo więcej wewnętrznych diod "laserowych";

b. Posiadające jeden albo więcej wewnętrznych elementów reagujących na światło; i

c. Wyposażone w światłowody;

7. Sieci bramek programowalne przez użytkownika, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 30.000 (2 bramki wejściowe); lub

b. Typowe "podstawowe opóźnienie bramki związane z rozchodzeniem się sygnału" mniejsze niż 0,4 ns;

8. Tablice logiczne, programowalne przez użytkownika, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 30.000 (2 bramki wejściowe); lub

b. Częstotliwość przełączania powyżej 133 MHZ;

9. Układy scalone na sieciach neuronowych;

10. Robione na zamówienie układy scalone o nieznanej ich producentowi funkcji lub statusie kontroli urządzenia, w którym będzie zastosowany dany układ scalony, posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

a. Ponad 144 terminale;

b. Typowe "podstawowe opóźnienie bramki związane z rozchodzeniem się sygnału" mniejsze niż 0,4 ns; lub

c. Częstotliwość robocza powyżej 3 GHz,

11. Cyfrowe układy scalone, różne od wymienionych w pozycjach 3A001,a,3 do 10 lub 3A001.a.12, oparte na dowolnym układzie półprzewodników złożonych i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Zastępczą liczbę bramek powyżej 300 (2 bramki wejściowe); lub

b. Częstotliwość przełączania powyżej 1,.2 GHz;

12. Procesory do Szybkiej Transformacji Fouriera (FFT) posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

a. Nominalny czas realizacji dla 1024 punktowej urojonej transformaty FFT poniżej 1 ms;

b. Nominalny czas realizacji dla N-punktowej zespolonej transformaty FFT poniżej N log(2)N/10 240 ms, gdzie N jest liczbą punktów; lub

c. Przepustowość motylkowa powyżej 5,12 MHz.

b. Urządzenia mikrofalowe albo pracujące na falach milimetrowych:

1. Następujące elektronowe lampy próżniowe i katodowe:

UWAGA:

Pozycja 3A001.b.1 nie dotyczy lamp skonstruowanych lub przystosowanych do działania w zakresie Standardowego Cywilnego Pasma Telekomunikacyjnego przy częstotliwościach nie przekraczających 31 GHz.

a. Następujące lampy o fali bieżącej, impulsowe albo o działaniu ciągłym:

1. Pracujące z częstotliwościami powyżej 31 GHz;

2. Zaopatrzone w element podgrzewający katodę, z czasem dojścia do mocy znamionowej w zakresie fal radiowych wynoszącym poniżej 3 sekund;

3. Sprzężone lampy wnękowe, albo ich pochodne o "chwilowej szerokości pasma powyżej 7% lub mocy szczytowej powyżej 2,5 kW;

4. Lampy spiralne, albo ich pochodne, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. "Chwilową szerokość pasma" powyżej jednej otawy i iloczyn mocy przeciętnej (wyrażonej w kW) i częstotliwości (wyrażonej w GHz) powyżej 0,5;

b. "Chwilową szerokość pasma" poniżej jednej oktawy i iloczyn przeciętnej znamionowej mocy wyjściowej (wyrażonej w kW) i częstotliwości roboczej (wyrażonej w GHz) powyżej 1; lub

c. "Klasy kosmicznej";

b. Wzmacniacze lampowe o skrzyżowanych polach o wzmocnieniu powyżej 17 dB;

c. Impregnowane katody do lamp elektronicznych, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Czas włączenia i dojścia do emisji znamionowej poniżej 3 sekund; lub

2. Wytwarzające ciągły prąd emisyjny w znamionowych warunkach pracy o gęstości powyżej 5A/cm(2);

2. Mikrofalowe układy scalone albo moduły z "monolitycznymi" układami scalonymi", pracujące z częstotliwościami powyżej 3GHz;

UWAGA: Pozycja 3A001.b.2 nie obejmuje układów ani modułów przeznaczonych albo pracujących wyłącznie w Standardowym Cywilnym Paśmie Telekomunikacyjnym z częstotliwościami nie przewyższającymi 31 GHz.

3. Tranzystory mikrofalowe specjalnie przeznaczone do pracy przy częstotliwościach powyżej 31 GHz;

4. Następujące mikrofalowe wzmacniacze półprzewodnikowe:

a. Pracujące z częstotliwościami powyżej 10,5 GHz i posiadające "chwilową szerokość pasma" powyżej połowy oktawy;

b. Pracujące z częstotliwościami przewyższającymi 31 GHz;

5. Filtry środkowo-przepustowe i środkowo-zaporowe przestrajalne elektronicznie albo magnetycznie, posiadające ponad 5 przestrajalnych rezonatorów umożliwiających strojenie w zakresie pasma częstotliwości 1,5:1 (f(mask)/f(min)) w ciągu poniżej 10 mikrosekund o:

a. Szerokości pasma środkowo-przepustowego powyżej 0,5% częstotliwości nośnej;lub

b. Szerokości pasma środkowo-zaporowego poniżej 0,5% częstotliwości nośnej;

6. Zespoły mikrofalowe zdolne do pracy przy częstotliwościach powyżej 31 GHz;

7. MIksery i przetworniki przeznaczone do rozszerzania przedziału częstotliwości urządzeń ujętych w pozycjach 3A002.c., 3A002.e lub 3A002.f powyżej podanych tam wartości granicznych;

c. Następujące urządzenia wykorzystujące fale akustyczne i specjalnie do nich przeznaczone części:

1. Urządzenia wykorzystujące akustyczne fale powierzchniowe oraz akustyczne fale szumów powierzchniowych (płytkie) (tj. urządzenia do "przetwarzania sygnałów" wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych;

a. Częstotliwość nośną powyżej 2,5 GHz;

b. Częstotliwość nośną równą 2,5 GHz lub mniejszą; i:

1. Tłumienie pasma bocznego częstotliwości powyżej 55 dB;

2. Iloczyn maksymalnego czasu zwłoki w szerokości pasma (czas w mikrosekundach i szerokość pasma w MHz) powyżej 100; lub

3. Opóźnienie dyspersyjne powyżej 10 mikrosekund; lub

c. Częstotliwość nośną powyżej 1 GHz i szerokość pasma 250 MHz lub większą;

2. Urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne (tj. urządzenia do "przetwarzania sygnałów" wykorzystujące fale odkształceń sprężystych w materiałach), umożliwiające bezpośrednie przetwarzanie sygnałów z częstotliwościami powyżej 1GHz;

3. Urządzenia do "przetwarzania sygnałów" optyczno-akustycznych wykorzystujące oddziaływania pomiędzy falami akustycznymi (przestrzennymi albo powierzchniowymi) a falami świetlnymi albo obrazów, włącznie z analizą widmową, korelacją lub splataniem;

d. Urządzenia lub układy elektroniczne, w których skład wchodzą elementy wykonane z materiałów "nadprzewodzących", specjalnie przeznaczone do pracy w temperaturach poniżej "temperatur krytycznych" co najmniej jednego z elementów "nadprzewodzących", posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

1. Wzmocnienie elektromagnetyczne:

a. Przy częstotliwościach równych lub mniejszych od 31 GHz ze współczynnikiem szumów poniżej 0,5 dB; lub

b. Przy częstotliwościach powyżej 31 GGz;

2. Przełączanie prądowe dla obwodów cyfrowych za pomocą bramek "nadprzewodzących, dla którego iloczyn czasu zwłoki na bramkę (w sekundach) i rozproszenia mocy na bramkę (w watach wynosi poniżej 10(-14)J; lub

3. Selekcja częstotliwości dla wszystkich częstotliwości za pomocą obwodów rezonansowych o wartościach Q powyżej 10.000;

3. Następujące urządzenia wysokoenergetyczne:

1. Następujące akumulatory:

UWAGA: Pozycja 3A001.e.1 nie obejmuje akumulatorów o objętościach równych lub mniejszych niż 27 cm(3) (np. standardowe akumulatory węglowe lub baterie R14).

a. Ogniwa i akumulatory galwaniczne o gęstości energii powyżej 480 Wh/kg i przystosowane do pracy w zakresie temperatur od poniżej 243 K (-30(0)C) do powyżej 343 K (+70(0)C);

b. Ogniwa i akumulatory doładowywane, o gęstości energii powyżej 150 Wh/kg po 75 cyklach ładowania/rozładowania przy prądzie rozładowania równym C/5 godzin (C jest pojemnością nominalną w amperogodzinach) w przypadku eksploatacji w zakresie temperatur od poniżej 235 K (-20(0)C) do powyżej 333 K (+60(0)C);

Uwaga techniczna:

Gęstość energii oblicza się mnożąc średnią moc w watach (średnie napięcie w woltach razy średni prąd w amperach) przez czas rozładowania w godzinach do poziomu napięcia stanowiącego 75% napięcia jałowego i dzieląc przez całkowitą masę ogniwa (albo akumulatora) w kg.

c. Pyły z ogniwami fotoelektrycznymi "klasy kosmicznej" lub odporne na promieniowanie jonizujące, o mocy jednostkowej powyżej 160 W/m(2) w temperaturze roboczej 301 K (+28(0)C) po oświetleniu światłem o natężeniu 1 kW/m(2) emitowanym przez włókno wolframowe o temperaturze 2 800 K (2 527(0)C);

2. Następujące wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 3A201.a.

a. Kondensatory o częstotliwości powtarzania poniżej 10 Hz (kondensatory jednokrotne) posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5 kV;

2. Gęstość energii równą lub wyższą niż 250 J/kg; oraz

3. Energię całkowitą równą lub wyższą niż 25 kJ;

b. Kondensatory o częstotliwości powtarzania 10 Hz lub wyższej (kondensatory powtarzalne) posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Napięcie znamionowe równe lub wyższe niż 5kV;

2. Gęstość energii równą lub wyższą niż 50 J/kg;

3. Energię całkowitą lub wyższą niż 100 kJ; oraz

4. Żywotność mierzoną liczbą cykli ładowanie/rozładowanie wynoszącą 10.000;

3. "Nadprzewodzące" elektromagnesy albo cewki, specjalnie opracowane w sposób umożliwiający ich pełne ładowanie i rozładowanie w czasie poniżej jednej sekundy, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 3A201.b.

a. Energia dostarczona podczas wyładowania większa od 10 kJ w pierwszej sekundzie;

b. Średnica wewnętrzna uzwojenia prądowego cewki wynosi powyżej 250 mm; oraz

c. Dostosowane do indukcji magnetycznej powyżej 8 T lub posiadające "całkowitą gęstość prądu" uzwojenia powyżej 300 A/mm(2);

UWAGA: Pozycja 3A001.e.3 nie obejmuje ani elektromagnesów ani cewek "nadprzewodzących" specjalnie, w której do tworzenia obrazów wykorzystywany jest rezonans magnetyczny (MRI).

4. Systemy albo układy do elektromagnetycznego magazynowania energii, w których skład wchodzą elementy wykonane z materiałów "nadprzewodzących" specjalnie przeznaczone do pracy w temperaturach poniżej "temperatury krytycznej" co najmniej jednego z elementów "nadprzewodzących", posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Robocze częstotliwości rezonansowe powyżej 1 MHz;

b. Gęstość zmagazynowanej energii 1 MJ/m(3) lub wyższą; oraz

c. Czas rozładowania poniżej 1 ms;

5. Urządzenia rentgenowskie typu impulsowego, włącznie z lampami, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 3A201.C.

a. Moc szczytowa powyżej 500 MW;

b. Napięcie wyjściowe powyżej 500 kV; i

c. Długość impulsu poniżej 02, mikrosekundy;

f. Urządzenia rejestrujące bezwzględne położenie wału posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Rozdzielczość lepszą niż 1 część na 265.000 (rozdzielczość 18 bitów) pełnego zakresu; lub

2. Dokładność powyżej +- 2,5 sekundy łuku;

3A002 Sprzęt elektroniczny ogólnego przeznaczenia.

a. Następujące urządzenia rejestrujące i specjalnie do nich przeznaczone taśmy testowe:

1. Analogowe urządzenia rejestrujące na taśmie magnetycznej włącznie z urządzeniami umożliwiającymi zapis sygnałów cyfrowych (np. za pomocą modułu do cyfrowego zapisu magnetycznego z dużą gęstością (HDDR)), posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Szerokość pasma powyżej 4 MHz na kanał lub ścieżkę elektroniczną;

b. Szerokość pasma powyżej 2 MHz na kanał lub ścieżkę elektroniczną oraz posiadające więcej niż 42 ścieżki; lub

c. Uchyb czasowy, mierzony według dostępnej dokumentacji Inter Range Instrumentation Group (IRIG) lub Electronic Industries Association (EIA), mniejszy od +- 0,1 mikrosekundy;

2. Cyfrowe rejestratory obrazów na taśmie magnetycznej posiadające złącza komunikacyjne o maksymalnej szybkości przesyłania sygnałów cyfrowych powyżej 180 Mbitów/s;

z wyjątkiem:

urządzeń specjalnie przeznaczonych do rejestracji telewizyjnej zgodnie z formatem sygnału znormalizowanym i zalecanym przez Radio Consultative Commitee (CCIR) lub International Technical Commission (IEC) do stosowania w telewizji cywilnej;

3. Urządzenia do cyfrowego zapisu na taśmie magnetycznej techniką skanowania spiralnego lub za pomocą głowicy stałej, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Posiadające złącza komunikacyjne o maksymalnej szybkości przesyłania sygnałów cyfrowych powyżej 170 Mbitów/s; lub

b. "Klasy kosmicznej";

UWAGA: Pozycja 3A002.a.3 nie obejmuje rejestratorów analogowych na taśmie magnetycznej, wyposażonych w przetworniki elektroniczne HDDR, skonstruowanych w taki sposób, że umożliwiają rejestrację wyłącznie danych cyfrowych.;

4. Urządzenia posiadające złącza komunikacyjne o szybkości przesyłania sygnałów cyfrowych powyżej 175 Mbitów/s, umożliwiające przekształcanie cyfrowych rejestratorów obrazów na taśmie magnetycznej w cyfrowe rejestratory danych;

5. Analogowo-cyfrowe przetworniki przebiegów falowych i rejestratory stanów przejściowych posiadające obie poniższe cechy charakterystyczne:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 3A202

a. Szybkość przetwarzania cyfrowego równą lub większą niż 200 milionów próbek na sekundę i rozdzielczość 10 bitów lub większą; oraz

b. Wydajnością ciągłą 2 Gbity/s lub większą;

Uwaga techniczna:

W przypadku urządzeń o równoległej architekturze szyn, wydajność ciągłą określa się jako iloczyn największej prędkości przesyłu słów i liczby bitów w słowie. W pozycji 3A002.a.5 pojęcie "wydajność ciągła" oznacza największą prędkość przesyłu danych przez urządzenia do pamięci masowej bez straty informacji z utrzymaniem prędkości próbkowania i przetwarzania analogowo-cyfrowego;

b. "Elektroniczne zespoły" "syntezatorów częstotliwości" z "czasem przełączania częstotliwości" z jednej wybranej wartości na drugą wynoszącym poniżej 1 ms;

c. Następujące "analizy sygnałów":

1. Zdolne do analizowania częstotliwości powyżej 31 GHz;

2. "Analizatory sygnałów dynamicznych" z "pasmem bieżącym o szerokości" powyżej 25.6 kHz;

z wyjątkiem

Urządzeń w których zastosowano tylko filtry o stałoprocentowej szerokości pasma (znane również jako filtry oktawowe albo ułamkowo-oktanowe);

d. Generatory sygnałowe z syntezą częstotliwości, wytwarzające częstotliwości wyjściowe. i których dokładność oraz stabilność krótkoterminowa i długoterminowa są sterowane, wynikają albo są wymuszone przez wewnętrzną częstotliwość podstawową, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych;

1. Maksymalna częstotliwość zsyntetyzowana powyżej 31 GHz;

2. "Czas przełączania częstotliwości" z jednej wybranej wartości na drugą poniżej 1 ms; lub

3. Zakłócenia fazowe wstęgi jednostronnej (SSB) lepsze niż - (126 + 201og(10)F - 201og(10)f) w dB(c)/Hz, gdzie F oznacza uchyb od częstotliwości roboczej w Hz, a f jest częstotliwością roboczą w MHz;

UWAGA: Pozycja 3A002.d nie obejmuje urządzeń w których częstotliwość wyjściowa jest wytwarzana poprzez dodawanie albo odejmowanie dwóch lub więcej częstotliwości oscylatorów krystalicznych, bądź poprzez dodawanie lub odejmowanie, a następnie mnożenie uzyskanego wyniku.

e. Analizatory sieci o maksymalnej częstotliwości roboczej powyżej 31 GHz;

UWAGA: pozycja 3A002.e nie obejmuje "analizatorów sieci z przeszukiwaniem częstotliwości" o maksymalnej częstotliwości roboczej nie przekraczającej 40 GHz, które nie zawierają szyny danych do łącza komunikacyjnego do zdalnego sterowania.

f. Kontrolne odbiorniki mikrofalowe posiadające obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Maksymalną częstotliwość roboczą powyżej 31 GHz; i

2. Umożliwiające jednoczesny pomiar amplitudy i fazy;

g. Atomowe wzorce częstotliwości posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Stabilność długookresową (starzenie) mniejsza (lepsza) niż 1 x 10(11)/miesiąc; lub

2. "Klasa kosmiczna";

h. Emulatory do układów ujętych w pozycji 3A001.a.3 lub 3A001.a.0;

UWAGA:

Pozycja 3A002.h nie obejmuje emulatorów przeznaczonych dla "rodziny", w której skład wchodzi co najmniej jedno urządzenie nie ujęte w pozycji 3A001.a.3 lub 3A001.a.9.

3A101 Następujące urządzenia, przyrządy i elementy elektroniczne, różne od ujętych w pozycji 3A001:

a. Przetworniki analogowo-cyfrowe, znajdujące zastosowanie w "pociskach", spełniające wojskowe warunki techniczne dla urządzeń wytrzymałych na wstrząsy.

b. Akceleratory zdolne do generowania promieniowania elektromagnetycznego wytwarzanego w wyniku hamowania elektronów o energii 2Mev lub większej, oraz instalacje, w których skład wchodzą takie akceleratory.

UWAGA: Pozycja 3A101.b powyżej nie obejmuje urządzeń skonstruowanych z przeznaczeniem do zastosowań medycznych.

3A201 Następujące podzespoły elektroniczne, różne od wymienionych w pozycji 3A001:

a. Kondensatory o następujących parametrach:

1. Napięcie znamionowe powyżej 1,4 kV, zmagazynowana energia powyżej 10J, reaktancja pojemnościowa powyżej 0,5 F i indukcyjność szeregowa poniżej 50 mH; lub

2. Napięcie znamionowe powyżej 750 V, reaktancja pojemnościowa powyżej 0,25 F i indukcyjność szeregowa poniżej 10 nH;

b. Nadprzewodnościowe elektromagnesy solenoidalne posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Zdolne do wytwarzania pól magnetycznych o natężeniu powyżej 2 tesli (20 kilogausów);

2. O stosunku L/D (długość podzielona przez średnicę wewnętrzną) powyżej 2;

3. O średnicy wewnętrznej powyżej 300 mm; oraz

4. Wytwarzające pole magnetyczne o równomierności rozkładu lepszej niż 1% w zakresie środkowych 50% objętości wewnętrznej.

UWAGA: Pozycja 3A301.b nie dotyczy magnesów specjalnie skonstruowanych i eksportowanych jako części medycznych instalacji do tworzenia obrazów metodą jądrowego rezonansu magnetycznego (NMR). Sformułowanie "jako części" niekoniecznie oznacza fizyczną część wchodzącą w skład tej samej partii wysyłanego wyrobu; dopuszcza się możliwość oddzielnych wysyłek z różnych źródeł pod warunkiem, że w towarzyszącej im dokumentacji eksportowej wyraźnie określa się, że wysyłane wyroby są dostarczane "jako część" instalacji do wytwarzania obrazów.

c. Następujące urządzenia rentgenowskie typu impulsowego lub impulsowe akceleratory elektronów o energii szczytowej 500 kV lub większej:

z wyjątkiem

Akceleratorów stanowiących zespoły składowe urządzeń skonstruowanych z przeznaczeniem do innych celów niż wytwarzanie wiązek elektronów lub promieniowania rentgenowskiego (na przykład mikroskopy elektronowe) oraz urządzeń do zastosowań medycznych:

1. Posiadających szczytową energię akceleratora elektronów 500 kV lub większą, ale poniżej 25 MeV i współczynniku dobroci (K) 0,25 lub większym, gdzie K definiuje się następująco:

K = 1,7 x 10(3źV(2,65)Q,

gdzie V jest szczytową energią elektronów w milionach elektronowoltów, a Q jest całkowitym przyspieszanym ładunkiem w kulombach,jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora wynosi poniżej 1 mikrosekundy lub jest jej równy; jeżeli czas trwania impulsu wiązki akceleratora jest dłuższy niż 1 mikrosekunda, Q jest maksymalnym przyspieszanym ładunkiem wyrażonym jak 1 mikrosekunda Q równa się całe z i po t, w przedziale o długości równym mniejszej z dwóch wartości - 1 mikrosekundy lub czasu trwania impulsu wiązki (Q = [całka idt), gdzie i jest natężeniem wiązki w amperach, a t jest czasem w sekundach]; lub

2. Posiadających szczytową energię akceleratora elektronów 25 MeV lub większą i szczytową moc powyżej 50 MW. [Moc szczytowa = napięcie szczytowe w woltach x (szczytowy prąd wiązki w amperach)]

Uwagi techniczne:

a. Czas trwania impulsu wiązki - W akceleratorach działających na zasadzie rezonatora mikrofalowego, czas trwania impulsu wiązki jest mniejszą z dwóch wartości - 1 mikrosekunda lub czas trwania pakietu wiązek wynikający z jednego impulsu modulatora mikrofalowego.

b. Szczytowa wartość prądu wiązki - W akceleratorach działających na zasadzie rezonatora mikrofalowego szczytowa wartość prądu wiązki jest wartością średnią; prądu podczas trwania pakietu wiązek.

3A202 Następujące oscyloskopy i rejestratory stanów przejściowych różne od ujętych w pozycji eA002.a.5 oraz specjalnie do nich skonstruowane podzespoły:

a Niemodułowe oscyloskopy analogowe o szerokości pasma 1GHz lub większej;

b. Systemy modułowych oscyloskopów analogowych posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

1. Szerokość pasma systemu 1 GHz lub większa; lub

2. Odłączane moduły o własnych szerokościach pasm 4 GHz lub większych;

c. Analogowe oscylatory próbkujące do analizy zjawisk okresowych posiadające efektywną szerokość pasma powyżej 4 GHz;

d. Oscyloskopy cyfrowe i rejestratory stanów przejściowych, w których zastosowano techniki przetwarzania analogowo-cyfrowego, zdolne do zapamiętywania stanów przejściowych na zasadzie próbkowania impulsowego w kolejnych interwałach o szerokości poniżej 1 ns (powyżej 1 miliarda próbek na sekundę), przetwarzania cyfrowego z rozdzielczością 8 bitów lub większą i zapamiętywania 256 lub więcej próbek.

UWAGA: Do wspomnianych w tej pozycji zespołów w specjalnej konstrukcji do oscyloskopów analogowych należą:

1. Zespoły do podłączania modułów;

2. Wzmacniacze zewnętrzne;

3. Przedwzmacniacze;

4. Urządzenia elektropromieniowe.

Uwaga techniczna:

"Szerokość pasma" definiuje się jako przedział częstotliwości, w którym odchylenie lampy elektropromieniowej nie spada poniżej 70,7% odchylenia a maksymalnym punkcie mierzonym dla stałego napięcia wejściowego na wzmacniacz oscyloskopu.

3A225 Przemienniki częstotliwości (nazywane również przetwornicami lub przekształtnikami) lub generatory, różne od ujętych w pozycji 0B001.c.11, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Wyjście wielofazowe umożliwiające uzyskanie mocy 40 W lub większej;

b. Zdolność do pracy w zakresie częstotliwości od 500 do 2000 Hz;

c. Całkowite zniekształcenie harmoniczne poniżej 10%; oraz

d. Dokładność regulacji częstotliwości lepszą niż 0,1%.

3A226 Wysokoenergetyczne zasilacze prądu stałego zdolne do ciągłego wytwarzania, w okresie czasu wynoszącym 8 godzin, napięcia 100 V lub większego z wyjściem o natężeniu 500 A lub większym oraz z możliwością regulacji natężenia lub napięcia z dokładnością lepszą niż 0,1 %.

3A227 Wysokonapięciowe zasilacze prądu stałego zdolne do ciągłego wytwarzania w okresie czasu wynoszącym 8 godzin, napięcia 20.000 V lub większego z wyjściem o natężeniu 1 A lub większym oraz z możliwością regulacji natężenia lub napięcia z dokładnością lepszą niż 0,1%.

3A228 Następujące urządzenia przełączające:

a. Lampy elektronowe o zimnej katodzie (w tym gazowe lampy kriotronowe i próżniowe lampy sprytronowe), bez względu na to, czy są napełnione gazem czy też puste, pracujące podobnie do iskiernika, posiadające trzy lub więcej elektrod i mające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Szczytową wartość napięcia anody 2500 V lub więcej;

2. Szczytową wartość natężenia anody 100 A lub więcej; oraz

3. Czas zwłoki dla anody 10 mikrosekund lub mniej;

b. Iskierniki wyzwalające posiadające czas zwłoki dla anody 15 mikrosekund lub krótszy i dostosowane do prądów o natężeniach szczytowych 500 A lub większych;

c. Moduły lub zespoły do szybkiego przełączania posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

1. Szczytową wartość napięcia anody powyżej 2000 V;

2. Szczytową wartość natężenia anody 500 A lub więcej; oraz

3. Czas włączania 1 mikrosekunda lub krótszy;

3A229 Następujące instalacje zapłonowe i równoważne generatory impulsów wysokoprądowych (do detonatorów objętych kontrolą).

a. Instalacje zapłonowe do detonatorów wielokrotnych typu objętego kontrolą według pozycji 3A232:

b. Modułowe generatory impulsów elektrycznych (impulsatory) do urządzeń przenośnych, przewoźnych lub innych narażonych na wstrząsy (włącznie ze wzbudnicami ksenonowych lamp błyskowych) posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Znamionowa energia wyładowania w czasie poniżej 15 mikrosekund;

2. Prąd wyładowania powyżej 100 A; i

3. Czas narastania przy obciążeniu poniżej 40 omów poniżej 10 mikrosekund (czas narastania definiuje się jako przedział czasowy w zakresie od 10 do 90% amplitudy natężenia prądu w przypadku zasilania obciążenia opornościowego);

4. Umieszczone w obudowie pyłoszczelnej;

5. Żaden z wymiarów nie przekracza 254 mm;

6. Waga poniżej 25 kg; oraz

7. Przeznaczone do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur (223 K -50(0)C) do 373 K 100(0)C) lub nadające się do stosowania w przestrzeni kosmicznej.

3A230 Generatory wysokoimpulsowe o napięciu wyjściowym powyżej 6 woltów przy obciążeniu opornościowym poniżej 55 omów, posiadające czasy narastania impulsów poniżej 500 pikosekund.

Uwaga techniczna:

W tym przypadku "czas przesyłania impulsów" definiuje się jako przedział czasowy pomiędzy 10% a 90% amplitudy napięcia.

3A231 Generatory neutronów, w tym lampy, przeznaczone do pracy bez zewnętrznych instalacji próżniowych, w których zastosowano przyspieszanie elektrostatyczne do wzbudzania reakcji jądrowej tryfu z deuterem.

3A232 Następujące detonatory i wielopunktowe instalacje inicjujące:

a. Następujące zapłonniki elektryczne:

1. Eksplodujące zapłonniki drutowe (EB);

2. Eksplodujące zapłonniki mostkowe (EBW)

3. Zapłonniki udarowe;

4. Zapłonniki foliowe (EFI);

b. Instalacje z detonatorami pojedynczymi lub wielokrotnymi przeznaczone do prawie równoczesnego inicjowania wybuchów na pewnym obszarze (większym od 5000 mm(2)) za pomocą pojedynczego sygnału zapłonowego (o opóźnieniu synchronizacji sygnału zapłonowego na całej powierzchni poniżej 2,5 mikrosekundy).

UWAGA: Pozycja ta nie obejmuje zapłonników, w których stosuje się wyłącznie inicjujące materiały wybuchowe, np. azydek ołowiawy.

Uwaga techniczna:

W detonatorach objętych kontrolą stosowane są małe przetworniki elektryczne (mostki, połączenia mostkowe lub folie) gwałtownie odparowujące po przepuszczeniu przez nie szybkich, wysoko prądowych impulsów elektrycznych. W przypadku zapłonników nieudarowych, wybuchający przewodnik inicjuje eksplozję chemiczną po zetknięciu się z materiałem burzącym, takim jak PETN (czteroazotan penaerytrytu). W zapłonnikach udarowych wybuchowe odparowanie przewodnika elektrycznego zwalnia przeskok pilota przez szczelinę, a uderzenie pilota w materiał wybuchowy inicjuje eksplozję chemiczną. W niektórych przypadkach pilot jest napędzany siłami magnetycznymi. Termin detonator w postaci folii eksplodującej może odnosić się zarówno do detonatorów typu EB, jak i udarowych. Także czasami zamiast słowa inicjator używa się słowa detonator.

3A233 Następujące spektometry masowe, różne od wymienionych w pozycji 0B002.g, zdolne do pomiaru mas jonów o wartości 230 mas atomowych lub większej i posiadające rozdzielczość lepszą niż 2 często na 230 oraz źródła jonów do tych urządzeń:

a. Plazmowe spektometry masowe ze sprzężeniem indukcyjnym (ICP/MS);

b. Jarzeniowe spektometry masowe (GDMS);

c. Termojonizacyjne spektometry masowe (TIMS);

d. Spektometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami, posiadające komorę ze źródłem elektronów wykonaną z materiałów odpornych na UF(6), wykładaną lub powlekaną takimi materiałami;

e. Następujące spektometry masowe z wiązką molekularną:

1. posiadające komorę ze źródłem molekuł wykonaną ze stali nierdzewnej lub molibdenu albo wykładaną lub powlekaną takimi materiałami o wyposażone w wymrażarkę umożliwiającą chłodzenie do 193 k (-80(0)C) lub poniżej; albo

2. posiadające komorę ze źródłem molekuł wykonaną z materiałów w odpornych na UF(6), wykładaną lub powlekaną takimi materiałami; lub

f. Spektometry masowe ze źródłem jonów do mikrofluoryzacji skonstruowane z przeznaczeniem do pracy w obecności aktynowców lub fluorków aktynowców.

3B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

3B Następujące urządzenia do produkcji lub testowania urządzeń lub materiałów półprzewodnikowych oraz specjalnie do nich przeznaczone zespoły i akcesoria:

3B001 Następujące urządzenia "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" do osadzania warstwy epitaksjalnej:

a. Umożliwiające wytwarzanie warstw o równomiernej grubości z dokładnością poniżej +- 2,5% na odcinku o długości 75 mm lub większej;

b. Reaktory o do osadzania z par lotnych związków metaloorganicznych (MOCVD) specjalnie przeznaczone do wytwarzania kryształów półprzewodników ze związków dzięki reakcji chemicznej pomiędzy materiałami ujętymi w pozycjach 3C003 lub 3C004;

c. Urządzenia do wytwarzania warstw epitaksjalnych z surowca gazowego za pomocą wiązki molekularnej;

3B002 Urządzenia "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" przeznaczone do implantacji jonów, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Napięcie przeznaczone i zoptymalizowane do działania przy napięciach przyspieszających poniżej 10 keV;

c. Z możliwością bezpośredniego zapisu; lub

d. Zdolne do wysokoenergetycznej implantacji tlenu w podgrzany półprzewodnikowy materiał "podłoża".

3B003 Następujące urządzenia "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" do suchego trawienia za pomocą plazmy anizotropowej:

a. Typu kaseta-kaseta albo load-lock i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Zamknięcie polem magnetycznych; lub

2. Z zastosowaniem elektronowego rezonansu cyklotropowego (ECR);

b. Specjalnie przeznaczone do urządzeń objętych kontrolą, ujętych w pozycji 3B0005, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Zamknięcie polem magnetycznych; lub

2. Z zastosowaniem elektronowego rezonansu cyklotropowego (ECR);

3B004 Następujące urządzenia "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" do intensyfikowanego za pomocą plazmy osadzania z par lotnych (CVD):

a. Typu kaseta-kaseta albo load-lock i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Zamknięcie polem magnetycznym; lub

2. Z zastosowaniem elektronicznego rezonansu cyklotronowego (ECR);

b. Specjalnie przeznaczone do urządzeń objętych kontrolą według pozycji 3B006 i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Zamknięcie polem magnetycznych; lub

2. Z zastosowaniem elektronowego rezonansu cyklotropowego (ECR);

3B005 Urządzenia "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" do centralnego sterowania automatycznymi zespołami do obsługi wielokomorowych urządzeń do wytwarzania płytek elektronicznych, zaopatrzone w interfejsy wejściowe na płytki i wyjściowe z nich, umożliwiające podłączenie powyżej dwóch zespołów półprzewodnikowych urządzeń produkcyjnych, tworzących zintegrowany system działający w warunkach próżni, przeznaczony do sekwencyjnego wytwarzania płytek metodą powielania;

UWAGA:

Pozycja ta nie obejmuje automatycznych, zrobotyzowanych urządzeń do wytwarzania płytek elektronicznych, nie mających możliwości działania w warunkach próżni.

3B06 Następujące urządzenia litograficzne "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci":

a. Urządzenia powielające do wytwarzania płytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie naświetlanie metodą fotooptyczną albo za pomocą promieni rentgenowskich, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Źródło światła o długości fali poniżej 400 nm;

2. Zdolne do wytwarzania wzorów o minimalnej rozdzielczości wymiarowej 0,7 mikrometra lub mniejszej obliczanej z następującego wzoru:

(długość w mikrometrach) x (współczynnik K)

MRF =

apretura liczbowa

gdzie:

"MRF" oznacza minimalną rozdzielczość wymiarową:

"współczynnik fali" jest długością fali źródła promieniowania stosowanego do naświetlania;

b. Urządzenia "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" specjalnie przeznaczone do wytwarzania masek lub przyrządów półprzewodnikowych za pomocą odchylanej, zogniskowanej wiązki elektronów, jonów lub "laserowej", posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Aparatura plamki poniżej 0,2 mikrometra;

2. Zdolność wytwarzania obrazów o wielkości charakterystycznej poniżej 1 mikrometra; lub

3. Dokładność nakładania lepsza niż +- 0,20 mikrometra (3 sigma).

3B007 Następujące maski lub siatki optyczne:

a. Do układów scalonych objętych kontrolą według pozycji 3A001;

b. Maski wielowarstwowe z warstwą z przesunięciem fazowym.

3B008 Następujące urządzenia testujące "ze sterowaniem" zaprogramowanym w pamięci", specjalnie przeznaczone do testowania elementów półprzewodnikowych i struktur elektronicznych bez obudowy:

a. Do testowania parametrów urządzeń tranzystorowych przy częstotliwościach powyżej 31 GHz;

b. Do testowania układów scalonych i ich "zespołów" zdolne do testowania funkcjonalnego (tabela logiczna) z szybkością analizy układu powyżej 40 MHz;

UWAGA: Pozycja 3B008.B nie obejmuje kontrolą urządzeń testujących specjalnie przeznaczonych do:

1. "Zespołów elektronicznych" albo klasy "zespołów elektronicznych" do zastosowań domowych albo rozrywkowych;

2. Nie objętych kontrolą elementów elektronicznych, "zespołów elektronicznych" lub układów scalonych.

c. Do testowania mikrofalowych układów scalonych przy częstotliwościach powyżej 3 GHz.

UWAGA: Pozycja 3B008.c nie obejmuje kontrolą urządzeń testujących specjalnie przeznaczonych do testowania mikrofalowych układów scalonych działających wyłącznie w Standardowych Pasmach Częstotliwości Telekomunikacyjnych przy częstotliwościach poniżej 31 GHz.

d. Systemy z wiązką elektronów przeznaczone do działania przy albo poniżej 3 keV, albo systemy z wiązką "laserową" do bezstykowego testowania przyrządów półprzewodnikowych po włączeniu zasilania, posiadające obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Możliwość analizy stroboskopowej techniką wygaszania wiązki albo strobowania detektorowego; i

2. Spektrometr elektronowy do pomiaru napięcia z rozdzielczością poniżej 0,5 V.

UWAGA: Pozycja 3B00.d. nie obejmuje kontrolą skaningowych mikroskopów elektronowych;

z wyjątkiem:

Specjalnie opracowanych i wyposażonych do bezstykowego testowania przyrządów półprzewodnikowych po włączeniu zasilania.

3C Materiały

3C001 Materiały heteropitaksjalne składające się z "podłoża" i wielu nałożonych epitaksjanie warstw":

a. Krzemu;

b. Germanu; lub

c. Związków III/V galu lub indu;

Uwaga techniczna:

Związki III/V są substancjami polikrystalicznymi albo binarnymi lub złożonymi substancjami monokrystalicznymi składającymi się z pierwiastków grupy IIIA i VA według układu okresowego Mendelejewa (arsenek galu, arsenek galu i glinu, fosforek indu, itp.).

3C002 Następujące materiały fotorezystywne i "podłoża" powlekane materiałami ochronnymi objętymi kontrolą:

a. Materiały fotorezystywne pozytywowe do litografii półprzewodnikowej o wrażliwości widmowej specjalnie wyregulowanej (zoptymalizowanej) pod kątem stosowania w zakresie poniżej 370 nM;

b. Wszystkie materiały fotorezystywne, przeznaczone do użytku w przypadku stosowania wiązki elektronowej albo jonowej, o czułości 0,02 mikrokulomba/mm(2) lub lepszej;

c. Wszystkie materiały fotorezystywne, przeznaczone do użytku w przypadku stosowania promieni rentgenowskich, posiadające czułość 2,5 mJ/mm(2) lub lepszą;

d. Wszystkie materiały fotorezystywne zoptymalizowane z przeznaczeniem do technologii tworzenia obrazów powierzchniowych, włącznie z fotorezystami siliatowanymi.

Uwaga techniczna:

Techniki silatowania definiuje się jako procesy utleniania powierzchni materiałów fotorezystywnych w celu poprawy ich parametrów zarówno podczas wywoływania na sucho jak i na mokro.

3C003 Następujące związki organiczno-nieorganiczne:

a. Materiały metaloorganiczne z glinu, galu lub indu o czystości (na bazie metalu) powyżej 99,999%;

b. Związki arsenoorganiczne, antymonoorganiczne i fosforoorganiczne o czystości (na bazie związku nieorganicznego) lepszej niż 99,999%.

UWAGA: Pozycja 3C003 dotyczy wyłącznie związków, w których składnik metalowy, częściowo metalowy lub składnik niemetalowy jest bezpośrednio związany z węglem w organicznym składniku molekuły

3C004 Wodorku fosforu, arsenu lub antymonu o czystości powyżej 99,999%, nawet rozpuszczone w gazach obojętnych.

UWAGA: Pozycja 3C004 nie obejmuje kontrolą wodorków zawierających molowo 20%, lub więcej, gazów obojętnych rzadkich lub wodoru.

3D Oprogramowanie

3D001 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń objętych kontrolą według pozycji 3A001.b do 3A002.h, lub 3B;

3D002 "Oprogramowanie" specjalne przeznaczone do "użytkowania" urządzeń "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" wyspecjalizowanych w pozycji 3B;

3D003 "Oprogramowanie" do wspomaganego komputerowo projektowania (CAD) przyrządów półprzewodnikowych lub układów scalonych, posiadające jedną z następujących cech:

a. Reguły projektowania lub reguły weryfikacji obwodów;

b. Symulację układów na poziomie projektu struktury fizycznej; lub

c. Symulatory procesów litograficznych na potrzeby projektowania.

Uwaga techniczna:

Symulator procesów litograficznych jest to pakiet "oprogramowania" określający w fazie projektowania kolejność procesów litografii, trawienia i osadzania w celu przekształcenia geometrycznych kształtów na maskach w konkretną topografię obszarów przewodzących, dielektrycznych lub półprzewodnikowych.

UWAGA: Pozycja 3D003 nie obejmuje kontrolą "oprogramowania" przeznaczonego specjalnie do wprowadzania schematów układów, symulacji logicznej, projektowania rozmieszczenia i połączeń, weryfikacji topografii oraz taśm sterujących generatorami masek.

UWAGA: Biblioteki, związane z nimi atrybuty i inne dane służące do projektowania przyrządów półprzewodnikowych lub układów scalonych są zaliczane do "technologii".

3D101 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "użytkowania" urządzeń wyspecjalizowanych w pozycji 3A101 b.

3E Technologie

3E001 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń lub materiałów objętych ograniczeniem wywozu według pozycji 3A, 3B lub 3C;

UWAGA: Pozycja 3E001 nie obejmuje kontrolą "technologii" do "rozwoju" lub "produkcji" następujących wyrobów:

a. Tranzystorów mikrofalowych działających w zakresie częstotliwości poniżej 31 GHz;

b. Układów scalonych ujętych w pozycjach 3A001.a.3 do 12, posiadających obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Zastosowano w nich technologię na poziomie jednego mikrometra lub więcej, i

2. Nie mają budowy wielowarstwowej.

UWAGA: Niniejsza Uwaga nie wyklucza eksportu technologii wielowarstwowej z przeznaczeniem do wytwarzania przyrządów posiadających maksymalnie dwie warstwy metaliczne i dwie warstwy polikrzemowe.

3E002 Inne technologie do "rozwoju" lub "produkcji" następujących wyrobów:

a. Próżniowych przyrządów mikroelektronicznych;

b. Heterostrukturalnych elementów półprzewodnikowych takich jak tranzystory o wysokiej ruchliwości elektronów (HEMT), tranzystory heterobipolarne (HTB), elementy z jamą kwantową lub elementy nadstrukturalne;

c. "Nadprzewodnikowych" przyrządów elektronicznych;

d. Podłoży folii diamentowych do podzespołów elektronicznych.

3E101 "Technologia" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "użytkowania" urządzeń lub "oprogramowania" wyspecjalizowanego w pozycjach 3A001.a.1 lub 2, 3A101 albo 3D101.

3A102 "Technologia" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" oprogramowania wyspecjalizowanego w pozycji 3A101;

3E291 "Technologia" według Uwagi Ogólnej Technologii do "użytkowania" urządzeń wyspecjalizowanych w pozycjach 3A001.e.2, 3A001.e.3, 3A001.e.5, 3A201, 3A202, 3A225 do 3A233.˙

KATEGORIA 4 - KOMPUTERY

UWAGI:

1. Komputery, towarzyszące im urządzenia albo "oprogramowanie" stosowane do celów telekomunikacyjnych albo działające w ramach "lokalnej sieci komputerowej" należy również analizować pod katem parametrów urządzeń telekomunikacyjnych wymienionych w Kategorii 5 (Telekomunikacja).

UWAGA:

1. Jednostki sterujące podłączone bezpośrednio do szyn lub łączy jednostek centralnych, "pamięci operacyjnych" albo sterowników dysków, nie są uważane za urządzenia telekomunikacyjne ujęte w Kategorii 5 (Część 1 - Urządzenia telekomunikacyjne).

2. W przypadku statusu kontroli "oprogramowania" zapewniającego odpowiednia kolejność realizacji albo komutacji "pakietów danych" lub "pakietów szybko-dostępnych" (tj. wybierania trasy przesyłania pakietu po pakiecie) lub w przypadku "oprogramowania" specjalnie przeznaczonego do komutacji pakietów, patrz Kategoria 5 (Część 1 - Urządzenia telekomunikacyjne).

2. Komputery, towarzyszące im urządzenia albo "oprogramowanie" wykorzystywane do szyfrowania, rozszyfrowywania, systemu zabezpieczeń wymagającego potwierdzenia wielopoziomowego lub w wymagających potwierdzenia systemach wyodrębnienia użytkownika, albo ograniczające zgodność elektromagnetyczną (EMC), należy również analizować pod katem parametrów wymienionych w Kategorii 5 (Część 2 - "Ochrona Informacji").

4A Urządzenia, zespoły i części

4A001 Następujące komputery elektroniczne i towarzyszące im urządzenia oraz specjalnie do nich przeznaczone "zespoły" i elementy:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 4A101

a. Specjalnie opracowane w taki sposób, że mają jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Możliwość działania w temperaturze otoczenia poniżej 228 K (-45°C) lub powyżej 358 K (+85°C); lub

UWAGA: Pozycja 4A001.a1 nie dotyczy komputerów specjalnie przeznaczonych do samochodów cywilnych i dla kolejnictwa.

2. Zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym o co najmniej następujących parametrach minimalnych:

a. Dawka całkowita: 5 x 10⁵ Radów (Si);

b. Wahania natężenia dawki: 5 x 10⁵ Radów (Si)/s; lub

c. Pojedyncze przypadkowe zakłócenie: 1 x 10^-7 błędów/bit/dzień;

b. Mające cechy charakterystyczne lub realizujące działania wykraczające poza ograniczeni według Kategorii 5 (Część 2 - "Ochrona Informacji").

4A002 Następujące "komputery hybrydowe" oraz "zespoły elektroniczne" i specjalnie do nich przeznaczone podzespoły:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 4A102.

. Wyposażone w "komputery cyfrowe" ujęte w pozycji 4A003;

. Zaopatrzone w przetworniki analogowo-cyfrowe posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. 32 kanały albo więcej; i

2. Rozdzielczość 14 bitów (plus bit znaku) lub większą oraz szybkość przetwarzania 200 000 operacji przetwarzania/s lub większą.

4A003 Następujące "komputery cyfrowe", "zespoły elektroniczne" i urządzenia im towarzyszące oraz specjalnie dla nich przeznaczone elementy:

UWAGI:

1. Pozycja 4A003 obejmuje procesory wektorowe, procesory tablicowe, procesory logiczne oraz urządzenia do "udoskonalania obrazów" lub do "przetwarzania sygnałów".

. Status kontroli "komputerów cyfrowych" lub towarzyszących im urządzeń według pozycji 4A003 wynika ze statusu kontroli innych urządzeń lub systemów, pod warunkiem, że:

a. "Komputery cyfrowe" lub towarzyszące im urządzenia mają zasadnicze znaczenie dla działania tych innych urządzeń lub systemów;

b. Komputery cyfrowe" lub towarzyszące im urządzenia nie są "podstawowym elementem" tych innych urządzeń lub systemów; oraz

UWAGA

1. Status kontroli urządzeń do "przetwarzania sygnałów" lub "udoskonalania obrazów" specjalnie przeznaczonych do innych urządzeń, i ograniczonych funkcjonowanie do wymogów pracy tych urządzeń, nawet gdy wkracza to poza kryterium "podstawowego elementu".

2. W przypadku statusu kontroli "komputerów cyfrowych" lub towarzyszących im urządzeń, przeznaczonych do sprzętu telekomunikacyjnego, patrz Kategoria 5 (Część 1 - Urządzenia telekomunikacyjne).

c."Technologię" w odniesieniu do "komputerów cyfrowych" i towarzyszących im urządzeń ujęto w pozycji 4E.

a. "Odporne na uszkodzenia" dzięki specjalnej konstrukcji lub odpowiednio zmodyfikowane;

UWAGA: Dla celów pozycji 4A003.b, "komputery cyfrowe i towarzyszące im urządzenia nie są uważane za "odporne na uszkodzenia" dzięki specjalnej konstrukcji lub odpowiedniej modyfikacji, jeżeli zastosowano w nich:

1. Algorytmy wykrywania albo korekcji błędów w "Pamięci operacyjnej";

2. Połączenie dwóch "komputerów cyfrowych" w jeden zespół w taki sposób, że w razie awarii jednej z aktywnych jednostek centralnych działania związane z kontynuacją pracy systemu może bliźniacza jednostka centralna, znajdująca się do tej chwili na biegu jałowym;

3. Połączenie dwóch jednostek centralnych szynami danych albo poprzez wykorzystywana wspólnie pamięć w celu umożliwienia danej jednostce centralnej wykonywania innych działań do czasu awarii drugiej jednostki centralnej, co spowoduje przejęcie wszystkich prac związanych z funkcjonowaniem systemu przez pierwszą jednostkę centralna; lub

4. Synchronizację dwóch jednostek centralnych za pomocą "oprogramowania" w taki sposób, że jedna z nich rozpoznaje awarię drugiej i przejmuje w takiej sytuacji jej zadania.

b. "Komputery cyfrowe" o "teoretycznej mocy kombinowanej (CTP) powyżej 260 milionów teoretycznych operacji kombinowanych na sekundę (Mtops);

c. Następujące "zespoły elektroniczne" specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane w celu polepszenia mocy obliczeniowej poprzez agregację "elementów obliczeniowych" w taki sposób, że "teoretyczna moc kombinowana" agregatu przekracza wartości graniczne ujęte w pozycji 4A003.b;

UWAGI:

1. Pozycja 4A003.c odnosi się wyłącznie do zespołów elektronicznych" i programowanych połączeń, których moc obliczeniowa nie wykracza poza wartości graniczne określone w pozycji 4A003.b, w przypadku ich dostarczania jako "zespoły elektroniczne" w stanie rozłożonym. Pozycja ta nie dotyczy "zespołów elektronicznych", która ze względu na charakter swej konstrukcji nie mogą z natury rzeczy być wykorzystywane jako urządzenia towarzyszące, ujęte w pozycji 4A003.d, e lub f.

2. Pozycja 4A003.c nie dotyczy "zespołów elektronicznych" specjalnie przeznaczonych do wyrobu albo rodziny wyrobów, których maksymalna konfiguracja nie wykracza poza ograniczenia podane w pozycji 4A003.b.

d. Układy akceleratorów graficznych albo koprocesory graficzne o "szybkości przetwarzania trójwymiarowej grafiki wektorowej" powyżej 1 600 000;

e. Urządzenia do przetwarzania analogowo-cyfrowego o parametrach wykraczających poza wartości graniczne określone w pozycji 3A001.a.5;

f. Urządzenia, w których skład wchodzą "terminalowe instalacje interfejsowe" o parametrach wykraczających poza wartości graniczne określone w pozycji 5A001.b.3.

UWAGA: Dla celów pozycji 4A00.3.f przez termin "terminalowe instalacje interfejsowe" należy rozumieć łącza modemy i inne interfejsy komunikacyjne "lokalnej sieci komputerowej". Interfejsy "lokalnej sieci komputerowej" są analizowanie jako "sterowniki dostępu do sieci".

g. Urządzenia specjalnie opracowane w taki sposób, że zapewniają połączenia zewnętrzne "komputerów cyfrowych" lub towarzyszących im urządzeń, umożliwiające wymianę danych z szybkościami przekraczającymi 80 Mbajtów na sekundę.

UWAGA: Pozycja 4A003.g nie dotyczy urządzeń zapewniających połączenia wewnętrznego (np. tablice połączeń, szyny) ani urządzeń łączących o charakterze pasywnym.

4A004 Następujące komputery i specjalnie do nich przeznaczone urządzenia towarzyszące, "zespoły elektroniczne" i elementy dla nich:

a. "Komputery z dynamiczną modyfikacją zestawu procesorów";

b. "Komputery neuronowe"

c. "Komputery optyczne".

4A101 Komputery analogowe "komputery cyfrowe" lub cyfrowe analizatory różniczkowe, różne od wymienionych w pozycji 4A001.a.1, zabezpieczone przed narażeniami mechanicznymi lub podobnymi i specjalnie skonstruowane lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do pracy w instalacjach wymienionych w pozycji 9A004 lub 9A104.

4A102 Komputery hybrydowe" specjalnie skonstruowane do modelowani lub scalania projektów konstrukcji instalacji wymienionych w pozycji 9A 004 lub 9A104.

UWAGA: Pozycja ta dotyczy wyłącznie takich sytuacji, w których urządzenie jest dostarczane z oprogramowaniem wymienionym w pozycjach 7D103 lub 9D103.

4D Oprogramowanie

UWAGA: Status kontroli "oprogramowania" do "rozwoju" "produkcji" lub "używania" urządzeń opisanych w innych Kategoriach jest związany z odpowiednia Kategoria. Status kontroli "oprogramowania" do urządzeń opisanych w niniejszej Kategorii jest związany z ta Kategorią.

4D001 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do "rozwoju", produkcji" lub "użytkowania" urządzeń, materiałów lub "oprogramowania" ujętych w pozycji 4A001 do 4A004 lub 4D;

4D002 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone algo zmodyfikowane z przeznaczeniem do wspomagania "technologii" ujętych w pozycji 4.E;

4D003 Następujące "oprogramowanie" specjalne:

a. "Oprogramowanie systemu operacyjnego, programy narzędziowe i kompilatory do opracowywania "oprogramowania" specjalnie przeznaczone do urządzeń do "wielostrumieniowego przetwarzania danych" na "kod źródłowy";

b. "Systemy eksperckie" lub "oprogramowanie" do mechanizmów dedukcji w "systemach eksperckich", zapewniające obie poniższe cechy charakterystyczne:

1. Reguły zależności od czasu; oraz

2. Elementarne środki do obsługi charakterystyk czasowych reguł działania i faktów;

c. "Oprogramowanie" o cechach lub możliwościach realizacji funkcji wykraczających poza ograniczenia wymienione w pozycjach Kategorii 5 (Część 2 - "Ochrona Informacji");

d. Systemy operacyjne specjalnie przeznaczone do urządzeń do "przetwarzania w czasie rzeczywistym", gwarantujące "całkowity czas Opóźnienia reakcji na przerwanie" poniżej 20 mikrosekund.

4E Technologia

4E001 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju", "produkcji" lub "użytkownika" urządzeń lub "oprogramowania" ujętych w pozycji 4A albo 4D.

4E002 Następujące inne technologie:

a. "Technologie" do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń przeznaczonych do "wielostrumieniowego przetwarzania danych", w których "teoretyczna moc kombinowana (CCTP)" jest większa od 120 Mtops;

b. "Technologie" "niezbędne" do "rozwoju" lub "produkcji" magnetycznych dysków twardych o "maksymalnej szybkości transmisji bitów" powyżej 47 Mbitów/s.

4.

UWAGA TECHNICZNA

"TEORETYCZNA MOC KOMBINOWANA" (CTP)

Skróty stosowane w niniejszej Uwadze technicznej

CE "element obliczeniowy" (typowo, jednostka arytmetyczno-logiczna)

FP zmiennoprzecinkowy (floating point)

XP stałoprzecinkowy (fixed point)

t czas wykonania

XOR nierównoważność

CPU jednostka centralna

TP teoretyczna moc obliczeniowa (pojedynczego CE)

CTP "teoretyczna moc kombinowana" (Composite Theoretical Performance) (wielu CE)

R efektywna szybkość obliczeniową

WL długość słowa

L zadawanie długości słowa

Czas wykonania "t" wyraża się w mikrosekundach, natomiast TP i "STP" w milionach teoretycznych operacji na sekundę (Mtops), a WL w bitach.

Omówienie sposobów obliczania CTP

CTP jest miara mocy obliczeniowej wyrażaną w Mtops. W celu obliczenia CTP pewnego zespołu (agregatu) CE należy wykonać następujące trzy czynności:

1. Obliczyć efektywna szybkość obliczeniową R każdego CE;

2. Skorygować uzyskaną efektywna szybkość obliczeniowa (R) w zależności od długości słowa, dzięki czemu uzyska się Moc Teoretyczna (TP) każdego CE;

3. W przypadku istnienia więcej niż jednego CE, połączyć wszystkie wynikowe TP, uzyskując w wyniku CTP całego danego układu.

Szczegółowe informacje na temat podanych etapów postępowania zamieszczono dalej.

Uwaga 1: W przypadku agregatów złożonych z wielu CE, posiadających podsystemy zarówno z pamięcią dzielona jak i niedzieloną, obliczanie CTP odbywa się na zasadzie hierarchicznej, w dwóch etapach: po pierwsze, grupuje się CE z podsystemami pamięci dzielonej, a następnie oblicza się CTP dla danych grup stosując taką metodę obliczeń jak dla wielu CE z pamięcią niedzieloną.

Uwaga 2: W obliczeniach CTP nie uwzględnia się CE o zastosowaniu ograniczonym dla obsługi funkcji wejścia/wyjścia i peryferyjnych (np. napędów dyskowych, sterowników komunikacyjnych i wyświetlaczy obrazowych).

W podanej poniżej tabeli przedstawiono sposób liczenia efektywnej szybkości obliczeniowej (R) dla każdego CE:

Implementacja dla Elementów Obliczeniowych Uwaga: Obliczenia przeprowadza się dla każdego CE niezależnie	Efektywna szybkość obliczeniowa, R
tylko XP (R_xp)	1 ________________ 3 x (t_xpdod) w razie braku dodawania należy wykorzystać 1/(t_{xp mnoż}) W razie braku zarówno dodawania, jak i mnożenia należy wykorzystać najszybszą dostępną operację arytmetyczną 1/(3.t_xp) Patrz Uwagi X i Z
tylko FP (R_fp)	Max 1/t_{fp dod}, 1t_{fp mnoż} Patrz Uwagi X i Y
Zarówno dla FP jak i XP (R)	Obliczyć obie R_xp, R_pf
W przypadku prostych procesorów logicznych bez implementacji żadnej z wymienionych operacji arytmetycznych 1/(3.t_log)	Gdzie t_log jest czasem wykonania instrukcji XOR albo w przypadku sprzętu logicznego bez implementacji XOR, czasem najszybszej prostej operacji logicznej Patrz Uwagi X i Z
Dla specjalnych procesorów logicznych, nie realizujących żadnej z wymienionych operacji arytmetycznych i logicznych	R = R'.WL/64 Gdzie R' jest liczbą wyników na sekundę, WL jest liczbą bitów, na której realizowana operacja logiczna, natomiast 64 jest współczynnikiem normalizacji do operacji wykonywanych na 64 bitach

Uwaga W: W przypadku CE działających w trybie potokowym, zdolnych na każdy cykl zegara po zapełnieniu trybu potokowego, można ustalić szybkość obliczeniowa trybu potokowego. Efektywna szybkością obliczeniowa (R) dla każdego takiego CE jest największą szybkością w trybie potokowym lub szybkością realizacji obliczeń w trybie niepotokowym.

Uwaga X: Dla CE realizujących wielokrotne operacje arytmetyczne specjalnego typu w pojedynczym cyklu (np. dwa dodawania na cykl lub dwie identyczne operacje na cykl) czas realizacji t określa się zależnością:

czas

t =___________________________________________________________

liczba identycznych operacji arytmetycznych na cykl maszyny

CE wykonujące różne typy operacji arytmetycznych lub logicznych podczas pojedynczego cyklu maszynowego należy traktować jako wielokrotne oddzielnie CE działające równocześnie (np. CE wykonujący dodawanie i mnożenie podczas jednego cyklu należy traktować jako dwa CE, raz jako wykonujący dodawanie w jednym cyklu i po raz drugi jako wykonujący mnożenie w drugim cyklu).

W przypadku wykonywania przez pojedynczy CE zarówno działania na skalarach, jak i na wektorach, należy wybrać krótszy z czasów realizacji.

Uwaga Y: w przypadku braku implementacji dodawania FP (zmiennoprzecinkowego) lub mnożenia FP, natomiast wykonywania przez dany CE dzielenia FP:

R_fp = 1/t _{fp dzielenia}

W przypadku realizacji przez dany CE odwrotności FP ale bez możliwości realizacji dodawania FP, mnożenia FP lub dzielenia FP, wartość R_fp wyznacza się z zależności:

R_fp = 1/t_fp_odwrotności

W razie braku implementacji wszystkich wymienionych instrukcji efektywna moc FP wynosi O.

Uwaga Z: W prostych operacjach logicznych pojedyncza instrukcja realizuje pojedyncze działania logiczne na nie więcej niż dwóch operandach o danej długości. W złożonych operacjach logicznych pojedyncza instrukcja realizuje wiele działań logicznych na dwóch lub więcej operandach, wskutek czego powstaje jeden lub więcej wyników.

Szybkości obliczeniowe należy obliczać dla wszystkich możliwych długości operandów z uwzględnieniem zarówno operacji potokowych (jeżeli są możliwe) jak i operacji niepotokowych, dla instrukcji wykonywanych najszybciej i dla każdej długości operandu w oparciu o następujące zasady:

1. Operacja potokowe lub typu rejestr-rejestr. Z wykluczeniem bardzo krótkich czasów wykonania dla operacji na z góry określonym operandzie lub operandach (na przykład, mnożenie przez 0 lub 1). W razie braku implementacji operacji typu rejestr-rejestr, postępować według punktu (2).

2.Szybsze operacje typu rejestr-pamięć albo pamięć-rejestr; w razie braku również takich operacji, postępować według punktu (3).

3. Operacje typu pamięć-pamięć.

W każdym wymienionym powyżej przypadku należy skorzystać z najkrótszego czasu wykonania potwierdzonego przez producenta.

Etap 2: TP dla każdej możliwej długości operandu WL

Skorygować szybkość efektywna R (Lub R') za pomocą współczynnika poprawkowego na długość słowa L w następujący sposób:

TP = R*L

gdzie L = (1/3 + WL/96)

Uwaga: Używana w tych obliczeniach długość słowa WL jest długością operandu w bitach. (W przypadku gdy w operacji używane są operandy o różnych długościach, należy wybrać słowo o największej długości).

Dla celów obliczania CTP, za jeden CE o Długości Słowa (WL) równej liczbie bitów w przedstawieniu danych (zazwyczaj 32 lub 64) uważa się kombinację mantysy ALU i wykładnika ALU dla procesora zmiennoprzecinkowego albo jedność.

Korekcja tego typu nie znajduje zastosowania do wyspecjalizowanych procesorów logicznych, w których nie są realizowane instrukcje XOR. W takim przypadku TP = R.

Wybrać maksymalną wartość wynikową TP dla:

Każdego XP - tylko CE (R_xp);

Każdego FP - tylko CE (R_fp);

Każdego kombinowanego FP i XP CE (R);

Każdego prostego procesora logicznego bez żadnej implementacji wymienionych operacji arytmetycznych; oraz

Każdego specjalnego procesora logicznego nie wykonującego żadnej z wymienionych operacji arytmetycznych ani logicznych.

Etap 3: CTP dla agregacji CE, włącznie z CPU:

Dla CPU składającego się z pojedynczego CE,

CTP = TP

[dla CE wykonujących zarówno operacje stało- jak i zmiennoprzecinkowe,

TP = max (TP_fp, TP_xp)]

Sposób obliczania dla agregacji wielu CE działających równocześnie:

Uwaga 1: W przypadku agregacji uniemożliwiających równoczesne działania wszystkich CE należy stosować tę konfigurację możliwych CE, która daje największą z możliwych CTP. Przed obliczeniem CTP całej kombinacji należy obliczyć TP każdego CE dla każdej teoretycznie możliwej wartości maksymalnej.

UWAGA: W celu obliczenia możliwych kombinacji CE działających równocześnie należy wygenerować sekwencję instrukcji inicjującą operacje w wielu CE, poczynając od najwolniejszego z nich (jest to taki element obliczeniowy, który wymaga największej liczy cykli do zakończenia swojego działania) i kończąc na najszybszym CE. Możliwą kombinacją przy każdej sekwencji cyklu jest taka kombinacja elementów CE, które działają podczas cyklu. W sekwencji instrukcji należy wziąć pod uwagę wszystkie ograniczenia sprzętowe i (lub) konfiguracyjne (architektura) dla operacji pokrywających się ze sobą

Uwaga 2: Pojedynczy układ scalony lub płytka może składać się z wielu CE.

Uwaga 3: Zakłada się, że komputer może wykonywać równoczesne operacje w przypadku gdy jego producent podaje w instrukcji użytkowania lub innej, że komputer może pracować współbieżnie, równolegle lub wykonywać operacje albo działania równoczesne.

Uwaga 4: Nie należy agregować wartości CTP dla kombinacji CE połączonych ze sobą i z innymi w lokalnych sieciach komputerowych, Rozległych Sieciach Komputerowych (WAN), dzielonych wspólnych połączeniach (urządzeniach wejścia/wyjścia), sterownikach wejść/wyjść oraz we wszelkich połączeniach komunikacyjnych implementowanych przez oprogramowanie.

Uwaga 5: Należy agregować wartości CE dla wieloelementowych układów CE specjalnie opracowanych w celu poprawy parametrów poprzez agregację, równoczesne działanie i kombinację w układzie z dzieleniem wspólnej pamięci, - lub typu wielokrotna pamięć/CE - działających równocześnie i z wykorzystaniem specjalnie opracowanego sprzętu.

Agregacji tego typu nie stosuje się do zespołów opisanych w pozycji 4A003d

CTP = TP₁ + C₂ * TP₂.... + C_n * TP_n

gdzie TP są uszeregowane według wartości, przy czym TP₁ jest największa, TP₂ jest druga z kolei pod względem wartości,...., a TP_n jest najmniejszą z wartości TP. C_i są współczynnikami wynikającymi z przepustowości połączeń pomiędzy CE, określonymi w sposób następujący:

W przypadku wielu CE działających równocześnie i korzystających ze wspólnej pamięci:

C₂ = C₃ = C₄ = .... = C_n = 0,75.

Uwaga 1: W przypadku kiedy wartość CTP obliczona w podany powyżej sposób nie przekracza 194 Mtops, do obliczania C_imożna zastosować następujący wzór:

0,75

C_i =__________ (i=2,...., n)

(m)^1/2

gdzie m=liczba elementów CE lub grup CE o wspólnym dostępie.

pod warunkiem, że

1. TP_ikażdej grupy lub CE nie jest wyższa od 30 Mtops

2. Elementy CE lub grupy elementów CE dzielą wspólny dostęp do pamięci operacyjnej (z wyjątkiem pamięci podręcznej (cache) za pośrednictwem pojedynczego kału; oraz

3. w danym czasie tylko jeden element CE lub grupa elementów CE może używać takiego kanału.

UWAGA: Nie dotyczy to pozycji ujętych w Kategorii 3.

Uwaga 2: CE korzystają ze wspólnej pamięci, jeżeli mają dostęp do wspólnego segmentu pamięci półprzewodnikowej. Może to być pamięć podręczna (cache), pamięć operacyjna albo inny rodzaj pamięci wewnętrznej. W tym przypadku nie uwzględnia się peryferyjnych jednostek pamięciowych takich jak stacje dysków, napędy taśm ani RAM-dyski.

Dla wielokrotnych układów CE lub grup CE nie korzystających ze wspólnej pamięci, połączonych ze sobą jednym lub większa liczba kanałów danych:

C_i= 0,75 * k_i (i = 2,..., 32) (patrz uwaga poniżej)

= 0,60 * k_i(i = 33,..., 64)

= 0,45 * k_i (i = 65,..., 256)

= 0,30 * k_i(i > 256)

Wartość C_i określa się w zależności od liczby elementów CE, a nie liczby węzłów.

gdzie k_i= min (S_i/K_r, 1), oraz

k_i= współczynnik normalizujący do 20 MBajtów/s

S_i= suma maksymalnych szybkości transmisji danych (w jednostkach Mbajty/s) dla wszystkich kanałów danych połączonych z i-tym elementem CE lub grupą elementów CE dzielących wspólną pamięć.

W przypadku obliczania C_i dla grupy elementów CE, numer pierwszego CE w grupie wyznacza odpowiednią wartość graniczną dla C_i. Przykładowo, w agregacji grup składających się każda z 3 elementów CE, grupa 22 będzie zawierała CE, grupa 22 będzie zawierała CE₆₄, CE₆₅ i CE₆₆. Właściwą wartością graniczną dla C_i dla tej grupy będzie 0,60.

Agregacja (elementów CE lub grup elementów CE) powinna następować w kolejności do elementów najszybszych do najwolniejszych; tj.:

TP₁ TP₂ ....... TP_n, oraz

w przypadku TPi = TP_i₊₁ kolejności od największego do najmniejszego; tj.:

Ci C_i+1

Uwaga: W przypadku gdy TP_i dla elementu CE lub grupy elementów CE wynosi powyżej 50 Mtops nie używa się współczynnika k_i do elementów CE od 2 do 12; tj. C_i dla elementów CE 2 do 12 wynosi 0,75;

CZĘŚĆ 1

URZĄDZENIA TELEKOMUNIKACYJNE

UWAGI:

1. W pozycjach tej Kategorii ujęto status kontroli elementów, urządzeń "laserowych", urządzeń testujących i produkcyjnych, oraz materiałów i "oprogramowania" do nich, przeznaczonych do urządzeń i systemów telekomunikacyjnych.

2. "Komputery cyfrowe", towarzyszące im urządzenia lub "oprogramowanie", mające zasadniczy wpływ na działanie i wspomaganie działań urządzeń telekomunikacyjnych przedstawionych w pozycjach dotyczących telekomunikacji w niniejszej Kategorii, są traktowane jako elementy specjalnie opracowane, pod warunkiem, że są to modele standardowe dostarczane przez producenta na zamówienie klienta. Dotyczy to komputerowych systemów obsługi, zarządzania, konserwacji, technicznych lub księgowych.

5A1 Urządzenia, zespoły i elementy

5A001 a. Dowolny typ urządzeń telekomunikacyjnych posiadających jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych lub właściwości albo realizujących jedną z wymienionych funkcji:

1. Specjalnie zabezpieczone przed skutkami przejściowych zjawisk elektronicznych albo impulsu elektromagnetycznego, powstającego podczas wybuchu jądrowego;

2. Specjalnie zabezpieczone przez promieniowaniem gamma, neutronowym lub jonizacyjnym;

3. Specjalnie skonstruowane do eksploatacji w zakresie temperatur poza przedziałem od 218 K (-55°C) do 397 K (+ 124°C).

UWAGA: Pozycja 5A001.a.3 odnosi się wyłącznie do urządzeń elektronicznych.

UWAGA: Pozycje 5A001.a.2 i 3 nie dotyczą urządzeń na pokładach satelitów.

b. Telekomunikacyjne urządzenia lub systemy transmisyjne oraz specjalnie do nich opracowane elementy i osprzęt, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych albo właściwości lub realizujących jedną z wymienionych poniżej funkcji:

UWAGA: Telekomunikacyjne urządzenia transmisyjne:

a. Sklasyfikowane jak poniżej, albo ich kombinacje:

1. Urządzenia radiowe (np. nadajniki, odbiorniki i nadajniki-odbiorniki);

2. Urządzenia końcowe linii telekomunikacyjnych;

3. Pośrednie urządzenia wzmacniające;

4. Wzmacniaki;

5 Regenatory;

6. Szyfratory (transkodery);

7. Multipleksery (włącznie ze statystycznymi);

8. Modulatory, demodulatory (modemy);

9. Transmultipleksery (patrz CCITT Rec. G. 701);

10. Przełącznice cyfrowe "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci";

11. "Bramy" i mostki;

12. "Jednostki dostępu do nośników informacji"; oraz

b. Przeznaczone do używania w jedno- lub wielokanałowej komunikacji za pośrednictwem:

1. Przewodów (linia);

2. Kabli koncentrycznych;

3. Kabli światłowodowych;

4. Fal elektromagnetycznych.

5. Fal akustycznych rozchodzących się pod wodą;

1. W których zastosowano technikę cyfrową, włącznie z cyfrowym przetwarzaniem sygnałów analogowych, oraz przeznaczone do pracy z "szybkością przesyłania danych cyfrowych" na najwyższym poziomie multipleksowania powyżej 45 Mbitów/s lub z "całkowitą szybkością przesłania danych cyfrowych" powyżej 90 Mbitów/s;

UWAGA: Pozycja 5A001.b nie obejmuje kontrolą urządzeń specjalnie przeznaczonych do zabudowania i działania w dowolnych systemach satelitarnych do użytku cywilnego.

2. Będące przełącznicami cyfrowymi "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" o "szybkości przesłania danych cyfrowych" powyżej

3. Będące urządzeniami wyposażonymi w:

a. Modemy działające w zakresie "pasma o szerokości jednego kanału telefonicznego" o "szybkości przesłania danych" powyżej 28 800 bitów/s;

b. "Sterowniki kanałów komunikacyjnych" z wyjściem cyfrowym o szybkości przesłania danych" powyżej 2,1, Mbitów/s na kanał; lub

c. "Sterowniki dostępu do sieci" i towarzyszące im wspólne urządzenia o "szybkości przesyłania danych cyfrowych" powyżej 156 Mbitów/s.

UWAGA: w przypadku gdy dowolne urządzenie nie objęte kontrolą jest wyposażone w "sterownik dostępu do sieci", to nie może być wyposażone w żaden z typów interfejsów telekomunikacyjnych;

z wyjątkiem

Takich, które wymieniono, ale nie objęto kontrolą, według pozycji 5A001.b.3.

4. Urządzenia wyposażone w "laser i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Długość fali nośnej powyżej 1000 nm;

b. Działanie oparte na technikach analogowych i szerokość pasma powyżej 45 MHz;

c. Działanie oparte na technikach przesyłania spójnej wiązki optycznej (zwane również heterodynowymi albo homodynowymi technikami optycznymi);

d. Działanie oparte na technikach multipleksowania długości fali; lub

e. Wykonujące czynności "wzmacniania optycznego";

5. Będące urządzeniami radiowymi z częstotliwościami, wejściową, powyżej:

a. 31 GHz w przypadku zastosowania w stacjach do łączności ziemia - satelita;

b. 26,5 GHz w przypadku innych zastosowań.

UWAGA: Pozycja 5A001.b.5.b. nie obejmuje kontrolą urządzeń przeznaczonych do użytku cywilnego, pod warunkiem, że działają w przydzielonym przez Unię Telekomunikacyjną (ITU) paśmie w zakresie pomiędzy 26,5 a 31 GHz.

6. Będące urządzeniami radiowymi, w których zastosowano:

a. Techniki kwadraturowej modulacji amplitudowej (QAM) powyżej poziomu 4, jeżeli "całkowita szybkość transmisji cyfrowej" jest wyższa niż 8,5 Mbitów/s;

b. Techniki kwadraturowej modulacji amplitudowej (QAM) powyżej poziomu 16, jeżeli "całkowita szybkość transmisji cyfrowej" jest równa lub mniejsza niż 8,5 Mbitów/s; lub

c. Inne techniki modulacji cyfrowej, oraz posiadające "wydajność widmową" powyżej 3 bitów/s/Hz.

UWAGA:

1. Pozycja 5A001.b.6 nie obejmuje kontrolą urządzeń specjalnie przeznaczonych do zabudowania i działania w dowolnych systemach satelitarnych do użytku cywilnego.

2. Pozycja 5A001.b.6 nie obejmuje kontrolą urządzeń radiowych przeznaczonych przez Unię Telekomunikacyjną (ITU) pasmach:

a. 1. Poniżej 960 MHz; lub

2. Pracujących z "całkowita szybkością transmisji cyfrowej" poniżej 8,5 Mbitów/s; oraz

b. Posiadających "wydajność widmowa" poniżej 4 bitów/s/Hz;

7. Będące urządzeniami radiowymi działającymi w paśmie od 1,5 do 87,5 MHz, posiadającymi jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. 1. Automatyczne przewidywanie i wybieranie częstotliwości oraz "całkowite szybkości przesyłania danych cyfrowych" na kanał, umożliwiające optymalizację przesyłania; i

2. Zaopatrzone w liniowy wzmacniacz mocy umożliwiający równoczesną obróbkę wielu sygnałów przy mocy wyjściowej 1 kW lub wyższej w zakresie częstotliwości 1,5 do 30 MHz albo 250 W lub wyżej w zakresie częstotliwości 30 do 87,5 MHz, w zakresie "pasma chwilowego" o szerokości jednej oktawy lub większej i z wyjściem o zniekształceniu harmonicznym lub innym lepszym niż -80 dB; lub

b. Będące urządzeniami, w których zastosowano techniki adaptacyjne zapewniające tłumienie sygnałów zakłócających na poziomie powyżej 15dB.

8. Będące urządzeniami radiowymi, w których zastosowano techniki "widma rozproszonego" albo "regulację częstotliwości" (rozrzucanie częstotliwości), posiadającymi jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Programowane przez użytkownika kody rozpraszania; lub

b. Całkowita szerokość przesyłanego pasma 100 lub więcej razy większa od szerokości pasma dozwolonego z kanałów informacyjnych i powyżej 50 Hz;

9. Będące sterowanymi cyfrowo odbiornikami radiowymi posiadającymi powyżej 1000 kanałów, które:

a. Umożliwiają automatyczne przeszukiwanie lub skanowanie części widma fal elektromagnetycznych;

b. Umożliwiają identyfikację odbieranych sygnałów lub typu nadajnika; oraz

c. Charakteryzują się "czasem przełączania częstotliwości" poniżej 1 ms;

10. Będące urządzeniami umożliwiającymi następujące cyfrowe "przetwarzanie sygnałów":

a. Cyfrowe kodowanie mowy z szybkością poniżej 2 400 b/s;

b. Zaopatrzone w obwody z "możliwością dostępu użytkownika do programowania" układu cyfrowego "przetwarzania sygnałów" o możliwościach wykraczających poza ograniczenia określone w pozycji 4A003.b;

11. Będące systemami komunikacji podwodnej posiadającymi jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Akustyczną częstotliwość nośna spoza przedziału 20 do 60 kHz;

b.Działające w zakresie elektromagnetycznej częstotliwości nośnej poniżej 30 kHz;

c. Działające z wykorzystaniem techniki sterowania za pomocą wiązki elektronów;

c. Urządzenia przełączające "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" oraz towarzyszące im systemy urządzeń sygnałowych, posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych albo właściwości lub realizujące jedną z wymienionych funkcji; oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy i osprzęt:

UWAGA: Multipleksery statystyczne z cyfrowym wejściem i wyjściem, umożliwiające przełączanie, są uważane za urządzenia przełączające "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci".

1. "Zwykła łączność kanałowa";

UWAGA: Systemy transmisji sygnałów, w których kanał sygnałowy jest powiązany w jakikolwiek sposób z nie więcej niż 32 kanałami multiplekserowymi tworzącymi linię międzymiastową o przepustowości nie większej niż 2,1 Mbitów/s, i w których informacja sygnałowa jest niesiona w stałym kanale zmultipleksowanym z podziałem czasu bez możliwości używania informacji etykietowanych, nie są traktowane jako systemy "zwykłej łączności kanałowej".

2. Pełniące rolę "Sieci Cyfrowej z Integracją Usług" (ISDN) i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Będące interfejsami typu przełącznik-terminał (np. łącze abonenckie) o "szybkości przesłania danych cyfrowych" na najwyższym poziomie multipleksowania powyżej 192 000 bitów/s, włącznie ze sprzężonym kanałem przesyłowym (np. 2B + D); lub

b. Mająca możliwość przekazania informacji sygnałowej, odebranej przez komutator na danym kanale i powiązanej z informacją na innym kanale, na inny komutator;

UWAGA: Pozycja 5A001.c.2 nie wyklucza:

1. Analizy i odpowiednich działań podjętych przez komutator odbierający.

2. Nierelatywnego ruchu telegraficznego pomiędzy użytkownikami na kanale D sieci "ISDN".

3. Mające możliwość ustalani wielopoziomowego priorytetu oraz zmiany priorytetów przełączania układów;

UWAGA: Pozycja 5A001.c.3 nie obejmuje kontrolą urządzeń umożliwiających zmiany priorytetów wezwań bezpośrednich.

4. "Adaptacyjny dynamiczny wybór trasy";

5. Wybór trasy albo komutacja "pakietów danych";

6. Wybór trasy albo komutacja "pakietów szybko dostępnych"

UWAGA: Ograniczenia według pozycji 5A001.c.5 i 6 nie odnoszą się do sieci, których działanie jest ograniczone tylko do korzystania ze "sterowników dostępu do sieci" albo do samych "sterowników dostępu do sieci".

7. Przeznaczone do automatycznej komutacji wezwań w sieci telefonicznej łączności radiowej (komórkowej) na inne komutatory komórkowe albo do automatycznego łączenia ze scentralizowana bazą danych o abonentach, wspólną dla więcej niż jednego komutatora;

8. Będące komutatorami pakietów, komutatorami łączy oraz wybierakami marszruty z portami albo łączami o parametrach przewyższających podane poniżej wartości:

a. "Szybkość przesyłania danych" 64 000 bitów/s na kanał dla "sterownika kanału komunikacyjnego"; lub

UWAGA: Pozycja 5A001.c.8 nie wyklucza multipleksowania łączy złożonych kanałów komunikacyjnych nie objętych kontrolą według pozycji 5A001.c.8.a.

b."Szybkość przesyłania danych cyfrowych" 33 Mbitów/s dla "sterowników dostępu do sieci" i towarzyszących mediów wspólnych;

9. "Komutacja optyczna";

10. Będące urządzeniami, w których zastosowano techniki" przesyłania w trybie asynchronicznym" (ATM);

11. Zaopatrzone w przełącznice cyfrowe "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" o "szybkości przesuwania danych cyfrowych" powyżej 8,5 Mbitów/s na port;

d. Urządzenia do scentralizowanego sterowania siecią, posiadające obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Możliwość odbioru danych z węzłów sieci; oraz

2. Możliwość przetwarzania tych danych w celu sterowania ruchem telegraficznym bez interwencji operatora i realizacji "dynamicznego adaptacyjnego wyboru trasy";

UWAGA: Pozycja 5A001.d nie wyklucza sterowania ruchem telegraficznym w funkcji warunków ruchu dających się przewidzieć statystycznie.

e. Następujące światłowodowe kable komunikacyjne, światłowody oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy i akcesoria:

1. Światłowody lub kable światłowodowe o długości ponad 50 m posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Przeznaczone do działania na jednym rodzaju fal elektromagnetycznych; lub

b. W przypadku światłowodów, określone przez producenta jako odporne na naprężenia rozciągające podczas Testu Kontrolnego 2*10^g N/m² lub większe;

Uwaga techniczna: Test Kontrolny: prowadzona na bieżąco (on line) albo poza linią produkcyjną (off-line) kontrola zupełna, podczas której wszystkie włókna są obciążane dynamicznie z góry określonymi naprężeniami rozciągającymi, działającymi na odcinek światłowodu o długości od 05 do 3 m, przeciągany z szybkością 2 do 5 m/s pomiędzy bębnami nawijającymi o średnicy około 150 mm. Temperatura otoczenia powinna wynosić 293 K (20° C), a wilgotność względna 40%.

UWAGA: Testy Kontrolne można przeprowadzać według równoważnych norm krajowych.

2. Kable światłowodowe i akcesoria przeznaczone do pracy pod woda (światłowodowe penetratory do oglądania kadłubów statków lub łączniki do nich ujęto w pozycji 8A002.c)

f. Fazowane układy antenowe pracujące w zakresie częstotliwości powyżej 10,5 GHz, wyposażone w elementy aktywne i zespoły o elementach rozłożonych, przeznaczone do elektronicznego kształtowania i ogniskowania wiązki.

UWAGA: Podpunkt ten nie obejmuje elementów do systemów kontroli lądowania oprzyrządowanych według wymagań norm Organizacji Lotnictwa Cywilnego (ICAO) (mikrofalowe systemy kontroli lądowania (MLS)).

5A101 Urządzenia do zdalnego przekazywania wyników pomiarów i do zdalnego sterowania znajdujące zastosowanie w "pociskach rakietowych".

UWAGA: Pozycja ta nie obejmuje urządzeń specjalnie przeznaczonych do zdalnego sterowania modelami samolotów, statków lub pojazdów i wytwarzających pole elektryczne o natężeniu nie przekraczającym 200 mV (mikrowoltów) na metr w odległości 500 metrów.

5B1 Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

5B001 a. Urządzenia, i specjalnie przeznaczone do nich elementy i akcesoria, specjalnie przeznaczone do:

1. Rozwoju urządzeń, materiałów, funkcji lub właściwości ujętych w pozycjach 5A001, 5B001, 5C001, 5D001 lub 5E001, w tym urządzeń pomiarowych i do testowania;

2. Produkcji urządzeń, materiałów, funkcji lub właściwości ujętych w pozycjach 5A001, 5B001, 5C001, 5D001 lub 5E001, w tym urządzeń pomiarowych, do testowania lub naprawy;

3. Użytkowania urządzeń, materiałów, funkcji lub właściwości wykraczających poza najbardziej surowe kryteria według pozycji 5A001, 5B001, 5C001, 5D001 lub 5E001, w tym urządzeń pomiarowych, do naprawy lub testowania;

UWAGA: Pozycja 5B001.a nie obejmuje kontrolą urządzeń do obróbki światłowodów i "półproduktów światłowodowych" nie zawierających na wyposażeniu "laserów" półprzewodnikowych.

b. Następujące inne urządzenia:

1. Urządzenia do testowania bitowej stopy błędów (BER) przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do testowania urządzeń objętych kontrolą według pozycji 5A001.b.1;

2. Analizatory protokołów transmisji danych, testery i symulatory specjalnie przeznaczone do funkcji objętych kontrolą według pozycji 5A001;

3. Autonomiczne symulatory ośrodków propagacji fal radiowych/estymulatory kanałów "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" przeznaczone specjalnie do urządzeń testujących, objętych kontrolą według pozycji 5A001.b.5.

5D1 Oprogramowanie

5D001 a. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do "rozwoju", "produkcji" lub "użytkownika" urządzeń albo materiałów objętych kontrolą według pozycji 5A001, %B001 lub 5C001;

b. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do wspierania "technologii" objętych kontrola według pozycji 5E001;

c. Następujące "oprogramowanie" specjalne:

1. "Oprogramowanie rodzajowe" z wyłączeniem programów w postaci wykonywanej maszynowo, specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do "użytkowania" cyfrowych urządzeń lub systemów komutacyjnych "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci";

2. "Oprogramowanie", z wyłączeniem programów w postaci wykonywalnej maszynowo, specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do "użytkowania" cyfrowych urządzeń lub systemów łączności radiowej działających w układzie terytorialnym (komórkowym);

3. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane w taki sposób, żeby umożliwiało urządzeniom osiągnięcie tych cech charakterystycznych, funkcji lub właściwości, które są objęte kontrolą według pozycji 5A001 lub 5B001;

4. "Oprogramowanie" umożliwiające odtworzenie "kodu źródłowego" "oprogramowania" wymienionego w pozycjach dotyczących telekomunikacji w niniejszej Kategorii;, or

5. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "rozwoju" lub "produkcji" "oprogramowania" objętego kontrolą według pozycji 5D001.

(W przypadku "oprogramowania" dotyczącego "przetwarzania sygnałów" patrz również 4D i 6D.)

5E1 Technologie

5E001 a. Technologie według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju ", "produkcji" lub "użytkowania" (z wyłączeniem obsługi) urządzeń, systemów, materiałów lub "oprogramowania" ujętych w pozycjach 5A001, 5B001, 5C001 lub 5D001;

b. Następujące technologie specjalne:

1. "Technologie" "niezbędne" do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń telekomunikacyjnych specjalnie przeznaczonych do instalowania w satelitach;

2. "Technologie" do "rozwoju" lub "użytkowania" laserowych technik komunikacyjnych z możliwością automatycznego wykrywania i ustalania pochodzenia oraz śledzenia sygnałów i utrzymywania komunikacji w egzoatmosferze lub w środowisku podpowierzchniowym (podwodnym);

3. "Technologie" przetwarzania i nakładania powłok na światłowody specjalnie przeznaczone do nadawania im odporności na działanie w środowisku wodnym;

4. "Technologie" do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń, w których stosowane są techniki "Synchronicznej Hierarchii Cyfrowej" (SDH) lub "Synchronicznych Sieci Optycznych" SONET;

5. "Technologie" do "rozwoju" lub "produkcji" "struktury przełączającej" o parametrach przekraczających 64 000 bitów na sekundę na kanał informacyjny, z wyłączeniem wewnętrznych zintegrowanych połączeń cyfrowych komutatora;

6. "Technologie" do "rozwoju" lub "produkcji" systemów sterowania sieciami scentralizowanymi;

7. "Technologie" do "rozwoju" lub "produkcji" systemów radiowych sieci telekomunikacyjnych w układzie terytorialnym (komórkowym)'

8. "Technologie" do "rozwoju" lub "produkcji" "Sieci cyfrowej z Integracja Usług" (ISDN).

9. "Technologie" do "rozwoju" technik QAM do urządzeń radiowych, powyżej poziomu 4.

5E101 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do "rozwoju", "produkcji" lub "użytkowania" urządzeń ujętych w pozycji 5A101.

CZĘŚĆ 2

"OCHRONA INFORMACJI"

UWAGA: W niniejszej Kategorii określono status kontroli urządzeń "oprogramowania", systemów, sposobów wykorzystania specjalnych "zespołów elektronicznych", modułów,, układów scalonych, elementów, technologii lub funkcji związanych z "ochrona informacji", nawet takich, które stanowią elementy lub zespoły elektroniczne" innych urządzeń.

5A2 Urządzenia, zespoły i elementy

5A002 Następujące systemy, urządzenia, sposoby wykorzystania specyficznych "zespołów elektronicznych", moduły lub układy scalone związane z "ochroną informacji" oraz inne specjalne elementy do nich:

a. Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zastosowania "kryptografii" z wykorzystaniem technik cyfrowych do "ochrony informacji";

b. Przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do realizacji funkcji kryptograficznych;

c. Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zastosowania :kryptografii" z wykorzystaniem technik analogowych do "ochrony informacji";

z wyjątkiem:

1. Urządzeń do szyfrowania pasmowego ze "stałym wzorcem", nie posiadających więcej niż 8 pasm, w których transpozycje zmieniają się nie częściej niż raz na sekundę;

2. Urządzeń do szyfrowania pasmowego ze "stałym" wzorcem", posiadających więcej niż 8 pasm, w których transpozycje zmieniają się nie częściej niż raz na dziesięć sekund;

3. Urządzeń do szyfrowania za pomocą inwersji częstotliwości ze "stałym wzorcem", w których transpozycje zmieniają się nie częściej niż raz na sekundę;

4. Urządzeń symilograficznych (telegrafii kopiowej);

5. Urządzeń radionadawczych dla ograniczonej liczby odbiorców;

6. Cywilnych urządzeń telewizyjnych;

d. Przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do wygaszania przypadkowego przekazywania sygnałów przenoszących tajne informacje;

UWAGA: Pozycja 5A002.d nie obejmuje kontrolą urządzeń specjalnie przeznaczonych albo zmodyfikowanych z przeznaczeniem do wygaszania sygnałów ze względów zdrowotnych i bezpieczeństwa pracy.

e. Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu wykorzystania technik kryptograficznych do generowania kodu rozpraszającego dla "widma rozproszonego" lub kodu rozrzucającego (hopping) dla systemów z "regulacja częstotliwości";

f. Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zapełnienia uwierzytelnionego albo wymagającego uwierzytelnienia" wielopoziomowego systemu ochrony" lub wyodrębnienia użytkownika na poziomie powyżej Klasy B2 według Kryteriów Oszacowania Poufnych Systemów Komputerowych (Trusted Computer System Evaluation Criteria - TCSEC) lub równoważnych;

g. Instalacje kabli telekomunikacyjnych przeznaczone lub zmodyfikowane za pomocą elementów mechanicznych, elektrycznych lub elektronicznych w celu wykrywania niepowołanych połączeń do systemów.

UWAGA: Pozycja 5A002 nie obejmuje kontrolą:

a. "Inteligentnych kart osobistych", w których zastosowano elementy "kryptograficzne" zastrzeżone do używania wyłącznie w urządzeniach lub systemach:

1. wyłączonych z kontroli według pozycji 5A00.c.1 do c.6;

2. wyłączonych z kontroli na mocy punktów b, c lub e niniejszej Uwagi;

3. a. urządzeniach kontroli dostępu, takich jak automatyczne terminale bankowe, samoobsługowe drukarki zadaniowe lub terminale w punktach sprzedaży, chroniące hasło lub osobisty numer identyfikacyjny (PIN) albo podobne dane w celu uniemożliwienia dostępu do tych instalacji osobom nie upoważnionym, ale nie pozwalające na kodowanie plików ani tekstów, z wyjątkiem bezpośrednio związanych z ochroną lub PIN;

b. urządzeniach do identyfikacji danych, obliczających Kod Autentyczności Komunikatu (MAC) lub podobny wynik, uniemożliwiający zmianę tekstu, ale nie pozwalających na kodowanie danych, tekstu lub innych mediów różnych od niezbędnych do identyfikacji;

c. urządzeniach kryptograficznych specjalnie skonstruowanych, przeznaczonych lub zmodyfikowanych z przeznaczeniem do stosowania w maszynach do realizacji operacji bankowych lub gotówkowych, takich jak automatyczne terminale bankowe, samoobsługowe drukarki zadaniowe, terminale w punktach sprzedaży, ani urządzeń do kodowania transakcji międzybankowych, i przeznaczonych wyłącznie do tego typu zastosowań;

d. przenośnych (osobistych) lub przewoźnych radiotelefonach przeznaczonych do zastosowań cywilnych, np. do stosowania w cywilnych, komercyjnych systemach radiotelefonii komórkowej, zawierających urządzenia kodujące;

b. Urządzeń, w których zastosowano "niezmienne" techniki kompresji lub kodowania danych;

c. Urządzeń odbiorczych dla stacji radiowych, płatnej telewizji lub podobnych systemów telewizyjnych typu konsumenckiego o ograniczonym zasięgu, nie posiadających kodowania cyfrowego oraz w których kodowanie cyfrowe jest wykorzystywane tylko do funkcji audiowizyjnych lub zarządzających;

d. Radiotelefonów osobistych lub przenośnych do zastosowań cywilnych, zp. do użytkowania w cywilnych systemach radiokomunikacji terytorialnej, w których stosowane są techniki szyfrowania, kiedy towarzysza użytkownikom;

e. Funkcji rozszyfrowujących specjalnie opracowanych w ten sposób, że umożliwiają działanie "oprogramowania" zabezpieczonego przed kopiowaniem, pod warunkiem, że użytkownik nie m dostępu do funkcji rozszyfrowujących.

5B2 Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

5B002 a . Urządzenia specjalnie przeznaczone do:

1. Rozwoju urządzeń lub funkcji objętych kontrolą w pozycjach 5A002, 5B002, 5D002 lub 5E002, w tym urządzeń pomiarowych lub do testowania:

2. Produkcji urządzeń lub funkcji objętych kontrola w pozycjach 5A002, %B002, %D002 lub 5E002, w tym urządzeń pomiarowych, do testowania, napraw lub produkcji;

b. Urządzenia pomiarowe specjalnie przeznaczone do oceny i analizy funkcji dotyczących "ochrony informacji" objętych kontrola według pozycji 5A002 lub 5D002.

5D2 Oprogramowanie

5d002 a. "oprogramowanie" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do "rozwoju" "produkcji" lub "użytkowania" urządzeń lub "oprogramowania" objętego kontrola według pozycji 5A002, 5B002 lub 5D002;

b. "oprogramowanie" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane w celu wspierania "technologii" objętych kontrolą według pozycji 5E002;

c. Następujące "oprogramowanie" specjalne:

1. "Oprogramowanie" mające właściwości, albo realizujące lub symulujące funkcje urządzeń objętych kontrolą pozycji 5A002 lub 5B002;

2. "Oprogramowanie" do uwierzytelniania "oprogramowania" objętego kontrola według pozycji 5D002.c.1;

3. "Oprogramowanie" przeznaczone albo zmodyfikowane w celu ochrony komputerów przed zamierzonymi działania na ich szkodę, np. przed wirusami komputerowymi.

UWAGA: Pozycja 5D002 nie obejmuje kontrolą:

a. "Oprogramowania" "niezbędnego" do "używania" urządzeń nie objętych kontrol na mocy Uwagi do pozycji 5A002;

b. "Oprogramowania" umożliwiającego realizację dowolnej funkcji urządzeń włączonych z kontroli na mocy Uwagi do pozycji 5A002.

KATEGORIA 6 - CZUJNIKI I LASERY

6A Urządzenia, zespoły elementy

6A001 Czujniki akustyczne.

a. Następujące okrętowe systemy akustyczne, urządzenia albo specjalnie do nich przeznaczone elementy:

1. Następujące systemy aktywne (nadajniki albo nadajniki-odbiorniki), urządzenia lub specjalnie do nich przeznaczone elementy:

UWAGA: Pozycja 6A001.a.1 nie obejmuje kontrolą:

a. sond do pomiaru głębokości pracujących w pionie pod aparaturą, nie mających możliwości przeszukiwania w zakresie powyżej ± 10°, których działanie jest ograniczone do pomiaru głębokości wody, odległości do zanurzonych lub zatopionych obiektów albo do wykrywania ławic ryb;

b. następujących pław lub staw ostrzegawczych:

1. akustycznych pław lub staw ostrzegawczych;

2. sonarów impulsowych specjalnie przeznaczonych do przemieszczania się lub powrotu do położenia podwodnego.

a. Systemy o szerokim zakresie przeszukiwania przeznaczone do badań batymetrycznych w celu sporządzania map topograficznych dna morskiego:

1. Przeznaczone do:

a. Dokonywania pomiarów pod katem większym od 10° w stosunku do pionu; oraz

b. Pomiarów głębokości większych niż 600 m licząc od powierzchni wody;

oraz

2. Przeznaczone do:

a. Wprowadzania wielu wiązek, z których co najmniej jedna ma rozwartość kątowa poniżej 2°; lub

b. Uzyskiwania przeciętnej dokładności pomiarów głębokości wody na przeszukiwanym obszarze w odniesieniu do poszczególnych pomiarów lepszej niż 0,5%;

b. Systemy do wykrywania lub lokalizacji obiektów posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Częstotliwość nośna poniżej 10 kHz;

2. Poziom ciśnienia akustycznego powyżej 224 dB (co odpowiada 1 mikropaskalowi na 1m) w odniesieniu do urządzeń z częstotliwością roboczą w pasmie od 10 KHz do 24 kHz włącznie;

3. Poziom ciśnienia akustycznego powyżej 235 dB (co odpowiada 1 mikropaskalowi na 1m) w odniesieniu do urządzeń z częstotliwością robocza w pasmie od 24 kHz do 30 kHz;

4. Kształtujące wiązki o kacie rozproszenia poniżej 1° względem dowolnej osi i posiadające częstotliwość roboczą poniżej 100 kHz;

5. skonstruowane w ten sposób, że w normalnych warunkach pracy są wytrzymałe na ciśnienia na głębokości większej niż 1000 m i są zaopatrzone w przetworniki:

a. Z dynamiczna kompensacja ciśnienia; lub

b. W których elementem przetwarzającym nie jest cyrkonian/tytanian ołowiu; lub

6. Umożliwiające pomiar odległości do obiektów w zakresie powyżej 5 120 m;

c. Reflektory akustyczne, włącznie z przetwornikami, wyposażone w elementy piezoelektryczne, magnetostrykcyjne, elektrostrykcyjne, elektrodynamiczne lub hydrauliczne, działające indywidualnie lub w odpowiedniej kombinacji zespołowej, posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

UWAGI:

1. Status kontroli reflektorów akustycznych włącznie z przetwornikami, specjalnie przeznaczonych do innych urządzeń, jest powiązany ze statusem kontroli tych inny urządzeń.

2. Pozycja 6A001.a.1.c. nie obejmuje kontrolą źródeł kierujących dźwięk tylko w pionie ani źródeł mechanicznych (np. pistolety powietrzne lub parowe) lub chemicznych (np. materiały wybuchowe).

1. Gęstość mocy akustycznej w impulsie powyżej 0,01 mW/mm²/Hz dla urządzeń pracujących w paśmie częstotliwości poniżej 10 kHz;

2. Gęstość mocy akustycznej ciągłej powyżej 0,001 mW/mm²/Hz dla urządzeń pracujących w paśmie częstotliwości poniżej 10 kHz;

Uwaga techniczna:

Gęstość mocy akustycznej oblicza się dzieląc wyjściowa moc akustyczną przez iloczyn pola powierzchni wypromieniowanej wiązki i częstotliwości roboczej.

3. Skonstruowane w ten sposób, że w normalnych warunkach pracy są wytrzymałe na ciśnienia na głębokości większej niż 100 m; lub

4. Mające tłumienie listka bocznego emisji powyżej 22 dB;

d. Systemy akustyczne, urządzenia albo specjalne elementy do określania położenia statków nadwodnych lub pojazdów podwodnych skonstruowane z przeznaczeniem do:

UWAGA: Pozycja 6A001.a.1.d obejmuje urządzenia, w których zastosowano koherentne "przetwarzanie sygnałów" pomiędzy dwiema lub większa liczba boi kierunkowych, a hydrofonem na statku nadwodnym albo pojeździe podwodnym, mające możliwość automatycznego korygowania błędów prędkości rozchodzenia się dźwięku w celu obliczenia położenia obiektu.

1. Działania w zasięgu powyżej 1000 m i umożliwiające wyznaczenie położenia z dokładnością poniżej 10 m (wartość średnia kwadratowa) w przypadku pomiaru w zasięgu do 100 m: lub

2. Wytrzymałe na ciśnienia na głębokościach większych niż 1 000 m;

2. Następujące pasywne urządzenia i systemy (odbiorcze, współpracujące, albo nie, w normalnych zastosowaniach z oddzielnymi urządzeniami aktywnymi) oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy:

a. Hydrofony (przetworniki) posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

1. Wyposażone w ciągłe, elastyczne czujniki lub zespoły złożone z dyskretnych elementów czujnikowych o średnicy lub długości poniżej 20 mm znajdujących się w odległości jeden od drugiego wynoszącej poniżej 20 mm;

2. Wyposażone w jeden z następujących elementów czujnikowych:

a. Światłowody;

b. Polimery piezoelektryczne; lub

c. Elastyczne, piezoelektryczne materiały ceramiczne;

3. Czułość hydrofonów lepszą niż -180 dB na każdej głębokości bez kompensacji przyspieszeniowej;

4. W przypadku przeznaczenia nie większych niż 35 m, czułość hydrofonów lepsza niż -186 dB z kompensacja przyspieszeniowa;

5. W przypadku przeznaczenia do normalnej pracy na głębokościach większych niż 35 m, czułość hydrofonów lepsza niż -192 dB z kompensacją przyspieszeniową;

6. W przypadku przeznaczenia do normalnej pracy na głębokościach większych niż 100 m, czułość hydrofonów lepsza niż -204 dB; lub

7. Przeznaczone do działania na głębokościach większych niż 1000 m;

Uwaga techniczna:

Czułość hydrofonu definiuje się jako dwadzieścia logarytmów przy podstawie 10 ze stosunku napięcia skutecznego po sprowadzeniu do napięcia skutecznego 1 V, po umieszczeniu czujnika hydrofonowego, bez wzmacniacza, w polu akustycznych fal płaskich o ciśnieniu skutecznym w wysokości 1 mikropaskala. Na przykład, hydrofon o czułości -160 dB (po sprowadzeniu do poziomu 1 V na mikropaskal) daje w takim polu napięcie wejściowe 10^-8 V, natomiast hydrofon o czułości 180 dB daje w takim samym polu napięcie wyjściowe tylko 10^-8 V. Zatem hydrofon o czułości 160 dB jest lepszy od hydrofonu o czułości -180 dB.

b. Holowane zestawy hydrofonów akustycznych, mające jedną z następujących cech:

1. Odległość pomiędzy grupami hydrofonów wynosi poniżej 12,5 m;

2. Odległość pomiędzy grupami hydrofonów wynosi od 12,5 m do 25 m i są przeznaczone albo możliwe do zmodyfikowania z przeznaczeniem do działania na głębokościach większych niż 35 m; lub

Uwaga techniczna:

Wspomniana w pozycji 6A001.a.2.b.2 " możliwość modyfikacji" oznacza, że są zaopatrzone w elementy umożliwiające zmianę przewodów lub połączeń w celu zmiany odległości pomiędzy grupami hydrofonów albo granicznych głębokości roboczych, Do elementów takich zalicza się: zapasowe przewody w ilości przewyższającej o 10% liczbę przewodów używanych, bloki umożliwiające zmianę odległości pomiędzy grupami hydrofonów lub wewnętrzne regulowane urządzenia limitujące głębokość, oraz urządzenia sterujące umożliwiające sterowanie więcej niż jedna grupą hydrofonów.

3. Odległość pomiędzy grupami hydrofonów 25 m lub większa i są przeznaczone do działania na głębokościach większych niż 100 m;

4. Czujniki kursowej objęte kontrola według pozycji 6A001.a.2.d.;

5. Wyposażone w niemetalowe elementy wzmacniające lub sieci czujników ze wzmocnieniem podłużnym;

6. Wyposażone w układ zespołowy o średnicy mniejszej niż 40 mm;

7. Mające możliwość multipleksowania sygnałów grup hydrofonów; lub

8. Wyposażone w hydrofony o właściwościach określonych w pozycji 6A001.a.2.a;

c. Urządzenia przetwarzające, specjalnie przeznaczone do holowanych zestawów hydrofonów akustycznych posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Możliwość przetwarzania za pomocą szybkiej transforamty Fouriera lub innej metody 1024 punktów w czasie poniżej 20 ms bez "możliwości dostępu użytkownika do oprogramowania"; lub

2. Możliwość przetwarzania i koleracji w funkcji czasu lub częstotliwości, włącznie z analizą spektralną, filtrowaniem cyfrowym i kształtowaniem wiązki za pomocą szybkiej transforamty Fouriera lub innych transformat lub procesów z "możliwością dostępu użytkownika do oprogramowania";

d. Czujniki kursów o dokładności powyżej ± 0,5°; oraz

1. Skonstruowane do instalowania w układzie zespołowym i do działania na głębokościach większych niż 35 m albo wyposażone w regulowane lub domontowalne czujniki głębokości z przeznaczeniem do pracy na głębokościach większych niż 35 m; lub

2. Skonstruowane z przeznaczeniem do montażu na zewnątrz układów zespołowych i posiadające zespoły czujników zdolne do działania w zakresie 360° na głębokościach większych niż 35 m;

b. Geofony naziemne możliwe do przebudowy w celu zastosowania w systemach lub urządzeniach morskich albo w elementach specjalnie do nich przeznaczonych, objętych kontrolą według pozycji 6A001.a.2.a;

c. Urządzenia sonarowe z koleracją prędkościową przeznaczone do pomiaru prędkości poziomej obiektu, na którym się znajdują, względem dna morza w przypadku odległości obiektu od dna powyżej 500 m.

6A002 Czujniki optyczne

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 6a102

a. Następujące detektory optyczne:

UWAGA: Pozycja 6A002.a nie obejmuje kontrolą elementów fotoelektrycznych wykonanych z germanu lub krzemu.

1. Detektory półprzewodnikowe "klasy kosmicznej" posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. 1. Reakcja szczytowa w pasmie fal o długości powyżej 10 nm, ale poniżej 300 nm; i

2. W zakresie fal o długości powyżej 400 nm reakcja słabsza niż 0,1 % reakcji szczytowej;

b. 1.Reakcja szczytowa w zakresie długości fal powyżej 900 nm, ale poniżej 1200 nm; oraz

2. "Stała czasowa" reakcji 95 ns lub niżej; lub

c. Reakcja szczytowa w zakresie długości fal powyżej 1 200 nm, ale poniżej 30 000 nm;

2. Następujące lampy wzmacniające obrazy i specjalnie do nich przeznaczone elementy:

a. Lampy wzmacniające obrazy posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Reakcja szczytowa w zakresie długości fal powyżej 400 nm, ale poniżej 1 050 nm;

2. Elektroda mikrokanalikowa do wzmacniania obrazów elektronicznych z otworkami w odstępach (odległość pomiędzy środkami otworów) poniżej 25 mikrometrów; oraz

3.a. Fotokatoda S-20 i S-25 lub alkaliczne (wielopierwiastkowe); lub

b. Fotokatoda Gas lub GlnAs;

b. Następujące elementy specjalne:

1. Światłowodowe intertory obrazy;

2. Elektrody mikrokanalikowe posiadające obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. 15 000 lub więcej otworów na elektrodę; oraz

b. Odległość pomiędzy otworkami (odległość pomiędzy środkami otworków) poniżej 25 mikrometrów;

3. Fotokatody GaAs lub GalnAs;

3. Inne niż "klasy kosmicznej" "płaskie zespoły ogniskujące" posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

Uwaga techniczna:

"Płaskie zespoły ogniskujące" to liniowe lub dwuwymiarowe wieloelementowe zespoły czujników.

UWAGI:

1. Pozycja 6A002.a.3 obejmuje kontrola zespoły fotoprzewodzące i fotowoltaiczne.

2. Pozycja 6A002.a.3 nie obejmuje kontrolą krzemowych "płaskich zespołów ogniskujących" wieloelementowych (nie więcej niż 16 elementów) komórek fotoelektrycznych w obudowie ani detektorów piroelektrycznych, w których zastosowano jeden z następujących związków:

a. Siarczek ołowiu (II);

b. Siarczan triglicyny i jego odmiany;

c. Tytanian ołowiu-lntanu-cyrkonu i odmiany;

d. Tantalan litu;

e. Polifluorek winylidenu i jego odmiany;

f. Niobian stronu-baru i jego odmiany; lub

g. Selenek ołowiu.

a. 1. Reakcja szczytowa poszczególnych elementów w zakresie długości fal z przedziału powyżej 900 nm, ale poniżej 1050 nm; oraz

2. "Stała czasowa" reakcji poniżej 0,5 ns;

b. 1. Reakcja szczytowa poszczególnych elementów w zakresie długości fal z przedziału powyżej 1 050 nm, ale poniżej 1 200 nm; oraz

2. "Stała czasowa" reakcji 95 ns lub mniejsza; lub

c. Reakcja szczytowa poszczególnych elementów w zakresie długości fal z przedziału powyżej 1 200 nm, ale poniżej 30 00 nm;

4. Inne niż "klasy kosmicznej" jednoelementowe lub wieloelementowe nieogniskujące fotodiody półprzewodnikowe lub fototranzystory posiadające obie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Reakcja szczytowa w zakresie długości fal powyżej 1 200 nm, ale poniżej 30 00 nm;

oraz

b. "Stała czasowa" reakcji 0,5 ns lub poniżej:

b. "Wielospektralne czujniki obrazowe" przeznaczone do zdalnego wykrywania obiektów, posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Chwilowe pole widzenia (IFOV) poniżej 200 mikroradianów; lub

2. Przeznaczone do działania w zakresie fal o długości powyżej 400 nm, ale poniżej 30 00 nm; oraz

a. dostarczające wyjściowych danych obrazowych w postaci cyfrowej; oraz

b. 1. "Klasy kosmicznej"; lub

2. Przeznaczone do zastosowań lotniczych i zaopatrzone w czujniki inne niż krzemowe oraz posiadające IFOV poniżej 2,5 miliardinów;

c. Urządzenia do bezpośredniego tworzenia obrazów działające w zakresie promieniowania widzialnego lub podczerwonego wyposażone w jeden z następujących zespołów:

1. Lampy do wzmacniania obrazów objęte kontrola według pozycji 6A002.a.2; lub

2. "Płaskie zespoły ogniskujące" objęte kontrola według pozycji 6A002.a.3;

Uwaga techniczna:

Termin "widzenie bezpośrednie" odnosi się do urządzeń tworzących obrazy, działających w zakresie fal widzialnych albo podczerwonych i przedstawiających widzialny dla człowieka obraz bez jego przetwarzania na sygnał elektroniczny przekazywany na ekran telewizyjny, na mogących zarejestrować albo przechować obrazu na drodze fotograficznej, elektronicznej albo jakiejkolwiek innej,

UWAGA: Pozycja 6A002.c. nie obejmuje kontrolą następujących urządzeń zaopatrzonych w fotokatody inne niż z GaAs lub GalnAs:

a. Przemysłowych lub cywilnych systemów alarmowych, systemów kontroli ruchu drogowego lub przemysłowego ani systemów zliczających;

b. Urządzeń medycznych;

c. Urządzeń przemysłowych stosowanych do kontroli, sortowania lub analizy właściwości materiałów;

d. Wykrywaczy płomieni do pieców przemysłowych;

e. Urządzeń specjalnie przeznaczonych do celów laboratoryjnych.

d. Następujące specjalne elementy pomocnicze do czujników optycznych:

1. Chłodnice kriogeniczne "klasy kosmicznej";

2. Następujące chłodnice kriogeniczne nie należące do "klasy kosmicznej" i ze źródłem chłodzenia o temperaturze 218 K (-55°C):

a. Pracujące w obiegu zamkniętym i charakteryzujące się Średnim Czasem Do Awarii (MTTF) albo Średnim Czasem Międzyawaryjnym (MRBF) powyżej 2 500 godzin;

b. Samoregulujące się minichłodnice Joula-Thomsona (JT) z otworkami o średnicy (na zewnątrz) poniżej 8 mm;

3. Czujnikowe włókna optyczne:

a. O specjalnym składzie albo konstrukcji, albo zmodyfikowane techniką powlekania, w celu nadania im właściwości umożliwiających reagowanie na fale akustyczne, promieniowanie termiczne, siły bezwładności, promieniowanie elektromagnetyczne lub jądrowe;

lub

b. Zmodyfikowane strukturalne w taki sposób że ich "długość dudnienia" wynosi poniżej 50 mm (wysoki współczynnik podwójnego załamania

6A003 Kamery filmowe

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 6a203.

a. Następujące kamery rejestrujące:

1. Bardzo szybkie kamery filmowe rejestrujące na błonie dowolnego formatu od 8 mm do 16 mm włącznie, w których błona jest podczas rejestracji przesuwana w sposób ciągły, umożliwiające rejestrowanie obrazów z szybkościami powyżej 13 150 klatek na sekundę;

UWAGA: Pozycja 6A003.a.1 nie obejmuje kont-rolą filmowych kamer rejestrujących przeznaczonych do normalnego użytku cywilnego.

2. Bardzo szybkie kamery z napędem mechanicznym, bez przesuwu filmu, umożliwiające rejestracje z szybkościami powyżej 1 000 000 klatek na sekundę na całej szerokości błony 35 mm, lub z szybkościami proporcjonalnie większymi na błonach o mniejszych formatach, albo z szybkościami proporcjonalnie mniejszymi na błonach o formatach większych;

3. Mechaniczne lub elektryczne kamery smugowe o szybkości zapisu powyżej 10mm/mikrosekundę;

4. Elektroniczne kamery obrazowe o szybkości powyżej 1 000 000 klatek na sekundę;

5. Kamery elektroniczne posiadające:

a. Szybkość działania migawki elektronicznej (bramkowania) poniżej 1 mikrosekundy na pełną klatkę; oraz

b. Czas odczytu umożliwiający szybkość powyżej 125 pełnych klatek na sekundę;

b. Następujące kamery obrazowe:

UWAGA: Pozycja 6A003.b nie obejmuje kontrolą kamer telewizyjnych ani wideokamer przeznaczonych specjalnie dla stacji telewizyjnych.

1. Wideokamery z czujnikami półprzewodnikowymi posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Powyżej 4*10⁶ "aktywnych pikseli" na półprzewodnikową siatkę dla kamer monochromatycznych (czarno-białych);

b. Powyżej 4*10⁶"aktywnych pikseli" na półprzewodnikową siatkę dla kamer kolorowych z trzema siatkami półprzewodnikowymi; lub

c. Powyżej 12 *10⁶ "aktywnych pikseli" na półprzewodnikową siatkę dla kamer kolorowych z jedną siatka półprzewodnikową;

2. Kamery skaningowe i systemy kamer skaningowych:

a. Z liniowymi siatkami detekcyjnymi posiadającymi powyżej 8 192 elementów na siatkę;

b. Z mechanicznym przeszukiwaniem w jednym kierunku;

3. Wyposażone we wzmacniacze obrazów wymienione w pozycji 6A002.a.2.a;

4. Wyposażone w płaskie siatki ogniskujące wymienione w pozycji 6A002.a.3;

UWAGA: Kamery specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do pracy pod woda ujęto w pozycjach 8A002.d i 8A002.e.

6A004 Elementy optyczne

a. Następujące zwierciadła optyczne (reflektory):

1. "Zwierciadła odkształcalne" o powierzchni ciągłej lub wieloelementowej oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy, mające możliwość dynamicznej zmiany położenia części powierzchni zwierciadła z szybkością powyżej 100 Hz;

2. Lekkie zwierciadła monolityczne o przeciętnej "gęstości zastępczej" poniżej 30 kg/m² i masie całkowitej powyżej 10 kg;

3. Lekkie konstrukcje zwierciadlane z materiałów "kompozytowych" lub spienionych o przeciętnej "gęstości zastępczej" poniżej 30 kg/m² i masie całkowitej powyżej 10 kg;

3. Lekkie konstrukcje zwierciadlane z materiałów "kompozytowych" lub spienionych o przeciętnej "gęstości zastępczej" poniżej 30 kg/m² i masie całkowitej powyżej 2 kg;

4. Zwierciadła do kierowania wiązką, mające średnice albo długość osi głównej powyżej 100 mm, (lambda jest równe 633 nm) i sterowane wiązką o szerokości pasma powyżej 100 Hz;

b. Elementy optyczne z selenku cynku (ZnSe) lub siarczku cynku (ZnS) z możliwością transmisji z zakresie długości fal powyżej 3 000 nm, ale poniżej cech charakterystycznych:

1. Objętość powyżej 100 cm³; lub

2. Średnica lub długość osi głównej powyżej 80 mm oraz grubość (głębokość) powyżej 20 mm;

c. Następujące elementy "klasy kosmicznej" do systemów optycznych:

1. O "gęstości zastępczej" obniżonej o 20% w porównaniu z półwyrobem o takiej samej aparaturze i grubości;

2. Podłoża, podłoża powlekane powierzchniowo (z powłoką jednowarstwową lub wielowarstwowa, metaliczną lub dielektryczna, przewodzącą półprzewodzącą lub izolująca) lub pokryte błona ochronna;

3. Segmenty lub zespoły zwierciadeł przeznaczone do montażu z nich w przestrzeni kosmicznej systemów optycznych, mające sumaryczną aparaturę równoważną lub większa niż pojedynczy element optyczny o średnicy 1 metra;

4. Wykonane z materiałów "kompozytowych" o współczynniku liniowej rozszerzalności termicznej w kierunku dowolnej współrzędnej równym lub mniejszym niż 5 *10^-6;

d. Następujące filtry optyczne:

1. Do fal o długości powyżej 250 nm, składające się z wielowarstwowych powłok optycznych i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Szerokość pasma równa lub mniejsza niż 1 nm dla Połowy Natężenia przy Pełnej Szerokości (FWH) oraz szczytowa wartość transmisji 90% lub więcej; lub

b. Szerokość pasma równa lub mniejsza niż 0,1 nm FWHI oraz szczytowa wartość transmisji 50% lub więcej;

UWAGA: Pozycja 6A004.d.1 nie obejmuje kontrolą filtrów optycznych ze stałą szczeliną powietrzną ani filtrów typu Lyot'a.

2. Do fal o długości powyżej 250 nm i posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Możliwość przestrajania w zakresie widmowym 500 nm lub większym;

b. Chwilowa przepustowość optyczna 1,25 nm lub mniejsza;

c. Możliwość przestrajania długości fal w ciągu 0,1 ms z dokładnością 1nm lub lepszą w przestrajalnym zakresie widmowym; oraz

d. Wskaźnik pojedynczej transmisji szczytowej 91% lub więcej;

3. Elementy zmieniające przezroczystość optyczną (filtry) o polu widzenia 30° lub szerszym i czasie reakcji równym lub krótszym niż 1 ns;

e. Następujące urządzenia do sterowania elementami optycznymi:

1. Specjalnie przeznaczone do utrzymywania kształtu lub orientacji powierzchni elementów "klasy kosmicznej" objętych kontrolą według pozycji 6A004.c.1 lub 3;

2. Posiadające pasmo sterowania, śledzenia stabilizacji lub strojenia rezonatora o szerokości równej lub większej niż 100 Hz oraz dokładność 10 mikroradianów lub lepszą;

3. Zawieszenia kardanowe o maksymalnym kącie wychylenia powyżej 5°, szerokości pasma równej lub większej niż 100 Hz i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. 1. Średnicę lub długość osi głównej powyżej 0,15 m ale nie większa niż 1 m;

2. Możliwość zmiany położenia kątowego 2 radianów/s²;

oraz

3. Możliwość ustawienia kątowego z dokładnością równa lub lepszą niż 200 mikroradianów; lub

b. 1. Średnicę lub długość osi głównej powyżej 1 m;

2. Możliwość zmiany położenia kątowego z przyspieszeniami powyżej 0,5 radianów/s²; oraz

3. Możliwość ustawiania kątowego z dokładnością równą lub lepszą niż 200 mikroradianów;

4. Specjalnie przeznaczone do utrzymania w odpowiednim położeniu systemów układów fazowych lub systemów fazowych zwierciadeł segmentowych o średnicy segmentów lub długości osi głównej równej lub większej od 1 m;

f. Kable z "włókien fluorowych" lub przeznaczone do nich włókna światłowodowe, charakteryzujące się tłumieniem poniżej 4 dB/km w zakresie fal o długościach powyżej 1 000 nm, ale nie dłuższych niż 3 000 nm.

6A005 Następujące "lasery", ich elementy i urządzenia optyczne do nich:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 6A205.

UWAGI:

1. Do "laserów" impulsowych należą lasery z falą ciągłą (CW), z nakładanymi na nią impulsami.

2. Do "laserów" wzbudzanych impulsowo należą lasery działające w trybie wzbudzenia ciągłego z nakładającym się wzbudzeniem impulsowym.

3. Status kontroli "laserów" Ramana wynika z parametrów "laserów" pompujących. "Laserem" pompującym może być każdy z "laserów" wymienionych poniżej.

a. Następujące "lasery" gazowe:

1. "Lasery" ekscymerowe posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Długość fali wyjściowej nie dłuższa niż 150 nm oraz:

1. Energia wyjściowa powyżej 50 mJ na impuls; lub

2. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 1 W;

b. Długość fali wyjściowej powyżej 150 nm, ale nie dłuższa niż 190 nm oraz:

1. Energia wyjściowa powyżej 1,5 J na impuls; lub

2. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 120W:

c. Długość fali wyjściowej powyżej 190 nm, ale nie więcej niż 360 nm oraz:

1. Energia wyjściowa powyżej 10 J na impuls; lub

2. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 500 W; lub

d. Długość fali wyjściowej powyżej 360 nm

oraz:

1. Energia wyjściowa powyżej 1,5 J na impuls; lub

2. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 30 W;

2. Następujące "lasery" na parach metali:

a. "Lasery" na miedzi (Cu) o przeciętnej albo ciągłej (CW) mocy wyjściowej powyżej 20 W;

b. "Lasery" na złocie (Au) o przeciętnej albo ciągłej (CW) mocy wyjściowej powyżej 5 W;

c. "Lasery" na sodzie (Na) o mocy wyjściowej powyżej 5W;

d. "Lasery" na barze (Ba) o przeciętnej albo ciągłej (CW) mocy wyjściowej powyżej 2 W;

3. "Lasery" na tlenku węgla (CO) posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Energia wyjściowa powyżej 2 J na impuls i "szczytowa moc" impulsu powyżej 5 kW; lub

b. Przeciętna lub ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 5 kW;

4. "Lasery" na dwutlenku węgla (CO₂) posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 10 kW;

b. Wyjście impulsowe z "szerokością impulsu" powyżej 10 mikrosekund oraz:

1. Przeciętna moc wyjściowa powyżej 10 kW; lub

2. "Moc szczytowa " impulsu powyżej 100 kW; lub

c. Wyjście impulsowe o "szerokości impulsu" równej lub mniejszej niż 10 mikrosekund oraz:

1. Energia impulsu powyżej 5 J na impuls i "moc szczytowa" powyżej 2,5 kW; lub

2. Przeciętna moc wyjściowa powyżej 2,5 kW;

5. Następujące "lasery chemiczne":

a. "Lasery" fluorowodorowe (HF);

b. "Lasery" na fluorku deuteru (DF);

c. "Lasery z przekazaniem energii";

1. "Lasery" tlenowo-jodowe (O₂ - I);

2. "lasery" na mieszaninie fluorku deuteru i dwutlenku węgla (DF-CO₂)

6. "Lasery" jarzeniowo-jonowe, tj. "lasery" na jonach kryptonu lub argonu posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Energia wyjściowa powyżej 1,5 J na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 50 W;

lub

b. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 50 W;

7. Inne "lasery" gazowe, z wyjątkiem "laserów" azotowych, posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Długość fali wyjściowej nie większa niż 150 nm oraz:

1. Energia wyjściowa powyżej 50 mJ na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 1 W; lub

2. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 1 W;

b. Długość fali wyjściowej większa niż 150 nm, ale nie dłuższa niż 800 nm oraz:

1. Energia wyjściowa powyżej 1,5 J na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 30 W; lub

2. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 30 W;

c. Długość fali wyjściowej większa niż 800 nm, ale nie dłuższa ni 1 400 nm oraz:

1. energia wyjściowa powyżej 0,25 J na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 10 W; lub

2. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 10 W; lub

d. Długość fali wyjściowej większa niż 1 400 nm oraz przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 1 W;

b Następujące "lasery" półprzewodnikowe:

Uwaga techniczna:

"Lasery" półprzewodnikowe są powszechnie nazywane diodami "laserowymi".

UWAGI: Status kontroli "Laserów" półprzewodnikowych przeznaczonych specjalnie do innych urządzeń wynika ze statusu kontroli tych innych urządzeń.

1. Indywidualne "lasery" półprzewodnikowe działające w trybie z pojedynczym przejściem poprzecznym, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Przeciętna moc wyjściowa powyżej 100 m W; lub

b. Długość fali powyżej 1 050 nm;

2. Indywidualne "lasery" półprzewodnikowe działające w trybie z wielokrotnym przejściem poprzecznym albo zestawy oddzielnych "laserów" półprzewodnikowych posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Energia wyjściowa powyżej 500 mikrodżuli na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 10 W;

b. Przeciętna lub ciągła (C) moc wyjściowa powyżej 10 W; lub

c. Długość fali powyżej 1 050 nm;

c Następujące "lasery" na ciele stałym:

1. "Lasery" przestrajalne" posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

UWAGA: Pozycja 6A005.c.1 obejmuje "lasery" tytanowo-szafirowe (Ti: AL₂O₃), tul- YAG (Tm: YAG), tul - YSGG (Tm: YSGG), aleksandrytowe (CR: BeAL₂O₄) oraz "lasery" barwnikowe.

a. Długość fali wyjściowej poniżej 600 nm oraz:

1. Energia wyjściowa powyżej 50 mJ na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 1 W; lub

2. Przeciętna lub ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 1 W;

b. Długość fali wyjściowej 600 nm lub większa ale nie przekraczająca 1 400 nm oraz:

1. Energia wyjściowa powyżej 1 J na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 20W; lub

2. Przeciętna lub ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 20 W; lub

c. Długość fali wyjściowej powyżej 1 400 nm

oraz:

1. Energia wyjściowa powyżej 50 mJ na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 1 W; lub

2. Przeciętna lub ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 1 W;

2. Następujące "lasery nieprzestrajalne:

UWAGA: Pozycja 6A005.c.2 obejmuje kontrolą "lasery" na ciele stałym z przemianą atomową.

a. "Lasery" rubinowe o energii wyjściowej powyżej 20 J na impuls;

b. Następujące "lasery" ze szkła neodymowego:

1. "Lasery modulowane dobrocią" posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Energia wyjściowa powyżej 20 J, ale nie więcej niż 50 J na impuls i przeciętna moc wyjściowa powyżej 10 W; lub

b. Energia wyjściowa powyżej 50 J na impuls;

2."Lasery nie modulowane dobrocią" posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Energia wyjściowa powyżej 50 J, ale nie więcej niż 100 J na impuls i przeciętna moc wyjściowa powyżej 20 W; lub

b. Energia wyjściowa powyżej 100 J na impuls;

c. Następujące "lasery" z domieszką neodymu (z wyjątkiem szkła) z falą wyjściowa o długości powyżej 1 00 nm ale nie dłuższą niż 1 100 nm;

UWAGA: "Lasery z domieszką neodymową (inną niż szkło), o długości fali wyjściowej niewiększych niż 1000 nm lub powyżej 1 100 nm, ujęto w pozycji 6A005.c.2.d.

1. Wzbudzane impulsowo, z blokada trybu działania, "Lasery modulowane dobrocią" o szerokości impulsu" poniżej 1 ns oraz:

a. Mające "moc szczytowa" powyżej 5 GW;

b. Mające przeciętną moc wyjściową powyżej 10 W; lub

c. Energię impulsu powyżej 0,1 J;

2. Wzbudzone impulsowo "Lasery modulowane dobrocią" o "szerokości impulsu" równej albo większej niż 1 ns oraz:

a. sygnale wyjściowym w trybie pojedynczego przejścia poprzecznego

1."Mocy szczytowej" powyżej 100MW;

2. Przeciętnej mocy wyjściowej powyżej 20 W; lub

3. Energii impulsu powyżej 2J; lub

b. sygnale wyjściowym w trybie wielokrotnego przejścia poprzecznego i:

1. "Mocy szczytowej" powyżej 200 MW:

2. Przeciętnej mocy wyjściowej powyżej 50 W; lub

3. Energii impulsu powyżej 2 J;

3. Wzbudzane impulsowo "lasery innego typu niż modulowane dobrocią", posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Wyjście w trybie pojedynczego przejścia poprzecznego I:

1."Mocy szczytowej" powyżej 500 kW; lub

2. Przeciętnej mocy wyjściowej powyżej 150 W; lub

b. Wyjście w trybie wielokrotnego przejścia poprzecznego i:

1. "Mocy szczytowej" powyżej 1 MW:

lub

2. Przeciętnej mocy wyjściowej powyżej 500 W;

4. "Lasery" o wzbudzeniu ciągłym posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

a. Wyjście w trybie pojedynczego przejścia poprzecznego i:

1. "Mocy szczytowej" powyżej 500 kW; lub

2. Przeciętnej lub ciągłej (CW) mocy wyjściowej powyżej 150 W; lub

b. Wyjście w trybie wielokrotnego przejścia poprzecznego i:

1. "Mocy szczytowej" powyżej 1 MW:

lub

2. Przeciętnej lub ciągłej (CW) mocy wyjściowej powyżej 500 W;

d. Inne "lasery" nieprzestrajalne posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Długość fali wyjściowej poniżej 150 nm oraz:

a. Energia wyjściowa powyżej 50 mJ na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 1 W; lub

b. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 1 W;

2. Długość fali wyjściowej 150 nm lub więcej ale nie powyżej 800 nm oraz:

a. Energia wyjściowa powyżej 1,5 J na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 30 W; lub

b. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 30 W;

3. Następujące lasery o długości fali wyjściowej powyżej 800 nm ale nie powyżej 1 400 nm:

a. "Lasery modulowane dobrocią" o następujących parametrach:

1. Energia wyjściowa powyżej 0,5 J na impuls i "moc szczytowa: impulsu powyżej 50 W: lub

2. Przeciętna moc wyjściowa powyżej:

a. Dla "laserów" pracujących w trybie pojedynczym 10 W;

b. Dla "laserów" pracujących w trybie wielokrotnym 30 W;

b. "Lasery nie modulowane dobrocią" o następujących parametrach:

1. Energia wyjściowa powyżej 2 J na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 50 W; lub

2. Przeciętna lub ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 50 W; lub

4. Długość fali powyżej 1 400 nm oraz:

a. Energia wyjściowa powyżej 100 mJ na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 1 W; lub

b. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 1 W;

d. "Lasery" barwnikowe i inne ciecze, posiadające jedna z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Długość fali wyjściowej poniżej 150 nm oraz:

a. Energia wyjściowa powyżej 50 mJ na impuls i "moc szczytowa impulsu" powyżej 1 W; lub

b. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 1 W;

2. Długość fali 150 nm lub więcej, ale nie powyżej 800 nm oraz:

a. Energia wyjściowa powyżej 1,5 J na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 20 W;

lub

b. Przeciętna lub ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 20 W; lub

c. Impulsowy pojedynczy oscylator podłużny o przeciętnej mocy wyjściowej powyżej 1 W i częstotliwości powtarzania impulsów 1 kHz w przypadku gdy "szerokość impulsu" wynosi poniżej 100 ns;

3. Długość fali powyżej 800 nm ale nie więcej niż 1 400 nm oraz:

a. Energia wyjściowa powyżej 0,5 J na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 10 W

lub

b. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 10 W; lub

4. Długość fali powyżej 1 400 nm oraz:

a. Energia wyjściowa powyżej 100 mJ na impuls i "moc szczytowa" impulsu powyżej 1 W; lub

b. Przeciętna albo ciągła (CW) moc wyjściowa powyżej 1 W;

e. "Lasery" ze swobodnymi elektronami;

f. Następujące elementy:

1. Zwierciadła chłodzone czynnie albo z pomocą termicznej chłodnicy rurkowej;

Uwaga techniczna:

Chłodzenie czynne jest technika chłodzenia elementów optycznych za pomocą cieczy przepływającej pomiędzy powierzchnia optyczną a dodatkowa (zazwyczaj znajdująca się w odległości poniżej 1 mm od powierzchni optycznej), wskutek czego następuje odprowadzenie ciepła z powierzchni optycznej.

2. Zwierciadła optyczne albo przepuszczalne lub częściowo przepuszczalne elementy optyczne lub "elektrooptyczne specjalnie przeznaczone do "laserów" objętych kontrolą;

g. Następujące urządzenia optyczne:

1. Dynamiczne urządzenia pomiarowe do czoła fali (faza) umożliwiające mapowanie co najmniej 50 położeń na czole wiązki falowej charakteryzujące się następującymi parametrami:

a. Szybkość analizy obrazów równa lub wyższa niż 100 Hz oraz dyskryminacja fazy na co najmniej 5% długości fali wiązki; lub

b. Szybkość analizy obrazów równa lub wyższa niż 1 000 Hz i dyskryminacja fazy na co najmniej 20% długości fali wiązki;

2. "Laserowe" urządzenia diagnostyczne umożliwiające pomiar błędów sterowania położeniem kątowym "Systemów Laserowych Bardzo Wysokiej Mocy" (SHPL) z dokładnością równą lub lepszą niż 10 mikroradianów;

3. Urządzenia optyczne, zespoły lub elementy specjalnie przeznaczone do systemów "SHPL" w formie zespołów fazowych w celu sterowania wiązkami koherentnymi z dokładnością Lambda/10 dla określonej długości fali, lub 0,1 mikrometra, w zależności od tego, która z tych wielkości jest mniejsza;

4. Teleskopy projekcyjne specjalnie przeznaczone do systemów SHPL.

6A006 Następujące "magnetometry", "mierniki gradientu magnetycznego", "mierniki gradientu magnetycznego własnego" i systemy kompensacji oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy:

UWAGA: Pozycja 6A006 nie obejmuje kontrolą instrumentów specjalnie przeznaczonych do pomiarów biomagnetycznych do celów diagnostycznych w medycynie, o ile nie ma w nich czujników objętych kontrolą według pozycji 6A006.h.

a. "Magnetometry", w których zastosowano techniki "nadprzewodnictwa", pompowania optycznego lub precesji jądrowej (proton/Overhauser), charakteryzujące się "poziomem szumów" (czułością) niższym (lepszą) niż 0,05 nT (średnia wartość kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz;

b. "Magnetometry" z cewką indukcyjną, charakteryzujące się "poziomem szumów" (czułością) poniżej (lepszą) niż:

1. 0,05 nT (średnia wartość kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz w zakresie częstotliwości poniżej 1 Hz;

2. 1 * 10^-3 nT (średnia wartość kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz w zakresie częstotliwości 1 Hz lub powyżej, ale nie przekraczających 10 Hz; lub

3. 1 * 10^-4 nT (średnia wartość kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz w zakresie częstotliwości powyżej 10 Hz;

c. "Magnetometry" światłowodowe charakteryzujące się "poziomem szumów" (czułością) poniżej (lepszą) niż 1 nT (średnia wartość kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz;

d. "Mierniki gradientu magnetycznego", w których zastosowano pewną liczbę "magnetometrów" objętych kontrolą według pozycji 6A006.a, b lub c

e. Światłowodowe "mierniki gradientu magnetycznego własnego" charakteryzujące się "poziomem szumów" gradientu pola magnetycznego (czułość) niższym (lepszą) niż 0,3 nT/m (średnia wartość kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz;

f. "Mierniki gradientu magnetycznego własnego", w których zastosowano inną technikę niż światłowodowa, charakteryzujące się "poziomem szumów" gradientu pola magnetycznego (czułość) niższym (lepszą) niż 0,015 nT/m (średnia wartość kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz;

g. Systemy kompensacji magnetycznej do czujników magnetycznych przeznaczonych do działania na ruchomych platformach;

h. Następujące "nadprzewodzące" czujniki elektromagnetyczne zaopatrzone w elementy wykonane z materiałów nadprzewodzących:

1. Przeznaczone do działania w temperaturach poniżej "temperatury krytycznej" co najmniej jednego z ich elementów "nadprzewodzących" (włącznie z urządzeniami, których działanie jest oparte na zjawisku Josephsona lub urządzeniami nadprzewodzącymi działającymi na zasadzie interferencji kwantowej (SQUIDS));

2. Przeznaczone do wykrywania zmian pola elektromagnetycznego z częstotliwościami 1 kHz lub mniejszymi: oraz

3. Charakteryzujące się jedną z wymienionych poniżej właściwości:

a. Wyposażone w cienkowarstwowe elementy SQUIDS o minimalnym wymiarze charakterystycznym poniżej 2 mikrometrów zaopatrzone w odpowiednie wejściowe i wyjściowe obwody sprzęgające;

b. Przeznaczone do działania w przypadku szybkości zmian pola magnetycznego powyżej 1 * 10⁶ strumienia magnetycznego na sekundę;

c. Przeznaczone do działania w ziemskim polu magnetycznym bez ekranowania magnetycznego: lub

d. Mające współczynnik temperaturowy poniżej (mniejszy) niż 0,1 strumienia magnetycznego/K.

6A007 Następujące grawimetry i mierniki gradientu pola grawitacyjnego:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 6A107

a. Grawimetry do pomiarów naziemnych o dokładności statycznej poniżej (lepszej) 10 mikrogalów;

UWAGA: Pozycja 6A007.a nie obejmuje kontrolą grawimetrów do pomiarów naziemnych z elementem kwarcowym (Wordena).

b. Grawimetry do stosowania na ruchomych platformach w warunkach naziemnych, morskich, podwodnych, w przestrzeni kosmicznej lub w lotnictwie charakteryzujące się następującymi parametrami:

1. Dokładność statyczna poniżej (lepsza) 0,7 miligala; oraz

2. Dokładność eksploatacyjna (robocza) poniżej (lepsza) 0,7 miligala przy czasie do ustalenia warunków rejestracji poniżej 2 minut bez względu na sposób kompensacji oddziaływań ubocznych i wpływu ruchu;

c. Mierniki gradientu pola grawitacyjnego.

6A008 Systemy, urządzenia i zespoły radarowe o jednej z wymienionych poniżej cech charakterystycznych oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 6A108

UWAGA: Pozycja 6A008 nie obejmuje kontrolą następujących obiektów:

a. Pomocniczych radarów kontroli rejonu (SSR);

b. Radarów samochodowych ostrzegających przed zderzeniami;

c. Wyświetlaczy i monitorów stosowanych w kontroli ruchu powietrznego o nie więcej niż 12 rozróżnialnych elementach na mm.

d. Radarów meteorologicznych (do kontroli pogody).

a. Działające w zakresie częstotliwości od 40 GHz do 230 GHz i charakteryzujące się przeciętną mocą wyjściową powyżej 100 mW;

b. Umożliwiające przestrajanie pasma częstotliwości w zakresie powyżej ± 6,25 % od środkowej częstotliwości roboczej:

Uwaga techniczna:

Środkowa częstotliwość robocza równa się połowie sumy najwyższych i najniższych nominalnych częstotliwości roboczych.

c. Zdolne do równoczesnego działania na dwóch lub więcej częstotliwościach nośnych;

d. Zdolne do działania w trybie z syntezą apertury (SAR), z odwróconą syntezą apertury (ISAR) albo jako radiolokatory pokładowe obserwacji bocznej (SLAR);

e. Zaopatrzone w "sterowany elektronicznie fazowany układ antenowy";

f. Zdolne do określania wysokości nie powiązanych ze sobą celów;

UWAGA: Pozycja 6A008.f nie obejmuje kontrolą urządzeń radiolokacyjnych dokładnej kontroli podejścia do lądowania (PAR) odpowiadających standardom ICAO;

g. Przeznaczone specjalnie dla lotnictwa (zainstalowane na balonach lub samolotach) i mające możliwość przetwarzania sygnałów dopplerowskich w celu wykrywania obiektów ruchomych:

h. Zdolne do przetwarzania sygnałów radiolokacyjnych następującymi technikami:

1. "Rozproszonego widma radiolokacyjnego"; lub

2. "Regulacji częstotliwości sygnałów radiolokacyjnych";

i. Zapewniające działania naziemne o maksymalnym "zasięgu roboczym" powyżej 185 km;

UWAGA: Pozycja 6A008.i nie obejmuje kontrolą:

a. radarów kontroli łowisk rybackich;

b. radarowych instalacji naziemnych specjalnie przeznaczonych do kierowania ruchem lotniczym oraz "oprogramowania" specjalnie przeznaczonego do jego "użytkowania", pod warunkiem, że:

1. ich maksymalny "zasięg roboczy" wynosi co najwyżej 500 km;

2. skonfigurowano je w taki sposób, że umożliwiają transmisję danych o celach radarowych tylko w jedną stronę, od miejsca zainstalowania radaru do jednego lub więcej cywilnych ośrodków ATC (kierowania ruchem lotniczym).

3. nie zawierają żadnych elementów umożliwiających zdalne sterowanie szybkością przeszukiwania radaru z ośrodka ATC; oraz

4. mają być zainstalowane na stałe.

UWAGA: "Użytkowanie" "oprogramowania" musi być ograniczone do kodu wynikowego" i minimalnej ilości "kodu źródłowego" niezbędnej do zainstalowania, działania lub konserwacji.

j. Następujące radary "laserowe" lub optyczne (LIDAR'y):

1. "Klasy kosmicznej"; lub

2. Urządzenia, w których zastosowano koherentne heterodynowe lub homodynowe techniki wykrywania obiektów oraz charakteryzujące się rozdzielczością kątową poniżej (lepszą) niż 20 mikroradianów;

UWAGA: Pozycja 6A008.j nie obejmuje kontrolą urządzeń LIDAR'owych specjalnie przeznaczonych do badań lub do obserwacji meteorologicznych.

k. Wyposażone w podukłady do przetwarzania sygnałów techniką "kompresji impulsów", charakteryzujące się następującymi parametrami:

1. Wskaźnikiem "kompresji impulsów" powyżej 150; lub

2. Szerokością impulsu poniżej 200 ns: lub

l. Wyposażone w podukłady do przetwarzania danych umożliwiające:

1. "Automatyczne śledzenie celu" zapewniające, przy dowolnym położeniu kątowym anteny, przewidzenie położenia celu w okresie pomiędzy kolejnymi przejściami wiązki radiolokacyjnej;

UWAGA: Pozycja 6A008.I.1 nie obejmuje kontrolą układów ostrzegających przed możliwością zderzenia, wchodzących w skład systemów kontroli ruchu powietrznego albo morskiego lub portowego.

2. Obliczanie prędkości celu za pomocą radaru głównego, o nieperiodycznych (zmiennych) częstotliwościach przeszukiwania:

3. Przetwarzanie danych do automatycznego rozpoznawania typu (wychwytywanie cech charakterystycznych) i porównywania z charakterystycznymi parametrami znajdującymi się w bazie danych (w postaci długości fal albo obrazów) w celu identyfikacji obiektu; lub

4. Superponowanie (nakładanie) i korelację lub scalanie danych o celu z dwóch lub więcej "współpracujących czujników radarowych" "o różnym położeniu geograficznym" w celu wzmocnienia i wyodrębnienia celów.

UWAGA: Pozycja 6A008.1.4 nie obejmuje kontrolą systemów, urządzeń lub zespołów używanych do kontroli ruchu na morzu.

6A102 Detektory zabezpieczone przez promieniowaniem, różne od wymienionych w pozycji 6A002, stosowane w ochronie przed skutkami wybuchów jądrowych (np. impulsów elektromagnetycznych (EMP), promieniowania rentgenowskiego, kombinowanych efektów podmuchu i udaru termicznego) i znajdujące zastosowanie w "pociskach rakietowych", skonstruowane lub przystosowane w taki sposób, że są w stanie wytrzymać łączną dawkę promieniowania o wartości 5 x 10⁵ radów (Si).

Uwaga techniczna:

W pozycji 6A102 przez pojęcie detektora należy rozumieć urządzenie mechaniczne, elektryczne, optyczne lub chemiczne, do automatycznej identyfikacji i rejestracji takich bodźców, jak zmiany warunków otoczenia, np. ciśnienie lub temperatura, sygnał elektryczny lub elektromagnetyczny albo promieniowanie materiału radioaktywnego.

6A107 Specjalne podzespoły do mierników grawitacji i mierników gradientu pola grawitacyjnego wymienionych w pozycjach 6A007.b i c.

6A108 Następujące instalacje radarowe i śledzące, różne od wymienionych w pozycji 6A008:

a. Instalacje radarowe lub laserowe przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w instalacjach wymienionych w pozycjach 9A004 lub 9A104;

b. Następujące precyzyjne instalacje do śledzenia torów obiektów, znajdujące zastosowanie w "pociskach rakietowych":

1. Instalacje do śledzenia torów, wyposażone w translatory kodów współpracujące z instalacjami naziemnymi lub nadziemnymi albo satelitarnymi instalacjami nawigacyjnymi w celu pomiaru w czasie rzeczywistym położeń i prędkości obiektów w locie;

2. Radary kontroli obszaru powietrznego współpracujące z instalacjami śledzenia obiektów w zakresie optycznym i podczerwonym, posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

a. Rozdzielczość kątową lepszą niż 3 miliradiany (0,5 mils);

b. Zasięg 30 km lub większy z rozdzielczością odległości lepszą niż 10 m (średnia kwadratowa);

c. Dokładność ustalania prędkości lepsza 0d 3 m/s.

6A202 Lampy fotopowielaczowe o powierzchni fotokatody powyżej 20 cm² i czasie narastania impulsu katody poniżej 1 ns.

6A203 Następujące kamery filmowe i ich podzespoły, różne od wymienionych w pozycji 6A003:

a. Następujące kamery z wirującym zwierciadłem napędzanym mechanicznie oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły:

1. Kamery filmowe z mechanicznym kadrowaniem z szybkością powyżej 225.000 klatek zdjęciowych na sekundę

2. Kamery smugowe z prędkościami zapisu powyżej 0,5 mm na mikrosekundę;

Uwaga techniczna:

Do podzespołów kamer tego typu należą specjalnie skonstruowane elektroniczne elementy synchronizujące oraz specjalne zespoły wirników (składające się z turbinek, zwierciadeł i łożysk).

b. Następujące elektroniczne kamery i lampy smugowe i obrazowe:

1. Elektroniczne kamery smugowe o rozdzielczości czasowej 50 ns lub mniejszej oraz lampy smugowe do nich:

2. Kamery elektroniczne (albo z elektroniczną migawką) o czasie naświetlania 50 ns lub krótszym.

3. Następujące lampy obrazowe i półprzewodnikowe urządzenia obrazowe do kamer filmowych wymienionych w pozycji 6A203.b.2:

a. Lampy wzmacniające ogniskowanie obrazów zbliżeniowych, posiadające fotokatodę w postaci warstwy osadzonej na przezroczystej powłoce przewodzącej w celu zmniejszenia jej oporności;

b. Lampy wzmacniające na bramkach wykonanych w technologii SIT (silicon intensifier target), w których szybki układ umożliwia bramkowanie fotoelektronów z fotokatody przed ich uderzeniem w płytkę SIT:

c. Migawki elektrooptyczne z fotokomórkami działającymi na zasadzie efektu Kerra lub Pockela; lub

d. Inne lampy obrazowe oraz półprzewodnikowe urządzenia obrazowe o czasie bramkowania szybkich obrazów poniżej 50 ns, specjalnie przeznaczone do kamer filmowych wymienionych w pozycji 6A203.b.2.

c. Kamery telewizyjne zabezpieczone przed promieniowaniem, skonstruowane lub przystosowane w taki sposób, że są w stanie wytrzymać promieniowanie o natężeniu powyżej 5 x 10⁴ grays (Si)(5 x 10⁶ radów (Si)) bez pogorszenia możliwości eksploatacyjnych oraz specjalnie do nich przeznaczone soczewki.

6A205 Następujące "lasery" różne od wymienionych w pozycji 6A005:

a. Lasery na jonach argonu o przeciętnej mocy wyjściowej powyżej 40 W, pracujące w zakresie fal o długościach pomiędzy 400 nm a 515 nm:

b. Przestrajalne, impulsowe oscylatory barwnikowe pracujące w trybie pojedynczym, o następujących parametrach: przeciętnej mocy wyjściowej powyżej 1 W, częstotliwości powtarzania powyżej 1 kHz, impulsu o długości poniżej 100 ns i pracy w przedziale długości fal od 300 nm do 800 nm;

c. Przestrajalne, impulsowe wzmacniacze i oscylatory na laserach barwnikowych o następujących parametrach: przeciętnej mocy wyjściowej powyżej 30 W, częstotliwości powtarzania powyżej 1 kHz, szerokości impulsu poniżej 100 ns, i pracy w przedziale długości fal od 300 nm do 800 nm

z wyjątkiem:

Oscylatorów pracujących w trybie pojedynczym;

d. Impulsowe lasery na dwutlenku węgla o częstotliwości powtarzania powyżej 250 Hz, przeciętnej mocy wyjściowej powyżej 500 W, oraz szerokości impulsu poniżej 200 ns, pracujące w przedziale długości fal od 9000 nm do 11.000 nm;

e. Przekształtniki na parawodorze działające w paśmie Ramana, przeznaczone do pracy na fali 16-mikrometrowej z częstotliwością powtarzania powyżej 250 Hz.

6A225 Interferometry do pomiaru prędkości w zakresie powyżej 1 km/s w odstępach czasowych poniżej 10 mikrosekund (VISAR'y, doplerowskie interferometry laserowe (DLI), itp).

6A226 Następujące czujniki ciśnienia:

a. Czujniki wykonane z manganinu z przeznaczeniem do pomiaru ciśnień powyżej 100 kilobarów: lub

b. Kwarcowe przetworniki ciśnień do pomiarów ciśnień powyżej 100 kilobarów.

6B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

6B004 a. Urządzenia do pomiaru absolutnego współczynnika odbicia z dokładnością ± 0,1% wartości odbicia;

b. Urządzenia różne od optycznych urządzeń do pomiaru rozpraszania powierzchni, posiadające nie przysłoniętą aperturę o wielkości powyżej 10 cm, specjalnie przeznaczone do bezstykowych pomiarów optycznych figur o przestrzennych (nie planarnych) powierzchniach optycznych (profili) z dokładnością 2 nm lub większą (lepszą) na danym profilu.

Uwaga: Pozycja 6B004 nie obejmuje kontrolą mikroskopów.

6B005 Następujące, specjalnie opracowane albo zmodyfikowane urządzenia, włącznie z narzędziami, matrycami, uchwytami lub sprawdzianami, oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy i akcesoria:

a. Przeznaczone do produkcji i kontroli:

1. Magnetycznych zawirowywaczy do "laserów" na swobodnych elektronach;

2. Urządzeń fotoinicjujących do "laserów" na swobodnych elektronach;

b. Przeznaczone do strojenia, z wymaganą tolerancją, podłużnego pola magnetycznego w "laserach" na swobodnych elektronach.

6B007 Urządzenia do produkcji, strojenia i wzorcowania grawimetrów lądowych o dokładności statycznej lepszej niż 0,1 miligala:

6B008 Systemy do impulsowych pomiarów radarowego przekroju czynnego o szerokościach impulsu przesyłowego 100 ns lub mniejszych oraz specjalnie dla nich przeznaczone elementy.

6B108 Systemy specjalnie przeznaczone do pomiarów radarowego przekroju czynnego znajdujące zastosowanie w "pociskach rakietowych" i ich podzespołach.

6C Materiały

6C002 Czujniki optyczne

a. Tellur pierwiastkowy (Te) o poziomie czystości równym lub wyższym niż 99,9995 %;

b. Pojedyncze kryształy tellurku kadmu (CdTe), tellurku kadmu i cynku (kadmowo-cynkowego) (CdZnTe) lub tellurku kadmu i rtęci (kadmowo-rtęciowego) (CdHgTe) o dowolnym poziomie czystości, włącznie z wykonanymi z nich epitaksjalnymi płytkami;

c. "Półprodukty włókien optycznych" specjalnie przeznaczone do produkcji włókien o wysokiej dwójłomności objętych kontrolą według pozycji 6A00.2.d.3.

6C004 a. "Półprodukty podłoży" z selenku cynku (ZnSe) i siarczku cynku (ZnS) wytwarzane techniką osadzania z par lotnych:

1. O objętości powyżej 100 cm³; lub

2. O średnicy większej niż 80 mm i grubości równej lub większej niż 20 mm;

b. Kęsy następujących materiałów elektrooptycznych:

1. Arsenianu potasu i tytanylu (potasowo-tytanylowy) (KTA):

2. Selenku srebra i galu (srebrowo-galowy) (AgGaSe₂); lub

3. Selenku talu i arsenu (talowo-arsenowego) (TI₃AsSe₃, znanego również pod nazwę TAS);

c. Nieliniowe materiały optyczne o następujących parametrach:

1. Wrażliwość trzeciego rzędu (chi 3) równa lub mniejsza niż 1 W/m² i

2. Czas reakcji poniżej 1 ms;

d. "Półprodukty podłoży" z osadzonym węglikiem krzemu lub beryl-beryl (Be/Be) o średnicy lub długości osi głównej powyżej 300 mm;

e. Następujące materiały o niskim pochłanianiu optycznym:

1. Fluorki luzem zawierające składniki o czystości 99,999 % lub większej; lub

UWAGA: Pozycja 6C004.e.1 obejmuje kontrolą fluorki cyrkonu lub glinu i ich odmiany.

2. Szkło z fluorków luzem wykonane ze związków objętych kontrolą według pozycji 6C004.e.1:

f. Szkło, włącznie ze stopioną krzemionką, szkło fosforanowe, fluorofosforanowe, z fluorku cyrkonu (ZrF₄) i fluorku hafnu (HfF₄) o następujących właściwościach:

1. Stężenie jonów hydroksylowych (OH-) poniżej 5 ppm (części na milion):

2. Zawartość wtrąceń metalicznych poniżej 1 ppm: oraz

3. Wysoka jednorodność (wahania współczynnika załamania światła) poniżej 5 * 10^-6;

g. Wytwarzany syntetycznie materiał diamentowy o współczynniku pochłaniania poniżej 10^-5 cm^-l dla fal o długościach powyżej 200 nm, ale nie dłuższych niż 14.000 nm;

h. "Półprodukty włókien optycznych" wykonane z fluorków luzem zawierających składniki o czystości 99,999% lub lepszej, specjalnie przeznaczone do produkcji "włókien fluorkowych" objętych kontrolą według pozycji 6A004.f.

6C005 Następujące półprodukty do "laserów" na kryształach syntetycznych:

a. Szafir domieszkowany tytanem;

b. Aleksandryt.

6D Oprogramowanie

6D001 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń objętych kontrolą według pozycji 6A004, 6A005, 6A008 lub 6B008.

6D002 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "użytkowania" urządzeń objętych kontrolą według pozycji 6A002.b, lub 6A008 lub 6B008.

6D003 Następujące inne oprogramowanie:

a. 1. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do kształtowania wiązek akustycznych do przetwarzania w czasie rzeczywistym danych akustycznych pochodzących z pasywnego odbioru za pomocą holowanego zespołu hydrofonów;

2. "Kod źródłowy" do "przetwarzania w czasie rzeczywistym" danych akustycznych pochodzących z pasywnego odbioru za pomocą holowanego zespołu hydrofonów:

b. 1. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do systemów kompensacji magnetycznej do czujników magnetycznych przeznaczonych do pracy na ruchomych platformach;

2. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do wykrywania anomalii magnetycznych na ruchomych platformach:

c. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do korygowania wpływu oddziaływań związanych z ruchem na grawimetry i mierniki gradientu pola grawitacyjnego:

d. 1. "Programy" aplikacyjne "oprogramowania" do Kontroli Ruchu Powietrznego zainstalowane na komputerach ogólnego przeznaczenia w centrach Kontroli Ruchu Powietrznego, umożliwiające realizację jednej z wymienionych poniżej funkcji:

a. Przetwarzanie i wyświetlanie równocześnie ponad 150 "ścieżek systemowych";

b. Przyjmowanie danych radiolokacyjnych o obiektach z więcej niż czterech radarów pierwotnych; lub

c. Automatyczne przekazywanie danych o obiektach z radarów pierwotnych (w razie braku korelacji z danymi z radarów wtórnych (SSR)) z głównego centrum kierowania ruchem lotniczym (ATC) do innego ATC;

2. "Oprogramowanie" do projektowania lub "produkcji" kopuł anten radiolokatorów, które:

a. Są specjalnie przeznaczone do ochrony "sterowanych elektronicznie fazowanych układów antenowych" objętych kontrolą według pozycji 6A008.e; oraz

b. Ograniczają przeciętny poziom wzrostu listków bocznych do mniej niż 13 dB w pasmach częstotliwości 2 GHz lub wyższych.

6D102 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "użytkowania" "wyrobów" wymienionych w pozycji 6A108.

6D103 "Oprogramowanie" do obróbki (po zakończeniu lotu) danych zebranych podczas lotu za pomocą urządzeń wymienionych w pozycji 6A108.b, umożliwiające określenie położenia pojazdu w każdym punkcie toru jego lotu.

6E Technologia

6E001 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" urządzeń, materiałów lub "oprogramowania" objętych kontrolą według pozycji 6A, 6B lub 6C.

6E002 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "produkcji" urządzeń lub materiałów objętych kontrolą według pozycji 6A, 6B lub 6C.

6E003 Następujące inne technologie:

a. 1. "Technologie" wytwarzania i obróbki powłok na powierzchniach optycznych umożliwiające osiągnięcie jednorodności 99,5 % lub lepszej na powłokach optycznych o średnicy lub długości osi głównej wynoszącej 500 mm lub więcej i całkowitego współczynnika strat (pochłanianie i rozpraszanie) poniżej 5 * 10^-3;

2. Następujące technologie wytwarzania elementów optycznych :

a. Technologie seryjnej produkcji elementów optycznych z wydajnością powyżej 10 m² (pole powierzchni) na rok, na każde pojedyncze urządzenie produkcyjne, posiadających następujące cechy charakterystyczne:

1. Pole powierzchni powyżej 1 m²; oraz

2. Jakość powierzchni mierzoną jako średnia kwadratowa wynoszącą lambda/10 dla nominalnej długości fal;

b. Jednoostrzowe technologie diamentowania, umożliwiające wygładzanie powierzchni z dokładnością lepszą niż 10 nm (wartość średnia kwadratowa) na powierzchniach niepłaskich o polu powyżej 0,5 m²;

(UWAGA: Patrz również pozycja 2E003.d)

b. 1. "Technologie" wytwarzania filtrów optycznych z pasmem o szerokości równej lub mniejszej niż 10 nm, polu widzenia (FOV) powyżej 40° i rozdzielczości powyżej 0,75 par linii na miliradian;

2. "Technologie" "niezbędne" do "rozwoju", "produkcji" lub "użytkowania" instrumentów diagnostycznych lub obiektów w urządzeniach testujących specjalnie przeznaczonych do testowania instalacji "Urządzeń Laserowych Bardzo Wysokiej Mocy" (SHPL) albo testowania lub oceny materiałów napromienionych wiązką z tych systemów;

c. "Technologie" "niezbędne" do "rozwoju" lub "produkcji" "magnetometrów" lub systemów "magnetometrów" o poziomie szumów (średnia wartość kwadratowa):

1. Poniżej 0,05 nT (średnia kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz przy częstotliwościach poniżej 1 Hz; lub

2. 1 * 10^-3 nT (średnia kwadratowa) na pierwiastek kwadratowy z Hz przy częstotliwościach 1 Hz lub większych.

6E101 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "użytkowania" urządzeń lub "oprogramowania" objętych kontrolą według pozycji 6A002, 6A007.b i c, 6A008, 6A102, 6A107, 6A108, 6B108, 6D102 lub 6D103.

UWAGA: Pozycja ta obejmuje wyłącznie "technologie" do urządzeń wymienionych w pozycji 6A008 w razie jej przeznaczenia do stosowania w lotnictwie i możliwości zastosowania w "pociskach rakietowych".

6E201 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "użytkowania" urządzeń wymienionych w pozycjach 6A003, 6A005.a.l.c, 6A005.a.2.a, 6A005.c.l.b, 6A005.c.2.c.2, 6A005.c.2.d.2.b, 6A202, 6A203, 6A205, 6A225 lub 6A226.

KATEGORIA 7 - NAWIGACJA I AWIONIKA

7A Urządzenia, zespoły i elementy

7A001 Następujące przyspieszeniomierze przeznaczone do inercyjnych systemów nawigacji lub naprowadzania, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych, oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 7A101.

a. "Stabilność" "wychylenia wstępnego" poniżej (lepszą) 130 mikro g względem ustalonej wartości wzorcowej w okresie jednego roku;

b. "Stabilność" "współczynnika skalowania" poniżej (lepszą) niż 130 ppm względem ustalonej wartości wzorcowej w okresie jednego roku;

c. Przeznaczone do pracy przy przyspieszeniach na poziomie powyżej 100 g;

7A002 Giroskopy posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły.

UWAGA PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 7A102

a. "Stabilność" "pełnia zera", mierzona w warunkach przyspieszenia równego 1 g w okresie trzech miesięcy i w odniesieniu do ustalonej wartości wzorcowej, wynosząca:

1. Poniżej (lepsza) 0,1(0) na godzinę w przypadku przeznaczenia do ciągłego działania w warunkach przyspieszenia liniowego poniżej 10 h; lub

2. Poniżej (lepsza) 0,5(0) na godzinę w przypadku przeznaczenia do ciągłego działania w warunkach przyspieszenia liniowego od 10 g do 100 g włącznie;

b. Przeznaczone do działania w warunkach przyspieszeń liniowych o wartościach na poziomie powyżej 100 g.

7A003 Inercyjne systemy nawigacji (z zawieszeniem kardanowym lub innym) i urządzenia bezwładnościowe do pomiarów wysokości, naprowadzania lub sterowania oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 7A103

a. Do "samolotów":

1. Błąd nawigacji (inercja swobodna) 0,8 mili morskiej na godzinę (Koło Równego Prawdopodobieństwa (CEP) = 50%) lub mniej po prawidłowej regulacji;

2. Nie mające atestu władz lotnictwa cywilnego kraju członkowskiego do stosowania na "samolotach cywilnych"; lub

3. Przeznaczone do działania w warunkach przyspieszeń liniowych na poziomie powyżej 10g;

b. Do zastosowań lądowych lub do "statków kosmicznych":

1. Błąd nawigacji (inercja swobodna) 0,8 mili morskiej na godzinę (Krąg Równego Prawdopodobieństwa (CEP) = 50% lub mniejszy (lepszy) po prawidłowej regulacji; lub

2. Przeznaczone do działania w warunkach przyspieszeń liniowych na poziomie powyżej 10 g;

7A004 Giro-astrokompasy, i inne urządzenia umożliwiające określenie położenia lub orientację przestrzenną za pomocą automatycznego śledzenia ciał niebieskich lub satelitów, o dokładności azymutowej równej lub większej (lepszej) niż 5 sekund łuku.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 7A104.

7A005 Urządzenia odbiorcze Globalnego Satelitarnego Systemu Nawigacji (GPS) posiadające wymienione poniżej cechy charakterystyczne oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 7A105.

a. wyposażone w systemy kodujące i dekodujące;

lub

b. wyposażone w samoczynnie nastawne anteny;

7A006 Wysokościomierze lotnicze działające poza pasmem częstotliwości od 4,2 do 4,4 GHz włącznie, posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 7A106.

a. "Sterowana moc"; lub

b. Wyposażone w zespoły do modulacji z przesunięciem fazy.

(Automatyczne urządzenia do pilotażu pojazdów podwodnych ujęto w Kategorii 8, natomiast radary ujęto w Kategorii 6).

7A101 Akcelerometry, różne od wymienionych w pozycji 7A001- o wartości progowej 0,05 g lub mniejszej lub błędzie liniowości w granicach 0,25% pełnego zakresu pomiarowego, lub obu, przeznaczone do stosowania w inercyjnych systemach nawigacyjnych lub w dowolnego typu systemach naprowadzania oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły.

UWAGA: Pozycja 7A101 nie dotyczy akceleratorów specjalnie przeznaczonych i opracowanych jako Czujniki MWD (Measurement While Drilling - pomiar podczas wiercenia) stosowanych podczas prac wiertniczych.

7A102 Wszystkie typy giroskopów, różne od wymienionych w pozycji 7A002, nadające się do stosowania w "pociskach rakietowych", o "stabilności" pełzania zera" poniżej 0,5(0) (1 sigma lub średnia kwadratowa) na godzinę w warunkach przyspieszenia 1 g oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły.

7A103 Następujące instrumenty, urządzenia i systemy nawigacyjne, różne od wymienionych w pozycji 7A003, oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły:

a. Urządzenia inercyjne lub inne, w których zastosowano akceleratory lub giroskopy wymienione w pozycjach 7A001, 7A002, 7A101 lub 7A102, oraz systemy, w których znajdują się urządzenia tego typu;

b. Zintegrowane systemy samolotowych przyrządów pokładowych, zawierające stabilizatory giroskopowe lub automatycznego pilota, przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w systemach wymienionych w pozycjach 9A04

lub 9A104.,

7A104 Giro-astrokompasy i inne urządzenia, różne od wymienionych w pozycji 7A104, umożliwiające określanie położenia lub orientację przestrzenną za pomocą automatycznego śledzenia ciał niebieskich lub satelitów oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły.

7A105 Urządzenia odbiorcze Globalnego Satelitarnego Systemu Nawigacji (GPS) lub podobne satelitarne instalacje odbiorcze, różne od wymienionych w pozycji 7A005, umożliwiające uzyskanie informacji nawigacyjnych w podanych poniżej warunkach roboczych, oraz przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w instalacjach wymienionych w pozycjach 9A004 lub 9A104;

a. w warunkach poruszania się z prędkościami powyżej 515 m/s; oraz

b. na wysokościach powyżej 18 km.

7A106 Wysokościomierze, różne od wymienionych w pozycji 7A106, typu radarowego lub laserowego, przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w instalacjach wymienionych w pozycjach 9A004 lub 9A104.

7A115 Pasywne czujniki do określania namiaru na określone źródła fal elektromagnetycznych (namierniki) lub właściwości terenu, przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w instalacjach wymienionych w pozycjach 9A004 lub 9A104.

UWAGA: Pozycja ta obejmuje czujniki do następujących urządzeń:

a. do zobrazowania (mapowania) rzeźby terenu;

b. czujniki do tworzenia obrazów (zobrazowania);

c. interferometry.

7A116 Następujące instalacje sterowania lotem, przeznaczone do zmodyfikowania z przeznaczeniem do instalacji wymienionych w pozycjach 9A004 lub 9A104;

a. hydrauliczne, mechaniczne, elektrooptyczne, elektromechaniczne lub elektroniczne (fly-by-wire);

b. urządzenia do sterowania wysokością

7A117 "Instalacje do naprowadzania", znajdujące zastosowanie w "pociskach rakietowych", umożliwiające uzyskanie dokładności instalacji 3,33% zasięgu lub lepszej (np. "CEP" Krąg Równego Prawdopodobieństwa 10 km lub mniej w zasięgu 300 km).

7B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

7B001 Urządzenia do testowania, wzorcowania lub strojenia specjalnie przeznaczone do urządzeń objętych kontrolą według pozycji 7A, z wyjątkiem urządzeń do I i II Poziomu Obsługi.

Uwagi techniczne:

1. Poziom Obsługi I

Wykrycie awarii urządzenia nawigacji inercyjnej w samolocie i jej sygnalizowanie przez Jednostkę Sterowania i Wyświetlania (CDU) albo komunikat statusowy z odpowiedniego podukładu. Na podstawie instrukcji producenta można zlokalizować przyczyny awarii na poziomie wadliwego funkcjonowania liniowego elementu wymiennego (LRU). Następnie operator demontuje LRU i zastępuje do częścią zapasową.

2. Poziom Obsługi II

Uszkodzony LRU przekazuje się do warsztatu technicznego (u producenta lub operatora odpowiedzialnego za obsługę techniczną na Poziomie II). W warsztacie technicznym LRU poddaje się testom za pomocą różnych, odpowiednich do tego urządzeń, w celu sprawdzenia i lokalizacji uszkodzonego modułu warsztatowego zespołu wymiennego (SRA) odpowiedzialnego za awarię. Następnie demontuje się wadliwy SRA i zastępuje go zespołem zapasowym. Uszkodzony SRA (albo też kompletny LRU) wysyła się do producenta.

UWAGA Na poziomie Obsługi II nie przewiduje się demontażu ze SRA przyspieszeniomierzy ani też czujników giroskopowych objętych kontrolą.

7B002 Następujące urządzenia specjalnie przeznaczone do określania parametrów zwierciadeł do pierścieniowych giroskopów "laserowych":

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 7B102.

a. Urządzenia do pomiaru rozproszenia z dokładnością do 10 ppm lub większą (lepszą);

b. Profilometry o dokładności pomiarowej 0,5 nm (5 angstremów) lub większej (lepszej);

7B003 Następujące urządzenia specjalnie przeznaczone do produkcji urządzeń ujętych w pozycji 7A;

a. Stanowiska do dynamicznego wyważania giroskopów;

c. Stanowiska do testowania silniczków do giroskopów;

d. Stanowiska do ewakuacji powietrza i napełniania giroskopów;

e. Uchwyty odśrodkowe do łożysk do giroskopów;

f. Stanowiska do regulacji pozycji osi przyspieszeniomierzy.

7B102 Reflektometry specjalnie przeznaczone do wyznaczania charakterystyk zwierciadeł do giroskopów "laserowych", posiadające dokładność pomiarową 50 ppm lub większą (lepszą).

7B103 Specjalne "instalacje produkcyjne" do urządzeń wymienionych w pozycji 7A117.

7D Oprogramowanie

7D001 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń wymienionych w pozycji 7A lub 7B.

7D002 "Kod źródłowy do "użytkowania" wszelkich urządzeń do nawigacji inercyjnej lub Układów Informujących o Położeniu i Kursie (AHRS) (z wyjątkiem zawieszonych kardanowo układów AHRS) włącznie z inercyjnymi urządzeniami nie wymienionymi w pozycji 7A003 lub 7A004.

Uwaga techniczna: układy AHRS w istotny sposób różnią się od inercyjnych systemów nawigacji (NS), ponieważ układy te (AHRS) dostarczają podstawowych informacji o kursie i zazwyczaj nie dostarczają informacji o przyspieszeniu, prędkości i położeniu, jakich dostarcza układ INS.

7D003 Następujące inne "oprogramowanie":

a. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane w celu poprawy parametrów eksploatacyjnych lub zmniejszenia błędów nawigacyjnych systemów do poziomu określonego w pozycjach 7A003 lub 7A004;

b. "Kod źródłowy" do hybrydowych układów scalonych poprawiający parametry eksploatacyjne lub zmniejszający błędy nawigacyjne systemu do poziomu określonego w pozycji 7A003 poprzez ciągłą syntezę danych inercyjnych z jednymi z następujących danych nawigacyjnych:

1. Prędkością określaną za pomocą radaru dopplerowskiego;

2. Porównywaniem z danymi z Globalnego Satelitarnego Systemu Nawigacyjnego (GPS); lub

3. Informacjami z bazy danych o terenie;

c. "Kod źródłowy" do zintegrowanych systemów awionicznych lub systemów realizacji zadań bojowych, umożliwiający kombinowanie danych z czujników z danymi pochodzącymi z systemów eksperckich;

d. "Kod źródłowy" do "rozwoju":

1. Cyfrowych systemów sterowania lotem w celu optymalizacji toru lotu;

2. Zintegrowanych systemów sterowania napędem i lotem;

3. Systemów sterowania elektronicznego (fly-by-wire) i światłowodowego;

4. "Aktywnych systemów sterowania lotem", tolerujących błędy pilotażu lub mających możliwość samoczynnej rekonfiguracji;

5. Automatycznych lotniczych systemów namiarowych;

6. Systemów przyrządów pokładowych dostarczających danych dotyczących parametrów powietrza w locie na podstawie pomiarów powierzchniowych parametrów statycznych;

7. Przeziernikowych wyświetlaczy rastrowych lub trójwymiarowych.

7D101 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "użytkowania" urządzeń wymienionych w pozycjach 7A001 do 7A006, 7A101 do 7A106, 7A115, 7B002, 7B102 lub 7B103.

7D102 "Oprogramowanie scalające do urządzeń wymienionych w pozycjach 7A003 lub 7A103.

7D103 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do modelowania lub symulowania działania "instalacji do naprowadzania" wymienionych w pozycji 7A117 lub do ich konstrukcyjnego scalania z instalacjami wymienionymi w pozycjach 9A004 lub 9A104.

Uwaga: "Oprogramowanie" wymienione w pozycji 7D103 podlega kontroli, jeśli jest przeznaczone specjalnie do sprzętu wymienionego w pozycji 4A102.

7E Technologie

7E001 Technologie według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" urządzeń lub "oprogramowania" wymienionych w pozycjach 7A, 7B lub 7D.

7E002 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "produkcji" urządzeń wymienionych w pozycjach 7A lub 7B.

7E003 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do naprawy, regeneracji lub remontowania urządzeń wymienionych w pozycjach 7A001 do 7A004,

z wyjątkiem:

"Technologii" obsługi technicznej bezpośrednio związanych ze wzorcowaniem, usuwaniem lub wymianą uszkodzonych lub nie nadających się do użytku liniowych elementów wymiennych (LRU) i warsztatowych zespołów wymiennych (SRA) w "samolotach cywilnych" zgodnie z opisem w I lub w II Poziomie Obsługi.

(Patrz Uwagi Techniczne do 7B001)

7E004 Następujące inne "technologie":

a. Technologie do "rozwoju" lub "produkcji":

1. Lotniczych automatycznych urządzeń namiarowych pracujących w paśmie częstotliwości powyżej 5 MHz;

2. Systemów przyrządów pokładowych podających dane dotyczące parametrów powietrza w locie w oparciu wyłącznie o pomiary powierzchniowych parametrów statycznych, tj. dostarczane z konwencjonalnych sond do pomiarów parametrów powietrza;

3. Przeziernikowych wyświetlaczy rastrowych lub trójwymiarowych do "samolotów";

4. Inercyjnych systemów nawigacyjnych lub giro-astrokompasów wyposażonych w przyspieszeniomierze lub giroskopy objęte kontrolą według pozycji 7A001 lub 7A002;

b. Następujące technologie "rozwoju" "aktywnych systemów sterowania lotem" (włącznie z systemami elektronicznymi lub światłowodowymi do:

1. Projektowania konfiguracji połączeń wielokrotnych mikroelektronicznych elementów przetwarzających (do komputerów pokładowych) umożliwiających osiągnięcie "przetwarzania w czasie rzeczywistym" z przeznaczeniem do wprowadzania reguł sterowania;

2. Kompensacji reguł sterowania z uwzględnianiem położenia czujników lub obciążeń dynamicznych płatowca, tj. kompensacji z uwzględnieniem wibracji czujników lub zmian położenia czujników względem środka ciężkości;

3. Elektronicznego sterowania redundacją danych lub redundacją systemów w celu wykrywania błędów, tolerowania błędów, identyfikacji elementów niesprawnych drogą eliminacji lub zmiany konfiguracji;

UWAGA: Pozycja 7E04.b.3 nie obejmuje ograniczeniem wywozu "technologii" do projektowania redundacji fizycznej.

4. Sterowania lotem umożliwiającego przeprowadzenie w locie zmiany konfiguracji sterowania siłą i momentem w celu autonomicznego sterowania pojazdem powietrznym w czasie rzeczywistym;

5. Integracji systemu sterowania cyfrowego, danych z systemu nawigacyjnego i napędowego w jeden system cyfrowego kierowania lotem w celu optymalizacji toru lotu,

z wyjątkiem:

"rozwoju" technologii samolotowych przyrządów kontroli lotu, zintegrowanych wyłącznie z systemami nawigacyjnymi i podchodzenia do lądowania takimi jak VOR (radiolatarnia kierunkowa wysokiej częstotliwości), DME (radiodalmierz), ILS (system lądowania na przyrządy) lub MLS (mikrofalowy system lądowania);

6. Całkowicie autonomiczne cyfrowe systemy sterowania lotem lub wieloczujnikowe systemy księgowania realizacją zadań wyposażone w oparte na wiedzy systemy eksperckie;

(Technologię Całkowicie Autonomicznych Cyfrowych Systemów Sterowania Silnikami (FADEC) ujęto w Kategorii 9E993.a.10).

c. Następujące technologie "rozwoju" systemów do śmigłowców:

1. Wieloosiowe systemy sterowania elektronicznego i światłowodowego, w których połączono funkcje co najmniej dwóch z wymienionych poniżej systemów w jeden zespół sterowania:

a. System sterowania skokiem ogólnym;

b. System sterowania skokiem okresowym łopat;

c. System kierowania odchyleniem kursowym;

2. "Sterowane cyrkulacje (opływowo) systemy kompensacji momentu lub sterowania kierunkiem lotu";

3. Łopaty wirnika z "profilami" o zmiennej geometrii" opracowane do systemów umożliwiających niezależne sterowanie poszczególnymi łopatami.

7E101 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "użytkowania urządzeń wymienionych w pozycjach 7A001 do 7A006, 7A101 do 7A106, 7A115 do 7A117, 7B002, 7B003, 7B102, 7B103, 7D101 do 7D103.

7E102 Następujące "technologie" do ochrony podzespołów awioniki i elektrycznych przed impulsami elektromagnetycznymi (EMP) i groźbą zakłóceń elektromagnetycznych ze źródeł zewnętrznych:

a. "technologie" projektowania ekranowania;

b. "technologie" projektowania konfigurowania odpornych obwodów elektrycznych i podukładów;

c. "technologie" projektowania wyznaczania kryteriów zabezpieczania w odniesieniu do technologii wymienionych powyżej w pozycjach a. i b.

7E104 "Technologie" scalania danych z systemów sterowania lotem, naprowadzania i napędu w system zarządzania lotem w celu optymalizacji toru lotu rakiet.

KATEGORIA 8 - URZĄDZENIA OKRĘTOWE

8A Urządzenia, zespoły i elementy

8A001 Następujące pływające jednostki podwodne lub nawodne:

UWAGA: Status kontroli urządzeń do pojazdów podwodnych podano w następujących pozycjach:

Kategoria 5 "Ochrona Informacji" w zakresie szyfrujących urządzeń komunikacyjnych;

Kategoria 6 w zakresie czujników;

Kategoria 7 i 8 w zakresie urządzeń nawigacyjnych;

Kategoria 8.A. w zakresie urządzeń podwodnych.

a. Załogowe pojazdy podwodne na uwięzi przeznaczone do działania na głębokościach większych niż 1.000 m;

b. Załogowe, autonomiczne pojazdy podwodne:

1. Przeznaczone do"działań autonomicznych" i mające nośność stanowiącą:

a. 10% lub więcej ich wagi w powietrzu; oraz

b. 15 kN lub więcej;

2. Przeznaczone do działania na głębokościach większych niż 1.000 m; lub

3. a. Przeznaczone do załogi czteroosobowej lub liczniejsze;

b. Przeznaczone do"autonomicznego działania" przez 10 lub więcej godzin;

c. Mające "zasięg" 25 ub więcej mil morskich;

oraz

d. Mające długość 21 m lub mniejszą;

c. Bezzałogowe pojazdy podwodne bez uwięzi (swobodne):

1. Mające możliwość decydowania o kursie względem dowolnego systemu geograficznego bez bieżącej (w czasie rzeczywistym) pomocy człowieka;

2. Wyposażone w akustyczne kanały przesyłania danych lub poleceń; lub

3. Wyposażone w dłuższe niż 1000 m światłowodowe kanały przesyłania danych lub poleceń;

e. Oceaniczne urządzenia ratownicze o nośności powyżej 5 MN przeznaczone do ratowania obiektów z głębokości większych niż 250 m i mające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Dynamiczne systemy ustalania położenia zdolne do utrzymania położenia z dokładnością do 20 m względem danego punktu za pomocą systemu nawigacyjnego; lub

2. Systemy nawigacyjne działające względem dna morza i zintegrowane systemy nawigacyjne przeznaczone do działania na głębokościach większych niż 1.000 m, umożliwiające utrzymywanie położenia względem danego punktu z dokładnością do 10;

1. Pojazdy na poduszce powietrznej (odmiana z pełnym fartuchem bocznym) o maksymalnej prędkości obliczeniowej z pełnym obciążeniem powyżej 30 węzłów przy falach o wysokości 1,25 m (stan morza 3) lub wyższej, ciśnieniu powietrza w poduszce powyżej 3.830 Pa oraz stosunku masy pustej jednostki pływającej do całkowicie obciążonej poniżej 0,7;

g. Pojazdy na poduszce powietrznej (odmiana ze sztywnymi burtami) o maksymalnej prędkości obliczeniowej z pełnym obciążeniem powyżej 40 węzłów przy falach o wysokości 3,25 m (stan morza 5) lub większej;

h. Wodoloty wyposażone w aktywne systemy automatycznego sterowania położeniem płatów nośnych, o maksymalnej prędkości obliczeniowej z pełnym obciążeniem równej lub wyższej od 40 węzłów przy falach o wysokości 3,25 m (stan morza 5) lub większej;

i. Jednostki pływające o małym polu przekroju wodnicowego i:

1. Wyporności z pełnym obciążeniem powyżej 500 ton i maksymalnej prędkości obliczeniowej z pełnym obciążeniem powyżej 35 węzłów przy falach o wysokości 3,25 m (stan morza 5) lub większej; lub

2. Wyporności z pełnym obciążeniem powyżej 1.500 ton i maksymalnej prędkości obliczeniowej z pełnym obciążeniem powyżej 25 węzłów przy falach o wysokości 5 m (stan morza 6) lub większej;

Uwaga techniczna: Jednostkę pływającą o małym polu przekroju wodnicowego definiuje się według następującego wzoru; pole przekroju wodnicowego przy konstrukcyjnym zanurzeniu eksploatacyjnym mniejsze od 2 x (wyparta objętość przy konstrukcyjnym zanurzeniu eksploatacyjnymi)(2/3).

8A002 Następujące układy lub urządzenia:

UWAGA: Podwodne instalacje telekomunikacyjne przedstawiono w Kategorii 5 - Telekomunikacja.

a. Następujące systemy lub urządzenia, specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do pojazdów podwodnych, przeznaczonego do działania na głębokościach większych niż 1.000 m:

1. Obudowy ciśnieniowe lub kadłuby sztywne o maksymalnej średnicy wewnętrznej komory powyżej 1,5 m;

2. Silniki napędowe na prąd stały lub silniki odrzutowe;

3. Kable startowe i łączniki do nich, na bazie włókien optycznych i zaopatrzone w syntetyczne elementy wzmacniające;

b. Systemy specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do automatycznego sterowania ruchem urządzeń do pojazdów podwodnych objętych kontrolą według pozycji 8A001, korzystające z danych nawigacyjnych i wyposażone w serwomechanizmy sterujące ze sprzężeniem zwrotnym w celu umożliwienia pojazdowi:

1. Poruszania się w słupie wody w zasięgu 10 m od ściśle określonego punktu;

2. Utrzymania położenia w słupie wody w zasięgu 10 m od określonego punktu; lub

3. Utrzymania położenia w zasięgu do 1 m od kabla leżącego na dnie albo znajdującego się pod dnem morza;

c. Penetratory światłowodowe do kadłubów lub łączniki;

d. Następujące podwodne systemy wizyjne:

1. a. Instalacje telewizyjne (składające się z kamery, świateł, urządzeń monitorujących i do przesyłania sygnałów) o rozdzielczości granicznej mierzonej w powietrzu powyżej 500 linii i specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane w taki sposób, że można nimi zdalnie sterować z pojazdów podwodnych; lub

b. Podwodne kamery telewizyjne o rozdzielczości granicznej mierzonej w powietrzu powyżej 700 linii;

Uwaga techniczna: W telewizji, rozdzielczość graniczna jest miarą rozdzielczości poziomej, wyrażanej zazwyczaj jako maksymalna liczba linii mieszcząca się w wysokości obrazu, rozróżnianych na karcie testowej, określana według normy IEEE 208/1960 lub dowolnej normy stanowiącej jej odpowiednik.

2. Systemy, specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do zdalnego kierowania z pojazdu podwodnego, w których zastosowano techniki umożliwiające minimalizację zjawiska rozpraszania wstecznego, włącznie z iluminatorami o regulowanym zakresie lub systemami "laserowymi";

3. Bardzo czułe kamery telewizyjne (działające przy słabym oświetleniu) specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do działania pod wodą, wyposażone w:

a. Lampy do wzmacniania obrazów wymienione w pozycji 6A002.a.2; oraz

b. Siatki na elementach półprzewodnikowych z ponad 150.000 "aktywnych pikseli";

e. Aparaty fotograficzne specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania pod wodą, na błony filmowe formatu 35 mm lub większego, i:

1. Umożliwiające zapis na błonie komentarza w postaci danych ze źródła zewnętrznego względem aparatu fotograficznego;

2. Wyposażone w mechanizm automatycznej zmiany ogniskowej albo w mechanizm do zdalnej zmiany ogniskowej, specjalnie przystosowany do działania pod wodą;

3. Wyposażone w mechanizm do automatycznego korygowania ogniskowej; lub

4. Wyposażone w system automatycznego sterowania kompensacją o specjalnej konstrukcji umożliwiającej wykorzystanie obudowy kamery podwodnej na głębokościach większych niż 1.000 m;

f. Elektroniczne systemy tworzenia obrazów, specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania pod wodą, mające możliwość zapamiętania w postaci cyfrowej ponad 50 naświetlonych obrazów;

g. Następujące instalacje oświetleniowe, specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania pod wodą:

1. Stroboskopowe instalacje oświetleniowe o energii strumienia świetlnego powyżej 300 J na jeden błysk;

2. Instalacje oświetleniowe, w których światło wytwarza łuk argonowy, specjalnie przeznaczone do działania na głębokościach większych niż 1.000 m;

h. "Robot" (manipulatory) specjalnie przeznaczone do pracy pod wodą, sterowane za pomocą specjalnego, przechowywanego w pamięci, programu komputerowego:

1. Wyposażone w układy sterujące "robotem" dzięki informacjom z czujników mierzących siły lub momenty działające na obiekty zewnętrzne albo odległość do zewnętrznego obiektu, lub czujników dotykowych "robota" wyczuwających obiekt zewnętrzny; lub

2. Mające możliwość działania z siłą 250 N lub większą albo momentem 250 Nm lub większym, i do których budowy zastosowano stopy na osnowie tytanowej albo materiały "kompozytowe" na osnowie "włókien lub włókienek";

i. Zdalnie sterowane manipulatory przegubowe specjalnie przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do stosowania w pojazdach podwodnych i posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

1. Wyposażone w układy sterujące ruchem manipulatora na podstawie informacji z czujników mierzących moment lub siłę działającą na obiekt zewnętrzny albo z czujników dotykowych wyczuwających dotyk manipulatora do obiektu zewnętrznego; lub

2. Sterowane na zasadzie proporcjonalnego odtwarzania ruchów operatora albo za pomocą przechowywanego w pamięci programu komputerowego oraz posiadające 5 lub więcej stopni swobody ruchu;

UWAGA: Przy określaniu liczby stopni swobody ruchu bierze się pod uwagę wyłącznie te funkcje, w których wykorzystywane jest sterowanie proporcjonalne z pozycyjnym sprzężeniem zwrotnym lub sterowanie za pomocą specjalnego przechowywanego w pamięci programu komputerowego.

j. Następujące układy napędowe niezależne od dopływu powietrza, specjalnie przeznaczone do działania pod wodą:

1. Niezależnie od powietrza systemy napędowe z silnikami pracującymi według obiegu Braytona (Joula). Stirlinga lub Rankina, wyposażone w jeden z wymienionych poniżej układów:

a. Chemiczne układy oczyszczające lub absorbcyjne, specjalnie przeznaczone do usuwania dwutlenku węgla, tlenku węgla i cząstek stałych zawieszonych w gazie wydechowym z silnika pracującego w obiegu z recyrkulacją;

b. Specjalne układy przystosowane do pracy na gazach jednoatomowych;

c. Urządzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do tłumienia pod wodą szumów o częstotliwościach poniżej 10 kHz, lub specjalne urządzenia mocujące, osłabiające skutki wstrząsów; lub

d. Układy specjalnie przeznaczone do:

1. Prasowania produktów reakcji albo do regeneracji paliw;

2. Składowania produktów reakcji; oraz

3. Usuwania produktów reakcji w warunkach ciśnienia zewnętrznego 100 kPa lub większego;

2. Niezależne od powietrza systemy napędowe z silnikami wysokoprężnymi (bieg Diesla) wyposażone w jeden z wymienionych poniżej układów:

a. Chemiczne układy oczyszczające lub absorpcyjne, specjalnie przeznaczone do usuwania dwutlenku węgla, tlenku węgla i cząstek stałych zawieszonych w gazie wydechowym z silnika pracującego w obiegu z recyrkulacją;

b. Specjalne układy przystosowane do pracy na gazach jednoatomowych;

c. Urządzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do tłumienia pod wodą szumów o częstotliwościach poniżej 10 kHz, lub specjalne urządzenia mocujące osłabiające skutki wstrząsów; lub

d. Specjalne układy wydechowe o nieciągłym odprowadzaniu produktów spalania;

3. Niezależne od powietrza układy energetyczne na ogniwach paliwowych o mocy powyżej 2 kW, wyposażone w jeden z wymienionych poniżej układów:

a. Urządzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do tłumienia pod wodą szumów o częstotliwościach poniżej 10 kHz, lub specjalne urządzenia mocujące, osłabiające skutki wstrząsów; lub

b. Układy specjalnie przeznaczone do:

1. Prasowania produktów reakcji albo do regeneracji paliw;

2. Składowania produktów reakcji; oraz

3. Usuwania produktów reakcji w warunkach ciśnienia zewnętrznego 100 kPa lub większego;

k. Następujące fartuchy boczne poduszkowców, uszczelnienia i inne elementy montażowe:

1. Wytrzymałe na ciśnienia w poduszce powietrznej 3.830 Pa lub wyższe, działające przy falach o wysokości 1,25 m (stan morza 3) lub większej i specjalnie przeznaczone do pojazdów na poduszce powietrznej (odmiana z pełnym fartuchem bocznym) objętych kontrolą według pozycji 8A001.f;

2. Wytrzymałe na ciśnienia w poduszce powietrznej 6.224 Pa lub wyższe, działające przy falach o wysokości 3,.25 m (stan morza 5) lub większej i specjalnie przeznaczone do pojazdów na poduszce powietrznej (odmiana ze sztywnymi burtami) objętych kontrolą według pozycji 8A001.g;

1. Dmuchawy nośne o mocy nominalnej powyżej 400 kW, specjalnie przeznaczone do pojazdów na poduszce powietrznej objętych kontrolą według pozycji 8A001.f lub 8A001.g;

m. Pracujące w całkowitym zanurzeniu podkawitacyjne lub superkawitacyjne płaty wodne specjalnie przeznaczone do jednostek pływających objętych kontrolą według pozycji 8A001.h;

n. Układy aktywne specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do automatycznej kompensacji wywołanych działaniem wody ruchów jednostek pływających lub pojazdów objętych kontrolą według pozycji 8A001.f, g, h lub i;

o. 1. Następujące pędniki śrubowe lub układy przenoszenia napędu specjalnie przeznaczone do pojazdów poduszkowych (zarówno do odmian z pełnym fartuchem bocznym jak i ze sztywnymi burtami), wodolotów lub jednostek pływających o małym polu przekroju wodnicowego, objętych kontrolą według pozycji 8A001,f, g, h lub i;

a. Śruby napędowe superkawitacyjne, superwentylowane, częściowo zanurzone lub zanurzone niecałkowicie, o mocy nominalnej powyżej 7,5 MW;

b. Zespoły śrub napędowych przeciwbieżnych o mocy nominalnej powyżej 15 MW;

c. Układy napędowe, w których do uspokojenia przepływu, przez śruby zastosowano zawirowanie wstępne albo wylotowe;

d. Lekkie przekładnie redukcyjne o wysokim przełożeniu (współczynnik przełożenia K powyżej 300);

e. Wałowe układy przeniesienia napędu, składające się z elementów wykonanych z materiałów "kompozytowych", zdolne do przenoszenia mocy powyżej 1 MW;

2. Następujące pędniki śrubowe, generatory mocy lub układy przenoszenia napędu przeznaczone dla jednostek pływających;

a. Śruby napędowe o regulowanym skoku oraz zespoły piast do śrub o mocy nominalnej powyżej 30 MW;

b. Elektryczne silniki napędowe z wewnętrznym chłodzeniem cieczowym o mocy wyjściowej powyżej 2,5 MW;

c. "Nadprzewodnikowe" silniki napędowe albo elektryczne silniki napędowe z magnesami stałymi, o mocy wyjściowej powyżej 0,1 MW;

d. Wałowe układy przeniesienia napędu, których elementy są wykonane z materiałów "kompozytowych", zdolne do przenoszenia mocy powyżej 2 MW;

e. Wentylowane lub podobne napędy śrubowe o mocy nominalnej powyżej 2,5 MW;

3. Następujące układy do tłumienia szumów, przeznaczone dla jednostek pływających o wyporności 1.000 t lub wyższej:

a. Układy do tłumienia szumów, umożliwiające tłumienie dźwięków o częstotliwościach poniżej 500 Hz, składające się ze złożonych systemów montażowych służących do izolacji akustycznej silników wysokoprężnych, zespołów generatorów wysokoprężnych, turbin gazowych, zespołów generatorów gazowych, silników napędowych lub napędowych przekładni redukcyjnych, specjalnie przeznaczone do tłumienia dźwięków lub wibracji, mające masę stanowiącą ponad 30% masy urządzeń, na których mają być zamontowane;

b. Aktywne układy tłumienia lub eliminacji szumów albo łożyska magnetyczne, specjalnie przeznaczone do układów przenoszenia napędu, wyposażone w elektroniczne układy sterowania umożliwiające aktywne zmniejszanie wibracji urządzeń poprzez bezpośrednie generowanie do źródła dźwięków sygnałów tłumiących dźwięk i wibracje;

p. Strugowodne układy napędowe o mocy wyjściowej powyżej 2,5 MW, w których, w celu poprawy sprawności napędu lub zmniejszenia rozchodzącego się pod wodą wytworzonego dźwięku, pochodzącego z układu napędowego, zastosowano dysze rozbieżne oraz łopatki kierujące przepływem.

8E Technologie

8E001 Technologie według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń lub materiałów objętych kontrolą według pozycji 8A, 8B lub 8C;

8E002 Następujące inne technologie:

a. Technologie do "rozwoju", "produkcji",. napraw remontów lub modyfikacji (ponownej obróbki skrawaniem) śrub specjalnie w celu tłumienia generowanych przez nie wodą szumów;

b. Technologie do remontów lub modyfikacji urządzeń objętych kontrolą według pozycji 8A001 lub 8A002.b, j, o lub p.

KATEGORIA 9 - UKŁADY NAPĘDOWE, POJAZDY KOSMICZNE I ICH WYPOSAŻENIE

9A Urządzenia, zespoły i elementy

9A001 Następujące lotnicze silniki turbogazowe, w których zastosowano jedną z technologii objętych kontrolą według pozycji 9E003.a:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9A101.

a. Nie posiadające certyfikatu na instalowanie w określonym "samolocie cywilnym", w którym mają być zastosowane;

b. Nie posiadające certyfikatu "cywilnych władz lotniczych";

c. Przeznaczone do lotów z prędkościami powyżej Mach 1,2 przez ponad trzydzieści minut;

9A002 Turbogazowe silniki okrętowe o nominalnej mocy ciągłej określonej według normy ISO wynoszącej 24.245 kW lub więcej i zużyciu jednostkowym paliwa poniżej 0,219 kg/kWh w dowolnym punkcie roboczym w zakresie mocy od 35 do 100%, oraz specjalnie do nich przeznaczone zespoły i elementy;

UWAGA: Termin "turbogazowe silniki okrętowe" obejmuje również turbogazowe silniki przemysłowe lub lotnicze, przystosowane do napędzania jednostek pływających lub wytwarzania energii na jednostkach pływających.

9A003 Specjalne zespoły i elementy, w których zastosowano jedną z technologii objętych kontrolą według pozycji 9E003.a, do wymienionych poniżej turbogazowych silników napędowych:

a. Wymienione w pozycji 9A001; lub

b. Skonstruowane lub wyprodukowane w krajach nie znanych producentowi;

UWAGA: Pozycja 9A003 nie obejmuje kontrolą komór spalania dzbanowo-pierścieniowych pracujących w przeciętnych temperaturach na wylocie z komory spalania równych lub mniejszych niż 1.813 K (1.540(0)C).

9A004 Pojazdy kosmiczne lub "statki kosmiczne" (bez uwzględniania ich ładunku);

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9A104.

(Status kontroli wyrobów stanowiących ładunek użyteczny "statków kosmicznych" określono w odpowiednich Kategoriach.)

9A005 Rakietowe systemy napędowe na paliwo ciekłe zawierające jeden z systemów lub elementów wymienionych w pozycji 9A006;

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJE 9A105 i 9A119.

9A006 Następujące systemy lub elementy specjalnie przeznaczone do rakietowych układów napędowych na paliwo ciekłe:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJE 9A106 i 9A108.

a. Chłodziarki kriogeniczne, pokładowe pojemniki Dewara, kriogeniczne instalacje grzewcze lub urządzenia kriogeniczne specjalnie przeznaczone do pojazdów kosmicznych, umożliwiające ograniczenie strat cieczy kriogenicznych do poziomu poniżej 30% rocznie;

b. Pojemniki kriogeniczne lub pracujące w obiegu zamkniętym układy chłodzenia umożliwiające utrzymanie temperatur na poziomie 100 K (-173(0)C) lub mniejszym, przeznaczone do "samolotów" zdolnych do rozwijania prędkości powyżej Mach 3, do rakiet nośnych lub "statków kosmicznych";

c. Urządzenia do przechowywania lub transportu wodoru w formie mieszaniny fazy ciekłej ze stałą (zawiesiny);

d. Wysokociśnieniowe (powyżej 17,5 MPa) pompy turbinowe, ich elementy lub towarzyszące im gazowe lub pracujące w cyklu rozprężnym napędy turbinowe;

e. Wysokociśnieniowe (powyżej 10,6 MPa) komory ciągu silników rakietowych i dysze do nich;

f. Urządzenia do przechowywania paliw napędowych na zasadzie kapilarnej lub wydmuchowej (tj. 1 elastycznymi przeponami);

9A007 Systemy napędowe rakiet na paliwo stałe o następujących parametrach:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9A119.

a. 1. Impuls całkowity powyżej 1,1 MNs; lub

2. Impuls właściwy 2,4 kNs/kg lub większy w sytuacji wypływu z dyszy do otoczenia w warunkach istniejących na poziomie morza przy ciśnieniu w komorze wyregulowanym na poziomie 7 MPa;

b. 1. Udział masowy stopnia powyżej 88%; i

2. Procentowy udział składników stałych w paliwie powyżej 86%;

c. Zawierające dowolne elementy objęte kontrolą według pozycji 9A008;lub

d. Wyposażone w układy izolacyjne i wiążące paliwo, w których zastosowano bezpośrednio połączone konstrukcje silnikowe zapewniające silne połączenia mechaniczne lub elementy barierowe uniemożliwiające migrację chemiczną pomiędzy paliwem stałym, a stanowiącym osłonę materiałem izolacyjnym;

9A008 Następujące elementy przeznaczone do rakietowych układów napędowych na paliwo stałe:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9A108.

a. Układy izolacyjne i wiążące paliwo, w których zastosowano wykładziny zapewniające silne połączenia mechaniczne lub elementy barierowe uniemożliwiające migrację chemiczną pomiędzy paliwem stałym a stanowiącym osłonę materiałem izolacyjnym;

b. Wykonane z włókien nawojowych "kompozytowe" osłony silników o średnicy powyżej 0,61 m lub o wskaźnikach efektywności strukturalne (PV/W) powyżej 25 km;

Uwaga techniczna: Wskaźnik efektywności strukturalnej (PV/W) jest iloczynem ciśnienia wybuchu (P) i pojemności zbiornika (V) podzielonym przez całkowitą wagę zbiornika ciśnieniowego (W);

c. Dysze o ciągach powyżej 45 kN lub szybkości erozyjnego zużycia gardzieli poniżej 0,075 mm/s;

d. Dysze ruchome lub systemy sterowania wektorem ciągu za pomocą pomocniczego wtrysku płynów o następujących parametrach:

1. Ruchu okrężnym z odchyleniem kątowym powyżej +-5(0);

2. Kątowych obrotach wektora ciągu rzędu 20(0)/s lub większym; lub

3. Przyspieszeniach kątowych wektora ciągu rzędu 40(0)/s(2) lub większych;

Uwaga techniczna: Dla celów pozycji 9A007.d i 9A008.a silne wiązanie mechaniczne oznacza wytrzymałość wiązania równą lub większą niż wytrzymałość paliwa.

9A009 Hybrydowe systemy napędowe rakiet o następujących parametrach:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJE 9A109 i 9A119.

a. Impuls całkowity powyżej 1,1 MNs; lub

b. Ciąg powyżej 220 kN w warunkach próżni na wylocie;

9A010 Specjalne elementy lub struktury do rakiet nośnych lub systemów napędowych do rakiet nośnych, wytwarzane z "kompozytów" na "matrycy" metalowej, "kompozytów" organicznych, materiałów na "matrycy" ceramicznej lub wzmacnianych wiązaniami międzymetalicznymi, wymienionych w pozycji 1C007 lub 1C010.;

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJE 1A002 i 9A110.

9A011 Silniki strumieniowe, naddźwiękowe silniki strumieniowe lub silniki o cyklu kombinowanym oraz specjalnie do nich opracowane elementy.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJE 9A111 i 9A118.

9A101 Następujące lekkie silniki turboodrzutowe i turbowentylatorowe (w tym silniki turbinowe) nadające się do "pocisków rakietowych", różne od wymienionych w pozycji 9A101:

a. Silniki posiadające obie podane poniżej cechy charakterystyczne:

1. Wartość ciągu maksymalnego powyżej 1000N (uzyskiwania przed zamontowaniem) z wyłączeniem silników certyfikowanych przez instytucje cywilne, posiadających maksymalną wartość ciągu powyżej 8.890 B (uzyskiwaną przed zamontowaniem silnika); i

2. Jednostkowe zużycie paliwa 0,13 kg/N/godzina lub mniejsze (na poziomie morza w warunkach statycznych i standardowych); lub

b. Silniki przeznaczone do "pocisków rakietowych" albo zmodyfikowane w tym celu.

9A104 Rakiety meteorologiczne o zasięgu co najmniej 300 km.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9A004.

9A105 Następujące silniki rakietowe na paliwo ciekłe:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9A119.

a. Silniki rakietowe na paliwo ciekłe nadające się do "pocisków rakietowych", różne od wymienionych w pozycji 9A005 i posiadające całkowity impuls właściwy 1,2 MNs lub większy;

b. Silniki rakietowe na paliwo ciekłe nadające się do "pocisków rakietowych", o zasięgu 300 km lub większym, różne od wymienionych w pozycji 9A05 lub 9A105.a, i posiadające całkowity impuls właściwy 0,841 MNs lub większy;

9A106 Następujące systemy lub podzespoły, różne od wymienionych w pozycji 9A006, nadające się do stosowania w "pociskach rakietowych", specjalnie przeznaczone do układów napędowych rakiet na paliwo ciekłe:

a. Wykładziny ablacyjne (ciepłochronne) do komór ciągu lub spalania;

d. Dysze wylotowe do rakiet;

c. Podzespoły do sterowania wektorem ciągu;

Uwaga techniczna: Do sposobów sterowania wektorem ciągu wymienionych w pozycji 9A106.c należą np.:

1. Dysza giętka;

2. Wtrysk dodatkowy płynu lub gazu pomocniczego;

3. Ruchomy silnik lub dysza;

4. Odchylanie strumienia gazów wylotowych (łopatki lub sondy strumieniowej); albo

5. Używanie klapek oporowych.

d. Zespoły do sterowania przepływem płynnych i zawiesinowych paliw napędowych (w tym utleniaczy) oraz specjalnie przeznaczone do nich elementy, skonstruowane lub zmodyfikowane pod kątem eksploatacji w środowiskach, w których występują drgania o średniej wartości kwadratowej powyżej 10 g i o częstotliwości od 20 Hz do 2000 Hz.

UWAGA: Jedynymi wymienionymi w tym podpunkcie serwozaworami i pompami elektrohydraulicznymi są wyłącznie:

a. Serwozawory o objętościowym natężeniu przepływu 24 litrów na minutę lub większym przy ciśnieniu absolutnym 7 MPa lub większym i czasie reakcji roboczej poniżej 100 ms;

b. Pompy do paliw płynnych o prędkościach obrotowych na wale 8000 lub więcej obrotów na minutę lub o ciśnieniu wylotowym równym lub większym niż 7 MPa.

9A107 Silniki rakietowe na paliwo stałe nadające się do "pocisków rakietowych", o zasięgu 300 km lub większym, różne od wymienionych w pozycji 9A007 i posiadające całkowity impuls właściwy 0,841 MNs, lub większy.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9A119.

9A108 Następujące podzespoły, różne od wymienionych w pozycji 9A008, nadające się do "pocisków rakietowych", specjalnie przeznaczone do układów napędowych do rakiet na paliwo stałe:

a. Odsłony do silników rakietowych, "wykładziny wewnętrzne" i "izolacja" do nich;

b. Dysze do silników;

c. Podzespoły do sterowania wektorem ciągu.

Uwaga techniczna: Do sposobów sterowania wektorem ciągu wymienionych w pozycji 9A108.c np.:

1. Dysza giętka;

2. Wtrysk dodatkowy płynu lub gazu pomocniczego;

3. Ruchomy silnik lub dysza;

4. Odchylanie strumienia gazów wylotowych (łopatki lub sondy strumieniowe); albo

5. Używanie klapek oporowych.

9A109 Hybrydowe silniki rakietowe nadające się do "pocisków rakietowych", różne od wymienionych w pozycji 9A009, oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9A119.

9A110 Materiały kompozytowe, laminaty i wyroby z nich, różne od wymienionych w pozycji 9A010, przeznaczone specjalnie do systemów wymienionych w pozycjach 9A004 lub 9A104 lub podsystemów wymienionych w pozycjach 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106 do 9A108, 9A116 lub 9A119, oraz impregnowane za pomocą żywic materiały z włókien do prasowania laminatów zbrojonych oraz używane do nich przedformy z włókien metalizowanych, wykonane na matrycy organicznej albo metalowej, wzmacnianej włóknami lub włókienkami, posiadające wytrzymałość właściwą na rozciąganie większą od 7,62 x 10(4) oraz moduł właściwy większy niż 3,18 x 10(6)m.

UWAGA: Podpunkt 9A110 dotyczy wyłącznie tych materiałów do prasowania laminatów zbrojonych włóknami z tworzyw sztucznych, do których stosowane są żywice o temperaturze zeszklenia (T(9), po utrwaleniu powyżej 418 K (145(0)C), według normy ASTM d4065 lub jej odpowiednika.

9A111 Pulsacyjne silniki odrzutowe nadające się do "pocisków rakietowych" oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJE 9A011 i 9A118.

9A115 Następujące urządzenia i instalacje startowe, przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do systemów wymienionych w pozycjach 9A004 lub 9A104;

a. aparatura i urządzenia do manipulacji, sterowania, uruchamiania lub odpalania;

b. pojazdy do transportu, manipulacji, sterowania, uruchamiania i odpalania;

9A116 Następujące statki kosmiczne zdolne do lądowania na ziemi nadające się do "pocisków rakietowych" oraz przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do nich podzespoły:

a. Statki zdolne do lądowania na ziemi;

b. Osłony ciepłochłonne i elementy do nich wykonane z materiałów ceramicznych lub ablacyjnych;

c. Urządzenia pochłaniające ciepło i elementy do nich wykonane z lekkich materiałów o wysokiej pojemności cieplnej;

d. Urządzenia elektroniczne specjalnie przeznaczone do statków kosmicznych zdolnych do lądowania na ziemi;

9A117 Mechanizmy do łączenia stopni, mechanizmy do rozłączania stopni oraz mechanizmy międzystopniowe, nadające się do "pocisków rakietowych".

9A118 Urządzenia do regulacji spalania w silnikach, nadające się do "pocisków rakietowych" i do silników wymienionych w pozycjach 9A011 lub 9A111.

9A119 Pojedyncze stopnie do rakiet, nadające się do "pocisków rakietowych" o zasięgu 30 km lub większym, różne od wymienionych w pozycjach 9A005, 9A007, 9A105, 9A107 i 9A109.

9B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

9B001 Następujące specjalne urządzenia, oprzyrządowanie lub osprzęt do produkcji lub pomiaru wirujących i nieruchomych łopatek turbin lub bandaży do wirników:

a. Zautomatyzowane urządzenia do pomiaru grubości profili metodami niemechanicznymi;

b. Oprzyrządowanie, uchwyty lub urządzenia pomiarowe do wiercenia otworów technikami "laserowymi", wodnymi (za pomocą dysz) lub elektromechanicznymi albo elektroiskrowymi (ECM/EDM), objętymi kontrolą według pozycji 9E03.c;

c. Urządzenia umożliwiające kierunkowe krzepnięcie lub wytwarzanie pojedynczych kryształów;

d. Rdzenie lub powłoki ceramiczne;

e. Urządzenia lub oprzyrządowanie do wytwarzania rdzeni ceramicznych;

f. Urządzenia do ługowania rdzeni ceramicznych;

g. Urządzenia do przygotowywania woskowych modeli powłok ceramicznych;

h. Urządzenia do wypalania lub płomieniowego formowania powłok ceramicznych;

9B002 Pracujące w trybie bezpośrednim (w czasie rzeczywistym) systemy sterowania, oprzyrządowanie (włącznie z czujnikami) lub automatyczne systemy do zbierania i przetwarzania danych, specjalnie przeznaczone do "rozwoju" silników turbogazowych, ich zespołów lub elementów z zastosowaniem technologii objętych kontrolą według pozycji 9E003.a.

9B003 Urządzenia specjalnie przeznaczone do produkcji lub testowania uszczelnień szczotkowych w turbinach gazowych wirujących z prędkościami obrotowymi odpowiadającymi prędkości liniowej wierzchołka łopatki powyżej 335 m/s oraz specjalnie do nich przeznaczone części lub akcesoria;

9B004 Oprzyrządowanie, matryce lub uchwyty do zgrzewania dyfuzyjnego elementów turbin gazowych wykonanych z "nadstopu" lub tytanu;

9B005 Pracujące w trybie bezpośrednim (w czasie rzeczywistym) systemy sterowania, oprzyrządowanie (włącznie z czujnikami) lub automatyczne systemy do zbierania i przetwarzania danych, specjalnie przeznaczone do stosowania w wymienionych poniżej tunelach lub urządzeniach aerodynamicznych;

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9B105.

a. Tunelach aerodynamicznych do prędkości Mach 1,2 lub wyższych,

z wyjątkiem:

Tuneli przeznaczonych do celów edukacyjnych i wyposażonych w przestrzeń pomiarową (mierzoną w kierunku poprzecznym) o wymiarze poniżej 250 mm;

Uwaga techniczna: "Wymiar przestrzeni pomiarowej" w pozycji 9B005 oznacza średnicę okręgu lub bok kwadratu, albo najdłuższy bok prostokąta w najszerszym miejscu przestrzeni pomiarowej.

b. Urządzeniach symulujących warunki przepływu przy prędkościach powyżej Mach 5, włącznie z impulsowymi tunelami hiperdźwiękowymi, tunelami plazmowymi, rurami uderzeniowymi, tunelami gazowymi i rurami uderzeniowymi na gazy lekkie;

c. Tunelach lub urządzeniach aerodynamicznych, różnych od urządzeń z sekcjami dwuwymiarowymi, umożliwiających symulację przepływów, dla których wartość liczby Reynoldsa wynosi powyżej 25(*)10(6);

9B006 Sprzęt do badań akustycznych i wibracyjnych o specjalnej konstrukcji, w którym można wytwarzać ciśnienia akustyczne na poziomie 160 dB lub wyższe (odpowiadające 20 mikropaskalom) o mocy wyjściowej 4kW lub większej przy temperaturze w komorze pomiarowej powyżej 1273 K (1000(0)C) oraz specjalnie do niego przeznaczone przetworniki, czujniki tensometryczne, akcelerometry (przyspieszeniomierze), termopary lub grzejniki kwarcowe;

9B007 Urządzenia specjalnie przeznaczone do kontroli stanu silników rakietowych metodami nieniszczącymi (NDT), z wyłączeniem urządzeń do dwuwymiarowych badań rentgenowskich i badań za pomocą podstawowych metod chemicznych lub fizycznych;

(Urządzenia rentgenowskie ujęto w pozycji 3A001.e.5.)

9B008 Przetworniki specjalne przeznaczone do bezpośrednich pomiarów tarcia w warstwie przyściennej w badanym przepływie przy temperaturach spiętrzenia powyżej 833 K

9B009 Oprzyrządowanie specjalnie przeznaczone do wytwarzania elementów wirników silników turbinowych z proszków metali zdolnych do pracy przy poziomie naprężeń stanowiącym 60% jednostkowej wytrzymałości na rozciąganie (UTS) lub wyższym i temperaturach metalu wynoszących 873 K (600(0)C) lub wyższych.

9B105 Tunele aerodynamiczne do prędkości Mach 0,9 lub wyższych, nadające się do "pocisków rakietowych" oraz ich podzespołów.

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJA 9B005.

9B106 Następujące komory klimatyczne i komory bezechowe:

a. Komory klimatyczne umożliwiające symulowanie następujących warunków lotu:

1. Wibracji ze średniej wartości kwadratowej (RMS) 10 g lub wyższej w zakresie częstotliwości od 20 hZ do 2000 hZ i generujących siły o wartościach 5 kB lub wyższych; oraz

2. Warunków na wysokościach 15.000 m lub większych; lub

3. Temperatury co najmniej 223 K (-50(0)C) do 398 K (+ 125(0)C).

b. Komory bezechowe umożliwiające symulowanie następujących warunków lotu:

1. Warunków akustycznych, w których całkowity poziom ciśnienia akustycznego wynosi 140 dB lub więcej (co odpowiada 20 mikroPa) lub o mocy wyjściowej 4 kW lub większej; oraz

2. Warunków na wysokościach 15.000 m lub większych; lub

3. Temperatury co najmniej 223 K (-50(0)C) do 398 K (+ 125(0)C).

9B115 Specjalne "urządzenia produkcyjne" do systemów podsystemów i podzespołów wymienionych w pozycjach 9A005 do 9A009, 9A011, 9A101, 9A105 do 9A109, 9A111, 9A116, do 9A119.

9B116 Specjalne "instalacje produkcyjne" do systemów, podsystemów i podzespołów wymienionych w pozycjach 9A04 do 0A009, 9A011, 9A101, 9A104 do 9A109, 9A111, 9A116 do 9A119.

9B117 Stoiska do prób i stoiska badawcze do rakiet na paliwo stałe lub ciekłe lub do silników rakietowych, posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

a. Możliwość badania zespołów o ciągu powyżej 90kN; lub

b. Możliwość równoczesnego pomiaru składowych ciągu wzdłuż trzech osi.

9D Oprogramowanie

9D001 "Oprogramowanie" niezbędne do "rozwoju" urządzeń lub "technologii" objętych kontrolą według pozycji 9A, 9B lub 9E003;

9D002 "Oprogramowanie" niezbędne do "produkcji" urządzeń objętych kontrolą według pozycji 9A lub 9B.

9D003 Następujące "oprogramowanie" niezbędne do "użytkowania" całkowicie autonomicznych systemów cyfrowego sterowania silnikami (FADEC) w systemach napędowych objętych kontrolą według pozycji 9A lub urządzeniach objętych kontrolą według pozycji 9B:

a. "Oprogramowanie" działające w cyfrowych układach sterowania układami napędowymi, urządzeniach badawczych w przestrzeni kosmicznej lub w urządzeniach do badania silników lotniczych potrzebujących powietrza do spalania;

b. Odporne na uszkodzenia "oprogramowanie" stosowane w systemach FADEC do układów napędowych i związanych z nimi urządzeniach badawczych.

9D004 Następujące inne "oprogramowanie":

a. "Oprogramowanie" różne od wymienionego w pozycji 2D101, specjalnie przeznaczone do urządzeń do badań wibracji, w których stosowane są cyfrowe układy sterowania działające w czasie rzeczywistym, z indywidualnymi wzbudnicami (starterami) o maksymalnym ciągu powyżej 100 kN;

b. "Oprogramowanie" uwzględniające składowe sił lepkości w dwóch lub trzech wymiarach, przeznaczone do tuneli aerodynamicznych lub badań w locie, niezbędne do szczególnego modelowania przepływu w silnikach;

c. "Oprogramowanie" niezbędne do "rozwoju" lub "produkcji" całkowicie autonomicznych elektronicznych urządzeń badawczych działających w czasie rzeczywistym, opracowanych do silników lub elementów objętych kontrolą według pozycji 9A;

d. "Oprogramowanie" do badania turbogazowych silników lotniczych, zespołów lub elementów do nich, specjalnie przeznaczone do zbierania, redukcji i analizy danych w czasie rzeczywistym i zdolne do sterowania ze sprzężeniem zwrotnym, włącznie z dynamiczną regulacją elementów lub warunków badań w czasie trwania testów;

e. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do sterowania ukierunkowanym krzepnięciem lub wytwarzaniem pojedynczych kryształów;

f. "Oprogramowanie" w postaci "kodu źródłowego", "kodu wynikowego" lub kodu maszynowego, niezbędne do "użytkowania" systemów aktywnej kompensacji do regulacji luzu wierzchołkowego łopatek wirnikowych.

UWAGA: Pozycja 9D004.f nie dotyczy "oprogramowania" wchodzącego w skład nie objętych kontrolą urządzeń lub niezbędnego do czynności technicznych związanych ze wzorcowaniem lub naprawą albo aktualizacją aktywnie kompensowanych systemów regulacji luzu wierzchołkowego łopatek.

9D101 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "użytkowania" wyrobów wymienionych w pozycjach 9B105, 9B106, 9B116 lub 9B117.

9D103 "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do modelowania, symulowania lub integrowania konstrukcyjnego systemów wymienionych w pozycjach 9A004 lub 9A104, lub podsystemów wymienionych w pozycjach 9A005, 9A007, 9A105.a, 9A106, 9A108, 9A116 lub 9A119.

Uwaga: "Oprogramowanie" wymienione w pozycji 9D103 podlega kontroli również w przypadku stosowania go do specjalnego osprzętu wymienionego w pozycji 4A102.

9E Technologia

9E001 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" urządzeń lub "oprogramowania" objętego kontrolą według pozycji 9A001.c, 9A004 do 9A011, 9B lub 9D.

9E002 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "produkcji" urządzeń wymienionych w pozycjach 9A001.c, 9A004 do 9A011 lub 9B.

UWAGA: "Technologie" do "rozwoju" lub "produkcji" wymienione w pozycji 9E dotyczące silników turbogazowych podlegają kontroli, również w przypadku kiedy są stosowane jako technologie "użytkowania" do napraw, przebudowy i remontów.

Kontroli nie podlegają: dane techniczne, rysunki lub dokumentacja do czynności związanych z obsługą techniczną bezpośrednio dotyczącą wzorcowania, usuwania lub wymiany uszkodzonych lub niezdatnych do użytku elementów wymiennych, włącznie z całymi silnikami lub modułami silnikowymi.

(Technologię napraw objętych kontrolą konstrukcji, laminatów lub materiałów ujęto w pozycji 1E002.f.)

9E003 Następujące inne "technologie";

a. "Technologie" niezbędne do "rozwoju" lub "produkcji" następujących elementów i zespołów do silników turbogazowych:

1. Wytwarzanych techniką ukierunkowanego krzepnięcia łopatek wirujących do turbin gazowych, łopatek kierujących lub bandaży przystosowanych do pracy w strumieniu gazu o temperaturze powyżej 1 593 K (1 320(0)C);

2. Łopatek wirujących, łopatek nieruchomych lub bandaży wytwarzanych z pojedynczych kryształów;

3. Komór spalania pierścieniowo-dzwonowych pracujących w przeciętnych temperaturach na wylocie z palników powyżej 1 643 K(1 370(0)C), albo komór spalania wkładki do spalania, wkładki z niemetali lub niemetaliczne powłoki;

4. Elementów wytwarzanych z organicznych materiałów "kompozytowych", przeznaczonych do pracy w temperaturach powyżej 588 K (315(0)C), albo z materiałów "kompozytowych" na "matrycy" metalowej, z materiałów na "matrycy" ceramicznej lub materiałów ze wzmocnieniami międzymetalicznymi, objętych kontrolą według pozycji 1A002 lub 1C007;

5. Nie chłodzonych łopatek turbinowych, łopatek kierowniczych, bandaży lub innych elementów przeznaczonych do pracy w strumieniu gazu o temperaturach 1 323 K (1 050(0)C) lub wyższych;

6. Chłodzonych łopatek turbinowych, łopatek kierowniczych lub bandaży, innych niż wymienione w pozycjach 9E003.a.1 i 2, pracujących w strumieniu gazu o temperaturach 1 643 K (1 370(0)C) lub wyższych;

7. Połączeń profili łopatkowych z tarczą techniką zgrzewania dyfuzyjnego;

8. Elementów silników turbogazowych wytwarzanych techniką "zgrzewania dyfuzyjnego" objętą kontrolą według pozycji 2E003.b;

9. Wytrzymałe na uszkodzenia wirujących elementów silników turbogazowych, wytwarzanych techniką metalurgii proszkowej objętą kontrolą według pozycji 1C002.b;

10. Całkowicie autonomicznych cyfrowych systemów sterowania silnikami (FADEC) przeznaczonych do silników turbogazowych lub silników o kombinowanym cyklu roboczym oraz do ich odpowiednich elementów diagnostycznych, czujników i specjalnie skonstruowanych elementów;

11. Kanałów przepływowych o zmiennej geometrii i odpowiednich układów sterowania do:

a. Turbin do wytwornic gazów;

b. Turbin do napędu wentylatorów lub energetycznych;

c. Dysz napędowych;

UWAGI:

1. Do kanałów przepływowych o zmiennej geometrii oraz odpowiednich układów do sterowania nimi nie zalicza się wlotowych łopatek kierowniczych, wentylatorów o zmiennych skoku, zmiennych stójek ani zaworów upustowych w sprężarkach.

2. Pozycja 9E003.a.11 nie obejmuje kontrolą technologii do "rozwoju" lub "produkcji" kanałów o zmiennej geometrii opracowanych do odtwarzaczy ciągu.

12. Układów regulacji wielkości luzu wierzchołkowego według "technologii" obudowy z aktywną kompensacją, ograniczonych do baz danych dotyczących projektowania i rozwoju;

13. Łożysk gazowych do zespołów wirników do silników turbogazowych;

14. Drążonych (pustych w środku) wentylatorowych łopatek o dużej cięciwie, nie podpartych na części rozpiętości;

b. "Technologie" niezbędne do "rozwoju" lub "produkcji":

1. Modeli lotniczych do tuneli aerodynamicznych wyposażonych w czujniki nieinwazyjne zdolne do przenoszenia danych z czujników do systemu gromadzenia i przetwarzania danych;

2. Wykonanych z materiałów "kompozytowych" łopat śmigieł lub śmigłowentylatorów zdolnych do rozwijania mocy 2000 kW przy prędkościach lotu powyżej Mach 0,55;

c. "Technologie" niezbędne do "rozwoju" lub "produkcji" elementów turbogazowych, w których zastosowano techniki wiercenia za pomocą "laserów", dysz wodnych lub technikami elektromechanicznymi albo elektroiskrowymi (ECM/EDM) otworów o następujących parametrach:

1. a. Głębokości czterokrotnie większe od średnicy;

b. Średnie mniejsze od 0,76 mm; oraz

c. Kąt osi otworu równy lub mniejszy niż 25(0);

lub

2. a. Głębokości pięciokrotnie większe od średnicy;

b. Średnice mniejsze od 0,4 mm; oraz

c. Kąty osi otworu powyżej 25(0);

Uwaga techniczna: Dla celów pozycji 9E003.c, kąt osi otworu mierzy się od płaszczyzny stycznej do powierzchni profilu w punkcie, w którym oś otworu przebija powierzchnię profilu.

d. "Technologie" niezbędne do "rozwoju" lub "produkcji" układów przenoszenia napędu w śmigłowcach lub układów przenoszenia napędu w "samolotach" z odchylanymi wirnikami lub skrzydłami:

1. Zdolnych do pracy przy zaniku smarowania przez okres 30 minut lub dłuższy; lub

2. Mających stosunek mocy wejściowej do masy równy lub większy niż 8,87 kW/kg;

e. 1. "Technologie" do "rozwoju" lub "produkcji" pojazdów naziemnych napędzanych wysokoprężnymi silnikami tłokowymi o następujących parametrach:

a. Objętość komory silnikowej 1,2 m(3) lub mniejsza;

b. Całkowita moc użyteczna powyżej 750 kW, określana według normy 80/1269/EEC, ISO 2534 lub ich odpowiedników; oraz

c. Gęstość mocy powyżej 700 kW/m(3) pojemności komory silnikowej;

Uwaga techniczna: Pojemność komory silnikowej jest równa iloczynowi trzech prostopadłych do siebie wymiarów mierzonych w następujący sposób:

Długość: Długość wału korbowego od kołnierza przedniego do czoła koła zamachowego;

Szerokość: Największy z następujących wymiarów:

a. Odległość zewnętrzna od pokrywy zaworu do pokrywy zaworu;

b. Wymiary zewnętrznych krawędzi głowic cylindrów; lub

c. Średnica obudowy koła zamachowego;

Wysokość: Największy z następujących wymiarów:

a. Odległość osi wału korbowego od górnej płaszczyzny pokrywy zaworów (lub głowicy cylindrów) plus podwójny skok; lub

b. Średnica obudowy koła zamachowego.

2. "Technologie" "niezbędne" do "produkcji" następujących specjalnych elementów przeznaczonych do wysokociśnieniowych silników wysokoprężnych:

a. "Technologie" "niezbędne" do "produkcji" instalacji silnikowych wyposażonych we wszystkie następujące elementy wykonane z materiałów ceramicznych objętych kontrolą według pozycji 1C007:

1. Wkładki do cylindrów;

2. Tłoki;

3. Głowice cylindrów; oraz

4. Jeden albo więcej innych elementów (włącznie ze szczelinami wylotowymi, turbodoładowarkami, prowadnicami zaworów, zespołami zaworów lub izolowanymi wtryskiwaczami paliwa);

b. "Technologie" "niezbędne" do "produkcji" układów do turbodoładowania, wyposażonych w sprężarki jednostopniowe, mające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

1. Spręż (stopień sprężania) 4:1 lub wyższy;

2. Wydatek (masowe natężenie przepływu) w zakresie od 30 do 130 kg na minutę; oraz

3. Możliwość zmiany pola przepływu w zespole sprężarki lub turbiny;

c."Technologie" "niezbędne do"produkcji" instalacji wtryskowych paliwa ze specjalnymi układami wielopaliwowymi (np. wysokoprężnymi lub iskrowymi) w zakresie lepkości od paliw do silników wysokoprężnych (2,5 cSt w temperaturze 310,8 K (37,8(0)C), do paliw benzynowych (0,5 cSt w temperaturze 310,8 K (37,8(0)C), i posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

1. Objętość wtrysku powyżej 230 mm(3) na wtrysk na cylinder; oraz

2. Specjalnie skonstruowane elektroniczne zespoły sterujące, przeznaczone do automatycznego przełączania, za pomocą odpowiednich czujników, charakterystyk regulacyjnych w zależności od właściwości paliwa w celu utrzymania tej samej charakterystyki momentu obrotowego;

3. "Technologie" "niezbędne" do "rozwoju" lub "produkcji" wysokociśnieniowych silników wysokoprężnych ze smarowaniem cylindrów za pomocą smarów stałych, z fazy gazowej lub filmu cieczowego (lub metodą kombinowaną), umożliwiającym pracę silnika do temperatur powyżej 723 K (450(0)C), mierzonych na ściance cylindra w górnym położeniu górnego pierścienia tłokowego.

Uwaga techniczna: Wysokociśnieniowe silniki wysokoprężne: Silniki wysokoprężne (Diesla) o średnim ciśnieniu użytecznych 1,8 MPa lub wyższym przy prędkościach obrotowych 2300 obrotów na minutę, pod warunkiem, że ich prędkość nominalna wynosi 2300 obrotów na minutę lub więcej.

9E101 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" lub "produkcji" wyrobów wymienionych w pozycjach 9A101, 9A104, 9A111 lub 9A115 do 9A119.

9E102 "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "użytkowania " wyrobów wymienionych w pozycjach 9A004 do 9A011, 9A104 do 9A111, 9A115 do 9A119, 9B105, 9A106, 9B115, 9B116, 9B117, 9D101 lub 9D103.˙

DEFINICJE TERMINÓW UŻYWANYCH W WYKAZIE

1. "Adaptacyjny dynamiczny wybór trasy". (5)

Automatyczna zmiana trasy w ruchu telegraficznym na podstawie odbieranych i analizowanych informacji o bieżących warunkach w sieci.

Uwaga: Nie dotyczy to przypadków decyzji o zmianie trasy podejmowanych na podstawie określonych wcześniej informacji.

2. "Analizatory sygnałów" (3)

Urządzenia do pomiaru i pokazywania podstawowych parametrów sygnałów o jednej częstotliwości, będących składowymi sygnałów wieloczęstotliwościowych.

3. "Analizatory sygnałów (dynamiczne)" (3)

(Patrz "Dynamiczne analizatory sygnałów").

4. "Asynchroniczny tryb przesyłania (ATM)" (5)

Tryb przesyłania polegający na tym, że informacja jest organizowana w komórkach; asynchroniczność należy rozumieć w tym sensie, że rekurencja komórek zależy od wymaganej lub chwilowej szybkości transmisji bitów. (Zalecenia CCITT L. 113).

5. "Atomizacja gazowa" (1)

Proces rozpylania strumienia roztopionego stopu metalowego na kropelki o średnicy 500 mikrometrów lub mniejszej za pomocą strumienia gazu o wysokim ciśnieniu.

6. "Atomizacja próżniowa" (1)

Proces rozpylania strumienia roztopionego stopu metalowego na kropelki o średnicy 500 mikrometrów lub mniejszej poprzez szybkie uwolnienie rozpuszczonego gazu w warunkach podciśnienia.

7. "Atomizacja rotacyjna" (1)

Proces rozpylania strumienia lub jeziorka roztopionego stopu metalowego na kropelki o średnicy 500 mikrometrów lub mniejszej za pomocą siły odśrodkowej.

8. "Automatyczne śledzenie celu" (6)

Technika przetwarzania, umożliwiająca automatyczne określanie i podawanie ekstrapolowanej wartości najbardziej prawdopodobnego położenia celu w czasie rzeczywistym.

9. "Bezpośrednie wytłaczanie hydrauliczne" (2)

Technika odkształcania, w której stosowana jest napełniona płynem odkształcalna poduszka, działająca bezpośrednio na powierzchnię obrabianego przedmiotu.

10. "Będące własnością publiczną" (UOdT UOdO)

W odniesieniu do niniejszego dokumentu oznacza "technologię" lub "oprogramowanie" dostępne bez żadnych ograniczeń co do ich dalszego rozpowszechniania.

Uwaga: Ograniczenia wynikające z praw autorskich nie wpływają na uznanie "technologii" lub "oprogramowania" za "będące własnością publiczną".

11. "Bicie (odchylenie od właściwego ruchu)" (2)

Promieniowe przemieszczenie głównego wrzeciona w ciągu jednego obrotu, mierzone w płaszczyźnie prostopadłej do osi wrzeciona w punkcie znajdującym się na zewnętrznej lub wewnętrznej badanej powierzchni obrotowej. (Patrz: ISO 230 część 1-1986, paragraf 5.61).

12. "Bicie osiowe" (przesunięcie osiowe) (2)

Przemieszczenie osiowe wrzeciona głównego podczas jednego obrotu, mierzone w płaszczyźnie prostopadłej do czoła wrzeciona, w punkcie znajdującym się w pobliżu obwodu czoła wrzeciona (Patrz: ISO 230 Część 1-1986, paragraf 5.63)

13. "Bramka" (5)

Funkcja realizowana przez dowolną kombinację urządzeń i "oprogramowania", w celu dokonania przekształcenia stosowanych w jednym systemie konwencji reprezentowania, przetwarzania lub przekazywania informacji - na odpowiadające im, lecz odmienne konwencje stosowane w innym systemie.

14. "Całkowita gęstość prądu" (3)

Całkowita liczba amperozwojów w cewce (tj. suma liczby zwojów pomnożona przez maksymalne natężenie prądu przenoszone przez każdy zwój) podzielona przez całkowity przekrój poprzeczny cewki (składającej się z włókienek nadprzewodzących, matrycy metalowej, w której osadzone są włókienka nadprzewodzące, materiału stanowiącego obudowę, pewnej liczby kanałów chłodzących, itp.).

15. "Całkowita szybkość transmisji danych cyfrowych" (5)

Liczba bitów, włącznie z bitami kodowymi linii, bitami nieinformacyjnymi i podobnymi, przepływających w jednostce czasu pomiędzy odpowiednimi urządzeniami w cyfrowym systemie transmisji. (Patrz również "szybkość transmisji danych cyfrowych").

16. "Chwilowa szerokość pasma" (3 5)

Szerokość pasma, w którym moc wyjściowa pozostaje na stałym poziomie z dokładnością do 3 dB bez regulacji innych parametrów roboczych.

17. "Cyrkulacyjne układy równoważenia momentu lub cyrkulacyjne układy sterowania kierunkiem" (7)

Układy, w których przepływ powietrza wokół powierzchni aerodynamicznych jest wykorzystywany do zwiększenia powstających na nich sił albo do kierowania nimi.

18. "Czas przełączania częstotliwości" (3 5)

Maksymalny czas (tj. opóźnienie), jakiego potrzebuje sygnał przy przełączaniu się z jednej wybranej częstotliwości wyjściowej na inną, żeby osiągnąć:

a. Częstotliwość różniącą się o 100 Hz od częstotliwości końcowej; lub

b. Poziom wyjściowy różniący się o 1 dB od końcowego poziomu wyjściowego.

19. "Czas trwania impulsu" (6)

Czas trwania impulsu "lasera" mierzony na poziomie połowy natężenia pełnej szerokości (FWHI).

20. "Czas ustalania" (3)

Podczas przełączania przetwornika z jednego poziomu na drugi czas potrzebny do otrzymania na wyjściu wartości różniącej się o połowę bitu od wartości końcowej.

21. "Dane technologiczne" (UOdT UdTJ)

Danymi technologicznymi mogą być odbitki, plany, wykresy, modele, wzory, tabele, projekty techniczne i opisy, podręczniki i instrukcje w formie pisemnej lub zarejestrowanej na innych nośnikach lub urządzeniach, takich jak dyski, taśmy, pamięci wyłącznie do odczytu.

22. "Dokładność" (2)

Zazwyczaj określana w kategoriach niedokładności; Jest to maksymalne odchylenie, dodatnie albo ujemne, danej wartości od uznanej normy lub wartości prawdziwej (zazwyczaj określanej w kategoriach niedokładności).

23. "Dynamiczne analizatory sygnałów" (3)

"Analizatory sygnałów", w których zastosowano techniki cyfrowego próbkowania i przekształcania w celu utworzenia obrazu widma Fouriera danej postaci fali włącznie z informacjami o jej amplitudzie i fazie.

Uwaga: Patrz również "analizatory sygnałów"

24. "Działania autonomiczne" (8)

Prowadzenie działań w całkowitym zanurzeniu, bez chrap, ze wszystkimi systemami pracującymi i krążenie z minimalną prędkością umożliwiającą pojazdowi podwodnemu bezpieczne, dynamiczne regulowanie głębokości zanurzenia za pomocą wyłącznie swoich sterów głębokości, bez potrzeby wsparcia nawodnej jednostki pływającej lub bazy nawodnej, na dnie morza lub na wybrzeżu, i posiadanie układu napędowego pracującego pod albo nad wodą.

25. "Ekwiwalent borowy" (BE), definiowany w następujący sposób:

BE = CF x stężenie pierwiastka Z określane w ppm (częściach na milion)

gdzie CF jest współczynnikiem przeliczeniowym

γ_z * A_B

CF = -------------

γ_B * A_z

a gamma_B i gamma_z są przekrojami czynnymi na wychwyt neutronów termicznych (w barnach) odpowiednio dla boru i pierwiastka Z;

natomiast A_B i A_z są masami atomowymi, odpowiednio boru i pierwiastka Z;

26. "Element obliczeniowy" (CE) (4)

Najmniejsza jednostka obliczeniowa, której działanie daje wynik arytmetyczny lub logiczny.

27. "Element o podstawowym znaczeniu" (4)

Dany element jest "elementem o podstawowym znaczeniu", jeżeli wartość jego wymiany stanowi ponad 35% całkowitej wartości systemu, w którego skład wchodzi. Wartość elementu jest ceną płaconą za element przez producenta systemu lub przez firmę montującą system. Wartość całkowita jest zwykłą ceną sprzedaży osobom postronnym w miejscu produkcji lub w miejscu przygotowywania wysyłek towarów.

28. "Formowanie ekstrakcyjne z fazy stopionej" (1)

Technika "gwałtownego krzepnięcia" i ekstrahowania wyrobu stopowego podobnego do taśmy, polegająca na wkładaniu wirującego ochłodzonego bloku do kąpieli roztopionego stopu metalowego.

Uwaga: "Gwałtowne krzepnięcie": krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1 000 K/s.

29. "Formowanie rotacyjne z fazy stopionej" (1)

Technika "gwałtownego krzepnięcia" polegająca na uderzaniu strumienia roztopionego metalu na wirujący ochłodzony blok, wskutek czego powstaje wyrób w postaci płatków, wstęgi lub pręcików.

Uwaga: "Gwałtowne krzepnięcie": krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1 000 K/s.

30. "Formowanie w stanie nadplastycznym" (1 2)

Technika odkształcania termicznego metali, których wydłużenie całkowite, mierzone w temperaturze pokojowej tradycyjnymi technikami badania wytrzymałości na rozciąganie, w normalnych warunkach jest bardzo małe (poniżej 20%); jej celem jest co najmniej dwukrotne powiększenie wydłużeń podczas obróbki.

31. "Gęstość zastępcza" (6)

Masa elementu optycznego na jednostkę pola powierzchni optycznej rzutowanej na powierzchnię optyczną.

32. Globalny czas oczekiwania na przerwanie" (4)

Czas potrzebny systemowi komputerowemu na rozpoznanie przerwania w przypadku jego nadejścia, obsługę przerwania i realizację odpowiedniego przełączenia kontekstowego na alternatywne zadanie rezydujące w pamięci i oczekujące na przerwanie.

33. "Gram efektywny" (0)

"Gram efektywny" "specjalnego materiału rozszczepialnego" lub "innego materiału rozszczepialnego" oznacza:

(a) dla izotopów plutonu i uranu-233 - masę izotopu w gramach;

(b) dla uranu wzbogaconego do poziomu 1% lub więcej izotopu U-235 - masę pierwiastka w gramach pomnożoną przez kwadrat jego wzbogacenia wyrażonego w postaci ułamka dziesiętnego udziału wagowego izotopu U-235;

(d) dla ameryku-242m, kiuru-245 i -247, kalifornu-249 i -251 - masę izotopu w gramach pomnożoną przez 10;

34. "Hybrydowy układ scalony" (3)

Dowolna kombinacja układu(dów) scalonego(nych) lub układu scalonego z "elementami układu" albo "składnikami dyskretnymi" połączonymi ze sobą w celu realizacji określonej(nych) funkcji, mająca wszystkie wymienione poniżej cechy:

a. Posiada co najmniej jedno urządzenie nie obudowane;

b. Zastosowano w niej typowe metody łączenia stosowane podczas produkcji układów scalonych;

c. Można ją wymieniać tylko w całości; oraz

d. W normalnych warunkach nie można jej rozmontować na elementy składowe.

Uwaga 1 "Element układu": pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, na przykład jedna dioda, jeden tranzystor, jeden rezystor, jeden kondensator, itp.

Uwaga 2 "Składnik dyskretny": "element układu" w oddzielnej obudowie z własnymi końcówkami wyjściowymi.

35. "Inne materiały rozszczepialne" (0)

"Uprzednio separowane" ameryk-242m, kiur-245 i -247, kaliforn-249 i -251, izotopy plutonu różne od plutonu-238 i -239, oraz dowolny, zawierający je materiał.

36. "Instalacje do naprowadzania" (7)

Systemy scalające proces pomiaru i obliczania położenia pojazdu i jego prędkości (tj. nawigację) z obliczeniami i wysyłaniem poleceń do systemów sterowania lotem pojazdu w celu skorygowania jego toru lotu.

37. "Instalacje produkcyjne" (9)

Środki i specjalnie do nich opracowane oprogramowanie, scalone w instalacje w celu "rozwoju" jednej lub więcej faz "produkcji".

38. Inteligentna karta osobista" (5)

"Karta inteligentna" zaopatrzona w mikroukład, zgodnie z normą ISO/IEC 7816, zaprogramowana przez producenta, bez możliwości zmiany programu przez jej użytkownika.

39. "Izolacja" (9)

Pojęcie stosowane do podzespołów silnika rakietowego, tj. osłony, dyszy, wlotów, zamknięć osłon, obejmujące utrwalone lub półutrwalone maty kauczukowe zawierające materiał ogniotrwały lub izolacyjny. Można ją również stosować na klatki lub klapy odprężające.

40. "Izolowane żywe kultury".

Żywe kultury w postaci uśpionej albo suchych preparatów.

41. "Izostatyczne zagęszczanie na gorąco" (2)

Technika ciśnieniowania odlewu w temperaturach powyżej 375 K (102^oC) w zamkniętej formie za pomocą różnych czynników (gaz, ciecz, cząstki stałe, itp.), której celem jest wytworzenie jednakowej siły we wszystkich kierunkach w celu zmniejszenia albo eliminacji jam wewnętrznych w odlewie.

42. "Jednostka dostępu" (5)

Urządzenie wyposażone w jeden albo kilka interfejsów komunikacyjnych ("sterownik dostępu do sieci", "sterownik dostępu do kanału łączności", modem albo szyna komputera), umożliwiające połączenie terminala z siecią.

43. "Karta sterowania ruchami" (2)

"Zespół elektroniczny" specjalnie przeznaczony do zapewnienia systemowi komputerowemu równoczesnego koordynowania ruchu osi obrabiarek w celu "sterowania kształtowego".

44. "Klasy kosmicznej" (3 6)

Odnosi się do produktów projektowanych, wytwarzanych i testowanych w taki sposób, żeby spełniały specjalne wymagania elektryczne, mechaniczne lub środowiskowe, związane z ich stosowaniem podczas wystrzeliwania i wykorzystywania satelitów lub urządzeń latających na dużych wysokościach, od 100 km wzwyż.

45. "Kod źródłowy (albo język źródłowy)" (4 5)

Wygodny sposób wyrażenia jednego lub kilku procesów, który może być przekształcony przez system programowania w postać dającą się wykonać na urządzeniu ["kod wynikowy"(lub język wynikowy)].

46. "Kompresja impulsów" (6)

Kodowanie i przetwarzanie długiego impulsowego sygnału radarowego na krótki, przy zachowaniu korzyści wynikających z wysokiej energii impulsu.

47. "Komputer cyfrowy" (4 5)

Urządzenie mogące, w postaci jednej albo kilku zmiennych dyskretnych:

a. Przyjmować dane;

b. Zapamiętywać dane albo instrukcje na trwałych lub nietrwałych (zapis wymazywalny) urządzeniach pamięciowych;

c. Przetwarzać dane za pomocą zapamiętanej sekwencji instrukcji, które można modyfikować; oraz

d. Wprowadzać dane na wyjście.

Uwaga: Modyfikacje zapamiętanej sekwencji instrukcji dotyczą wymiany trwałych urządzeń pamięciowych, ale nie fizycznych zmian przewodów lub połączeń.

48. "Komputer hybrydowy" (4)

Urządzenie o następujących możliwościach:

a. Przyjmuje dane;

b. Przetwarza dane zarówno w postaci analogowej, jak i cyfrowej; oraz

c. Wyprowadza dane wyjściowe.

49. "Komputer neuronowy" (4)

Urządzenie obliczeniowe przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do naśladowania działalności neuronu lub zbioru neuronów (tj. urządzenie obliczeniowe odróżniające się możliwością sprzętowego modelowania znaczenia i liczby połączeń pomiędzy wielu elementami obliczeniowymi w oparciu o poprzednie dane).

50. "Komputer optyczny" (4)

Komputer przeznaczony lub zmodyfikowany z przeznaczeniem do używania światła jako nośnika danych oraz taki, którego elementy obliczeniowo-logiczne działają bezpośrednio na sprzężonych urządzeniach optycznych.

51. "Komputer z dynamiczną modyfikacją tablic" (4)

Komputer, w którym przepływ i modyfikacja danych są dynamicznie sterowane przez użytkownika na poziomie bramek logicznych.

52. "Komutacja optyczna" (5)

Przekazywanie lub komutacja sygnałów w postaci optycznej bez przetwarzania na sygnały elektryczne.

53. "Krąg Równego Prawdopodobieństwa" (7)

Jest to miara dokładności wyrażana jako promień okręgu ze środkiem w miejscu znajdowania się celu, w określonym zasięgu, w który wpada 50% ładunków użytecznych.

54. Kryptografia" (5)

Dziedzina wiedzy zajmująca się zasadami, narzędziami i metodami przekształcania danych w celu ukrycia zawartych w nich informacji, zapobiegania możliwości tajnego ich modyfikowania lub eliminacji dostępu do nich osobom nie powołanym. "Kryptografia" ogranicza się do przekształcania informacji za pomocą jednego lub większej liczby "tajnych parametrów" (np. szyfrów) i (lub) związanego z tym zarządzania kluczami.

Uwaga: "Tajny parametr": wartość stała albo klucz trzymany w tajemnicy przed osobami postronnymi albo znany wyłącznie pewnej grupie osób.

55. "Laser" - patrz również: "Laser chemiczny",

"Laser modulowany dobrocią",

"Laser o super wysokiej mocy",

oraz "Laser z przekazaniem energii".

56. "Laser (0 2 3 5 6 9)

Zespół elementów wytwarzających wiązkę światła spójnego zarówno w przestrzeni, jak i w czasie, wzmocnioną za pomocą stymulowanej emisji promieniowania.

Uwaga: Patrz również "Laser chemiczny"

"Laser modulowany dobrocią"

"Laser o super wysokiej mocy"

"Laser z przekazaniem energii"

57. "Laser chemiczny" (6)

"Laser", w którym wzbudzanie czynnika następuje za pomocą energii pochodzącej z reakcji chemicznej.

58. "Laser modulowany dobrocią" (6)

"Laser", którego energia, gromadzona w postaci odwrócenia obsadzeń, jest emitowana w postaci impulsu wskutek szybkiej zmiany dobroci rezonatora optycznego.

59. "Laser o super wysokiej mocy (SHPL)" (6)

"Laser", który może dostarczyć energię wyjściową (całkowitą lub częściową) powyżej 1 kJ w ciągu 50 ms albo taki, którego moc przeciętna lub moc w przypadku fali ciągłej wynosi powyżej 20 kW.

60. "Laser z przekazaniem energii" (6)

"Laser", w którym czynnik emitujący promieniowanie laserowe jest wzbudzany dzięki transferowi energii wskutek zderzeń atomów lub molekuł, nie biorących udziału w akcji laserowej, z atomami lub molekułami czynnika emitującego promieniowanie laserowe.

61. "Liniowość" (2)

"Liniowość" (zazwyczaj określana w kategoriach nieliniowości) stanowi maksymalne odchylenie parametru rzeczywistego (przeciętnej wartości górnego i dolnego odczytu na skali) w kierunku dodatnim lub ujemnym, od linii prostej poprowadzonej w taki sposób, żeby maksymalne odchylenia zostały wyrównane i zminimalizowane.

62. "Lokalna sieć komputerowa " (4)

System przesyłania danych o następujących cechach charakterystycznych:

a. Umożliwiający bezpośrednie połączenie dowolnej liczby niezależnych "jednostek danych"; oraz

b. Ograniczony w sensie geograficznym do pewnego obszaru o niewielkim zasięgu (np. biurowiec, przedsiębiorstwo, miasteczko studenckie, magazyn).

Uwaga: "Jednostka danych": urządzenie mające możliwość nadawania lub odbierania sekwencji informacji cyfrowych.

63. "Łączność kanałowa" (5)

Metoda przesyłania sygnałów, w której pojedynczy kanał pomiędzy centralami telefonicznymi przenosi, za pomocą komunikatów etykietowanych, informacje sygnałowe dotyczące wielu układów lub rozmów oraz inne informacje, np. stosowane do obsługi sieci.

64. "Magnetometry" (6)

Służą do wykrywania pól magnetycznych źródeł zewnętrznych względem przyrządu pomiarowego. Składają się z pojedynczego czujnika pola magnetycznego i odpowiedniego układu elektronicznego, na którego wyjściu jest wartość mierzonego pola magnetycznego.

65. "Maksymalna szybkość przesyłania bitów" (MBTR)

(a) dla pamięci na nośnikach stałych: liczba bitów danych przesyłanych w ciągu sekundy pomiędzy napędem albo urządzeniem a jego sterownikiem;

(b) dla napędów dyskowych oznacza szybkość wewnętrznej transmisji danych obliczaną z zależności B x R x T (bity na sekundę), gdzie:

B = maksymalna liczba bitów danych na ścieżkę dostępnych do odczytu lub zapisu podczas jednego obrotu;

R = prędkość obrotowa określana w obrotach na sekundę;

T = liczba ścieżek, z których można równocześnie odczytywać dane lub na których można je zapisywać.

66. "Materiał kompozytowy" (1 6 8 9)

"Matryca" oraz dodatkowa faza lub dodatkowe fazy, składające się z cząstek, włókienek, włókien lub dowolnej ich kombinacji, dodawanych w określonym celu lub celach.

67. "Materiały włókniste lub włókienkowe" (0 2 8)

Termin "włóknisty i włókienkowy" obejmuje następujące pojęcia:

a. Pojedyncze włókna o strukturze ciągłej;

b. Przędza i rowing o strukturze ciągłej;

c. Taśmy, tkaniny, maty i oploty o strukturze bezładnej;

d. Włókna pocięte na drobne kawałki, włókna pocięte na dłuższe odcinki oraz spójne maty z włókien;

e. Wiskery monokrystaliczne lub polikrystaliczne, o dowolnej długości;

f. Pulpa z poliamidu aromatycznego.

68. "Matryca (1 6 8 9)

W zasadzie faza o strukturze ciągłej wypełniająca przestrzeń pomiędzy cząstkami, wiskerami lub włóknami.

69. "MBTR"

Patrz "maksymalna szybkość przesyłania danych"

70. "Mechanizmy robocze" (2)

Do "mechanizmów roboczych" zalicza się uchwyty, "aktywne zespoły narzędziowe" oraz wszelkie inne narzędzia mocowane do płyty roboczej na końcu ramienia manipulatora "robota".

Uwaga: "Aktywne zespoły narzędziowe": urządzenia przekazujące obrabianemu elementowi napęd, energię potrzebną do obróbki lub określające parametry obrabianego elementu.

71. "Mierniki gradientu magnetycznego" (6)

Przeznaczone do wykrywania zmian przestrzennych pola magnetycznego źródeł zewnętrznych w stosunku do przyrządu pomiarowego. Składają się z wielu "magnetometrów" i odpowiednich układów elektronicznych, na których wyjściu jest mierzony gradient pola magnetycznego. (Patrz również "Miernik gradientu magnetycznego własnego").

72. "Miernik gradientu magnetycznego własnego" (6)

Pojedynczy element do pomiaru gradientu pola magnetycznego oraz związane z nim urządzenia elektroniczne, służący do pomiaru gradientu pola magnetycznego. (Patrz również "Miernik gradientu magnetycznego")

73. "Mieszanie" (1)

Mieszanie włókien materiałów termoplastycznych z włóknami materiałów wzmacniających w celu wytworzenia mieszanki włókien wzmacniających z "matrycą", mającej w całości formę włóknistą.

74. "Mikroorganizmy" (1 2)

Bakterie, wirusy, mikoplazmy, riketsje, chlamydie lub grzyby, naturalne, wzmocnione lub zmodyfikowane, w postaci wyizolowanych żywych kultur lub materiału zawierającego żywe organizmy, który rozmyślnie zaszczepiono lub zakażono takimi kulturami.

75. "Mikroprogram"

Sekwencja elementarnych instrukcji, przechowywanych w specjalnej pamięci, realizowanych po wprowadzeniu do rejestru instrukcji specjalnej dla niej instrukcji odwołania.

76. "Moc impulsu" (6)

Energia na impuls wyrażona w dżulach, podzielona przez czas trwania impulsu w sekundach.

77. "Moduł właściwy" (0 1)

Moduł Younga w paskalach, równoważny N/m², podzielony przez ciężar właściwy w N/m³, mierzony w temperaturze (296 +2) K ((23 +2) ^oC i przy wilgotności względnej (50 + 5)%.

78. "Monolityczny układ scalony" (3)

Kombinacja czynnych lub biernych, albo obu, "elementów układu" o następujących cechach charakterystycznych:

a. Jest uformowany techniką dyfuzyjną, technikami implantacyjnymi lub technikami osadzania w albo na pojedynczym półprzewodzącym kawałku materiału, tzw. chipie;

b. Można go traktować jak element niepodzielny; oraz

c. Realizuje funkcję(e) obwodu.

Uwaga: "Element układu": pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, taka jak jedna dioda, tranzystor, rezystor, kondensator, itp.

79. "Możliwość programowania przez użytkownika" (5 6)

Możliwość wprowadzania, modyfikacji lub wymiany "programów" przez użytkownika na innej drodze niż poprzez:

a. Fizyczne zmiany przewodów lub połączeń; lub

b. Nastawianie regulatorów funkcji w tym parametrów wejściowych.

80. "Możliwość regulacji częstotliwości" (frequency hopping) (5)

Forma "rozproszenia widma" polegająca na krokowo-dyskretnej zmianie częstotliwości nośnej pojedynczego kanału telekomunikacyjnego.

81 "Możliwość zmiany częstotliwości w radarach" (6)

Dowolna technika zmiany, w sekwencji pseudolosowej, częstotliwości nośnej impulsowego nadajnika radarowego z jednych impulsów na inne lub z jednej grupy impulsów na drugą, a wartość równą lub większą od szerokości pasma impulsu.

82. "Nadprzewodniki" (1 3 6 8)

Materiały: metale, stopy lub związki, które mogą całkowicie stracić swoją oporność, które mogą uzyskać nieskończoną przewodność elektryczną i przewodzić prąd elektryczny o bardzo wysokich natężeniach bez wytwarzania ciepła Joule'a.

Uwaga: "Nadprzewodzący" stan materiału jest indywidualnie scharakteryzowany "temperaturą krytyczną", krytycznym polem magnetycznym, będącym funkcją temperatury, oraz krytyczną gęstością prądu, która jest funkcją zarówno pola magnetycznego, jak i temperatury.

83. "Nadstopy" (2 9)

Stopy na osnowie niklu, kobaltu lub żelaza o bardzo wysokiej wytrzymałości w porównaniu z innymi stopami serii AISI 300 w temperaturach powyżej 922 K (694^oC) w skrajnych warunkach środowiskowych i eksploatacyjnych.

84. "Niepewność pomiarowa" (2)

Parametr charakterystyczny określający na poziomie ufności 95%, w jakiej odległości od wartości prawidłowej leży zmienna pomiarowa. W jego skład wchodzą nie dające się skorygować odchylenia systematyczne, nie dający się skorygować luz oraz odchylenia losowe (Patrz: VDI/VDE 2617).

85. "Niezbędne" (UOdT 1-9)

W odniesieniu do "technologii" lub "oprogramowania", dotyczy tylko tej części "technologii" lub "oprogramowania", która jest szczególnie odpowiedzialna za osiągnięcie lub przekroczenie wartości parametrów, właściwości lub funkcji objętych kontrolą. Taka "niezbędna" "technologia" lub "oprogramowanie" może dotyczyć różnych produktów.

86. "Ochrona informacji" (5)

Wszystkie rodzaje sposobów i funkcji zapewniających dostęp, poufność lub nienaruszalność informacji lub komunikacji, z wyłączeniem sposobów i funkcji zabezpieczających przed wadliwym działaniem. Obejmuje "rozszyfrowywanie", "kryptografię", ochronę przed przypadkowym przekazywaniem sygnałów odnoszących się do tajnych informacji oraz zabezpieczanie komputerów.

Uwaga: "Rozszyfrowywanie": analiza systemów łączności szyfrowej albo ich wejść lub wyjść w celu uzyskania tajnych informacji lub danych, włączając w to tajne teksty.

87. "Ochrona wielopoziomowa" (5)

Klasa systemów zawierających informacje o różnej ważności, umożliwiających równoczesny dostęp użytkownikom o różnym poziomie upoważnienia i potrzebach informacyjnych, natomiast nie dopuszczających do informacji takich użytkowników, którzy nie mają odpowiedniego upoważnienia.

Uwaga: "Ochrona wielopoziomowa" dotyczy zabezpieczenia komputera, a nie jego niezawodności, która jest związana z zapobieganiem awarii sprzętu lub ogólnie z eliminacją błędów ludzkich.

88. "Odchylenie położenia kątowego" (2)

Maksymalna różnica pomiędzy położeniem kątowym a rzeczywistym, bardzo dokładnie zmierzonym położeniem kątowym po obróceniu stołu montażowego od jego położenia początkowego. (Patrz: VDI/VDE 2617, Draft 'Rotary tables on coordinate measuring machines' - Stoły obrotowe współrzędnościowych maszyn pomiarowych).

89. "Odległość dudnienia" (6)

Droga, jaką muszą przebyć dwa sygnały spolaryzowane ortogonalnie, znajdujące się początkowo w fazie, w celu osiągnięcia przesunięcia fazowego o 2 Pi radianów.

90. "Odporność na uszkodzenia" (4)

Możliwość systemu komputerowego, po dowolnym wadliwym zadziałaniu jego sprzętu lub "oprogramowania", do kontynuacji działalności bez interwencji człowieka, na danym poziomie usług, zapewniającym: kontynuowanie działalności, zachowanie danych bez ich naruszania oraz odzyskanie zdolności usługowych po określonym czasie.

91. "Opóźnienie sygnału bramki podstawowej" (3)

Wartość opóźnienia sygnału odpowiadająca bramce podstawowej, używanej w "rodzinie" "monolitycznych układów scalonych". Można ją wyznaczyć, dla danej "rodziny", jako opóźnienie sygnału na bramkę typową albo jako typowe opóźnienie na bramkę.

Uwaga: Nie należy mylić "opóźnienia sygnału bramki podstawowej" z opóźnieniem wyjścia/wejścia złożonego "monolitycznego układu scalonego".

92. "Oprogramowanie" (Wszystko UOdO)

Zbiór jednego lub więcej "programów" lub " mikroprogramów", wyrażony w dowolny zrozumiały sposób.

93. "Oprogramowanie rodzajowe" (5)

Zestaw instrukcji do systemu komutacyjnego "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci", obowiązujący dla wszystkich przełączników w danym systemie komutacji.

Uwaga: Część bazy danych nie jest uważana za część "oprogramowania" rodzajowego.

94. "Optyczny układ scalony" (3)

"Monolityczny układ scalony" lub "hybrydowy układ scalony", zaopatrzony w jedną lub więcej części przeznaczonych do działania w roli fotoczujników lub fotoemiterów albo do wykonywania funkcji optycznych lub elektrooptycznych.

95. "PABX" (5)

(Patrz "Prywatna automatyczna centrala telefoniczna").

96. "Pakiet danych" (4 5)

Samodzielny, niezależny pakiet danych, niosący informacje wystarczające do skierowania go z terminala, stanowiącego jego miejsce źródłowe, do terminala przeznaczenia, bez potrzeby wcześniejszych połączeń pomiędzy obu tymi terminalami a siecią przesyłową.

97. "Pamięć operacyjna" (4)

Podstawowa pamięć na dane lub instrukcje szybko dostępna dla jednostki centralnej. Składa się z pamięci wewnętrznej "komputera cyfrowego" oraz jednej z dodatkowych pamięci o strukturze hierarchicznej, takich jak pamięć podręczna (cache) lub niesekwencyjnie dostępna pamięć dodatkowa.

98. "Pełzanie zera (giroskopu)" (7)

Zmiana odchylenia wskazań od wartości pożądanej w funkcji czasu. Składa się z elementów przypadkowych i systematycznych i jest wyrażana jako ekwiwalentne wejściowe przemieszczenie kątowe na jednostkę czasu w odniesieniu do pola inercyjnego.

99. "Płaski zespół ogniskujący" (6)

Płaska warstwa o strukturze liniowej lub dwuwymiarowej albo kombinacja takich płaskich warstw, złożonych z oddzielnych elementów detekcyjnych, z elektronicznym urządzeniem odczytującym, pracująca w płaszczyźnie ogniskującej.

Uwaga: Nie chodzi tu o stos pojedynczych elementów detekcyjnych ani dwa, trzy lub cztery elementy detekcyjne opóźniające, ani o realizację integracji wewnątrz elementu.

100. "Piksel aktywny" (6 8)

Najmniejszy (pojedynczy) element siatki złożonej z elementów półprzewodnikowych mający możliwość realizacji funkcji fotoelektrycznych w odpowiedzi na promieniowanie świetlne (elektromagnetyczne).

101. "Pociski rakietowe " (1-7, 9)

Kompletne systemy rakietowe i bezzałogowe systemy pojazdów latających, zdolne do dostarczania ładunku użytecznego o masie co najmniej 500 kg na odległość co najmniej 300 km.

102. "Podłoże" (3)

Płytka materiału głównego z naniesionymi połączeniami albo bez nich, na której, albo wewnątrz której, można umieszczać "składniki dyskretne" lub układy scalone albo oba z nich.

Uwaga: "Składnik dyskretny": "element układu" w oddzielnej obudowie z własnymi końcówkami wyjściowymi.

103. "Podłożowy materiał wyjściowy" (6)

Materiał monolityczny o wymiarach umożliwiających wytworzenie z niego elementów optycznych, takich jak zwierciadła albo okienka optyczne.

104. "Podstawowe badania naukowe" (UOdT)

Prace doświadczalne lub teoretyczne prowadzone głównie w celu uzyskania nowej wiedzy o podstawach danego zjawiska lub obserwowalnych jego efektach, nie nakierowane bezpośrednio na konkretne cele lub zadania praktyczne.

105. "Połączone czujniki radarowe" (6)

Co najmniej dwa czujniki radarowe są ze sobą połączone, jeżeli wymieniają między sobą informacje w czasie rzeczywistym.

106. "Pomoc techniczna" (UOT UdTJ)

Pomoc ta może przybierać takie formy, jak przekazanie instrukcji, umiejętności, szkolenie, przekazanie wiedzy na temat eksploatacji oraz usługi konsultacyjne i może obejmować transfer "danych technologicznych".

107. "Poziom szumu" (6)

Sygnał elektryczny rozumiany w sensie gęstości mocy widmowej. "Poziom szumów" wyrażony w wartościach całkowitych (peak-to-peak) jest określony zależnością S²_pp + 8 N_o(f₂ - f₁), gdzie S_ppjest wartością całkowitą (maksymalną) sygnału (np. w nanoteslach), N_o jest gęstością mocy widmowej (np. {nanotesle}² Hz) a (f₂ - f₁) określa daną szerokość pasma.

108. "Prasy izostatyczne" (2)

Urządzenia umożliwiające ciśnieniowanie zamkniętych komór za pomocą różnych czynników roboczych (gazu, cieczy, cząstek stałych, itp.) w celu wytwarzania w komorze we wszystkich kierunkach równych ciśnień działających na obrabiany element lub materiał.

109. "Preformy włókien światłowodowych" (5 6)

Pręty, bloki, lub klocki ze szkła, tworzyw sztucznych lub innych materiałów, które zostały poddane specjalnej obróbce w celu ich wykorzystania do wyrobu włókien światłowodowych. Parametry preformy określają podstawowe parametry ostatecznych, wyciągniętych z niej włókien światłowodowych

110. "Produkcja" (Wszystkie UOdT UdTJ)

Wszystkie etapy związane z produkcją, takie jak: technologia mechaniczna, wytwarzanie, scalanie, montaż (składanie), kontrola, testowanie, kontrola jakości.

111. "Profile o zmiennej geometrii" (7)

Profile, w których zastosowano klapy lub inne płaszczyzny na krawędzi spływu albo sloty lub osadzone przegubowo noski na krawędzi natarcia, którymi można sterować w locie.

112. "Program" (2 4 5)

Sekwencja instrukcji do realizacji procesu, mająca postać wykonywalną lub przekształcalną na wykonywalną, za pomocą komputera elektronicznego.

113. "Proste urządzenia edukacyjne" (3)

Urządzenia stosowane do nauki podstawowych praw naukowych i demonstracji działania tych praw w instytucjach edukacyjnych.

114. "Prywatna automatyczna centrala telefoniczna" (PABX) (5)

Automatyczna centrala telefoniczna, zazwyczaj z miejscem dla pracownika dyżurnego, przeznaczona do łączenia z siecią publiczną i świadczenia usług związanych z łączeniem rozmów w takich instytucjach, jak handlowe, przemysłowe i bankowe, rządowe, użyteczności publicznej lub w podobnych organizacjach.

115. "Przestrajalność" (6)

Zdolność "lasera" do wytwarzania ciągłego sygnału wyjściowego we wszystkich długościach fal w przedziale kilku przejść "laserowych". "Laser" z selekcją liniową wytwarza dyskretne długości fal w ramach jednego przejścia "laserowego" i nie jest uważany za "przestrajalny".

116. "Przetwarzanie sygnałów" (4 5)

Przetwarzanie sygnałów zawierających informacje, uzyskanych ze źródeł zewnętrznych, za pomocą takich algorytmów, jak kompresja czasu, filtrowanie, wyciąganie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiędzy domenami (np. za pomocą szybkiej transformaty Fouriera lub transformaty Walsha).

117. "Przetwarzanie w czasie rzeczywistym" (2 4)

Przetwarzanie danych przez komputer elektroniczny w reakcji na wydarzenia zewnętrzne zgodnie z warunkami czasowymi wymuszonymi wydarzeniami zewnętrznymi.

118. "Radar o rozproszonym widmie" (6)

(Patrz "Rozproszone widmo radarowe").

119. "Reaktor jądrowy" (0)

Obiekt znajdujący się wewnątrz lub bezpośrednio przymocowany do zbiornika reaktora, którego wyposażenie steruje poziomem mocy w rdzeniu, a znajdujące się w nim zazwyczaj składniki wchodzą w bezpośrednią styczność z chłodziwem pierwotnym rdzenia reaktora albo regulują jego przepływ.

120. "Robot" (2 8)

Manipulator wykonujący ruchy w sposób ciągły albo poruszający się od punktu do punktu; może korzystać z "czujników" i ma wszystkie, następujące cechy charakterystyczne:

a. Jest wielofunkcyjny;

b. Ma możliwość ustawiania w odpowiednim położeniu lub orientowania przestrzennego materiałów, części, narzędzi lub urządzeń specjalnych poprzez wykonywanie różnych ruchów w przestrzeni trójwymiarowej;

c. Jest wyposażony w trzy lub większą liczbę mechanizmów wspomagających, pracujących w obwodzie zamkniętym lub otwartym, które mogą być poruszane silnikami krokowymi; oraz

d. Jest wyposażony w "oprogramowanie dostępne dla użytkownika", które może ulegać modyfikacji poprzez uczenie (odgrywanie) lub za pomocą komputera elektronicznego, który może być programowanym sterownikiem logicznym, tj. nie wymagającym ingerencji mechanicznej.

Uwaga: Niniejsza definicja nie obejmuje następujących urządzeń:

1. Mechanizmów poruszanych wyłącznie ręcznie albo zdalnie przez operatora;

2. Manipulatorów o ustalonej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechanicznie, z góry ustalone ruchy. Program jest ograniczony mechanicznie za pomocą ustalonych ograniczników, np. sworzni lub krzywek. Kolejność ruchów oraz wybór drogi albo kątów nie są zmienne ani zmienialne za pomocą środków mechanicznych, elektronicznych lub elektrycznych.

3. Manipulatorów o zmiennej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechaniczne, z góry ustalone ruchy. Program jest ograniczony mechanicznie za pomocą ustalonych ograniczników, np. sworzni lub krzywek. Kolejność ruchów oraz wybór drogi albo kątów są zmienne w ramach ustalonego schematu programowego. Zmian lub modyfikacji schematu programowego (np. zmiany kołków lub wymiana krzywek) w jednej lub kilku osiach współrzędnych dokonuje wyłącznie na drodze działań mechanicznych;

4. Manipulatorów bez sterowania za sprzężeniem zwrotnym, o zmiennej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechanicznie ruchy. Program jest zmienny, ale sekwencja jest realizowana wyłącznie za pomocą sygnału binarnego z elektrycznych urządzeń binarnych o ustalonym mechanicznie położeniu lub regulowanych ograniczników;

5. Żurawi do stertowania, definiowanych, jako manipulatory działające w kartezjańskim układzie współrzędnych, produkowanych jako integralne części pionowych zespołów do silosów, i służących do sięgania po zawartość tych silosów w celu składowania lub wyjmowania.

121. "Rodzina" (3)

Składa się z układów mikroprocesorów lub mikrokomputerów o następujących cechach:

a. Tej samej architekturze;

b. Tym samym zestawie instrukcji podstawowych; oraz

c. Tej samej podstawowej technologii (np. wyłącznie NMOS lub wyłącznie CMOS).

122. "Rozdrabnianie" (1)

Technika rozczłonkowania materiału na cząstki przez miażdżenie lub rozcieranie.

123. "Rozdzielczość" (2)

Najmniejsza działka urządzenia pomiarowego; w przypadku instrumentu cyfrowego jest to najmniej znaczący bit (Patrz: ANSI B-89.1.12).

124. "Rozpylanie jonowe" (4)

Proces powlekania polegający na przyspieszaniu dodatnio naładowanych jonów za pomocą pola elektrycznego w kierunku powierzchni docelowej (materiał powlekający). Energia kinetyczna padających jonów jest wystarczająca do uwolnienia atomów z powierzchni materiału docelowego i osadzenia ich na podłożu.

Uwaga: Zwykłymi modyfikacjami tej techniki są rozpylanie triodowe, magnetronowe lub dielektryczne, mające na celu intensyfikację przyczepności powłoki i zwiększenie szybkości osadzania.

125. "Rozproszone widmo radarowe" (6)

Dowolna technika modulacji służąca do rozpraszania energii sygnału o stosunkowo wąskim paśmie częstotliwości na dużo szersze pasmo częstotliwości, za pomocą kodowania losowego lub pseudolosowego.

126. "Rozrzucone geograficznie" (6)

Uważa się, że czujniki są rozrzucone geograficznie w przypadku kiedy każdy z nich znajduje się w odległości od innego większej niż 1 500 m w dowolnym kierunku. Czujniki ruchome są zawsze traktowane jako rozrzucone geograficznie.

127. "Rozwój" (UOdT)

Odnosi się do wszystkich etapów poprzedzających produkcję seryjną, takich jak: projektowanie, badania projektowe, analiza konstrukcyjna, koncepcja projektowania, montaż i testowanie prototypów, plany produkcji pilotowej, dane projektowe, proces przetwarzania danych projektowych w produkt, projektowanie konfiguracji, projektowanie montażu całościowego, rozplanowanie.

128. "Samolot" (7 9)

Obiekt latający ze skrzydłami stałymi, ruchomymi, wirującymi (śmigłowiec), z wirnikiem lub skrzydłem przechylnym. NB: Patrz również "samolot cywilny".

129. "Samolot cywilny" (7 9)

Wyłącznie "samoloty" mające świadectwa zdatności do lotu opublikowane i wydane przez zarząd lotnictwa cywilnego zezwalające na ich używanie do celów cywilnych na liniach wewnętrznych i zewnętrznych lub zezwalające na ich stosowanie do celów cywilnych, prywatnych lub związanych z prowadzeniem działalności gospodarczej. NB: Patrz również "samolot".

130. "Sieciowe analizatory częstotliwości" (3)

Dotyczy automatycznych pomiarów zastępczych parametrów obwodu w pewnym zakresie częstotliwości, obejmując techniki pomiaru częstotliwości, ale z wyłączeniem ciągłych pomiarów fali z punktu do punktu.

131. "Specjalny materiał rozszczepialny" (0)

Pluton-239, "uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233", oraz dowolny, zawierający go materiał.

132. "Stabilność" (7)

Odchylenie standardowe (1 sigma) zmienności danego parametru od jego wartości wzorcowej zmierzonej w ustalonych warunkach temperaturowych. Można ją wyrażać w funkcji czasu.

133. "Stała czasowa" (6)

Czas od chwili bodźca świetlnego do wzrostu prądu do wartości stanowiącej 1-1/e-krotną wartość wielkości końcowej (tj. 63% wartości końcowej).

134. "Stapianie mechaniczne" (1)

Technika wykonywania stopów polegająca na mechanicznym łączeniu, rozdrabnianiu i ponownym łączeniu sproszkowanych pierwiastków i głównego składnika stopowego. Jako składnik stopowy może występować substancja niemetaliczna dodawana w postaci odpowiedniego proszku.

135. "Statek kosmiczny" (7 9)

Czynne i bierne satelity i sondy kosmiczne.

136. "Sterowanie adaptacyjne" (2)

System sterowania modyfikujący reakcję w zależności od warunków eksploatacji (Patrz ISO 2806-1980).

137. "Sterowanie kształtowe" (2)

Co najmniej dwa ruchy "sterowane numerycznie", realizowane zgodnie z instrukcjami określającymi następne położenie oraz potrzebne do osiągnięcia tego położenia prędkości posuwów. Prędkości posuwów nie są jednakowe, dzięki czemu powstaje wymagany kształt. (Patrz ISO/DIS 2806-1980).

138. "Sterowanie numeryczne" (2)

Automatyczne sterowanie procesem wykonywanym przez urządzenie korzystające z danych numerycznych zazwyczaj wprowadzanych podczas realizacji operacji (Patrz ISO 2382).

139. "Sterowanie mocą" (7)

Zmiana mocy sygnału nadawanego przez wysokościomierz w taki sposób, żeby moc odbierana w "samolocie" na danej wysokości była zawsze na minimalnym poziomie niezbędnym do określenia wysokości.

140. "Sterowany elektronicznie układ antenowy fazowany" (6)

Antena wytwarzająca wiązkę za pomocą sprzężenia fazowego, tj. kierunek wiązki jest utrzymywany za pomocą źródeł promieniowania elektromagnetycznego o złożonych współczynnikach wzbudzenia, przy czym kierunek takiej wiązki (azymut i (lub) podniesienie kątowe) można zmieniać za pomocą sygnału elektrycznego, zarówno nadawanego jak i odbieranego.

141. "Sterownik dostępu do sieci" (4 5)

Interfejs fizyczny do sieci rozproszonej. Używa się w nim wspólnego nośnika działającego z taką samą "szybkością przesyłania danych cyfrowych" w systemie transmisji z arbitrażem (np. w sensie znacznika lub nośnika). Niezależnie od innych wybiera on adresowane do niego pakiety z danymi lub grupami danych (np. IEEE 802). Jest to zespół, który może być zintegrowany z komputerem lub urządzeniem telekomunikacyjnym, z zadaniem zapewniania dostępu do łączy telekomunikacyjnych.

142. "Sterownik toru telekomunikacyjnego" (5)

Interfejs fizyczny sterujący przepływem cyfrowych informacji synchronicznych lub asynchronicznych. Jest to zespół, który może stanowić podzespół komputera lub urządzenia telekomunikacyjnego zapewniającego dostęp do łączności.

143. "Stół obrotowo-przychylny" (2)

Stół umożliwiający obracanie i przechylanie obrabianego przedmiotu względem dwóch osi nierównoległych, które mogą być równocześnie koordynowane, co umożliwia "sterowanie kształtowe".

144. "Struktura przełączająca" (5)

Taki rodzaj sprzętu i związanego z nim "oprogramowania", który zapewnia fizyczny lub wirtualny tor połączeń dla komutowanego komunikatu związanego z ruchem telegraficznym.

145. "Strumieniowe wieloprzetwarzanie danych" (4)

Technika oparta na "mikroprogramie" lub architekturze sprzętu, umożliwiająca równoczesne przetwarzanie dwóch lub więcej sekwencji danych pod kontrolą jednej lub kilku sekwencji instrukcji za pomocą takich narzędzi jak:

a. Zespoły o architekturze opartej na jednoinstrukcyjnym przetwarzaniu wielu danych (SIMD), np. procesory wektorowe lub tablicowe;

b. Zespoły o architekturze opartej na wielokrotnym jednoinstrukcyjnym przetwarzaniu wielu danych (MSIMD);

c. Zespoły o architekturze opartej na wieloinstrukcyjnym przetwarzaniu wielu danych (MIMD), włącznie z procesorami połączonymi bezpośrednio, połączonymi silnie lub połączonymi luźno; albo

d. Elementy przetwarzające o strukturze tablicowej, włącznie z tablicami dynamicznymi.

146. "Synchroniczna hierarchia cyfrowa (SDH)" (5)

Hierarchia cyfrowa umożliwiająca urządzeniu zarządzanie, multipleksowanie i dostęp do różnych form przesłania informacji cyfrowych za pomocą synchronicznych formatów transmisji na różnych typach nośników. Format jest oparty na Synchronicznym Module Przekazu (STM) określonym przez Zalecenia CCITT G.703, G.707, G.708, G.709 i inne, które mają być opublikowane. Pierwszy poziom szybkości "SDH" wynosi 155,52 Mbitów/s.

147. "Synchroniczna sieć światłowodowa (SONET)" (5)

Sieć umożliwiająca urządzeniom zarządzanie, multipleksowanie i dostęp do różnych form przesyłania informacji cyfrowych za pomocą synchronicznych formatów transmisji światłowodowej. Formatem jest północnoamerykańska odmiana "SDH", w której korzysta się również z Synchronicznego Modułu Przekazu (STM). Jednakże zastosowano w niej Synchroniczny Sygnał Przekazu (STS) jako podstawowy moduł transportowy z szybkością pierwszego poziomu 51,81 Mbitów/s. Standardy SONET zostaną włączone do standardów "SDH".

148. "Syntetyzator częstotliwości" (3)

Dowolny rodzaj źródła częstotliwości lub generatora sygnałów, bez względu na stosowaną technikę, zapewniający uzyskanie wielu równoczesnych lub alternatywnych częstotliwości wyjściowych, z jednego lub kilku wyjść, lub sterowanych przez, wynikających z lub regulowanych za pomocą mniejszej liczby częstotliwości standardowych (lub głównych).

149. "Systemy eksperckie" (4)

Systemy dające wyniki poprzez zastosowanie pewnych zasad do danych przechowywanych w pamięci niezależnie od "programu" i mające następujące możliwości:

a. Automatyczna modyfikacja "kodu źródłowego" wprowadzonego przez użytkownika;

b. Dostarczanie informacji związanych z klasą problemów w języku quasi-naturalnym; lub

c. Rozszerzanie wiedzy potrzebnej do własnego rozwoju (szkolenie symboliczne).

150. "Szerokość pasma czasu rzeczywistego" (3)

W "dynamicznych analizatorach sygnałów" - największy zakres częstotliwości, jaki analizator może przesłać na wyświetlacz lub do pamięci masowej, bez jakiejkolwiek przerwy w analizowaniu danych wejściowych. W przypadku analizatorów o więcej niż jednym kanale, obliczenia należy przeprowadzić dla takiej konfiguracji kanałów, która daje największą "szerokość pasma czasu rzeczywistego".

151. "Szerokość pasma jednego kanału akustycznego" (5)

W przypadku sprzętu telekomunikacyjnego przeznaczonego do działania w jednym kanale akustycznym o szerokości 3 100 Hz, zgodnie z Zaleceniami CCITT, G. 151.

152. "Szybko dostępny" (4 5)

Funkcja stosowana do wołań wirtualnych, umożliwiająca terminalowi z danymi rozszerzanie możliwości na przesyłanie danych w postaci struktury wołania i usuwanie "pakietów" poza podstawowe możliwości wołania wirtualnego.

Uwaga: "Pakiet": grupa cyfr binarnych zawierająca dane i sygnały sterujące wołaniami, przekazywana jako jedna złożona całość. Dane, sygnały sterujące wołaniami i ewentualne informacje kontroli błędów mają określony format.

153. "Szybkość przesyłania danych" (5)

Szybkość, zgodnie z definicją podaną w Zaleceniach 53-56 ITU, uwzględniająca różne szybkości w bodach i bitach na sekundę w przypadku modulacji niebitowej. Uwzględnia bity do kodowania, kontrolne i synchronizujące.

Uwaga 1: Przy określaniu "szybkości przesyłania danych" należy wyłączyć kanał do obsługi technicznej i zarządzania.

Uwaga 2: Jest to maksymalna szybkość w jednym kierunku, tj. maksymalna szybkość nadawania albo odbioru.

154. "Szybkość przesyłania danych cyfrowych" (5)

Całkowita szybkość informacji w bitach, przesyłana bezpośrednio na dowolnym typie nośnika.

Uwaga: Patrz także "całkowita szybkość przesyłania danych cyfrowych".

155. "Szybkość przetwarzania dwuwymiarowej grafiki wektorowej" (4)

Liczba generowanych na sekundę wektorów typu poliline o długości 10 pikseli, testowanych długościowo, zorientowanych losowo i mających współrzędne X-Y całkowite albo zmiennoprzecinkowe (w zależności od tego, która z tych wartości daje maksymalną szybkość).

156. "Szybkość przetwarzania grafiki wektorowej" (4)

Patrz: "Szybkość przetwarzania trójwymiarowej grafiki wektorowej".

157. "Szybkość przetwarzania trójwymiarowej grafiki wektorowej" (4)

Liczba generowanych na sekundę wektorów typu poliline o długości 10 pikseli, testowanych długościowo, zorientowanych losowo i mających współrzędne X-Y-Z całkowite albo zmiennoprzecinkowe (w zależności od tego, która z tych wartości daje szybkość maksymalną).

158. "Ścieżki systemowe" (6)

Przetworzone, skorelowane (połączenie radiolokacyjnych danych o celu z położeniem lecącego samolotu) i zaktualizowane dane dotyczące położenia lecącego samolotu, przekazane kontrolerom w ośrodku Kontroli Ruchu Powietrznego.

159. "Technologia" (UOdT UdTJ)

Specyficzny rodzaj informacji, niezbędny do "rozwoju", "produkcji" lub "eksploatacji" danego wyrobu. Informacja ta ma postać "danych technicznych" lub "pomocy technicznej".

160. "Temperatura krytyczna" (1 3 6)

"Temperatura krytyczna" (nazywana czasami "temperaturą przemiany") danego materiału "nadprzewodzącego" jest temperaturą, w której materiał całkowicie traci oporność dla przepływu elektrycznego prądu stałego.

161. "Teoretyczna moc kombinowana (CTP)" (4)

Miara mocy obliczeniowej podawana w milionach operacji teoretycznych na sekundę (Mtops), obliczana w oparciu o agregację "elementów obliczeniowych (CE)".

Uwaga: (Patrz Kategoria 4, Uwaga techniczna).

162. "Terminale" (4)

Urządzenia, przez które informacje wchodzą do systemów łączności lub wychodzą, np. telefony, urządzenia z danymi, komputery, urządzenia telekopiujące.

163. "Toksyny" (1 2)

Toksyny w postaci celowo wyizolowanych preparatów lub mieszanek, bez względu na sposób produkcji, różne od toksyn istniejących jako zanieczyszczenia innych materiałów, takie jak próbki patogenne, zbiory, żywność lub posiewy "mikroorganizmów".

164. "Układ scalony warstwowy" (3)

Układ "elementów obwodu" i metalowych łączników, wytworzony techniką osadzania grubej lub cienkiej warstwy na "podłożu" o właściwościach izolujących.

Uwaga: "Element obwodu": pojedyncza czynna lub bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, na przykład pojedyncza dioda, tranzystor, rezystor, kondensator, itp.

165. "Układ mikrokomputerowy" (3)

"Monolityczny układ scalony" lub "wieloukład scalony", w którego skład wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna (ALU) zdolna do realizacji instrukcji ogólnych, zawartych w pamięci wewnętrznej, na danych znajdujących się w pamięci wewnętrznej.

Uwaga: Pamięć wewnętrzna może być wspomagana przez pamięć zewnętrzną.

166. "Układ mikroprocesorowy" (3)

"Monolityczny układ scalony" lub "wieloukład scalony", w którego skład wchodzi jednostka arytmetyczno-logiczna, (ALU) zdolna do realizacji szeregu instrukcji ogólnych zawartych w pamięci zewnętrznej.

Uwaga 1: "Układ mikroprocesorowy" zazwyczaj nie jest wyposażony w integralną pamięć dostępną dla użytkownika, ale do realizacji jego funkcji logicznych może być wykorzystywana pamięć istniejąca w mikroukładzie.

Uwaga 2: Definicja ta obejmuje zespoły układów przeznaczone do pracy razem w celu realizacji funkcji "układu mikroprocesorowego".

167. "Układy aktywnego sterowania lotem" (7)

Układy zapobiegające niepożądanym ruchom lub obciążeniom konstrukcji "samolotu" lub pocisku rakietowego dzięki autonomicznemu przetwarzaniu sygnałów z wielu czujników i wydawaniu niezbędnych poleceń do realizacji sterowania automatycznego.

168. "Ultraszybkie chłodzenie" (1)

Technika "gwałtownego krzepnięcia" polegająca na uderzaniu stopionego strumienia metalu w ochłodzony blok, w wyniku czego powstaje produkt w postaci płatków.

Uwaga: "Gwałtowne krzepnięcie": krzepnięcie roztopionego materiału podczas chłodzenia z szybkością powyżej 1 000 K/s.

169. "Uniwersalna jednostka produkcyjna (FMU), (2) (czasami określana jako "uniwersalny system produkcji" (FMS) lub "uniwersalna komórka produkcyjna" (FMC))

Obiekt składający się co najmniej z:

a. "Komputera cyfrowego" z własną "pamięcią operacyjną oraz z własnymi "urządzeniami towarzyszącymi"; oraz

b. Dwóch lub więcej spośród następujących urządzeń:

1. Obrabiarki wymienionej w pozycji 2B001.c.,

2. Maszyny do kontroli wymiarów opisanej w Kategorii 2., lub innej maszyny pomiarowej sterowanej cyfrowo, wymienionej w Kategorii 2.;

3. "Robota", wymienionego w Kategorii 2 lub 8;

4. Urządzeń ze sterowaniem numerycznym, wymienionych w pozycjach 1B003, 2B003 lub 9B001;

5. Urządzeń "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci", wymienionych w pozycji 3B001.a.;

6. Urządzeń ze sterowaniem, wymienionych w pozycji 1B001;

7. Urządzeń elektronicznych ze sterowaniem cyfrowym, wymienionych w pozycji 3A002.c.

170. "Uprzednio separowane" (0)

Oddzielone dowolną techniką wzbogacania kontrolowanego izotopu.

171. "Uran naturalny" (0)

Uran zawierający mieszaninę izotopów występujących w naturze.

172. "Uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233" (0)

Uran zawierający izotopy 235 lub 233, albo oba, w takich ilościach, że stosunek łącznej zawartości tych izotopów do izotopu 238 jest większy niż stosunek zawartości izotopu 235 do izotopu 238 występujący w naturze (stosunek izotopowy 0,72 procenta).

173. "Uran zubożony" (0)

Uran, w którym zawartość izotopu 235 obniżono do ilości mniejszej niż w warunkach naturalnych.

174. "Urządzenia produkcyjne" (9)

Oprzyrządowanie, szablony, przyrządy obróbkowe, trzpienie, formy, matryce, uchwyty, mechanizmy synchronizujące, urządzenie testujące, inne maszyny i ich wyposażenie, z ograniczeniem do urządzeń specjalnie przeznaczonych lub zmodyfikowanych z przeznaczeniem do "rozwoju" lub jednej albo więcej faz "produkcji".

175. "Ustalony" (5)

Algorytm kodowania lub kompresji, który nie może akceptować parametrów dostarczonych z zewnątrz (np. zmiennych do szyfrowania lub kluczy) i nie może być modyfikowany przez użytkownika.

176. "Użytkowanie" (UOdT UdTJ - Wszystkie)

Praca, instalowanie (włącznie z montażem na miejscu), konserwacja (kontrola), naprawa, remonty i odnawianie.

177. "Widmo rozproszone" (5)

Dowolna technika służąca do rozpraszania energii sygnału ze stosunkowo wąskiego kanału telekomunikacyjnego na dużo szersze widmo energii.

178. "Wieloukład scalony" (3)

Dwa lub więcej "monolitycznych układów scalonych", powiązanych wspólnym "podłożem".

179. "Wielospektralne analizatory obrazowe" (6)

Umożliwiają równoczesne lub szeregowe odbieranie danych obrazowych z dwóch lub więcej dyskretnych pasm spektralnych. Analizatory o więcej niż dwudziestu dyskretnych pasmach spektralnych są czasami nazywane hiperspektralnymi analizatorami obrazowymi.

180. "Władze lotnictwa cywilnego" (7 9)

Upoważnione władze Austrii, Australii, Belgii, Danii, Finlandii, Francji, Grecji, Hiszpanii, Holandii, Irlandii, Japonii, Kanady, Luksemburga, Niemiec, Norwegii, Portugalii, Stanów Zjednoczonych Ameryki, Szwecji, Turcji, Wielkiej Brytanii lub Włoch.

181. "Włókna fluorowe" (6)

Włókna wytwarzane ze związków fluoru luzem.

182. "Wrzeciono wahadłowe" (2)

Wrzeciono na narzędzia zmieniające podczas procesu obróbki położenie kątowe swojej linii centralnej względem dowolnej innej osi.

183. "Współczynnik skalowania (żyroskopu lub przyspieszeniomierza)" (7)

Stosunek zmiany wartości wyjściowej do zmiany wartości wejściowej, która ma być mierzona. Współczynnik skalowania jest na ogół szacowany jako pochylenie linii prostej, którą można poprowadzić metodą najmniejszych kwadratów pomiędzy punktami określającymi parametry wejściowe/wyjściowe, uzyskanymi poprzez cykliczną zmianę parametrów wejściowych w przedziale ich wartości.

184. "Wychylenie wstępne (przyspieszeniomierz)" (7)

Wartość wskazywana przez przyspieszeniomierz w przypadku braku przyspieszenia.

185. "Wydajność widmowa"

Liczba czynników parametryzowanych w celu scharakteryzowania wydajności systemu przesyłania, w którym zastosowano złożone systemy modulacji, np. QAM (kwadraturowa modulacja amplitudy) kodowanie Trellis, QPSK (z przesunięciem fazowym), itp. Definicja wydajności jest następująca:

"Szybkość transmisji

danych cyfrowych" (bity/s)

Wydajność widmowa = -----------------------------------

Szerokość pasma widma (Hz) 6 dB

186. "Wykładzina wewnętrzna" (9)

Warstwa pośrednia pomiędzy paliwem stałym a osłoną lub warstwą izolacyjną. Zazwyczaj jest to płynna polimerowa zawiesina materiału ogniotrwałego lub izolacyjnego, np. węgiel z wypełniaczem HTBP lub innym polimerem z dodatkiem środków utrwalających, rozpylonych lub rozsmarowanych na wewnętrznej powierzchni osłony.

187. "Wytrzymałość właściwa na rozciąganie" (0 1)

Wytrzymałość na rozciąganie w paskalach, równych N/m², podzielona przez masę właściwą w N/m³, mierzona w temperaturze (296 +2) K ((23 + 2) ^oC i przy wilgotności względnej (50 + 5)%.

188. "Wzmocnienie optyczne" (5)

W telekomunikacji optycznej technika wzmacniania polegająca na uzyskiwaniu sygnałów optycznych generowanych przez oddzielne źródło optyczne, bez ich przetwarzania na sygnały elektryczne, tj. za pomocą półprzewodnikowych wzmacniaczy optycznych lub światłowodowych wzmacniaczy luminescencyjnych.

189. "Wzmacnianie obrazu" (4)

Przetwarzanie obrazów zawierających informacje, uzyskanych ze źródeł zewnętrznych, za pomocą algorytmów, takich jak kompresja czasu, filtrowanie, wyciąganie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiędzy domenami (np. za pomocą szybkiej transformacji Fouriera lub transformacji Walsha). Nie obejmuje algorytmów, w których stosowane są wyłącznie przekształcenia liniowe lub obrotowe pojedynczego obrazu, takie jak przesunięcie, ekstrahowanie jakieś cechy, rejestracja lub fałszywe barwienie.

190. "Zasięg".

Połowa maksymalnej odległości, jaką może przebyć podwodna jednostka pływająca.

191. "Zasięg przyrządowy" (6)

Jednoznacznie określony zasięg radaru.

192. Zespół elektroniczny" (3 4)

Pewna liczba elementów elektronicznych (tj., "układów elementarnych", "elementów dyskretnych", układów scalonych, itp.) połączonych razem w celu realizacji określonej(ych) funkcji, wymienialna w całości, która zazwyczaj może być demontowana.

Uwaga 1

"Układ elementarny": pojedyncza czynna albo bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, na przykład pojedyncza dioda, tranzystor, rezystor, kondensator, etc.

Uwaga 2

"Element dyskretny": oddzielnie obudowany "układ elementarny" z własnymi końcówkami wyjściowymi.

193. "Ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" (2 3 5)

Sterowanie za pomocą instrukcji zaprogramowanych w pamięci elektronicznej, które procesor może realizować w celu kierowania parametrami określonych funkcji.

Uwaga: Urządzenie może być urządzeniem "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" bez względu na to, czy pamięć elektroniczna jest wewnętrzna, czy też zewnętrzna względem urządzenia.

194. "Zgrzewanie dyfuzyjne" (1 2 9)

Łączenie molekularne w stanie stałym co najmniej dwóch oddzielnych metali w jeden element, przy czym wytrzymałość miejsca połączenia jest równa wytrzymałości najsłabszego z materiałów.

195. "Zintegrowana sieć przesyłania danych" (ISDN) (5)

Zunifikowana całościowo sieć cyfrowa, w której dane pochodzące ze wszystkich typów łączności (np. głosowej, tekstowej, danych cyfrowych, obrazów ruchomych i nieruchomych) są przesyłane z jednego portu (terminala) przez system komutacyjny jedną linią dostępu do i od abonenta.

196. Zwierciadła odkształcalne" (6)

(Określa się je również adaptacyjnymi zwierciadłami optycznymi). Są to zwierciadła mające:

(a) jedną ciągłą odbijającą powierzchnię optyczną, którą można dynamicznie odkształcać za pomocą pojedynczych momentów lub sił, kompensując w ten sposób zniekształcenia fal optycznych padających na zwierciadło; lub

(b) wiele odbijających elementów optycznych, które można oddzielnie i dynamicznie przemieszczać w inne położenie za pomocą działających na nie momentów lub sił, kompensując w ten sposób zniekształcenia fal optycznych padających na zwierciadło.

Uwaga: "Obszar roboczy komputera": obszar bezpośrednio dostępny i przyległy do komputera elektronicznego, w którym są realizowane normalne działania związane z jego eksploatacją, obsługą eksploatacyjną i techniczną.

WYKAZ SKRÓTÓW ORGANIZACJI WYMIENIONYCH W WYKAZIE

ANSI - American National Standardization Institute

Amerykański Narodowy Instytut Normalizacji

ASTM - American Society for Testing Materials

Amerykańskie Towarzystwo Materiałoznawcze

CCITT - Comité Consultatif International Télégraphique et Téléphonique

Międzynarodowy Komitet Doradczy Telegraficzny i Telefoniczny

IEC - International Elektrotechnical Commission

Międzynarodowa Komisja Elektrotechniczna

ITU - International Telecommunication Union

Międzynarodowy Związek Telekomunikacyjny

VDE - Verein Deutscher Elektrotechniker

Związek Niemieckich Elektrotechników

VDI - Verein Deutscher Ingenieure

Związek Niemieckich Inżynierów

WHO - World Health Organization

Światowa Organizacja Zdrowia

SKRÓTY UŻYWANE W TEKŚCIE LISTY

UOdO - Uwaga Ogólna do Oprogramowania

UOdT - Uwaga Ogólna do Technologii

UdTJ - Uwaga do technologii Jądrowej

ZAŁĄCZNIK Nr 2

WYKAZ TOWARÓW I TECHNOLOGII OBJĘTYCH SZCZEGÓLNĄ KONTROLĄ OBROTU Z ZAGRANICĄ W ZWIĄZKU Z POROZUMIENIAMI I ZOBOWIĄZANIAMI MIĘDZYNARODOWYMI PRZYWOŻONYCH NA TERYTORIUM RZECZYPOSPOLITEJ POLSKIEJ

KATEGORIE:

Kategoria 0 - Materiały, instalacje i urządzenia jądrowe

Kategoria 1 - Materiały, substancje chemiczne, "mikroorganizmy" i "toksyny"

Kategoria 2 - Przetwórstwo materiałów

Kategoria 3 - Elektronika

Kategoria 4 - Komputery

Kategoria 5 - Urządzenia telekomunikacyjne i "ochrona informacji"

Kategoria 6 - Czujniki i lasery

Kategoria 7 - Nawigacja i awionika

Kategoria 8 - Urządzenia okrętowe

Kategoria 9 - Układy napędowe, pojazdy kosmiczne i ich wyposażenie

Każda z wymienionych kategorii jest podzielona na następujące grupy:

A. Urządzenia, zespoły i części

B. Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

C. Materiały

D. Oprogramowanie

E. Technologia

Uwaga do Technologii Jądrowej: (Czytać łącznie z grupą E kategorii 0)

Transfer technologii bezpośrednio związanej z jakimikolwiek towarami w kategorii 0 podlega sprawdzeniu i kontroli w takim samym stopniu jak te towary.

Zgoda na eksport określonych towarów upoważnia również do eksportu do tego samego użytkownika minimalnej technologii wymaganej do instalacji, działania, utrzymania i naprawy tych towarów.

Kontrole transferu technologii nie mają zastosowania do informacji stanowiących własność publiczną lub związanych z podstawowymi badaniami naukowymi.

Uwaga Ogólna do Technologii: (Czytać łącznie z grupą E kategorii od 1 do 9)

Transfer technologii, która jest niezbędna do rozwoju, produkcji lub wykorzystania towarów wymienionych w kategoriach od 1 do 9 podlega kontroli na warunkach podanych w każdej z tych kategorii.

Uwaga: Powyższe nie dotyczy technologii napraw wyszczególnionej pod pozycją 8E002.a.

Kontrole transferu technologii nie mają zastosowania do informacji stanowiących własność publiczną lub związanych z podstawowymi badaniami naukowymi.

Uwaga Ogólna do Oprogramowania:

Niniejsza uwaga wyklucza jakąkolwiek kontrolę oprogramowania wymienionego w grupie D kategorii od 1 do 9, które jest:

a. ogólnie dostępne poprzez:

1. sprzedaż gotowego oprogramowania w punktach sprzedaży detalicznej bez żadnych ograniczeń w wyniku:

a. bezpośrednich transakcji sprzedaży

b. transakcji realizowanych na zamówienie pocztowe

c. transakcji realizowanych drogą telefoniczną, i

2. przygotowanie do samodzielnej instalacji przez użytkownika bez konieczności dalszej pomocy sprzedawcy.

b. własnością publiczną.

KATEGORIA 0 MATERIAŁY, INSTALACJE, URZĄDZENIA JĄDROWE

0B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

0B001. Następujące instalacje do separacji izotopów z "uranu naturalnego" i "uranu zubożonego", "specjalnych materiałów rozszczepialnych" i "innych materiałów rozszczepialnych" oraz urządzenia specjalnie do nich, zaprojektowane lub wykonane;

1. Instalacje do dyfuzyjnego rozdzielania gazów;

2. Instalacje do rozdzielania gazów metodą wirowania;

3. Instalacje do rozdzielania metodami aerodynamicznymi;

4. Instalacje do rozdzielania metodami wymiany chemicznej;

5. Instalacje do rozdzielania techniką wymiany jonów;

6. Instalacje do rozdzielania izotopów za pomocą "laserów" na parach metali;

7. Instalacje do rozdzielania izotopów za pomocą "laserów" molekularnych,

8. Instalacje do rozdzielania metodami plazmowymi;

9. Instalacje do rozdzielania metodami elektromagnetycznymi;

0B002. Następujące specjalnie zaprojektowane lub wykonane pomocnicze instalacje, urządzenia i podzespoły do instalacji separacji izotopów wymienionych w pozycji 0B001, wykonane z materiałów odpornych na UF₆ lub chronione materiałami tego typu:

a. Autoklawy, piece lub instalacje do doprowadzania UF₆do instalacji do wzbogacania;

b. Desublimatory lub wymrażarki do odprowadzania UF₆ z instalacji przetwórczych i dalszego jego transportu po ogrzaniu;

c. Instalacje do "produktu" lub "frakcji końcowych" do transportu UF₆ do zbiorników.

d. Instalacje do skraplania lub zestalania stosowane do usuwania UF₆ z procesu wzbogacania drogą sprężania i przetwarzania UF₆ w ciecz lub ciało stałe;

f. 1. Próżniowe instalacje rur rozgałęźnych lub zbiorników o wydajności ssania 5 m³ na minutę lub większej; lub

2. Pompy próżniowe specjalnie przeznaczone do pracy w atmosferze UF₆;

0B003. Następujące instalacje do produkcji sześciofluorku uranu (UF₆) oraz specjalnie przeznaczone lub wykonane do nich urządzenia i podzespoły:

a. Instalacje do produkcji UF₆;

b. Następujące urządzenia i podzespoły, specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do produkcji UF₆;

1. Ślimakowe reaktory do fluorowania i hydrofluorowania oraz reaktory fluidalne i wieże płomieniowe;

2. Instalacje destylacyjne do oczyszczania UF₆.

0B004. Następujące instalacje do produkcji ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru oraz specjalnie do nich zaprojektowane i wykonane urządzenia:

a. Następujące instalacje do produkcji ciężkiej wody, deuteru i związków deuteru oraz specjalnie do nich zaprojektowane i wykonane urządzenia:

1. Instalacje do produkcji metodą wymiany siarkowodór-woda;

2. Instalacje do produkcji metodą wymiany amoniak-wodór;

3. Instalacje do destylacji wodoru;

b. Następujące urządzenia i podzespoły, przeznaczone do:

1. Produkcji metodą wymiany siarkowodór-woda:

a. Półkowe wymienniki wieżowe;

b. Sprężarki do gazowego siarkowodoru;

2. Produkcji metodą wymiany amoniak-wodór.

a. Wysokociśnieniowe wymienniki wieżowe typu amoniak-wodór;

b. Wysoko wydajne kontaktory stopniowe;

c. Stopniowe, zanurzeniowe pompy recyrkulacyjne;

d. Instalacje do krakowania amoniaku zdolne do pracy przy ciśnieniach powyżej 3 MPa;

3. Produkcji metodą destylacji wodoru:

a. Kriogeniczne wieże i zimne komory do destylacji wodoru zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej 35 K (-238^oC);

b. Zespoły turborozprężarek lub turborozprężarko-sprężarek zaprojektowane do pracy w temperaturach poniżej 35 K (-238^oC);

4. Produkcji metodą stężania ciężkiej wody do poziomu reaktorowego (99,75 procent udziału wagowego tlenku deuteru):

a. Wieże do destylacji wody ze specjalnie zaprojektowanymi wypełniaczami;

b. Wieże do destylacji amoniaku ze specjalnie zaprojektowanymi wypełniaczami;

c. Palniki katalityczne do konwersji całkowicie wzbogaconego deuteru w ciężką wodę;

d. Podczerwone analizatory absorpcyjne zdolne do bieżącej (on-line) analizy stosunku wodoru do deuteru w warunkach, w których stężenia wagowe wodoru do deuteru są równe lub większe niż 90%;

0B006. Instalacje do przerobu napromieniowanych elementów paliwowych "reaktorów jądrowych" oraz specjalnie dla nich przeznaczone lub wykonane urządzenia i podzespoły.

0B007. Następujące urządzenia specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do separacji izotopów litu:

a. Cieczowo-cieczowe wymienniki kolumnowe z wypełnieniem specjalnie przeznaczone do amalgamatów litu;

b. Pompy do amalgamatów;

c. Ogniwa do elektrolizy amalgamatów;

d. Aparaty wyparne do stężonych roztworów wodorotlenku litu.

0B009. Następujące instalacje do przetwarzania uranu i urządzenia specjalnie przeznaczone lub wykonane z przeznaczeniem do nich:

a. Instalacje do przetwarzania koncentratów rudy uranowej na UO₃;

b. Instalacje do przetwarzania UO₃ na UF₆;

c. Instalacje do przetwarzania UO₃ na UO₂;

d. Instalacje do przetwarzania UO₂ na UF₄;

e. Instalacje do przetwarzania UF₄na UF_6;

f. Instalacje do przetwarzania UF₄ na metaliczny uran;

g. Instalacje do przetwarzania UF₆ na UO₂;

h. Instalacje do przetwarzania UF₆ na UF₄;

0C Materiały

0C001. "Uran naturalny" lub "uran zubożony", lub tor w formie metalu, stopu, związku chemicznego lub koncentratu i dowolnego innego materiału zawierającego jeden lub więcej z powyższych materiałów;

z wyjątkiem:

a. Czterech gramów lub mniej "uranu naturalnego" lub "uranu zubożonego", jeżeli znajduje się w czujnikach instrumentów pomiarowych;

b. "Uranu zubożonego" specjalnie wyprodukowanego z przeznaczeniem do wyrobu następujących produktów cywilnych spoza dziedziny jądrowej:

1. Osłony:

2. Wypełnienia;

3. Balasty;

4. Przeciwwagi.

0C002. "Specjalne materiały rozszczepialne" i "inne materiały rozszczepialne", tzn.:

Pluton-239, "uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233" oraz dowolny, zawierający go materiał;

z wyjątkiem:

Czterech "gramów efektywnych" lub mniej, w przypadku ich stosowania w czujnikach instrumentów pomiarowych.

0C003. Następujące materiały, które można zastosować w jądrowych instalacjach ciepłowniczych:

a. Pluton w dowolnej postaci zawierający izotop pluton-238 w ilości powyżej 50%;

z wyjątkiem:

Trzech gramów lub mniej, w przypadku kiedy znajduje się w czujnikach instrumentów pomiarowych;

b. "Uprzednio separowany" neptun-237 w dowolnej formie;

z wyjątkiem:

Dostaw zawierających neptun-237 w ilości jednego grama lub mniejszej.

0C004. Deuter, ciężka woda, deuterowane parafiny i wszystkie inne związki deuteru oraz ich mieszaniny i roztwory, w których stosunek liczby atomów deuteru do atomów wodoru jest większy niż 1 : 5000.

0C005. Grafit klasy jądrowej, o stopniu zanieczyszczenia poniżej 5 części na milion "ekwiwalentu boru" oraz gęstości większej niż 1,50 g/cm³.

KATEGORIA 1 MATERIAŁY, SUBSTANCJE CHEMICZNE, "MIKROORGANIZMY" I "TOKSYNY"

1A Urządzenia, zespoły i elementy

1A225. Katalizatory platynowe specjalnie opracowane lub przygotowane do wspomagania reakcji wymiany izotopów wodoru pomiędzy wodorem a wodą w celu separacji trytu z ciężkiej wody albo w celu produkcji ciężkiej wody.

1A226. Wyspecjalizowane wkłady do oddzielania ciężkiej wody od wody zwykłej, wykonane z siatek z brązu fosforowego lub miedzi (w obu przypadkach obrobione chemicznie w celu zwiększenia zwilżalności) i przeznaczone do stosowania w próżniowych wieżach destylacyjnych.

1B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

1B226. Elektromagnetyczne separatory izotopów, skonstruowane z przeznaczeniem do współpracy z jednym lub wielu źródłami jonów zdolnymi do uzyskania wiązki jonów o całkowitym natężeniu rzędu 50 mA lub więcej, albo wyposażone w takie źródło lub źródła.

Uwaga: Pozycja 1B226 obejmuje następujące separatory:

a. zdolne do wzbogacania izotopów trwałych;

b. ze źródłami i kolektorami jonów zarówno w polu magnetycznym, jak i w takich instalacjach, w których zespoły te znajdują się na zewnątrz pola.

1B227. Konwertery do syntezy amoniaku lub urządzenia do syntezy amoniaku, w których gaz do syntezy (azot lub wodór) jest odprowadzany z wysokociśnieniowej kolumny wymiennej amoniakowo-wodorowej, a zsyntetyzowany amoniak wraca do wspomnianej kolumny.

1B228. Kolumny do kriogenicznej destylacji wodoru posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

a. skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy temperaturach wewnętrznych 35 K (-238^oC) lub mniejszych;

b. skonstruowane z przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniach wewnętrznych od 0,5 do 5 MPa (5 do 50 atmosfer);

c. skonstruowane z drobnoziarnistych stali nierdzewnych klasy 300 o niskiej zawartości siarki lub równoważnych materiałów kriogenicznych dostosowanych do działania w atmosferze H₂; oraz

d. o średnicach wewnętrznych 1 m lub większych i długościach efektywnych 5 m lub większych.

1B229. Kolumny półkowe do wymiany typu woda-siarkowodór wykonane z drobnoziarnistej stali węglowej o średnicy 1,8 m lub większej w przeznaczeniem do pracy przy ciśnieniu nominalnym 2 MPa lub wyższym.

UWAGI:

1. W przypadku kolumn specjalnie skonstruowanych lub spreparowanych do produkcji ciężkiej wody patrz 0B004.

2. pozycja 1B229 obejmuje kontaktory wewnętrzne w kolumnach, będące segmentowymi półkami o zespołowej średnicy roboczej 1,8 m lub większej, takie jak półki sitowe, półki zaworowe, półki dzwonowe oraz półki rusztowe, skonstruowane w sposób ułatwiający kontakt czynników w przepływie przeciwprądowym i wykonane z materiałów odpornych na korozję w wyniku działania mieszanki siarkowodoru z wodą, takich jak stal nierdzewna 304L lub 316.

3. drobnoziarniste stale węglowe w tym stale określone w ASTM A516.

1B230. Pompy do przetłaczania roztworów katalizatora z amidku potasu rozcieńczonego lub stężonego w ciekłym amoniaku (KNH₂/NH₃), posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy:

a. szczelne dla powietrza (tj. hermetycznie zamknięte);

c. o wydajności powyżej 8,5 m³/godz.

1B231. Urządzenie lub instalacje do produkcji, odzyskiwania, ekstrakcji, stężania lub manipulowania trytem, oraz następujące wyposażenie:

a. urządzenia do chłodzenia wodoru lub helu zdolne do chłodzenia do temperatury 23 K (-250^oC) lub poniżej, o wydajności odprowadzania ciepła powyżej 150 watów; lub

b. instalacje do magazynowania i oczyszczania izotopów wodoru za pomocą wodorków metali jako środków do magazynowania lub oczyszczania.

1C Materiały

1C001. Następujące materiały specjalnie opracowane z przeznaczeniem na pochłaniacze fal elektromagnetycznych albo polimery przewodzące samoistnie:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ 1C101

a. Materiały pochłaniające fale o częstotliwościach powyżej 2 x 10⁸ Hz, ale poniżej 3 x 10¹²Hz;

z wyjątkiem:

następujących materiałów:

UWAGA: żadne sformułowanie w pozycji 1C001.a nie zwalnia materiałów magnetycznych używanych jako pochłaniacze fal w farbach.

1. pochłaniaczy typu włosowego, wykonanych z włókien naturalnych albo syntetycznych, w których pochłanianie osiąga się innym sposobem niż magnetyczny;

2. Pochłaniaczy nie wykazujących strat magnetycznych oraz takich, których powierzchnia, na którą pada promieniowanie, nie jest planarna, w tym ostrosłupów, stożków, klinów i powierzchni zwichrowanych;

3. Pochłaniaczy planarnych:

a. Wykonanych:

1. ze spienionych tworzyw sztucznych (elastycznych albo nieelastycznych) wzmacnianych węglem, albo z materiałów organicznych, włącznie z materiałami wiążącymi, dających więcej niż 5% echa w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ± 15% od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 450 K (177^oC); lub

2. z materiałów ceramicznych dających ponad 20% echa więcej w porównaniu z metalami, w paśmie o szerokości wyższej o ± 15% od częstotliwości centralnej padającej fali, i nieodpornych na temperatury przekraczające 800 K (527^oC);

Uwaga techniczna: Próbki do badania stopnia pochłaniania materiałów wymienionych w pozycji 1C001.a.3.a. powinny być kwadratami o boku równym co najmniej 5 długościom fali o częstotliwości centralnej i umieszczone w miejscu oddalonym od elementu wysyłającego fale elektromagnetyczne.

b. Posiadających wytrzymałość na rozciąganie poniżej 7 x 10⁶N/m²; oraz

c. Posiadających wytrzymałość na ściskanie poniżej 14 x 10⁶ N/m²;

4. Pochłaniaczy planarnych wykonanych ze spieku ferrytowego, charakteryzującego się:

a. Ciężarem właściwym powyżej 4,4; oraz

b. Maksymalną temperaturą roboczą 548 K (275^oC);

b. Materiały pochłaniające fale o częstotliwościach w zakresie od 1,5 x 10¹⁴Hz do 3,7,x 10¹⁴ Hz i nieprzezroczyste dla promieniowania widzialnego;

c. Materiały polimerowe przewodzące samoistnie, o objętościowej przewodności elektrycznej powyżej 10 000 S/m (simensów na metr) albo oporności powierzchniowej poniżej 100 omów/m² (uwaga tłumacza: prawdopodobnie na metr kwadratowy - z tekstu to nie wynika), których podstawowym składnikiem jest jeden z następujących polimerów:

1. Polianilina;

2. Polipirol;

3. Politiofen;

4. Polifenylenowinylen; lub

5. Politienylenowinylen.

Uwaga techniczna: Objętościową przewodność elektryczną oraz oporność powierzchniową należy określać zgodnie z normą ASTM D-257 albo jej odpowiednikami.

1C232. Hel w dowolnej postaci wzbogacony w izotop helu-3, w mieszankach z innymi materiałami lub w stanie czystym albo znajdujący się w urządzeniach lub aparaturze;

z wyjątkiem:

Wyrobów lub urządzeń zawierających poniżej 1 g helu-3.

1C233. Lit w następujących postaciach:

a. Metalicznej, wodorków lub stopów litu wzbogaconych w izotop 6 (⁶Li) do stężenia powyżej występującego w warunkach naturalnych (7,5% na podstawie udziału atomowego);

b. W postaci dowolnych innych materiałów zawierających lit wzbogacony w izotop 6 (w tym w postaci związków, mieszanin i koncentratów);

z wyjątkiem:

⁶Li znajdującego się w dozymetrach termoluminescencyjnych.

1C234. Cyrkon w następujących postaciach: metalicznej, stopów zawierających powyżej 50% wagowych cyrkonu i związków, w których stosunek wagowy hafnu do cyrkonu wynosi poniżej 1 części na 500, oraz wyrobów z tych materiałów;

z wyjątkiem:

Cyrkonu w postaci folii o grubości nie większej niż 0,10 mm.

UWAGA: Niniejsza pozycja dotyczy również odpadów i złomu zawierającego cyrkon w podanych tu proporcjach.

1C235. Tryt, związki trytu i mieszanki zawierające tryt, w których stosunek atomów trytu do wodoru wynosi 1 część na 1000;

z wyjątkiem:

Wyrobu lub urządzenia zawierającego nie więcej niż 40 Ci (kiurów) trytu w dowolnej postaci chemicznej lub fizycznej.

1C236. Radionuklidy emitujące cząstki alfa o półokresie trwania 10 dni lub dłuższym, ale poniżej 200 lat, w tym urządzenia, związki i mieszanki zawierające radionuklidy tego typu o całkowitej radioaktywności alfa 1 kiur na kilogram (37 GBq/kg) lub większej;

z wyjątkiem:

Urządzeń zawierających radionuklidy o radioaktywności alfa poniżej 100 milikiurów (3,7 GBq) na urządzenie.

1C237. Rad-226;

z wyjątkiem:

Radu znajdującego się w aplikatorach medycznych.

1C238. Trifluorek chloru (ClF₃).

1C239. Materiały wybuchowe kruszące, różne od specjalnie przeznaczonych do zastosowań militarnych, albo substancje lub mieszanki zawierające materiały tego typu w ilości powyżej 2%, o gęstości krystalicznej powyżej 1,8 gm na cm³ i mające prędkość detonacji powyżej 8000 m/s.

KATEGORIA 2 PRZETWÓRSTWO MATERIAŁÓW

2B Urządzenia testowe, kontrolne i produkcyjne

2B004. Następujące, pracujące na gorąco "prasy izostatyczne" oraz specjalnie opracowane do nich matryce, formy, zespoły, akcesoria i urządzenia sterujące:

UWAGA: PATRZ RÓWNIEŻ POZYCJE 2B104 I 2B204.

a. Prasy z możliwością regulacji warunków termicznych w zamkniętej formie oraz wyposażone w komorę formy o średnicy wewnętrznej 406 mm albo większej; oraz

b. Posiadające:

1. Maksymalne ciśnienie robocze powyżej 207 MPa;

2. Możliwość regulacji warunków termicznych powyżej 1 773 K (1500^oC); lub

3. Możliwość nasycania węglowodorami i usuwania powstających gazowych produktów rozkładu;

Uwaga techniczna: Wymiarem wewnętrznym komory jest ten wymiar, w którym uzyskuje się zarówno temperaturę roboczą, jak i ciśnienie robocze i nie dotyczy uchwytów. Jest to mniejsza ze średnic wewnętrznej komory ciśnieniowej albo wewnętrznej izolowanej komory piecowej, w zależności od tego, która z tych dwóch komór znajduje się wewnątrz drugiej.

2B005. Urządzenia specjalnie opracowane do osadzania, przetwarzania i automatycznej kontroli czynnej pokryć i powłok nieorganicznych oraz modyfikacji warstw powierzchniowych, z przeznaczeniem do wytwarzania podłoży nieelektronicznych, technikami wymienionymi w Tabeli.

2B104. Środki do sterowania urządzeniami i przebiegiem procesu, skonstruowane lub zmodyfikowane pod kątem zagęszczania i pirolizy dysz rakietowych z kompozytów strukturalnych oraz końcówek na krawędziach natarcia pojazdów kosmicznych lądujących na ziemi.

UWAGA: Jedynymi "prasami izostatycznymi" i piecami ujętymi w tej pozycji są:

a. "Prasy izostatyczne", różne od ujętych w pozycji 2B004, posiadające wszystkie następujące cechy charakterystyczne:

1. Maksymalne ciśnienie robocze 69 MPa lub większe;

2. Skonstruowane w taki sposób, że są w stanie osiągnąć i utrzymać środowisko o regulowanych parametrach termicznych rzędu 873 K (600^oC) lub większych; oraz

3. Posiadają komorę o średnicy wewnętrznej 254 mm lub większej;

b. Piece do chemicznego osadzania par, skonstruowane lub zmodyfikowane pod kątem zagęszczania kompozytów węgiel-węgiel.

2B204. "Prasy izostatyczne" różne od ujętych w pozycjach 2B004 lub 2B104, zdolne do osiągnięcia maksymalnego ciśnienia roboczego 69 MPa lub większego i posiadające komorę o średnicy wewnętrznej 152 mm oraz specjalnie do nich skonstruowane matryce, formy i zespoły sterujące.

2B225. Następujące zdalnie sterowane manipulatory do mechanicznego przekształcania działań człowieka za pomocą urządzeń elektrycznych, hydraulicznych lub mechanicznych na ramię robocze i uchwyt, które można używać do zdalnego wykonywania prac podczas rozdzielania radiochemicznego oraz do wykonywania prac w komorach gorących:

a. zdolne do przenikania na odległość 0,6 m lub więcej od ścianki komory; lub

b. zdolne do przechodzenia ponad górną krawędzią ścianki komory o grubości 0,6 m lub większej.

2B232. Wielostopniowe wyrzutnie gazowe lub inne urządzenia do wyrzucania obiektów z wysoką prędkością (cewkowe, elektromagnetyczne, elektrotermiczne lub inne nowoczesne systemy tego typu) zdolne do przyspieszania pocisków do prędkości 2 km/s lub większej.

2E Technologia

2E001. "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do "rozwoju" urządzeń lub "oprogramowania", ujętych w pozycjach 2A lub 2B.

2E002. "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii przeznaczone do "produkcji" urządzeń ujętych w pozycjach 2A lub 2B.

2E003. Następujące inne "technologie":

d. "Technologie" do:

Nakładania powłok nieorganicznych albo powłok nieorganicznych modyfikowanych powierzchniowo, wymienionych w kolumnie 3 zamieszczonej poniżej Tabeli;

Do podłoży nieelektronicznych, wymienionych w kolumnie 2 zamieszczonej poniżej Tabeli;

Sposobów wymienionych w kolumnie 1 zamieszczonej poniżej Tabeli i zdefiniowanych w Uwadze Technicznej;

TABELA - TECHNIKI NAPYLANIA

1. Technika powlekania	2. Podłoże	3. Powłoka wynikowa
A. Osadzanie z pary lotnej (CVD)	"Nadstopy"	Glinki na kanały wewnętrzne
	Materiały ceramiczne i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Krzemki Węgliki Warstwy dielektryczne
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Metale ogniotrwałe Mieszanki powyższych Warstwy dielektryczne Glinki Glinki stopowe
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Węgliki Wolfram Mieszanki powyższych Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Warstwy dielektryczne
	Materiały na okienka wziernikowe	Warstwy dielektryczne
B. Termiczne naparowywanie próżniowe (TE-PVD) 1. Naparowywanie próżniowe (PVD): Wiązką elektronów (EB-PVD)	"Nadstopy	Krzemki stopowe Glinki stopowe MCrAlX Zmodyfikowany cyrkon Krzemki Glinki Ich mieszaniny
	Materiały ceramiczne i szkło o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Warstwy dielektryczne
	Stale odporne na korozję	MCrAlX Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Ich mieszanki
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Metale ognioodporne Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Węgliki Wolfram Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Warstwy dielektryczne Borki
	Materiały na okienka wziernikowe	Warstwy dielektryczne
	Stopy tytanu	Borki Azotki
B.2. Napylanie techni- ką ogrzewania wspomaganego jo- nowo (Napylanie jonowe)	Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Warstwy dielektryczne
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Warstwy dielektryczne
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Warstwy dielektryczne
	Materiały na okienka wziernikowe	Warstwy dielektryczne
B.3. Napylanie próż- niowe: "odparowy- wanie laserowe"	Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Krzemki Warstwy dielektryczne
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Warstwy dielektryczne
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Warstwy dielektryczne
B.4. Naparowywanie próżniowe: za po- pomocą łuku katodowego	"Nadstopy"	Krzemki stopowe Glinki stopowe MCrAlX
	"Kompozyty" na matrycy polimerowej i organicznej	Borki Węgliki Azotki
C. Osadzanie fluidyza- cyjne (patrz A po- wyżej dla innych technik)	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Ich mieszanki
	Stopy tytanu	Krzemki Glinki
	Metale i stopy ognioodporne	Glinki stopowe
D. Napylanie plazmowe	"Nadstopy"	MCrAlX Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Ich mieszanki Materiał ścierny nikiel-grafit Materiał ścierny Ni-Cr-Al-Bentonit Materiał ścierny Al-Si-Poliester Glinki stopowe
	Stopy aluminium	MCrAlX Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Krzemki Ich mieszanki
	Metale i stopy ognioodporne	Glinki Krzemki Węgliki
	Stale odporne na korozję	Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Ich mieszanki
	Stopy tytanu	Węgliki, Glinki Krzemki Glinki stopowe Materiały ścierne nikiel-grafit Materiały ścierne Ni-Cr-Al Bentonit Materiały ścierne Al-Si-Poliester
E. Powlekanie zawiesinowe	Metale i stopy ognioodporne	Krzemki stopione. Glinki stopione z wyjątkiem elementów do nagrzewania oporowego
	"Kompozyty" na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Ich mieszanki
F. Rozpylanie jonowe	"Nadstopy"	Krzemki stopowe Glinki stopowe Glinki zmodyfikowane metalem szlachetnym MCrAlX Zmodyfikowany tlenek cyrkonowy Platyna Ich mieszanki
	Materiały ceramiczne i szkła o małym współczynniku rozszerzalności cieplnej	Krzemki Platyna Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Stopy tytanu	Borki Azotki Tlenki Krzemki Glinki Glinki stopowe Węgliki
	Kompozyty na matrycy węgiel-węgiel, ceramicznej i metalowej	Krzemki Węgliki Metale ognioodporne Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Spiekane węgliki wolframu, węglik krzemu	Węgliki Wolfram Ich mieszanki Warstwy dielektryczne
	Molibden i stopy molibdenu	Warstwy dielektryczne
	Beryl i stopy berylu	Borki Warstwy dielektryczne
	Materiały na okienka wziernikowe	Warstwy dielektryczne
	Metale i stopy ognioodporne	Glinki Krzemki Tlenki Węgliki
G. Implantacja jonów	Żarowytrzymałe stale łożyskowe	Dodatki chromu, tantalu lub niobu
	Stopy tytanu	Borki Azotki
	Beryl i stopy berylu	Borki
	Spiekany węglik wolframu	Węgliki Azotki

KATEGORIA 4 KOMPUTERY

4A Urządzenia, zespoły i części

4A001. Następujące komputery elektroniczne i towarzyszące im urządzenia oraz specjalnie do nich przeznaczone "zespoły" i elementy:

b. Mające cechy charakterystyczne lub realizujące działania wykraczające poza ograniczenia według Kategorii 5 (Część 2 - "Ochrona Informacji").

4A003. Następujące "komputery cyfrowe", "zespoły elektroniczne" i urządzenia im towarzyszące oraz specjalnie dla nich przeznaczone elementy:

b. "Komputery cyfrowe" o "teoretycznej mocy kombinowanej" (CTP) powyżej 1500 milionów teoretycznych operacji kombinowanych na sekundę (Mtops);

4A004. Następujące komputery i specjalnie dla nich przeznaczone urządzenia towarzyszące, "zespoły elektroniczne" i elementy do nich:

b. "Komputery neuronowe"

c. "Komputery optyczne".

CZĘŚĆ 1

URZĄDZENIA TELEKOMUNIKACYJNE

5A1 Urządzenia, zespoły i elementy

5A001. a. Dowolny typ urządzeń telekomunikacyjnych posiadający jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych lub właściwości, albo realizujących jedną z wymienionych funkcji:

1. Specjalnie zabezpieczone przed skutkami przejściowych zjawisk elektronicznych albo impulsu elektromagnetycznego, powstającego podczas wybuchu jądrowego;

2. Specjalnie zabezpieczone przed promieniowaniem gamma, neutronowym lub jonizacyjnym;

5A101. Urządzenia do zdalnego przekazywania wyników pomiarów i do zdalnego sterowania, znajdujące zastosowanie w "pociskach rakietowych".

CZĘŚĆ 2

"OCHRONA INFORMACJI"

UWAGA: W niniejszej Kategorii określono status kontroli urządzeń, "oprogramowania", systemów, sposobów wykorzystania specjalnych "zespołów elektronicznych", modułów, układów scalonych, elementów, technologii lub funkcji związanych z "ochroną informacji", nawet takich, które stanowią elementy lub "zespoły elektroniczne" innych urządzeń.

5A2 Urządzenia, zespoły i elementy

5A002. Następujące systemy, urządzenia, sposoby wykorzystania specyficznych "zespołów elektronicznych", moduły lub układy scalone związane z "ochroną informacji" oraz inne specjalne elementy do nich:

a. Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zastosowania "kryptografii" z wykorzystaniem technik cyfrowych do "ochrony informacji";

b. Przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do realizacji funkcji kryptograficznych;

c. Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zastosowania "kryptografii" z wykorzystaniem technik analogowych do "ochrony informacji";

z wyjątkiem:

1. Urządzeń do szyfrowania pasmowego ze "stałym wzorcem", nie posiadających więcej niż 8 pasm, w których transpozycje zmieniają się nie częściej niż raz na sekundę;

2. Urządzeń do szyfrowania pasmowego ze "stałym wzorcem", posiadających więcej niż 8 pasm, w których transpozycje zmieniają się nie częściej niż raz na dziesięć sekund;

3. Urządzeń do szyfrowania za pomocą inwersji częstotliwości ze "stałym wzorcem", w których transpozycje zmieniają się nie częściej niż raz na sekundę;

4. Urządzeń symilograficznych (telegrafii kopiowej);

5. Urządzeń radionadawczych dla ograniczonej liczby odbiorców;

6. Cywilnych urządzeń telewizyjnych;

d. Przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do wygaszania przypadkowego przekazywania sygnałów przenoszących tajne informacje;

f. Przeznaczone albo zmodyfikowane w celu zapewnienia uwierzytelnionego albo wymagającego uwierzytelnienia "wielopoziomowego systemu ochrony" lub wyodrębnienia użytkownika na poziomie powyżej Klasy B2 według Kryteriów Oszacowania Poufnych Systemów Komputerowych (Trusted Computer System Evaluation Criteria - TCSEC) lub równoważnych;

UWAGA: Pozycja 5A002 nie obejmuje kontrolą:

a. "Inteligentnych kart osobistych", w których zastosowano elementy "kryptograficzne" zastrzeżone do używania wyłącznie w urządzeniach lub systemach:

1. wyłączonych z kontroli według pozycji 5A00.c.1 do c.6;

2. wyłączonych z kontroli na mocy punktów b, c lub e niniejszej Uwagi;

b. Urządzeń, w których zastosowano "niezmienne" techniki kompresji lub kodowania danych;

d. Radiotelefonów osobistych lub przenośnych do zastosowań cywilnych, np. do użytkowania w cywilnych systemach radiokomunikacji terytorialnej, w których stosowane są techniki szyfrowania, kiedy towarzyszą użytkownikom;

e. Funkcji rozszyfrowujących, specjalnie opracowanych w ten sposób, że umożliwiają działanie "oprogramowania" zabezpieczonego przed kopiowaniem, pod warunkiem, że użytkownik nie ma dostępu do funkcji rozszyfrowujących.

5B2 Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

5B002. a. Urządzenia specjalnie przeznaczone do:

1. Rozwoju urządzeń lub funkcji objętych kontrolą w pozycjach 5A002, 5B002, 5D002 lub 5E002, w tym urządzeń pomiarowych lub do testowania;

2. Produkcji urządzeń lub funkcji objętych kontrolą w pozycjach 5A002, 5B002, 5D002 lub 5E002, w tym urządzeń pomiarowych, do testowania, napraw lub produkcji;

b. Urządzenia pomiarowe specjalnie przeznaczone do oceny i analizy funkcji dotyczących "ochrony informacji" objętych kontrolą według pozycji 5A002 lub 5D002.

5D2 Oprogramowanie

5D002. a. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane z przeznaczeniem do "rozwoju", "produkcji" lub "użytkowania" urządzeń lub "oprogramowania" objętego kontrolą według pozycji 5A002, 5B002 lub 5D002;

b. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone lub zmodyfikowane w celu wspierania "technologii" objętych kontrolą według pozycji 5E002;

c. Następujące "oprogramowanie" specjalne:

1. "Oprogramowanie" o właściwościach albo realizujące lub symulujące funkcje urządzeń objętych kontrolą według pozycji 5A002 lub 5B002;

2. "Oprogramowanie" do uwierzytelniania "oprogramowania" objętego kontrolą według pozycji 5D002.c.1;

3. "Oprogramowanie" przeznaczone albo zmodyfikowane w celu ochrony komputerów przed zamierzonymi działaniami na ich szkodę, np. przed wirusami komputerowymi.

UWAGA: Pozycja 5D002 nie obejmuje kontrolą:

a. "Oprogramowania" "niezbędnego" do "użytkowania" urządzeń nie objętych kontrolą na mocy Uwagi do pozycji 5A002;

b. "Oprogramowania" umożliwiającego realizację dowolnej funkcji urządzeń wyłączonych z kontroli na mocy Uwagi do pozycji 5A002.

KATEGORIA 6 CZUJNIKI I LASERY

6A Urządzenia, zespoły i elementy

6A001. Czujniki akustyczne.

a. Następujące okrętowe systemy akustyczne, urządzenia albo specjalnie do nich przeznaczone elementy:

a. Hydrofony (przetworniki) posiadające jedną z następujących cech charakterystycznych:

1. Wyposażone w ciągłe, elastyczne czujniki lub zespoły złożone z dyskretnych elementów czujnikowych o średnicy lub długości poniżej 20 mm, znajdujących się w odległości jeden od drugiego wynoszącej poniżej 20 mm;

2. Wyposażone w jeden z następujących elementów czujnikowych:

a. Światłowody;

b. Polimery piezoelektryczne; lub

c. Elastyczne, piezoelektryczne materiały ceramiczne;

b. Holowane zestawy hydrofonów akustycznych, mające jedną z następujących cech:

1. Odległość pomiędzy grupami hydrofonów wynosi poniżej 12,5 m;

2. Odległość pomiędzy grupami hydrofonów wynosi od 12,5 m do 25 m i są przeznaczone albo możliwe do zmodyfikowania z przeznaczeniem do działania na głębokościach większych niż 35 m; lub

3. Odległość pomiędzy grupami hydrofonów wynosi 25 m lub więcej i są przeznaczone do działania na głębokościach większych niż 100 m;

4. Czujniki kursowe objęte kontrolą według pozycji 6A001.a.2.d.;

5. Wyposażone w niemetalowe elementy wzmacniające lub sieci czujników ze wzmocnieniem podłużnym;

6. Wyposażone w układ zespołowy o średnicy mniejszej niż 40 mm;

7. Mające możliwość multipleksowania sygnałów grup hydrofonów;

6A002. Czujniki optyczne

a. Następujące detektory optyczne:

UWAGA: Pozycja 6A002.a nie obejmuje kontrolą elementów fotoelektrycznych wykonanych z germanu lub krzemu.

1. Detektory półprzewodnikowe "klasy kosmicznej" posiadające jedną z wymienionych poniżej cech charakterystycznych:

c. Reakcja szczytowa w zakresie długości fal powyżej 1.200 nm ale poniżej 30.000 nm;

2. Następujące lampy wzmacniające obrazy i specjalnie do nich przeznaczone elementy:

a. Lampy wzmacniające obrazy posiadające wszystkie wymienione poniżej cechy charakterystyczne:

3. a. Fotokatoda S-20 i S-25 lub alkaliczne (wielopierwiastkowe); lub

b. Fotokatoda GaAs lub GalnAs;

6A003. Kamery filmowe

Żadne

6A004. Elementy optyczne

Żadne

6A005. "Lasery"

Żadne

6A006. Następujące "magnetometry", "mierniki gradientu magnetycznego", "mierniki gradientu magnetycznego własnego" i systemy kompensacji oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy:

UWAGA: Pozycja 6A006 nie obejmuje kontrolą instrumentów specjalnie przeznaczonych do pomiarów biomagnetycznych do celów diagnostycznych w medycynie, o ile nie ma w nich czujników objętych kontrolą według pozycji 6A006.h.

g. Systemy kompensacji magnetycznej do czujników magnetycznych przeznaczonych do działania na ruchomych platformach;

h. Następujące "nadprzewodzące" czujniki elektromagnetyczne zaopatrzone w elementy wykonane z materiałów nadprzewodzących:

2. Przeznaczone do wykrywania zmian pola elektromagnetycznego z częstotliwościami 1 kHz lub mniejszymi; oraz

3. Charakteryzujące się jedną z wymienionych poniżej właściwości:

a. Wyposażone w cienkowarstwowe elementy SQUIDS o minimalnym wymiarze charakterystycznym poniżej 2 mikrometrów zaopatrzone w odpowiednie wejściowe i wyjściowe obwody sprzęgające;

b. Przeznaczone do działania w przypadku szybkości zmian pola magnetycznego powyżej 1 * 10⁶ strumienia magnetycznego na sekundę;

c. Przeznaczone do działania w ziemskim polu magnetycznym bez ekranowania magnetycznego; lub

d. Mające współczynnik temperaturowy poniżej (mniejszy) niż 0,1 strumienia magnetycznego/K.

6A007. Następujące grawimetry i mierniki gradientu pola grawitacyjnego:

Żadne

6A008. Systemy, urządzenia i zespoły radarowe o jednej z wymienionych poniżej cech charakterystycznych oraz specjalnie do nich przeznaczone elementy:

UWAGA: Pozycja 6A008 nie obejmuje kontrolą następujących obiektów:

a. Pomocniczych radarów kontroli rejonu (SSR);

b. Radarów samochodowych ostrzegających przed zderzeniami;

c. Wyświetlaczy i monitorów stosowanych w kontroli ruchu powietrznego o nie więcej niż 12 rozróżnialnych elementach na mm;

d. Radarów meteorologicznych (do kontroli pogody).

I. Wyposażone w podukłady do przetwarzania danych umożliwiające:

6A102. Detektory zabezpieczone przed promieniowaniem, różne od wymienionych w pozycji 6A002, stosowane w ochronie przed skutkami wybuchów jądrowych (np. impulsów elektromagnetycznych (EMP), promieniowania rentgenowskiego, kombinowanych efektów podmuchu i udaru termicznego) i znajdujące zastosowanie w "pociskach rakietowych", skonstruowane lub przystosowane w taki sposób, że są w stanie wytrzymać łączną dawkę promieniowania o wartości 5 x 10⁵ radów (Si).

Uwaga techniczna:

6D Oprogramowanie

6D001. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń objętych kontrolą według pozycji 6A004, 6A005, 6A008 lub 6B008.

6D002. "Oprogramowanie" specjalnie przeznaczone do "użytkowania" urządzeń objętych kontrolą według pozycji 6A002.b, lub 6A008 lub 6B008.

6D003. Następujące inne oprogramowanie:

2. "Kod źródłowy" do "przetwarzania w czasie rzeczywistym" danych akustycznych pochodzących z pasywnego odbioru za pomocą holowanego zespołu hydrofonów;

KATEGORIA 7 NAWIGACJA I AWIONIKA

7D Oprogramowanie

7D002. "Kod źródłowy" do "użytkowania" wszelkich urządzeń do nawigacji inercyjnej lub Układów Informujących o Położeniu i Kursie (AHRS) (z wyjątkiem zawieszonych kardanowo układów AHRS).

Uwaga techniczna: Układy AHRS w istotny sposób różnią się od inercyjnych systemów nawigacji (INS), ponieważ układy te (AHRS) dostarczają podstawowych informacji o kursie i zazwyczaj nie dostarczają informacji o przyspieszeniu, prędkości i położeniu, jakich dostarcza układ INS.

7D003. Następujące inne "oprogramowanie":

b. "Kod źródłowy" do hybrydowych układów scalonych poprawiający parametry eksploatacyjne poprzez ciągłą syntezę danych inercyjnych z jednym z następujących danych nawigacyjnych:

1. Prędkością określaną za pomocą radaru dopplerowskiego;

2. Porównywaniem z danymi z Globalnego Satelitarnego Systemu Nawigacyjnego (GPS); lub

3. Informacjami z bazy danych o terenie;

c. "Kod źródłowy" do zintegrowanych systemów awionicznych lub systemów realizacji zadań bojowych, umożliwiający kombinowanie danych z czujników z danymi pochodzącymi z systemów eksperckich;

d. "Kod źródłowy" do "rozwoju":

1. Cyfrowych systemów sterowania lotem w celu optymalizacji toru lotu;

2. Zintegrowanych systemów sterowania napędem i lotem;

3. Systemów sterowania elektronicznego (fly-by-wire) i światłowodowego;

4. "Aktywnych systemów sterowania lotem", tolerujących błędy pilotażu lub mających możliwość samoczynnej rekonfiguracji;

5. Automatycznych lotniczych systemów namiarowych;

6. Systemów przyrządów pokładowych dostarczających danych dotyczących parametrów powietrza w locie na podstawie pomiarów powierzchniowych parametrów statycznych;

7. Przeziernych wyświetlaczy rastrowych lub trójwymiarowych.

7E Technologie

7E001. Technologie według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" urządzeń lub oprogramowania wymienionych w pozycji 7D.

7E004. Następujące inne "technologie":

a. Technologia do "rozwoju" lub "produkcji":

1. Lotniczych automatycznych urządzeń namiarowych pracujących w paśmie częstotliwości powyżej 5 MHz;

3. Przeziernikowych wyświetlaczy rastrowych lub trójwymiarowych do "samolotów";

4. Inercyjnych systemów nawigacyjnych lub giroastrokompasów wyposażonych w przyspieszeniomierze lub giroskopy objęte kontrolą według pozycji 7A001 lub 7A002;

b. Następujące technologie "rozwoju" "aktywnych systemów sterowania lotem" (włącznie z systemami elektronicznymi lub światłowodowymi) do :

2. Kompensacji reguł sterowania z uwzględnieniem położenia czujników lub obciążeń dynamicznych płatowca, tj. kompensacji z uwzględnieniem wibracji czujników lub zmian położenia czujników względem środka ciężkości;

3. Elektronicznego sterowania redundancją danych lub redundancją systemów w celu wykrywania błędów, tolerowania błędów, identyfikacji elementów niesprawnych drogą eliminacji lub zmiany konfiguracji;

4. Sterowania lotem umożliwiającego przeprowadzenie w locie zmiany konfiguracji sterowania siłą i momentem w celu autonomicznego sterowania pojazdem powietrznym w czasie rzeczywistym;

5. Integracji systemu sterowania cyfrowego, danych z systemu nawigacyjnego i napędowego w jeden system cyfrowego kierowania lotem w celu optymalizacji toru lotu,

z wyjątkiem

"rozwoju" technologii samolotowych przyrządów kontroli lotu, zintegrowanych wyłącznie z systemami nawigacyjnymi i podchodzenia do lądowania, takimi jak VOR (radiolatarnia kierunkowa wysokiej częstotliwości), DME (radiodalmierz), ILS (system lądowania na przyrządy) lub MLS (mikrofalowy system lądowania);

6. Całkowicie autonomiczne cyfrowe systemy sterowania lotem lub wieloczujnikowe systemy kierowania realizacją zadań, wyposażone w oparte na wiedzy systemy eksperckie;

c. Następujące technologie "rozwoju" systemów do śmigłowców:

1. Wieloosiowe systemy sterowania elektronicznego i światłowodowego, w których połączono funkcje co najmniej dwóch z wymienionych poniżej systemów w jeden zespół sterowania:

a. System sterowania skokiem ogólnym;

b. System sterowania skokiem okresowym łopat;

c. System kierowania odchyleniem kursowym;

2. "Sterowane cyrkulacyjnie (opływowo) systemy kompensacji momentu lub sterowania kierunkiem lotu";

3. Łopaty wirnika z "profilami o zmiennej geometrii" opracowane do systemów umożliwiających niezależne sterowanie poszczególnymi łopatami.

KATEGORIA 8 URZĄDZENIA OKRĘTOWE

8A Urządzenia, zespoły i elementy

8A001. Następujące pływające jednostki podwodne lub nawodne:

b. Załogowe, autonomiczne pojazdy podwodne:

1. Przeznaczone do "działań autonomicznych" i mające nośność stanowiącą:

a. 10% lub więcej ich wagi w powietrzu; oraz

b. 15 kN lub więcej;

2. Przeznaczone do działania na głębokościach większych niż 1.000 m; lub

3. a. Przeznaczone dla załogi czteroosobowej lub liczniejszej;

b. Przeznaczone do "autonomicznego działania" przez 10 lub więcej godzin;

c. Mające "zasięg" 25 lub więcej mil morskich; oraz

d. Mające długość 21 m lub mniejszą;

c. Bezzałogowe pojazdy podwodne na uwięzi przeznaczone do działania na głębokościach większych niż 1 000 m;

1. Przeznaczone do manewrowania z własnym napędem za pomocą silników napędowych lub silników odrzutowych, objętych kontrolą według pozycji 8A002.a.2; lub

2. Posiadające światłowodowe kanały przesyłania danych;

d. Bezzałogowe pojazdy podwodne bez uwięzi (swobodne):

1. Mające możliwość decydowania o kursie względem dowolnego systemu geograficznego bez bieżącej (w czasie rzeczywistym) pomocy człowieka;

2. Wyposażone w akustyczne kanały przesyłania danych lub poleceń; lub

3. Wyposażone w dłuższe niż 1.000 m światłowodowe kanały przesyłania danych lub poleceń;

8A002. Następujące układy lub urządzenia:

1. Poruszania się w słupie wody w zasięgu 10 m od ściśle określonego punktu;

2. Utrzymania położenia w słupie wody w zasięgu 10 m od określonego punktu; lub

3. Utrzymania położenia w zasięgu do 10 m od kabla leżącego na dnie albo znajdującego się pod dnem morza;

h. "Roboty" (manipulatory) specjalnie przeznaczone do pracy pod wodą, sterowane za pomocą specjalnego, przechowywanego w pamięci, programu komputerowego:

2. Mające możliwość działania z siłą 250 N lub większą albo momentem 250 Nm lub większym, i do budowy których zastosowano stopy na osnowie tytanowej albo materiały "kompozytowe" na osnowie "włókien lub włókienek";

j. Następujące układy napędowe niezależne od dopływu powietrza, specjalnie przeznaczone do działania pod wodą:

1. Niezależne od powietrza systemy napędowe z silnikami pracującymi według obiegu Braytona (Joule'a), Stirlinga lub Rankina, wyposażone w jeden z wymienionych poniżej układów:

b. Specjalne układy przystosowane do pracy na gazach jednoatomowych;

c. Urządzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do tłumienia pod wodą szumów o częstotliwościach poniżej 10 kHz, lub specjalne urządzenia mocujące, osłabiające skutki wstrząsów; lub

d. Układy specjalnie przeznaczone do:

1. Prasowania produktów reakcji albo do regeneracji paliw,

2. Składowania produktów reakcji; oraz

3. Usuwania produktów reakcji w warunkach ciśnienia zewnętrznego 100 kPa lub większego;

2. Niezależne od powietrza systemy napędowe z silnikami wysokoprężnymi (obieg Diesla) wyposażone w jeden z wymienionych poniżej układów:

b. Specjalne układy przystosowane do pracy na gazach jednoatomowych;

c. Urządzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do tłumienia pod wodą szumów o częstotliwościach poniżej 10 kHz, lub specjalne urządzenia mocujące osłabiające skutki wstrząsów; lub

d. Specjalne układy wydechowe o nieciągłym odprowadzaniu produktów spalania;

3. Niezależne od powietrza układy energetyczne na ogniwach paliwowych o mocy powyżej 2 kW, wyposażone w jeden z wymienionych poniżej układów:

a. Urządzenia lub obudowy specjalnie przeznaczone do tłumienia pod wodą szumów o częstotliwościach poniżej 10 kHz, lub specjalne urządzenia mocujące, osłabiające skutki wstrząsów; lub

b. Układy specjalnie przeznaczone do:

1. Prasowania produktów reakcji albo do regeneracji paliw;

2. Składowania produktów reakcji; oraz

3. Usuwania produktów reakcji w warunkach ciśnienia zewnętrznego 100 kPa lub większego;

o. 3. Następujące układy do tłumienia szumów, przeznaczone dla jednostek pływających o wyporności 1.000 t lub wyższej:

b. Aktywne układy tłumienia lub eliminacji szumów, albo łożyska magnetyczne, specjalnie przeznaczone do układów przenoszenia napędu, wyposażone w elektroniczne układy sterowania umożliwiające aktywne zmniejszanie wibracji urządzeń poprzez bezpośrednie generowanie do źródła dźwięku sygnałów tłumiących dźwięki i wibracje;

8E Technologie

8E001. Technologie według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" lub "produkcji" urządzeń lub materiałów objętych kontrolą według pozycji 8A lub 8C;

8E002. Następujące inne technologie:

a. Technologie do "rozwoju", "produkcji", napraw, remontów lub modyfikacji (ponownej obróbki skrawaniem) śrub specjalnie w celu tłumienia generowanych przez nie pod wodą szumów;

b. Technologie do remontów lub modyfikacji urządzeń objętych kontrolą według pozycji 8A001 lub 8A002.

KATEGORIA 9 UKłADY NAPĘDOWE, POJAZDY KOSMICZNE I ICH WYPOSAŻENIE

9A Urządzenia, zespoły i elementy

9A005. Rakietowe systemy napędowe na paliwo ciekłe zawierające jeden z systemów lub elementów wymienionych w pozycji 9A006 Załącznika nr 1 do zarządzenia;

9A007. Systemy napędowe rakiet na paliwo stałe o następujących parametrach:

a. 1. Impuls całkowity powyżej 1,1 MNs; lub

2. Impuls właściwy 2,4 kNs/kg lub większy w sytuacji wypływu z dyszy do otoczenia w warunkach istniejących na poziomie morza przy ciśnieniu w komorze wyregulowanym na poziomie 7 MPa;

9A008. Następujące elementy przeznaczone do rakietowych układów napędowych na paliwo stałe:

d. Dysze ruchome lub systemy sterowania wektorem ciągu za pomocą pomocniczego wtrysku płynów o następujących parametrach:

1. Ruchu okrężnym z odchyleniem kątowym powyżej ±5^o;

2. Kątowych obrotach wektora ciągu rzędu 20o/s lub większym; lub

3. Przyspieszeniach księgowych wektora ciągu rzędu 40^o/s² lub większych;

9A009. Hybrydowe systemy napędowe rakiet o następujących parametrach:

a. Impuls całkowity powyżej 1,1 MNs; lub

b. Ciąg powyżej 220 kN w warunkach próżni na wylocie;

§ 9A011. Silniki strumieniowe, naddźwiękowe silniki strumieniowe lub silniki o cyklu kombinowanym oraz specjalnie do nich opracowane elementy.

9A108. Następujące podzespoły, różne od wymienionych w pozycji 9A008, nadające się do "pocisków rakietowych", specjalnie przeznaczone do układów napędowych do rakiet na paliwo stałe:

c. Podzespoły do sterowania wektorem ciągu.

Uwaga techniczna: Do sposobów sterowania wektorem ciągu, wymienionych w pozycji 9A108.c, należą np.:

1. Dysza giętka;

2. Wtrysk dodatkowego płynu lub gazu pomocniczego;

3. Ruchomy silnik lub dysza;

4. Odchylanie strumienia gazów wylotowych (łopatki lub sondy strumieniowe); albo

5. Używanie klapek oporowych.

9A111. Pulsacyjne silniki odrzutowe nadające się do "pocisków rakietowych" oraz specjalnie do nich przeznaczone podzespoły.

9A119. Pojedyncze stopnie do rakiet, nadające się do "pocisków rakietowych" o zasięgu 300 km lub większym, różne od wymienionych w pozycjach podkategorii 9A.

9B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

9B001. Następujące specjalne urządzenia, oprzyrządowanie lub osprzęt do produkcji lub pomiaru wirujących i nieruchomych łopatek turbin lub bandaży do wirników:

c. Urządzenia umożliwiające kierunkowe krzepnięcie lub wytwarzanie pojedynczych kryształów;

d. Rdzenie lub powłoki ceramiczne;

e. Urządzenia lub oprzyrządowanie do wytwarzania rdzeni ceramicznych;

h. Urządzenia do wypalania lub płomieniowego formowania powłok ceramicznych;

9B115. Specjalne "urządzenia produkcyjne" do systemów, podsystemów i podzespołów, wymienionych w pozycjach podkategorii 9A.

§ 9B116. Specjalne "instalacje produkcyjne" do systemów, podsystemów i podzespołów, wymienionych w pozycjach podkategorii 9A.

9E Technologia

9E001. "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "rozwoju" urządzeń lub "oprogramowania" objętego kontrolą według pozycji podkategorii 9A, 9B lub 9D.

9E002. "Technologie" według Uwagi Ogólnej do Technologii do "produkcji" urządzeń wymienionych w pozycjach podkategorii 9A lub 8B.

WYKAZ SKRÓTÓW ORGANIZACJI WYMIENIANYCH W WYKAZIE

ANSI - American National Standardization Institute

Amerykański Narodowy Instytut Normalizacji

ASTM - American Society for Testing Materials

Amerykańskie Towarzystwo Materiałoznawcze

CCITT - Comité Consultatif International Télégraphique et Téléphonique

Międzynarodowy Komitet Doradczy Telegraficzny i Telefoniczny

IEC - International Elektrotechnical Commission

Międzynarodowa Komisja Elektrotechniczna

ITU - International Telecommunication Union

Międzynarodowy Związek Telekomunikacyjny

VDE - Verein Deutscher Elektrotechniker

Związek Niemieckich Elektrotechników

VDI - Verein Deutscher Ingenieure

Związek Niemieckich Inżynierów

WHO - World Health Organization

Światowa Organizacja Zdrowia

SKRÓTY UŻYWANE W TEKŚCIE LISTY

UOdO - Uwaga Ogólna do Oprogramowania

UOdT - Uwaga Ogólna do Technologii

UdTJ - Uwaga do Technologii Jądrowej

DEFINICJE TERMINÓW UŻYWANYCH W WYKAZIE

1. "Będące własnością publiczną" (UOdT UOdO)

W odniesieniu do niniejszego dokumentu oznacza "technologię" lub "oprogramowanie", dostępne bez żadnych ograniczeń co do ich dalszego rozpowszechniania.

Uwaga: Ograniczenia wynikające z praw autorskich nie wpływają na uznanie "technologii" lub "oprogramowania" za "będące własnością publiczną".

2. "Cyrkulacyjne układy równoważenia momentu lub cyrkulacyjne układy sterowania kierunkiem" (7)

Układy, w których przepływ powietrza wokół powierzchni aerodynamicznych jest wykorzystywany do zwiększenia powstających na nich sił albo do kierowania nimi.

3. "Dane technologiczne" (UOdT UdTJ)

Danymi technologicznymi mogą być odbitki, plany, wykresy , modele, wzory, tabele, projekty techniczne i opisy, podręczniki i instrukcje w formie pisemnej lub zarejestrowanej na innych nośnikach lub urządzeniach, takich jak dyski, taśmy, pamięci wyłącznie do odczytu.

4. "Działania autonomiczne" (8)

Prowadzenie działań w całkowitym zanurzeniu, bez chrap, ze wszystkimi systemami pracującymi i krążenie z minimalną prędkością umożliwiającą pojazdowi podwodnemu bezpieczne, dynamiczne regulowanie głębokości zanurzenia za pomocą wyłącznie swoich sterów głębokości, bez potrzeby wsparcia nawodnej jednostki pływającej lub bazy nawodnej, na dnie morza lub na wybrzeżu i posiadanie układu napędowego pracującego pod albo nad wodą.

5. "Ekwiwalent borowy" (BE), definiowany w następujący sposób:

BE = CF x stężenie pierwiastka Z określane w ppm (częściach na milion)

gdzie CF jest współczynnikiem przeliczeniowym

y_z * A_B

CF = ------------

y_B * A_z

a gamma_B i gamma_z są przekrojami czynnymi na wychwyt neutronów termicznych (w barnach) odpowiednio dla boru i pierwiastka Z;

natomiast A_B i A_z są masami atomowymi, odpowiednio boru i pierwiastka Z;

6. "Element obliczeniowy" (CE) (4)

Najmniejsza jednostka obliczeniowa, której działanie daje wynik arytmetyczny lub logiczny.

7. "Gram efektywny" (0)

"Gram efektywny" "specjalnego materiału rozszczepialnego" lub "innego materiału rozszczepialnego" oznacza:

(a) dla izotopów plutonu i uranu-233 - masę izotopu w gramach;

(d) dla ameryku-242m, kiuru-245 i -247, kalifornu-249 i -251 - masę izotopu w gramach pomnożoną przez 10;

8 "Inne materiały rozszczepialne" (0)

"Uprzednio separowane" ameryk-242m, kiur-245 i -247, kaliforn-249 i -251, izotopy plutonu różne od plutonu-238 i -239, oraz dowolny, zawierający je materiał.

9. "Instalacje produkcyjne" (9)

Środki i specjalnie do nich opracowane oprogramowanie, scalone w instalacje w celu "rozwoju" jednej lub więcej faz "produkcji".

10. Inteligentna karta osobista" (5)

"Karta inteligentna" zaopatrzona w mikroukład, zgodnie z normą ISO/IEC 7816, zaprogramowana przez producenta, bez możliwości zmiany programu przez jej użytkownika.

11."Izostatyczne zagęszczanie na gorąco" (2)

Technika ciśnieniowa odlewu w temperaturach powyżej 375 K (102^oC) w zamkniętej formie za pomocą różnych czynników (gaz, ciecz, cząstki stałe, itp.), której celem jest wytworzenie jednakowej siły we wszystkich kierunkach w celu zmniejszenia albo eliminacji jam wewnętrznych w odlewie.

12. "Klasy kosmicznej" (3 6)

13. "Kod źródłowy (albo język źródłowy)" (7)

14. "Komputer cyfrowy" (4 5)

Urządzenie mogące, w postaci jednej albo kilku zmiennych dyskretnych:

a. Przyjmować dane;

b. Zapamiętywać dane albo instrukcje na trwałych lub nietrwałych (zapis wymazywalny) urządzeniach pamięciowych;

c. Przetwarzać dane za pomocą zapamiętanej sekwencji instrukcji, które można modyfikować; oraz

d. Wprowadzać dane na wyjście.

Uwaga: Modyfikacje zapamiętanej sekwencji instrukcji dotyczą wymiany trwałych urządzeń pamięciowych, ale nie fizycznych zmian przewodów lub połączeń.

15. "Komputer neuronowy" (4)

Urządzenie obliczeniowe przeznaczone albo zmodyfikowane z przeznaczeniem do naśladowania działalności neuronu lub zbioru neuronów (tj. urządzenie obliczeniowe odróżniające się możliwością sprzętowego modulowania znaczenia i liczby połączeń pomiędzy wielu elementami obliczeniowymi w oparciu o poprzednie dane).

16. "Komputer optyczny" (4)

17. "Kryptografia" (5)

Dziedzina wiedzy zajmująca się zasadami, narzędziami i metodami przekształcania danych w celu ukrycia zawartych w nich informacji, zapobiegania możliwości tajnego ich modyfikowania lub eliminacji dostępu do nich osobom nie powołanym. "Kryptografia" ogranicza się do przekształcania informacji za pomocą jednego lub więcej "tajnych parametrów" (np. szyfrów) i (lub) związanego z tym zarządzania kluczami.

Uwaga: "Tajny parametr": wartość stała albo klucz trzymany w tajemnicy przed osobami postronnymi albo znany wyłącznie pewnej grupie osób.

18. "Laser" (0 5 6)

Zespół elementów wytwarzający wiązkę światła spójnego zarówno w przestrzeni jak i w czasie, wzmocnioną za pomocą stymulowanej emisji promieniowania.

19. "Magnetometry" (6)

20. "Materiał kompozytowy" (1 6 8)

"Matryca" oraz dodatkowa faza lub dodatkowe fazy, składające się z cząstek, włókienek, włókien lub dowolnej ich kombinacji, dodawanych w określonym celu lub celach.

21. "Materiały włókniste lub włókienkowe" (0 8)

Termin "włóknisty i włókienkowy" obejmuje następujące pojęcia:

a. Pojedyncze włókna o strukturze ciągłej;

b. Przędza i rowing o strukturze ciągłej;

c. Taśmy, tkaniny, maty i oploty o strukturze bezładnej;

d. Włókna pocięte na drobne kawałki, włókna pocięte na dłuższe odcinki oraz spójne maty z włókien;

e. Wiskery, monokrystaliczne lub polikrystaliczne, o dowolnej długości;

f. Pulpa z poliamidu aromatycznego.

22. "Matryca" (1 8)

W zasadzie faza o strukturze ciągłej wypełniająca przestrzeń pomiędzy cząstkami, wiskerami lub włóknami.

23. "Mierniki gradientu magnetycznego" (6)

24. "Miernik gradientu magnetycznego własnego" (6)

25. "Możliwość programowania przez użytkownika" (5)

Możliwość wprowadzania, modyfikacji lub wymiany "programów" przez użytkownika na innej drodze niż poprzez:

a. Fizyczne zmiany przewodów lub połączeń lub

b. Nastawianie regulatorów funkcji w tym parametrów wejściowych.

26. "Możliwość regulacji częstotliwości" (frequency hopping) (5)

Forma "rozproszenia widma" polegająca na krokowo-dyskretnej zmianie częstotliwości nośnej pojedynczego kanału telekomunikacyjnego.

27. "Nadprzewodniki" (1 3 6 8)

Materiały, tj. metale, stopy lub związki, które mogą całkowicie stracić swoją oporność, które mogą uzyskać nieskończoną przewodność elektryczną i przewodzić prąd elektryczny o bardzo wysokich natężeniach bez wytwarzania ciepła Joule'a.

28. "Nadstopy" (2)

29. "Niezbędne" (UOdT 1-9)

W odniesieniu do "technologii" lub "oprogramowania" dotyczy tylko tej części "technologii" lub "oprogramowania", która jest szczególnie odpowiedzialna za osiągnięcie lub przekroczenie wartości parametrów, właściwości lub funkcji objętych kontrolą. Taka "niezbędna" "technologia" lub "oprogramowanie" może dotyczyć różnych produktów.

30."Ochrona informacji" (5)

Uwaga: "Rozszyfrowywanie": analiza systemów łączności szyfrowej albo ich wejść lub wyjść w celu uzyskania tajnych informacji lub danych, włączając w to tajne teksty.

31. "Ochrona wielopoziomowa" (5)

Uwaga: "Ochrona wielopoziomowa" dotyczy zabezpieczenia komputera, a nie jego niezawodności, która jest związana z zapobieganiem awarii sprzętu lub ogólnie z eliminacją błędów ludzkich.

32. "Oprogramowanie" (Wszystko UOdO)

Zbiór jednego lub więcej "programów" lub " mikroprogramów" wyrażony w dowolny zrozumiały sposób.

33. "Oprogramowanie rodzajowe" (5)

Zestaw instrukcji do systemu komutacyjnego "ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci" obowiązujący dla wszystkich przełączników w danym systemie komutacji.

Uwaga: Część bazy danych nie jest uważana za część "oprogramowania" rodzajowego.

34. "Pakiet danych" (4 5)

35. "Piksel aktywny" (8)

36. "Pociski rakietowe" (1-6, 9)

Kompletne systemy rakietowe i bezzałogowe systemy pojazdów latających, zdolne do dostarczania ładunku użytecznego o masie co najmniej 500 kg na odległość co najmniej 300 km.

37. "Podstawowe badania naukowe" (UOdT)

Prace doświadczalne lub teoretyczne, prowadzone głównie w celu uzyskania nowej wiedzy o podstawach danego zjawiska lub obserwowalnych jego efektach, nie nakierowane bezpośrednio na konkretne cele lub zadania praktyczne.

38. "Pomoc techniczna" (UOdT UdTJ)

39. "Prasy izostatyczne" (2)

40. "Produkcja" (Wszystkie UOdT UdTJ)

Wszystkie etapy związane z produkcją, takie jak: technologia mechaniczna, wytwarzanie, scalanie, montaż (składanie), kontrola, testowanie, kontrola jakości.

41. "Profile o zmiennej geometrii" (7)

Profile, w których zastosowano klapy lub inne płaszczyzny na krawędzi spływu albo sloty lub osadzone przegubowo noski na krawędzi natarcia, którymi można sterować w locie.

42 "Program" (2 4 5)

Sekwencja instrukcji do realizacji procesu mająca postać wykonywalną, lub przekształcalną na wykonywalną, za pomocą komputera elektronicznego.

43. "Przetwarzanie sygnałów" (4 5)

Przetwarzanie sygnałów zawierających informacje, uzyskanych ze źródeł zewnętrznych, za pomocą algorytmów takich, jak kompresja czasu, filtrowanie, wyciąganie, selekcja, korelacja, splatanie lub przemieszczanie pomiędzy domenami (np. za pomocą szybkiej transformaty Fouriera lub transformaty Walsha).

44. "Reaktor jądrowy" (0)

45. "Robot" (8)

Manipulator wykonujący ruchy w sposób ciągły albo poruszający się od punktu do punktu; może korzystać z "czujników" i ma wszystkie, następujące cechy charakterystyczne:

a. Jest wielofunkcyjny;

c. Jest wyposażony w trzy lub większą liczbę mechanizmów wspomagających pracujących w obwodzie zamkniętym lub otwartym, które mogą być poruszane silnikami krokowymi; oraz

Uwaga: Niniejsza definicja nie obejmuje następujących urządzeń:

1. Mechanizmów poruszanych wyłącznie ręcznie albo zdalnie przez operatora;

3. Manipulatorów o zmiennej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi, realizującymi zaprogramowane mechanicznie, z góry ustalone ruchy. Program jest ograniczony mechanicznie za pomocą ustalonych ograniczników, np. sworzni lub krzywek. Kolejność ruchów oraz wybór drogi albo kątów są zmienne w ramach ustalonego schematu programowego. Zmian lub modyfikacji schematu programowego (np. zmiany kołków lub wymiana krzywek) w jednej lub kilku osiach współrzędnych dokonuje wyłącznie na drodze działań mechanicznych;

4. Manipulatorów bez sterowania za sprzężeniem zwrotnym, o zmiennej sekwencji ruchów, będących urządzeniami zautomatyzowanymi realizującymi zaprogramowane mechanicznie ruchy. Program jest zmienny, ale sekwencja jest realizowana wyłącznie za pomocą sygnału binarnego z elektrycznych urządzeń binarnych o ustalonym mechanicznie położeniu lub regulowanych ograniczników;

5. Żurawi do stertowania, definiowanych jako manipulatory działające w kartezjańskim układzie współrzędnych, produkowanych jako integralne części pionowych zespołów do silosów, i służących do sięgania po zawartość tych silosów w celu składowania lub wyjmowania.

46. "Rozwój" (UOdT)

47. "Samolot" (7)

Obiekt latający ze skrzydłami stałymi, ruchomymi, wirującymi (śmigłowiec), wirnikiem lub skrzydłem przechylnym. NB: Patrz również "samolot cywilny".

48. "Specjalny materiał rozszczepialny" (0)

Pluton-239, "uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233", oraz dowolny, zawierający go materiał.

49. "Technologia" (UOdT UdTJ)

Specyficzny rodzaj informacji niezbędny do "rozwoju", "produkcji" lub "eksploatacji" danego wyrobu. Informacja ta ma postać "danych technicznych" lub "pomocy technicznej".

50. "Temperatura krytyczna" (1 6)

51. "Teoretyczna moc kombinowana (CTP)" (4)

Miara mocy obliczeniowej podawana w milionach operacji teoretycznych na sekundę (Mtops), obliczana w oparciu o agregację "elementów obliczeniowych (CE)".

Uwaga: (Patrz Kategoria 4, Uwaga techniczna).

52. "Układy aktywnego sterowania lotem" (7)

53. "Uprzednio separowane" (0)

Oddzielone dowolną techniką wzbogacania kontrolowanego izotopu.

54. "Uran naturalny" (0)

Uran zawierający mieszaninę izotopów występujących w naturze.

55. "Uran wzbogacony w izotopy 235 lub 233" (0)

56. "Uran zubożony" (0)

Uran, w którym zawartość izotopu 235 obniżono do ilości mniejszej niż w warunkach naturalnych.

57. "Urządzenia produkcyjne" (9)

58. "Ustalony" (5)

Algorytm kodowania lub kompresji, który nie może akceptować parametrów dostarczonych z zewnątrz (np. zmiennych do szyfrowania lub kluczy) i nie może być modyfikowany przez użytkownika.

59. "Użytkowanie" (UOdT UdTJ - Wszystkie)

Praca, instalowanie (włącznie z montażem na miejscu), konserwacja (kontrola), naprawa, remonty i odnawianie.

60. "Widmo rozproszone" (5)

Dowolna technika służąca do rozpraszania energii sygnału ze stosunkowo wąskiego kanału telekomunikacyjnego na dużo szersze widmo energii.

61. "Zasięg" (8)

Połowa maksymalnej odległości, jaką może przebyć podwodna jednostka pływająca.

62. "Zespół elektroniczny" (3 4)

Uwaga 1 "Układ elementarny": pojedyncza czynna albo bierna funkcjonalna część układu elektronicznego, na przykład pojedyncza dioda, tranzystor, rezystor, kondensator, itp.

Uwaga 2 "Element dyskretny": oddzielnie obudowany "układ elementarny" z własnymi końcówkami wyjściowymi.

INDEKS

(Niniejszy indeks ma charakter wyłącznie pomocniczy i nie posiada mocy prawnej.

Może on nie obejmować wszystkich pozycji z Wykazów, zatem brak w indeksie towaru lub technologii nie oznacza, iż nie są one objęte szczególną kontrolą obrotu z zagranicą)

ADC (przetworniki analogowo-cyfrowe)	3A001a.5
ADC (przetworniki analogowo-cyfrowe)	4A003e
ADC (przetworniki analogowo-cyfrowe)	3A001a
Aerodynamiczna separacja izotopów, dysze	0B001d.1
Aerodynamiczne tunele, systemy sterowania, oprzyrządowanie	9B005
Aerozole, testowanie, komory (pojemność 1 m(3) lub większa)	2B352g
Afrykański wirus cholery świń (organizmy patogenne zwierząt)	1C352a.1
AHRS - układy informujące o położeniu i kursie, oprogramowanie w postaci kodu źródłowego	7D002
Akceleratory lub koprocesory graficzne	4A003d
Akcelerometry do systemów bezwładnościowej (inercyjnej nawigacji lub naprowadzania)	7A101
Akcelerometry i akcesoria do nich	7A001
Aktywna kompensacja luzów wierzchołkowych łopatek wirników, system sterowania	9D004f
Aktywne systemy akustyczne	6A001a.1
Aktywne systemy zmniejszania hałasu statków	8A002o.3.b
Aktywne zespoły łożysk magnetycznych	2A005
Akumulatory ogniwa (wysokoenergetyczne), ładowalne	3A001e.1.b
Akumulatory ogniwa (wysokoenergetyczne), podstawowe	3A001e.1.a
Akustyczne fale powierzchniowe, urządzenia	3A001c.1
Akustyczne instalacje do lokalizacji i wykrywania obiektów	6A001a.1.b
Akustyczne instalacje do lokalizacji obiektów	6A001a.1.d
Akustyczne instalacje do lokalizacji statków	6A001a.1.d
Akustyczne instalacje do zmniejszania hałasu, do statków	8A002o.3.a
Akustyczne reflektory	6A001a.1.c
Akustyczne systemy łączności podwodnej	5A001b.11
Akustyczne systemy morskie	6A001a
Akustyczno-optyczne sygnały, urządzenia do przetwarzania	3A001c.3
Aleksandryt	6C005b
Alkohol (3,3 -dimetylo-2-butanol)	1C350a.28
Altimetry (wysokościomierze) lotnicze	7A006
Altimetry laserowe	7A106
Altimetry lotnicze	7A106
Altimetry radarowe	7A106
Altimetry radarowe lub laserowe	7A106
Aluminium, proszek, sferyczny	1C115a.1
Aluminium, proszki ze stopów, w postaci drobnych płatków	1C002c
Aluminium, proszki ze stopów, z materiałów wymienionych w pozycji 1C002a	1C002b.1.d
Aluminium, stopy	1C002a.1
Aluminium, stopy	1C002a.2.d
Aluminium, stopy	1C002a.2.d
Aluminium, stopy, w postaci drobnych płatków/wstążek lub cienkich pręcików	1C002c
Aluminium, stopy, w postaci rurek, elementów litych, odkuwek	1C202
Amalgamat litu, ogniwa do elektrolizy	0B007c
Amalgamat litu, pompy	0B007b
Ameryk-242 lub zawierające go materiały	0C002
Amoniak, konwertery i aparatura do syntezy	1B227
Amoniak, krakowanie (instalacje o ciśnieniu roboczym ponad 3 MPa)	0B004b.2.d
Amoniak, wieże destylacyjne	0B004b.4b
Amoniak-wodór, wymiana, urządzenia/zespoły	0B004b.2.a
Analiza izotopów, instalacje kolektorowe	0B002g.4
Analiza izotopów, kolektory	0B002g.4
Analizatory częstotliwości (analizatory sygnałów)	3A002c.1
Analizatory, podczerwone, absorpcyjne, on-line	0B004b.4.d
AnalizAtory protokołów, transmisja danych telekomunikacyjnych	5B001b.2
Analizatory protokołów transmisji danych	3A002c.1
Analizatory sieci	3A002e
Analizatory sygnałów	3A002c.1
Analizatory sygnałów dynamicznych	3A002c.2
Analizatory widma	5B001b.2
Analogowe komputery	4A001
Analogowe urządzenia rejestrujące na taśmie magnetycznej	3A002a.1
Analogowo-cyfrowe przetworniki przebiegów falowych	3A002a.5
Anomalie magnetyczne, oprogramowanie do wykrywania	6D003b.2
Anteny radiolokacyjne, kopuły, oprogramowanie	6D003d
Anteny sterowane elektronicznie, fazowane układy antenowe	5A001f
Aparatura do pomiaru ciśnień, z czujnikami odpornymi na korozję	2B230
Aparatura i urządzenia do manipulacji, uruchamiania lub odpalania rakiet	9A115a
Aparatura kontrolna do reaktorów jądrowych, magnetoindukcyjna	0B008b
Aparatura kontrolna, ultradźwiękowa, reaktory jądrowe	0B008b
Aparaty fotograficzne, podwodne	8A002e
Aparaty wyparne do stężonych roztworów wodorotlenku litu	0B007d
Arsenian potasowo-tytanylowy (KTA)	6C004b.1
Astrokompasy giroskopowe i urządzenia	7A004
Asynchroniczny tryb przesyłania (ATM) urządzenia	5A001c.4
ATM - asynchroniczne przesyłanie danych, urządzenia	5A001c.4
Atomowe wzorce częstotliwości	3A002g
Autoklawy, dyfuzja gazowa lub kaskada odśrodkowa	0B002a
Autoklawy, technika regulacji	1E103
Automatyczne instalacje do gromadzenia danych z tuneli aerodynamicznych	9B005
Automatyczne systemy kompensacji ruchów wody powodowanych przez jednostki pływające	8A002n
Azot, ditlenek/tetratlenek	1C115a.3b
Azot, tlenki, utleniacze płynne	1C115a.3
Azotan plutonu, instalacje do przetwarzania	0B006f
Badania nieniszczące (NDT), urządzenia, silniki rakietowe	9B007
Badania nieniszczące (w trzech wymiarach) urządzenia	1B001f
Bakterie (organizmy patogenne ludzi)	1C352b
Bakterie (organizmy patogenne zwierząt)	1C351c
Bakterie, kultury	1C351c
Batymetria, systemy badawcze	6A001a.1.b
Benzilan metylu	1C350a.25
BER - bitowa stopa błędów, testery	5B001b.1
Beryl metaliczny lub stop w postaci proszku	1C115a.2.b
Beryl metaliczny, stopy i mieszanki	1C230
Beryl-beryl (Be/Be), półprodukty podłoży, osadzane	6C004d
Bezpośrednie tłoczenie hydrauliczne, technologie	2E003b.2.c
Bezzałogowe pojazdy podwodne bez uwięzi (swobodne)	8A001d
Bezzałogowe pojazdy podwodne na uwięzi	8A001c
Bierne instalacje akustyczne	6A001a.2
Biologiczne urządzenia i instalacje, produkcyjne	2B352
Bioreaktory (pojemność 300 L lub większa)	2B352b
Bismaleimidy	1C008a.1
Bizmut	1C229
Bor i zawierające go materiały	1C225
Bor metaliczny lub proszki z jego stopów	1C115a.2.c
Bramki i mostki	5A001b11.b
Butacen	1C115c.1
CAD - wspomagane komputerowo projektowanie (CAD) układów scalonych i półprzewodników	3D003
Całkowicie autonomiczne systemy elektronicznego sterowania silnikami (FADEC)	9D003
Centra obróbkowe (CNC)	2B001c
Cewki nadprzewodzące	3A001e.3
Cewki nadprzewodzące	3A201b
Cewki wysokiej częstotliwości do wzbudzania jonów	0B001i.2
Cewki wysokiej częstotliwości do wzbudzania jonów, plazmowa separacja izotopów	0B001i.2
Chemiczne osadzanie par pierwiastków (CVD), urządzenia	1B001d
Chemiczne osadzanie par pierwiastków (CVD), urządzenia	2B005a
Chemiczne osadzanie par pierwiastków, urządzenia produkcyjne, pulsujące	2B005a.1.a
Chemiczne osadzanie par pierwiastków wspomagane plazmowo, urządzenia produkcyjne	2B005a.1.c
Chemiczna separacja izotopów i składniki	0B001e
Chemiczna separacja izotopów, urządzenia	0B001a.4
Chemostaty do przetwórstwa materiałów biologicznych (pojemność 300 L lub większa)	2B352b
3-Chinuklidynol	1C350a.13
3-Chinuklidynon	1C350a.37
Chłodnice kriogeniczne do czujników optycznych	6A002d.1
Chłodnice kriogeniczne do czujników optycznych	6A002d.2
Chłodzenie stopionego uranu, urządzenia	0B001g.2
Chłodzenie wodoru lub helu, urządzenia	1B231
Chlorek tionylu	1C350a.9
Chlorek uranu, urządzenia do sporządzania półproduktów do produkcji	0B001e.5
2-Chloroetanol	1C350.15
Chlorofluoropochodne węglowodorów stosowane jako płyny hydrauliczne	1C006a.2
Chlorowodorek dimetyloaminy	1C350a.20
Chlorowodorek N,N-diizopropylo-2-chloroetyloaminy	1C350a.54
Chlorowodorek trietanoloaminy	1C350a.53
Ciecze zwilżające, flotacyjne lub smarne	1C006
Ciecze zwilżające lub flotacyjne na osnowie dibromotetrafluoroetanu	1C006c.1
Cieczowo-cieczowe kolumny impulsowe do szybkiej wymiany chemiczne	0B001e.2
Cieczowo-cieczowe kontaktory odśrodkowe	0B001e
Ciekłe kryształy z kopolimerów termoplastycznych	1C008b
Ciężka woda (tlenek deuteru)	0C004
Ciężka woda, instalacja do produkcji, urządzenia i zespoły	0B004
Ciężka woda, urządzenia do stężania	0B004b.4
Ciśnienia, pomiary, aparatura z czujnikami odpornymi na korozję	2B230
Ciśnienie, czujniki z manganinu kwarcu	6A226
CNC (computer numerical control), urządzenia ze sterowaniem numerycznym	2B001a
CNTD - urządzenia do osadzania chemicznego metodą rozkładu termicznego z regulowanym zarodkowaniem	2B005a.1.b
Cochliobolus miyabeanus (Helminthosporium oryzae)	1C354b.2
Colletotrichum coffeanum var. virulans - grzyb	1C354b.1
Conotoksyna	1C351d.3
Coxiella burnetii (drobnoustrój wywołujący gorączkę Q)	1C351b.1
CPTB - polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą karboksylową	1C115b.1
CVD, chemiczne osadzanie par pierwiastków, piece	2B104b1
CVD, chemiczne osadzanie par pierwiastków, urządzenia, wspomagane plazmowo	3B004
CVD, chemiczne osadzanie par pierwiastków, urządzenia	2B005a
CVD, chemiczne osadzanie par pierwiastków, urządzenia(1B001d
CW (Chemical warfare) prekursory	1C350
Cyfrowe analizatory różniczkowe, zabezpieczone przed narażeniami mechanicznymi	4A101
Cyfrowe komputery	4A001
Cyfrowe, półprzewodnikowe układy scalone, przemysłowe	3A001a.11
Cyfrowe procesory sygnałów	4A003
Cyfrowe rejestratory obrazów na taśmie magnetycznej	3A002a.2
Cyfrowe systemy komputerowe	4A001
Cyjanek potasu	1C350a.40
Cyjanek sodu	1C350a.45
Cynk metaliczny lub stopowy, proszki	1C115a.2.e
Cyrkon metaliczny, lub stopy, proszki (paliwo)	1C115a.2.f
Cyrkon metaliczny/rurki i zespoły	0A001f
Cyrkon metaliczny, stopy, substancje	1C234
Człony (stopnie$ rakiet, hybrydowe	9A009
Człony (stopnie) rakiet, inne od wymienionych w pozycjach 9A005/7/9 9A105/107/109	9A119
Człony (stopnie) rakiet, na paliwo ciekłe	9A005
Człony (stopnie) rakiet, na paliwo stałe	9A007
Czujniki bezwładnościowe, włókna optyczne	6A002d.3.a
Czujniki ciśnienia z manganinu i kwarcu	6A226
Czujniki, do bieżącej obsługi turbin gazowych	9B002
Czujniki elastyczne do hydrofonów	6A001a.2.a.1
Czujniki, hydrofony	6A001a.2.a
Czujniki kursowe, holowane hydrofony	6A001a.2.b.4
Czujniki, nadprzewodnikowe, elektromagnetyczne	6A006h
Czujniki obrazowe, wielospektralne, zdalnie sterowane	6A002b
Czujniki odporne na promieniowanie	6A002
Czujniki, odporne na promieniowanie jonizujące	6A102
Czujniki, odporne na promieniowanie jonizujące (EMP)	6A102
Czujniki, odporne na promieniowanie jonizujące	6A102
Czujniki optyczne	6A002
Czujniki optyczne, chłodnice kriogeniczne	6A002d.2
Czujniki optyczne, światłowodowe	6A002d.3.a
Czujniki optyczne, zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym	6A102
Czujniki pasywne do systemów namiarowych	7A115
Czujniki piezoelektryczne, hydrofony	6A001a.2.a
Czujniki podczerwone, inne niż klasy kosmicznej	6A002a.3
Czujniki podczerwone, inne niż klAsy kosmicznej	6A002a.4
Czujniki podczerwone, przemysłowe	6A002a
Czujniki podczerwone, przemysłowe	6A002b
Czujniki pola magnetycznego, systemy kompensacji magnetycznej	6A006g
Czujniki półprzewodnikowe, klasy kosmicznej, jedno- lub wieloelementowe	6A002a.1
Czujniki promieniowania, włókna optyczne	6A002d.3
Czujniki światłowodowe, hydrofony	6A001a.2.a.2
Czujniki termiczne, włókna optyczne	6A002d.3

DAC przetworniki cyfrowo-analogowe	3A001a.5
Czujniki, urządzenia ze sprzężeniem zwrotnym położenia liniowego	2B008b
Deflektory, wirówka gazowana	0B001c.7
Dekantery odśrodkowe	2B352c
Destylacja amoniaku, wieże	0B004b.4.b
Destylacja wodoru, zimne komory	0B004b.3.a
Desublimatory do usuwania UF(6)	0B002b
Desublimatory, UF(6)	0B002b
Desublimatory/wymrażarki do oddzielania UF(6) od gazu nośnego	0B001d.7.d
Desublimatory/wymrażarki do oddzielania UF(6) od gazu nośnego	0B002b
Detektory, klasy kosmicznej, półprzewodnikowe, optyczne	6A002a.1
Detektory odporne na promieniowanie	6A002
Detektory optyczne	6A002
Detektory optyczne	6A002a
Detektory podczerwone, przemysłowe, klasy kosmicznej	6A002a.1
Detonatory elektryczne, do materiałów wybuchowych	3A232a
Detonatory, przemysłowe, elektryczne	3A232a
Deuter i jego związki, instalacje i urządzenia do produkcji	0B004
Deuter, jego związki oraz ich mieszaniny i roztwory	0C004
Deuter, tlenek, ciężka woda	0C004
Deuter, urządzenia i podzespoły produkcyjne	0B004
Dewara, pojemniki pokładowe	9A006a
Diamentowanie, technologie obróbki jednoostrzowej	6E003a.2.b
Diamentowe wkładki do narzędzi jednoostrzowych	2B008e
Diazotan glikolu trietylenowego (TEGDN), (diazotan 3,6 dioksaoktano-1,8-diolu (dodatek do paliw)	1C115c.2
Dibromotetrafluoroetan, ciecze zwilżające lub flotacyjne	1C006c.1
Dichlorek disiarki	1C350a.51
Dichlorek etylofosfonowy	1C350a.22
Dichlorek metylofosfonowy	1C350a.5
Dichlorek siarki	1C350a.52
Dichloro(etylo)fosfina	1C350a.21
Dichloro(metylo)fosfina	1C350a.26
Dietyloaminoetanol	1C350a.49
Difluorek etylofosfonowy	1C350a.23
Difluorek metylofosfonowy	1C350a.4
Difluoro(metylo)fosfina	1C350a.36
Dizopropyloamina	1C350a.48
2-(N,N-Diizopropyloamino) etanol	1C350a.27
2-(N,N-Diizopropyloamino)-etaniol	1C350a.12
N,N - Diizapropylo-2chloroetyloamina	1C350a.11
Dimetyloamina	1C350a.16
N,N-Dimetylofosforoamidan dietylu	1C3250a.18
Diody laserowe	6A005b
Diody laserowe, ogólnego przeznaczenia	6A005b
Diody laserowe przeznaczone dla telekomunikacji	5A001b
Ditlenek azotu	1C115a.3.b
Ditlenek azotu/tetratlenek azotu	1C115a.3.b
DLI - Dopplerowskie interferometry laserowe (DLI)	6A225
Dmuchawy (wyporowe/odśrodkowe/osiowe)	0B001d.3
Dmuchawy nośne do poduszkowców	8A0021
Dmuchawy, osiowe/odśrodkowe/wyporowe/turbinowe	0B001b.2
Dopplerowskie interferometry laserowe (DLI)	6A225
Drobnoziarniste, rekrystalizowane materiały grafitowe luzem o wysokiej gęstości nasypowej	1C107a
Drutowe obrabiarki elektrohydrodynamiczne EDM (CNC)	2B001c.2
Dwuwymiarowe zestawy ogniskujące	6A002a
Dyfuzja gazowa, instalacja, urządzenia pomocnicze	0B002
Dyfuzja gazowa, obudowy	0B001b.4
Dyfuzja gazowa, przegrody	0B001b.3
Dyfuzja gazowe UF(6), przegrody, obudowy	0B001b.3.4
Dyfuzja gazowa, wymienniki ciepła	0B001b.5
Dyfuzyjne zgrzewania nadstopów lub stopów tytanu, technologie"dane	2E003b.2.b
Dyfuzyjne zgrzewanie metali, technologie	2E003b.1.b
Dynamiczny, adaptacyjny wybór trasy, urządzenia/systemy	5A001c.4
Dyski magnetyczne, technologia rozwoju/produkcji/użytkowania	4E002c
Dysze do osadzania pirolitycznego	1B116
Dysze do rakiet, silniki na paliwo ciekłe	9A106a
Dysze do rakiet z silnikami na paliwo stałe	9A108b
Dysze do rozdzielania UF(6) od gazu nośnego	0B001d.7.c
Dysze do silników na paliwo stałe	9A108b
Dysze, do silników rakietowych na paliwo stałe	9A008c
Dysze, do silników rakietowych na paliwo ciekłe	9A006e
Dysze giętkie do silników rakietowych na paliwo stałe	9A108c
Dysze giętkie, systemy sterowania wektorem ciągu	9A106c
Dysze rozdzielające, aerodynamiczna separacja izotopów	0B001d.1
Dysze rozprężne do gazu nośnego do UF(6), naddźwiękowe	0B001h.1
Dysze, silniki rakietowe na paliwo ciekłe	9A106b
Dysze wysokociśnieniowe	9A006d
Działa elektronowe o wysokiej mocy	0B001g.1

EB-PVD - urządzenia do elektronowego naparowywania próżniowego	2B005c
EB - zapłonniki mostkowe	3A232a.1
EBW - zapłonniki drutowe	3A223a.2
Echosondy do pomiaru głębokości	6A001a.1
ECR - elektronowy rezonans magnetyczny, urządzenia do suchego trawienia	3B003a.2
EDM - obrabiarki elektroerozyjne (CNC)	2B001c.2
EEPROM - pamięci wymazywalne elektrycznie, programowane, tylko do odczytu	3A001a.4
EFI - zapłonniki foliowe	3A232a.4
Ekstraktory przeciwprądowe do rozpuszczalników	0B006c
Elastomery fluorowe, technologia rozwoju/produkcji	1E002b
Elastyczne pojemniki izolowane do materiałów biologicznych	2B352f.3
Elektrochemiczne ogniwa redukcyjne	0B001e.3
Elektrochemiczne ogniwa redukcyjne	0B001e.4
Elektrody mikrokanalikowe do lamp wzmacniających obrazy	6A002a.2
Elektroliza amalgamatów litu, ogniwa	0B007c
Elektromagnesy nadprzewodzące	3A001e.3,4
Elektromagnesy nadprzewodzące	3A201b
Elektromagnetyczne czujniki promieniowania, włókna optyczne	6A002d.3a
Elektromagnetyczna separacja izotopów, instalacja	0B001a.9
Elektromagnetyczna separacja izotopów, urządzenia i podzespoły	0B001k
Elektromagnetyczne separatory izotopów	1B226
Elektromagnetyczne systemy łączności podwodnej	5A001b.11.b
Elektroniczne kamery obrazowe	6A003a.4
Elektroniczne kamery smugowe i lampy smugowe	6A003a.3
Elektroniczne lampy smugowe	6A203b.1
Elektroniczne systemy tworzenia obrazów, podwodne	8A002f
Elektroniczne urządzenia sterujące do reaktorów jądrowych	0A001d
Elektronowe działa o wysokiej mocy	0B001g.1
Elektronowe naparowywanie próżniowe EB-PCD, urządzenia	2B005c
Elektronowe urządzenia do testowania urządzeń półprzewodnikowych	3B008d
Elektrooptyczne układy scalone	3A001a.6
Elektryczne detonatory do materiałów wybuchowych	3A232a
Elektryczne silniki napędowe	8A002o.2.b
Elementy biegunów magnesów, średnica ponad 2 metry	0B001k.4
Elementy kompozytowe, w postaci laminatów lub rur	1A202
Elementy kompozytowe, w postaci rur	1A202
Elementy paliwowe do reaktorów jądrowych, instalacje do przetwarzania/urządzenia/zespoły	0B006
Elementy paliwowe do reaktorów jądrowych, instalacje do produkcji	0B005
Elementy paliwowe do reaktorów jądrowych, urządzenia do manipulacji	0A001b
Elementy paliwowe do reaktorów jądrowych, wytwarzanie, instalacje, urządzenia	0B005a
Elementy paliwowe, rozdrabnianie lub kruszenie, maszyny	0B006a
Elementy/struktury kompozytowe do rakiet	9A010
EMI - zakłócenia elektromagnetyczne, technologia ochrony	7E102E
MP/EMI - impulsy i zakłócenia elektromagnetyczne, technologia ochrony	7E102
EMP - impulsy elektromagnetyczne, technologia ochrony urządzeń awionicznych	7E102
EMP - ochrona przed impulsami elektromagnetycznymi, czujniki	6A102
Emulatory do mikroukładów	3A002h
Enterowirus świński, typ 9	1C352a.11
Epitaksjalne płytki z tellurku kadmowego (CdTe)	6C002b
Etery alkilofenylenowe jako płyny smarne	1C006b
Etery alkilofenylowe w postaci cieczy smarnych	1C006b.1
Etylodifluorofosfina	1C350a.35
Etylofosfonian dietylu	1C350a.17
Etylofosfonian dimetylu	1C350a.34
ż-Etylometylofosfinin 2-diizopreopyloamino etylu	1C350a.29
FADWC - całkowicie autonomiczne systemy cyfrowego sterowania silnikami	9D003
Fale akustyczne, przestrzenne, urządzenia	3A001c.2
Fartuchy do poduszkowców	8A002k
Fazowane układy antenowe	5A001f
FBW (Fly-by-wire) - elektroniczne instalacje sterowania lotem	7A116
Fenylenowe, substancje, jako płyny smarne	1C006b
Fementory, do przetwarzania materiałów biologicznych (pojemność 300 L lub większa)	2B352b
Filmowe kamery rejestrujące	6A003a.1
Filtry optyczne	6A004d
Filtry optyczne o zmiennej przezroczystości optycznej	6A004d.3
Filtry, przełączające przezroczystość optyczną	6A004d.3
Filtry, przestrajalne, pasmowe	3A001b.5
Filtry środkowo-przepustowe i środkowo-zaporowe, przestrajanie	3A001b.5
Filtry, urządzenia typu cross-flow	2B352d
Fluidalne reaktory, produkcja UF(6)	0B003b.1
Fluor, produkcja, ogniwa elektrolityczne	1B225
Fluorek cyrkonu, (ZrF(4) szkło	C60014f
Fluorek hafnu, szkło	6C004f
Fluorek potasu	1C350a.14
Fluorek sodu	1C350a.43
Fluorek uranu (kolektory par i frakcji końcowych)	0B001g.3
Fluorki luzem, materiały o niskim współczynniku pochłaniania optycznego	6C004e.1
Fluorofosforanowe szkło	6C004f
Fluorowane elastomery fosfazenowe	1C009c
Fluorowane polimery węglowodorowe	0C201
Fluorowanie i hydrofluorowanie, reaktory fluidalne, produkcja UF(6)	0B003b.1
Fluorowanie UF(6) do UF(6) urządzenia	0B001h.3
Fluorowe płyny silikonowe	1C006b.2
Fluorowe włókna, na włókna optyczne/światłowody	6A004f
Fluorowodór	1C350a.24
Fosfonian dietylu	1C350a.19
Fosfonian dimetylu	1C350a.6
Fosforyn trietylu	1C350a.30
Fosforyn trimetylu	1C350a.8
Fotodiody i fototranzystory wieloelementowe	6A002a.4
Fotodiody, półprzewodnikowe, jedno- lub wieloelementowe	6A002a.4
Fotokatody z GaAs lub GalnAs	6A002a.2.b.3
Fototranzystory, jedno- lub wieloelementowe	6A002a.4
FPGA - Sieci bramek programowalne przez użytkownika	3A001a.7
FPLA - Tablice logiczne, programowalne przez użytkownika	3A001a.8
Frezarki (CNC)	2B001c
Frezarki do obróbki powierzchni o jakości optycznej	2B002b
Frezarki z dwiema lub więcej koordynowanymi osiami (CNC)	2B001

GaAs - fotokatody	6A002a.2.b.3
GalnAs - fotokatody	6A002a.2.b.3
Gal, związki III/V, podłoża wielowarstwowe	3C001c
Gal, związki metaloorganiczne	3C003
Gazowe lampy kriotronowe	3A228a
Gazowe wirówki	0B001c.1
Gazy toksyczne, instalacje do monitorowania	2B351
GDMS - jarzeniowe spektrometry masowe	3A233b
Generatory energii do reaktorów jądrowych	0A002
Generatory impulsów wysokoprądowych, do detonatorów	3A229
Generatory impulsowe promieniowania rentgenowskiego	3A201c
Generatory kodu rozpraszającego widmo rozproszone	5A002e
Generatory neutronów	3A231
Generatory neutronów i lampy	3A231
Generatory rentgenowskie, impulsowe	3A001e.5
Generatory rentgenowskie, impulsowe	3A201c
Generatory sygnałowe z syntezą częstotliwości	3A002d
Generatory wysokoimpulsowe	3A230
Geofony naziemne	6A001b
Germanowe podłoża nałożone techniką heteroepitaksjalnego nakładania warstw	3C001b
Giro-astrokompasy i akcesoria do nich, różne od wymienionych w pozycji 7A004	7A104
Giro-astrokompasy i urządzenia	7A004
Giroskopy i akcesoria do nich	7A002
Giroskopy laserowe i akcesoria do nich	7A002
Giroskopy, różne od wymienionych w pozycji 7A002	7A102
Giroskopy, urządzenia do produkcji, testowania	7B003
Glinki niklu	1C002a.1.a
Glinki tytanu	1C002a.1.b
Glinoorganiczne związki	3C003
Globalny satelitarny system nawigacji (GPS), urządzenia/podzespoły	7A005
Gorączka Chikungunya (wirus)	1C351a.1
Gorączka krwotoczna kongijsko-krymska, wirus	1C351a.2
GPS - globalny satelitarny system nawigacji, urządzenia/podzespoły	7A005
GPS - urządzenia różne od wymienionych w pozycji 7A005	7A105
Gradient magnetyczny, własny, mierniki	6A006f
Grafit, drobnoziarnisty, rekrystalizowany, materiały luzem o wysokiej gęstości nasypowej	1C107a
Grafit, klasy jądrowej	0C005
Grafit, luzem	1C107a
Grafitowe wymienniki ciepła	2B350d
Grawimetry (do pomiaru gradientu pola grawitacyjnego), urządzenia do produkcji i wzorcowania	6B007
Grawimetry (mierniki grawitacji) i akcesoria do nich	6A007b
Grawimetry (mierniki grawitacji) i akcesoria do nich	6A007a
Grawimetry do pomiaru grawitacyjnego pola ziemskiego	6A007c
Grawimetry i akcesoria do nich	6A007a
Grawimetry, oprogramowanie	6D003c
Grzyb Colletotrichum coffeanum car. wirulans	1C354b.1
Grzyby, kultury	1C353
Grzyby, organizmy patogenne roślin	1C354b
Hafn, metaliczny, stopy i zawierające go substancje i związki	1C231
Hel, urządzenia do chłodzenia	1B231
Hel, wzbogacony	1C232
Helminthosporium oryzae (Cochliobolus miyabeanus)	1C354b.2
Heterostrukturalne urządzenia półprzewodnikowe, technologia rozwoju	3E002b
HIPS - prasy izostatyczne pracujące na gorąco	2B004a
HIPS - prasy izostatyczne pracujące na gorąco	2B004
Holowane zestawy hydrofonów akustycznych	6A001a.2.b
Honownice do kół zębatych	2B003
HTPB - polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą hydroksylową	1C115b.2
Hybrydowe komputery elektroniczne/zespoły elektroniczne	4A001b
Hybrydowe komputery, zespoły i podzespoły elektroniczne	4A001a
Hybrydowe silniki rakietowe, systemy napędowe, inne od wymienionych w pozycji 9A009	9A109
Hybrydowe systemy napędowe do rakiet	9A009
Hybrydowe układy scalone, przemysłowe	3A001a
Hydrofony	6A001a.2.a
Hydrofony akustyczne, holowane zestawy	6A001a.2.b
3-Hydroksy-1-metylopiperydyna	1C350a.10
ICP/MS - plazmowe spektrometry masowe ze sprzężeniem indukcyjnym	3A232a
Implantacja jonów, urządzenia produkcyjne	2B005b
Impregnowane katody do mikrofalowych lamp elektronicznych	3A001b.1.c
Impregnowane za pomocą żywic materiały z włókien do prasowania laminatów zbrojonych do systemów napędowych i pojazdów kosmicznych	9A110
Impulsowe akceleratory elektronów	3A201c
Ind. związki III/V, podłoża	3C001c
Ind. związki metaloorganiczne	3C003
Indukcyjne piece, próżniowe lub z gazem obojętnym	2B226
Inerycyjna nawigacja, systemy/urządzenia/podzespoły	7A103
Inercyjne systemy nawigacji i urządzenia bezwładnościowe do pomiarów wysokości, naprowadzania lub sterowania	7A003
Instalacja do elektromagnetycznej separacji izotopów	0B001a.9
Instalacja do separacji izotopów metodą wymiany jonów	0B001a.5
Instalacja do wzbogacania izotopów	0B001
Instalacje antywibracyjne (zmniejszenie hałasu), statki cywilne	8A002o.3.a
Instalacje biologiczne o przepływie ciągłym	2B352b
Instalacje biologiczne w obudowach ochronnych kategorii 3 lub 4	2B352f
Instalacje do aerodynamicznej separacji izotopów/obudowy	0B001a.3
Instalacje do aerodynamicznej separacji izotopów, urządzenia i podzespoły	0B001d
Instalacje do krakowania amoniaku (ciśnienie robocze ponad 3 MPa)	0B004b.2.d
Instalacje do lokalizacji okrętów podwodnych, akustyczne	6A001a.1.d
Instalacje do lokalizacji statków, akustyczne	6A001a.1d
Instalacje do manipulowania płytkami półprzewodnikowymi	3B005
Instalacje do monitorowania gazów toksycznych	2B351
Instalacje do naprowadzania	7A117
Instalacje do naprowadzania pocisków rakietowych	7A117
Instalacje do naprowadzania, urządzenia produkcyjne	7B103
Instalacje do niszczenia środków chemicznych określonych w pozycji 1C350	2B350j
Instalacje do produkcji środków chemicznych	2B350
Instalacje do przechowywania paliw	9A006f
Instalacje do separacji atomów izotopów	0B001a
Instalacje do separacji izotopów metodami chemicznymi, urządzenia	0B001a.4
Instalacje do separacji izotopów, urządzenia/podzespoły	0B001a.2
Instalacje do sterowania przepływem paliwa	9A106d
Instalacje do sterowania przepływem płynnych i zawiesinowych paliw napędowych	9A106d
Instalacje do sterowania tunelami aerodynamicznymi	9B005
Instalacje do wyrzucania obiektów z dużą prędkością	2B232
Instalacje elektroniczne (Fly-by-wire - FBW)	7A116
Instalacje i urządzenia do produkcji deuteru i jego związków	0B004
Instalacje kolektorowe do analizy izotopów	0B002g.4
Instalacje napędowe do rakiet	9A007
Instalacje napędowe do rakiet na paliwo stałe	9A007
Instalacje napędowe na paliwo stałe do rakiet, podzespoły	9A008
Instalacje ochronne z pełną lub częściową wentylacją	2B352f.2
Instalacje produkcyjne, do pojazdów kosmicznych lądujących na ziemi	9B116
Instalacje produkcyjne do rakiet/systemów napędowych, podzespołów	9B116
Instalacje próżniowe reaktorów jądrowych	0B002f
Instalacje rurociągowe, próżniowe	0B002f
Instalacje startowe rakiet, urządzenia, aparatura zapłonowa/podzespoły	9A115a
Instalacje sterowania lotem (pilotażu)	7A116
Instalacje zapłonowe do detonatorów wielokrotnych	3A229a
Instalacje zapłonowe do detonatorów wielokrotnych wymienionych w pozycji 3A232	3A229a
Instalacje zapłonowe, jedno- lub wielopunktowe (elektryczne)	3A232b
Instrumenty do sterowania procesem przetwarzania, do instalacji przetwórczych	0B006d
Instrumenty pomiarowe lub układy pomiarowe, do pomiaru kątów, laserowe, typu LVDT	2B006
Instrumenty sterowania lotem, zintegrowane	7A103
Interfejsy komunikAcyjne do komputerów	4A003g
Interferometry, do pomiaru prędkości (VISAR)	6A225
Inwertory częstotliwości	3A225
Inwertory obrazowe na włóknach optycznych	6A002a.2.b.1
Inwertory, przemienniki częstotliwości	0B001c.11
ISAR - radary działające w systemie z odwróconą syntezą apertury	6A008d
ISDB - sieć cyfrowa z integracją usług, urządzenia	5A001c.2
ISDN - Sieć cyfrowa z integracją usług, rozwój lub produkcja	5E001b.8
Iskierniki wyzwalające	3A228b
Izolacja, osłony silników rakietowych	9A108a
Izolacje do silników rakietowych na paliwo stałe	9A008a
Izolatory do pracy z materiałami biologicznymi	2B352f.2
Izolowane pojemniki biologiczne	2B352f.2
Izostatyczne prasowanie na gorąco stopów Al, Ti, nadstopów, dane, technologie	2E003b.2.d
Izotopy, analiza, kolektory	0B002g.4
Izotopy, lasery molekularne, instalacje do separacji	0B001a.7
Izotopy, lasery molekularne, urządzenia do separacji	0B001h
Izotopy, separacja aerodynamiczna, dysze	0B001d.1
Izotopy, separacja, dyfuzja gazowa, instalacja	0B001a.1
Izotopy, separacja, dyfuzja gazowa, urządzenia i zespoły	0B001b
Izotopy, separacja plazmowa, cewki wzbudzające wysokiej częstotliwości	0B001i.2
Izotopy, separacja plazmowa, instalacje	0B001a.8
Izotopy, separacja plazmowa, urządzenia i zespoły	0B001i
Izotopy, separacja, urządzenia, lit	0B007
Izotopy, separacja, wirówka gazowa, urządzenia i zespoły	0B001c
Izotopy, separacja, wymiana jonów, instalacje	0B001a.5
Izotopy, separacja, wymiana jonów, urządzenia i zespoły	0B001f
Izotopy, separacja za pomocą laserów, instalacje, systemy, urządzenia i zespoły	0B001a
Izotopy, separacja za pomocą lawerów, instalacje, systemy, urządzenia i zespoły	0B001g
Izotopy, separatory elektromagnetyczne	0B001a.9
Izotopy, separatory elektromagnetyczne	1B226
Izotopy uranu, separacja za pomocą laserów lub systemów laserowych	0B001h.6
Izotopy uranu, separacja za pomocą laserów lub systemów laserowych	0B001g.5
Izotopy, wirówka gazowa, instalacje do separacji	0B001a.2
Izotopy, wzbogacanie, instalacje	0B001
Jarzeniowe spektrometry masowe (GDMS)	3A232b
Jednoelementowe fotodiody i fototranzystory	6A002a.4
Jednoelementowe i płaskie zespoły ogniskujące, klasy kosmicznej	6A002a.1
Jednoostrzowe technologie diamentowania	6E003a.2.b
Jednostki dostępu do nośników informacji	5A001b.1
Jednostki pływające o małym przekroju wodnicowym	8A001i
Jonitowe kolumny	0B001f.2
Jonitowe urządzenia zwrotne	0B001f.3
Jonowe powlekanie, urządzenia produkcyjne	2B005g
Jonowymienne żywice, szybko reagujące	0B001f.1
Jony, źródła, spektrometry masowe (instalacje do wzbogacania UF(6))	0B002g
Jony, źródła, zasilacze wysokonapięciowe	0B001k.5

Kable światłowodowe	5A001e.1
Kable światłowodowe i akcesoria do zastosowań podwodnych	5A001e.2
Kable, telekomunikacja podwodna	5A001e.3
Kable telekomunikacyjne z instalacjami wykrywającymi niepowołane podłączenia do systemów	5A002g
Kable z włókien fluorowych, optyczne	6A004f
Kadm, tellurek (CdTe), płytki epitaksjalne	6C002b
Kaliforn-249 i -251 lub zawierające go materiały	0C002
Kamery, do fotografii podwodnej	8A002e
Kamery, do tworzenia obrazów	6A203c
Kamery elektroniczne	6A003a.5
Kamery elektroniczne, obrazowe	6A203b.2
Kamery elektroniczne typu smugowego	6A003a.3
Kamery filmowe	6A203
Kamery filmowe, bardzo szybkie	6A003
Kamery filmowe i akcesoria do nich	6A003
Kamery i akcesoria do nich	6A203
Kamery, mechaniczne	6A003a
Kamery, mechaniczne	6A203a.1
Kamery mechaniczne, obrazowe	6A003a.1-3
Kamery mechaniczne, obrazowe	6A203a.1
Kamery o bardzo dużej prędkości działania	6A203
Kamery obrazowe	6A003b
Kamery obrazowe, elektroniczne	6A003a.4
Kamery obrazowe, elektroniczne	6A203b.2
Kamery obrazowe, mechaniczne	6A203a.1
Kamery podczerwone, przemysłowe	6A003b
Kamery półprzewodnikowe	6A003b.1
Kamery rejestrujące	6A003a
Kamery skaningowe i systemy kamer skaningowych	6A003b.2
Kamery smugowe, elektroniczne	6A203b.1
Kamery smugowe, mechaniczne	6A203a.2
Kamery smugowe, mechaniczne lub elektroniczne	6A003a.3
Kamery telewizyjne, podwodne	8A002d.1.a
Kamery telewizyjne z czujnikami półprzewodnikowymi	6A003b.1
Kamery TV odporne na promieniowanie jonizujące	6A203c
Kamery wizyjne z czujnikami półprzewodnikowymi	6A003b.1
Karty sterujące ruchem obrabiarek	2B001b
Karty z obwodami drukowanymi i oprogramowaniem do obrabiarek sterowanych numerycznie (CNC)	2B009
Katalizatory platynowe	1A225
Katody, impregnowane, do mikrofalowych lamp elektronicznych	3A001b.1.c
Kęsy materiałów elektro-optycznych	6C004b
Kiur - 245 i -247 lub zawierające go materiały	0C002
Klapki oporowe do systemów sterowania wektorem ciągu	9A106c
Klimatyczne komory	9B106
Kod źródłowy do rozwoju wymienionych w tej pozycji systemów	7D003d
Kod źródłowy do zintegrowanych systemów awionicznych lub systemów realizacji zadań bojowych	7D003c
Kod źródłowy, oprogramowanie do wielostrumieniowego przetwarzania danych	4D003a
Kod źródłowy poprawiający parametry techniczne systemów nawigacyjnych	7D003b
Kodery i dekodery systemu GPS, urządzenia/podzespoły	7A005a
Kodery typu wałowego	3A001f
Koła zębate, honownice	2B003
Koła zębate, obrabiarki	2B003
Koła zębate, obrabiarki do obróbki wykańczającej	2B003
Koła zębate, szlifierki	2B003
Kolektory do par i frakcji końcowych uranu	0B001g.3
Kolektory jonów, płytkowe, odporne na fluorek uranu	0B001k.2
Kolumny absorpcyjne	2B350e
Kolumny destylacyjne	2B350e
Kolumny destylacyjne, kriogeniczne	1B228
Kolumny impulsowe do szybkiej wymiany chemicznej, cieczowo-cieczowe	0B001e.2
Kolumny jonitowe	0B001f.2
Kolumny wymienne cieczowo-cieczowe, do amalgamatu litu	0B007a
Kolumny wymienne, półkowe, typu woda-siarkowodór	1B229
Komory anaerobowe bezpieczne pod względem biologicznym	2B352f.2
Komory bezechowe do symulacji warunków lotu	9B106b
Komory bezpieczne, do zastosowań biologicznych	2B352a.3
Komory ciągu, wysokociśnieniowe	9A006e
Komory do testowania aerozoli (pojemność 1 m(3) lub większa)	2B352g
Komory do testowania aerozoli zawierających mikroorganizmy	2B352g
Komory klimatyczne	9B106
Komory klimatyczne z możliwością symulacji warunków środowiskowych	9B106a
Komory rękawowe do pracy z materiałami biologicznymi	2B352f.2
Komory suche do substancji biologicznych	2B352a.3
Kompasy (giro-astro) i akcesoria do nich, różne od wymienionych w pozycji 7A004	7A104
Kompensacja magnetyczna, oprogramowanie	6D003b.1
Kompilatory (oprogramowanie) do urządzeń do wielostrumieniowego przetwarzania danych	4D003a
Kompilatory do systemów operacyjnych	4D003a
Kompozytowe elementy i struktury do systemów napędowych	9A110
Kompozytowe elementy lub struktury do rakiet nośnych	9A010
Kompozytowe, wykonane z włókien nawojowych, osłony silników	9A008b
Kompozyty, produkcja, technologia regulacji temperatur/ciśnień i składu atmosfery	1E103
Komputerowe interfejsy komunikacyjne	4A003g
Komputery, akcesoria elektroniczne	4A102
Komputery analogowe	4A001
Komputery analogowe zabezpieczone przed narażeniami mechanicznymi	4A101
Komputery cyfrowe	4A004
Komputery cyfrowe	4A003
Komputery cyfrowe odporne na uszkodzenia	4A003a
Komputery cyfrowe, procesory logiczne	4A003
Komputery cyfrowe, procesory sygnałów	4A003
Komputery cyfrowe, procesory tablic	4A003
Komputery cyfrowe, procesory wektorowe	4A003
Komputery cyfrowe zabezpieczone przed narażeniami mechanicznymi	4A101
Komputery cyfrowe, zespoły elektroniczne i akcesoria do nich	4A003
Komputery cyfrowe, zespoły elektroniczne i akcesoria do nich	4A001
Komputery elektroniczne i akcesoria do nich	4A001-4
Komputery elektroniczne i akcesoria do nich	4A101
Komputery elektroniczne i akcesoria do nich	4A102
Komputery, elektroniczne zespoły, urządzenia i podzespoły	4A001-4
Komputery hybrydowe	4A102
Komputery hybrydowe	4A102
Komputery hybrydowe i zespoły oraz podzespoły do nich	4A001
Komputery hybrydowe z komputerami cyfrowymi według pozycji 4A003	4A002
Komputery neuronowe/zespoły/podzespoły	4A004b
Komputery optyczne	4A004c
Komputery, podzespoły elektroniczne	4A101
Komputery, przystosowane do pracy w rozszerzonym zakresie temperatur	4A001a.1
Komputery z dynamiczną modyfikacją zestawu procesorów	4A004a
Komputery z ochroną zawartych w nich informacji	4A001b
Komputery zabezpieczone przed promieniowaniem jonizującym	4A001a.2
Komputery/zespoły/podzespoły/neuronowe	4A004b
Komputery/zespoły/podzespoły/optyczne	4A004c
Komputery/zespoły/podzespoły, z dynamiczną modyfikacją zestawu procesorów	4A004a
Komutacja optyczna	5A001c.9
Kondensatory	3A201a
Kondensatory magazynujące, wysokoenergetyczne	3A001e.2
Kondensatory magazynujące, wysokoenergetyczne (o dużej pojemności)	3A001e.2
Kontaktory cieczowo-cieczowe, odśrodkowe	0B001e
Kontaktory, wymiana chemiczna (amoniak-wodór)	0B004b.2.b
Kontrola ruchu powietrznego, oprogramowanie	6D003d
Kontrola/testowanie koszulek do elementów paliwowych reaktorów	0B005c
Kontrolne odbiorniki mikrofalowe	3A002f
Konwertory częstotliwości	3A225
Konwertery i aparatura do syntezy amoniaku	1B227
Konwertory, przemienniki częstotliwości	0B001c.11
Kopolimer butadienu z kwasem akrylowym (PBAA)	1C115b.3
Kopolimer butadienu z kwasem akrylowym i akrylonitrylem (PBAN)	1C115b.4
Kopolimery fluorku winylidenu	1C009a
Kopolimery fluorku winylidenu, ich składniki	1A001
Kopolimery termoplastyczne, ciekłe kryształy	1C008b
Koprocesory lub akceleratory, graficzne	4A003d
Koszulki do elementów paliwowych reaktorów, testowanie/kontrola	0B005c
Krakowanie amoniaku (instalacje o ciśnieniu roboczym ponad 3 MPa)	0B004b.2.d
Kriogeniczne chłodnice do czujników optycznych	6A002d.1
Kriogeniczne instalacje grzewcze	9A006a
Kriogeniczne kolumny destylacyjne	1B228
Kriogeniczne separatory	0B001d.7.a
Kriogeniczne wieże i zimne komory, destylacyjne	0B004b.3.a
Kriogeniczne wymienniki ciepła do oddzielania UF(6) od gazu nośnego	0B001d.7.a
Kriogeniczne zamrażarki	9A006a
Kriogeniczne zamrażarki	0B001d.7.b
Kriotrony, lampy gazowe	3A228a
Kryptografia, urządzenia/zespoły/podzespoły	5A002
Kryształy pojedyncze z tellurku kadmowo-rtęciowego	6C002b
Kryształy z tellurku kadmowego, tellurku kadmowo-cynkowego, tellurku kadmowo-rtęciowego, pojedyncze	6C002b
Kryteria Oszacowania Poufnych Systemów Komputerowych (TCSEC), urządzenia	5A002f
Krzemionka stopiona, o niskim współczynniku pochłaniania optycznego	6C004f
Krzemowe podłoża nałożone techniką heteroepitaksjalnego nakładania warstw	3C001a
Krzemowęglowodorowe oleje	1C006a.1
Ksantomonas albilineans	1C354a.1
Ksantomonas campestris pv. aurantifolia	1C354a.2
Ksantomonas citri	1C354a.2
KTA - Arsenian potasowo-tytanylowy	6C004b.1
Kultury bakterii	1C351c
Kultury bakterii	1C352b
Kultury bakterii	1C353
Kultury bakterii	1C354a
Kultury grzybów	1C353
Kultury grzybów	1C354b
Kultury Riketsji	1C353
Kultury Riketsji	1C351b
Kultury wirusów	1C351a
Kultury wirusów	1C353
Kultury wirusów	1C352a
Kwarcowe czujniki/przetworniki ciśnienia	6A226b
Kwas benzilowy	1C350a.32

Łączniki do światłowodów	5A001e.2
Łączniki światłowodów do zastosowań podwodnych	5A001e.2
Lądowe systemy nawigacji inercyjnej, urządzenia	7A003b
Laminaty do rakiet, systemów napędowych, pojazdów kosmicznych	9A110
Laminaty i wyroby kompozytowe, organiczne lub węglowe	1A002
Laminaty, w postaci rur	1A202
Laminaty zbrojone, materiały włókniste lub włókienkowe	9A110
Laminaty zbrojone, materiały włókniste lub włókienkowe	1C010e
Laminaty zbrojone, prasowanie, urządzenia	1B001e
Lampy do wzmacniaczy obrazów, o działaniu bezpośrednim	6A002c.1
Lampy elektroniczne, próżniowe	3A228
Lampy elektronowe, oscyloskopowe	3A202
Lampy elektronowe, próżniowe, do urządzeń mikrofalowych/na fale milimetrowe	3A001b.1
Lampy elektronowe, próżniowe, mikrofalowe	3A001b.1
Lampy elektronowe z zimną katodą	3A228a
Lampy fotopowielaczowe, przemysłowe	6A202
Lampy krotonowe, gazowe	3A228a
Lampy o regulowanej częstotliwości	3A001b.1
Lampy obrazowe i półprzewodnikowe	6A203b.3
Lampy próżniowe, elektronika przemysłowa	3A228
Lampy próżniowe, przemysłowe, elektroniczne, mikrofalowe	3A001b.1
Lampy sprytronowe, próżniowe	3A228a
Lampy wzmacniające na bramkach wykonanych w technologii (SIT)	6A203b.3.b
Lampy wzmacniające obrazy i akcesoria do nich	6A002a.2
Lampy wzmacniające ogniskowanie obrazów zbliżeniowych	6A203b.3.a
Lampy z falą bieżącą (TWT), przemysłowe	3A001b.1.a
Lampy z regulowaną częstotliwością	3A001b.1
Laseczka jadu kiełbasianego	1C351c.6
Laseczka wąglika	1C351c.1
Laser tlenowo-jodowy (O(2)-I)	6A005a.5
Laserowe giroskopy i akcesoria do nich	7A002
Laserowe instrumenty pomiarowe	2B006b.1c
Laserowa separacja izotopów, urządzenia	0B001g
Laserowe techniki śledzenia sygnałów, technologie rozwoju/użytkowania	5E001b.2
Laserowe techniki telekomunikacyjne, rozwój/technologia	5E001b.2
Laserowe urządzenia diagnostyczne	6A005g
Laserowe urządzenia do testowania urządzeń półprzewodnikowych	3B008d
Laserowe urządzenia do wytwarzania masek, elementów półprzewodnikowych	3B006
Laserowe urządzenia ze sprzężeniem zwrotnym położenia liniowego	2B008b
Lasery aleksandrytowe	6A005c.1
Lasery barwnikowe	6A005d
Lasery barwnikowe	6A005c.1
Lasery barwnikowe	6A205
Lasery chemiczne	6A005a.5
Lasery cieczowe	6A005d
Lasery działające w paśmie Ramana	6A205e
Lasery ekscymerowe	6A005a.1
Lasery fluorowodorowe (HF)	6A005a.5.a
Lasery gazowe	6A005a
Lasery jarzeniowo-jonowe	6A005a.6
Lasery lub systemy laserowe, separacja izotopów uranu	0B001g.5
Lasery lub systemy laserowe, separacja izotopów uranu	0B001h.6
Lasery modulowane dobrocią	6A005c.2
Lasery molekularne, zespoły	0B001h
Lasery na ciele stałym Tul-YAG (Tm:YAG)	6A005c.1
Lasery na ciele stałym typu Tul-YSGG (Tmn:YSGG)	6A005c.1
Lasery na ciele stałym z przemianą atomową	6A005c.2
Lasery na dwutlenku węgla (CO(2))	6A005a.4
Lasery na elektronach swobodnych	6A005e
Lasery na fluorku deuteru (DF)	6A005a.5.b
Lasery na jonach argonu	6A005a.6
Lasery na jonach argonu	6A205a
Lasery na jonach kryptonu	6A005a.6
Lasery na mieszaninie fluorku deuteru z dwutlenkiem węgla (DF-CO(2))	6A005a.5.c.2
Lasery na parach baru metalicznego	6A005a.2.d
Lasery na parach metali	6A005a.2
Lasery na parach miedzi metalicznej	6A005a.2.a
Lasery na parach sodu (Na)	6A005a.2
Lasery na parach złota (Au)	6A005a.2.b
Lasery na szkle neodymowym	6A005c.2
Lasery na tlenku węgla (CO)	6A005a.3
Lasery, półprodukty, szafir domieszkowany tytanem	6C005a
Lasery półprzewodnikowe	6A005b
Lasery półprzewodnikowe, nie przestrajalne	6A005c.2
Lasery półprzewodnikowe, przestrajalne	6A005c.1
Lasery, przemysłowe	6A005
Lasery, przemysłowe	6A205
Lasery przestrajalne, półprzewodnikowe	6A005c.1
Lasery rubinowe	6A005c.2.a
Lasery tytanowo-szafirowe (Ti: Al(2)O(3))	6A005c.1
Lasery z domieszką neodymu	6A005c.2
Lekkie konstrukcje zwierciadeł kompozytowych lub piankowych	6A004a.3
Lekkie przekładnie redukcyjne, do napędów okrętowych	8A002o.1.d
Lekkie silniki turboodrzutowe/turbowentylatorowe	9A101
Lekkie zwierciadła monolityczne	6A004a.2
Lidary (radary laserowe)	6A008j
Liniowe pomiary, urządzenia, instrumenty	2B006b.2
Liniowe pomiary, urządzenia, instrumenty	2B006b.1
Liniowe systemy przetworników napięciowych (LVDT), instrumenty pomiarowe	2B006b.1.b.1
Liniowe zestawy ogniskujące	6A002a.3
Liofilizacja, urządzenia do sterylizacji parą wodną	2B352e
Lit, amalgamat, kolumny wymienne, cieczowo-cieczowe	0B007a
Lit, amalgamat, urządzenia do przerobu	0B007
Lit, izotopy, separacja, urządzenia	0B007
Lit, izotopy, urządzenia do separacji	0B007
Lit, metaliczny, wodorki lub stopy	1C233
Litograficzne wytwarzanie płytek półprzewodnikowych	3B006
Lokalizacja obiektów, akustyczna	6A001a.1.d
Lotnicze silniki turbogazowe	9A001
Luzy wierzchołkowe łopatek wirników, system kompensacji aktywnej	9D004f
LCDT - liniowe systemy przetworników napięciowych, instrumenty pomiarowe	2B006b.1.b.1
Łopatki do ektrahowania UF(6) w wirówkach gazowych	0B001c.13
Łopatki do turbin, urządzenia do produkcji lub pomiarów	9B001
Łopatki kierownicze do systemów sterowania wektorem ciągu	9A106c
Łopatki turbin lub wentylatorów, technologia	9E003b.2
Łopatki wirników, oprzyrządowanie do produkcji	9B009
Łożyska kulkowe lub pełne wałeczkowanie	2A001
Łożyska kulkowe lub pełne wałeczkowanie	2A002
Łożyska magnetyczne	2A005
Łożyska magnetyczne (zawieszone)	2A005
Łożyska na poduszce gazowej	2A004
Łożyska na poduszce magnetycznej (zawieszenie)	0B001c.4
Łożyska na poduszce magnetycznej, aktywne	2A005
Łożyska, precyzyjne, odporne na temperatury, specjalne	2A001-6
Łożyska stożkowe, pełne	2A003
Łożyska stożkowe pełne	2A003
Łożyska tekstolitowe wahliwe	2A006
Łożyska tekstolitowe wahliwe albo poprzeczne przesuwne, samonastawne	2A006
Łożyska tekstolitowe wahliwe, przesuwne	2A006
Łożyska wałeczkowe pełne	2A002
Łożyska wałeczkowe, pełne	2A001
Łożyska, wirówka gazowa	0B001c.4
Łożyska, wirówka gazowa	0B001c.5
Ługowanie rdzeni ceramicznych, urządzenia	9B001f
Łukowe piece do przetapiania/odlewania	2B227a

Magazynowanie, energii, urządzenia nadprzewodzące	3A001e.3
Magazynowanie, energii, urządzenia nadprzewodzące	3A001e.4
Magnaporthe grisea Pyricularia grisea/Pyricularia oryzae)	1C354b.6
Magnesy, bieguny, elementy, średnica ponad 2 metry	0B001k.4
Magnesy, zasilacze, o wysokiej mocy (prąd stały)	0B001k.6
Magnetoindukcyjna aparatura do kontroli reaktorów jądrowych	0B008b
Magnetometry	6A006
Magnetometry do pomiaru gradientu magnetycznego własnego	6A006f
Magnetometry światłowodowe	6A006e
Magnetometry, technologie produkcji	6E003c
Magnetometry z cewą indukcyjną	6A006b
Magnetostrykcyjne stopy	1C003b
Magnetrony (wzmacniacze lampowe o skrzyżowanych polach)	3A001b.1.b
Magnetyczne metale	1C003
Magnetyczne zawirowywacze do laserów na swobodnych elektronach	6B005a.1
Magnez, metaliczny (o wysokiej czystości, do zastosowań jądrowych)	1C228
Magnez metaliczny lub proszki ze stopów magnezu (paliwo)	1C115a.2.d
Magnez, stopy	1C002a.2.e
Manganinowe czujniki ciśnienia	6A226a
Manipulatory	2B225
Manipulatory do gorących komór (promieniowanie)	2B225
Manipulatory, do pojazdów podwodnych	8A002i
Manipulatory, zdalne	2B225
Maraging, stal	1C116
Maski do układów scalonych wymienionych w pozycji 3A001	3B007b
Maski, układy scalone do 3A001	3B007a
Maski wielowarstwowe z warstwą z przesunięciem fazowym do układów scalonych	3B007a
Maszyny do formowania kształtowego elementów o średnicach wewnętrznych 75-400 mm	2B215
Maszyny do nawijania włókien	1B001a
Maszyny do nawijania włókien	1B101a
Maszyny do nawijania włókien	1B201
Maszyny do pasowania skurczowego wirników/produkcja, montaż	2B228a
Maszyny do przeplatania włókien	1B101c
Maszyny do równoczesnego wyoblania i formowania kształtowego	2B215
Maszyny do rozdrabniania lub kruszenia elementów paliwowych	0B006a
Maszyny do tłoczenia kształtowego z więcej niż dwiema osiami równocześnie synchronicznymi	2B115
Maszyny do układania mat z włókien	1B001b
Maszyny do układania taśm z włókien	1B001b
Maszyny do układania taśm z włókien	1B101b
Maszyny do wyoblania, z więcej niż dwiema osiami równocześnie sterowanymi	2B115
Maszyny tkackie do włókien	1B001c
Materiały ceramiczne, niekompozytowe, technologia	1E002c.2
Materiały ceramiczne, ogniotrwałe, urządzenia do mokrego przędzenia	1B101d
Materiały elektrooptyczne	6C004
Materiały fotorezystywne, litograficzne wytwarzanie półprzewodników	3C002
Materiały fotorezystywne wrażliwe na promieniowanie rentgenowskie	3C002c
Materiały fotorezystywne wrażliwe na wiązkę elektronową	3C002b
Materiały fotorezystywne wrażliwe na wiązkę jonów	3C002b
Materiały heteroepitaksjalne składające się z "podłoża" i wielu nałożonych epitaksjalnie warstw	3C001
Materiały i kompozyty ceramiczne	1C007
Materiały i urządzenia do obiektów o zmniejszonej wykrywalności za pomocą fal elektromagnetycznych	1C101
Materiały kompozytowe do rakiet, systemów napędowych lub pojazdów kosmicznych	9A110
Materiały kompozytowe na matrycy ceramicznej	1C007c
Materiały kompozytowe na matrycy ceramicznej, na kopułki radarów lub końcówki krawędzi natarcia	1C107b
Materiały kompozytowe, oprogramowanie do rozwoju	1D002
Materiały kompozytowe, technologia instalowania, konserwacji lub naprawy	1E002e
Materiały na matrycy ceramicznej, pojedyncze lub złożone borki tytanowe	1C007a
Materiały na matrycy ceramicznej, rozwój, technologia produkcji	1E002c.1
Materiały niekompozytowe na matrycy ceramicznej	1C007b
Materiały optyczne o właściwościach nieliniowych	6C004b.3
Materiały pirolityczne, technologia produkcji	1E104
Materiały pirolityczne typu węgiel-węgiel	1A102
Materiały rozszczepialne lub materiały je zawierające	0C002
Materiały, rozwój, produkcja i użytkowanie, oprogramowanie	1D001
Materiały smarne	1C006b
Materiały typu węgiel-węgiel	1A102
Materiały włókniste i włókienkowe	1C010b
Materiały włókniste lub włókienkowe, organiczne i nieorganiczne	1C210b

Materiały włókniste lub włókienkowe, organiczne i nieorganiczne	1C010
Materiały włókniste lub włókienkowe, organiczne i nieorganiczne	1C210a
Materiały wybuchowe kruszące (przemysłowe)	1C239
Materiały wytwarzające energię cieplną w instalacjach jądrowych	0C003
Materiały z włókien i włókien nieorganicznych	1C010c
Materiały z włókien i włókien nieorganicznych	1C210b
Materiały z włókien i włókienek	1C010a
Materiały z włókien i włókienek	1C210a
Materiały z włókien i włókienek organicznych	1C010a
Materiały z włókien i włókienek węglowych	1C210
Materiały z włókien i włókienek węglowych	1C010b
Materiały ze stopów metali w postaci rur lub elementów litych	1C202
Materiały ze stopów metali w postaci proszków lub granulatów	1C002b
Materiały ze stopów metali w postaci płatków, wstążek lub cienkich pręcików	1C002c
Materiały zmniejszające odbijanie fal elektromagnetycznych	1C101
Matryce	1B101e
Matryce do formowania mieszków	2B228c
Maty z włókien, maszyny do układania mat	1B001b
MCT - tellurek rtęciowo-kadmowy, kryształy, płytki epitaksjalne	6C002b
Mechanizmy do łączenia stopni rakiet	9A117
Mechanizmy do rozłączania stopni rakiet	9A117
Mechanizmy międzystopniowe do rakiet	9A117
Mechanizmy robocze do robotów do manipulowania materiałami wybuchowymi	2B207
Mechanizmy robocze, roboty	2B007
Mechanizmy robocze, roboty	2B007
Metale magnetyczne	1C003
Metale o wysokiej początkowej przenikalności magnetycznej	1C003a
Metale, stopy	1C002a
Metaloorganiczne związki	3C003
Meteorologiczne rakiety	9A104
Metylofosfinin dietylu	1C350a.33
Metylofosfonian dimetylu	1C350a.3
Microcyclus ulei (synonim Dothidella ulei)	1C354b.3
Mierniki gradientu magnetycznego i akcesoria do nich, magnetyczne	6A006
Mierniki gradientu pola magnetycznego, grawitacja	6A007c
Mierniki grawitacji (grawimenty), zespoły	6A107
Mierniki momentu magnetycznego	6A006d
Mieszadła	2B350b
Mieszarki ciągłe z instalacją do regulacji temperatury i podciśnienia	1B115
Mieszarki, o działaniu okresowym i ciągłym	1B115
Mieszki, formowane, matryce	2B228c
Mieszki, trzpienie do formowania	2B228c
Mieszkowe zawory	2B350g
Migawki elektrooptyczne z fotokomórkami działającymi na zasadzie efektu Kerra lub Pockela	6A203b.3.c
Mikoplazmowe drobnoustroje grzybowate	1C352b.1
Mikrofale, źródła (częstotliwość powyżej 30 GHz)	0B001i.3
Mikrofalowe moduły	3A001b.2
Mikrofalowe tranzystory	3A001b.3
Mikrofalowe układy scalone	3A001b.2
Mikrofalowe układy scalone, urządzenia do testowania	3B008c
Mikrofalowe urządzenia do rozszerzania pasma częstotliwości, miksery, przemienniki	3A001b.7
Mikrofalowe zespoły	3A001b.6
Mikrofalowe zespoły i urządzenia	3A001b.1
Mikroorganizmy zmodyfikowane genetycznie	1C353
Mikroukłady do mikrosterowników	3A001a.3
Mikroukłady koprocesorowe	3A001a.3
Mikroukłady krzemowe, przemysłowe	3A001a
Mikroukłady mikrokomputerowe	3A001a.3
Mikroukłady mikroprocesorowe	3A001a.3
Mikroukłady mikrosterowników	3A001a.3
Mikroukłady procesorów sygnałowych	3A001a.3
Mikroukłady, silikonowe, półprzewodnikowe	3A001a
Miksery i przetworniki przeznaczone do rozszerzania przedziału częstotliwości	3A001b.7
Miksery, urządzenia mikrofalowe do rozszerzania pasma częstotliwości	3A001b.7
Miszmetal, proszek	1C115a.2.g
MOCVD - reaktory do osadzania z par lotnych związków metaloorganicznych	3B001b
Modele lotnicze do tuneli aerodynamicznych, technologia	9E003b.1
Modemy (modulatory/demodulatory)	5A001b.3.a
Modemy, stanowiące wyposażenie urządzeń komputerowych	4A003f
Moduły lub zespoły do szybkiego przełączania	3A228c
Moduły lub zespoły przełączające	3A228
Moduły mikrofalowe	3A001b.2
Molekularne pompy	0B001c.9
Molibden, stopy z wolframem	1C117
Mostki i bramki, telekomunikacja	5A001c.5
Mostki i bramki, telekomunikacja	5A001c.4
Mostki i bramki, telekomunikacyjne	5A001b.3.c
Multipleksery	5A001b.1
Multipleksery statyczne	5A001b.1
Multipleksery światłowodowe	5A001b.4
Naddźwiękowe dysze rozprężne do gazu nośnego do UF(6)	0B001h.1
Naddźwiękowe silniki strumieniowe/podzespoły	9A011
Nadplastyczne formowanie materiałów, narzędzia, matryce, formy lub uchwyty	1B003
Nadprzewodnikowe silniki napędowe	8A002o.2.c
Nadprzewodnikowe urządzenia działające na zasadzie interferencji kwantowe	6A006h
Nadprzewodnikowe urządzenia elektroniczne, technologia	3E002c
Nadprzewodzące bramki, przełączniki prądowe	3A001d.2
Nadprzewodzące czujniki elektromagnetyczne	6A006h
Nadprzewodzące elektromagnesy lub cewki	3A001e.3
Nadprzewodzące elektromagnesy lub cewki	3A201b
Nadprzewodzące przewodniki kompozytowe	1C005
Nadprzewodzące układy/instalacje, magazynowanie energii	3A001e.4
Nadprzewodzące urządzenia lub układy	3A001d
Namierniki, systemy/urządzenia/podzespoły	7A103
Napęd, przenoszenie, układy wałowe, okrętowe	8A002O.1.e
Napylanie jonowe, urządzenia produkcyjne	2B005e
Napylanie katodowe, urządzenia produkcyjne	2B005f
Napylanie plazmowe, urządzenia produkcyjne, z regulacją atmosfery	2B005d
Narzędzia do obrabiarek	2B008
Narzędzia, matryce, formy lub uchwyty do formowania materiałów w stanie nadplastycznym	1B003
Naturalne substancje toksyczne	1C351d
Nawigacja inercyjna do statków kosmicznych, urządzenia/podzespoły	7A003
Nawigacja inercyjna, instrumenty	7A003
Nawigacja inercyjna, lądowa, urządzenia	7A003b
Nawigacja inercyjna, systemy/urządzenia/podzespoły	7A003
Nawigacja, systemy/urządzenia/podzespoły, inercyjna	7A103
Naziemne instalacje do obsługi wyrzutni rakiet	9A115b
Naziemne pojazdy do obsługi wyrzutni startowych	9A115b
NDT, badania nieniszczące (w trzech wymiarach) urządzenia	1B001f
NDT - badania nieniszczące, urządzenia do badań silników rakietowych	9B007
Neptun-237 lub zawierające go materiały	0C003b
Niefluorowane substancje polimerowe	1C008
Niefluorowane wyroby polimerowe	1A003
Niekompozytowe materiały ceramiczne, technologia	1E002c.2
Nieliniowe materiały optyczne	6C004b.3
Nieprzestrajalne lasery półprzewodnikowe	6A005c.2
Nieregularności powierzchni, pomiar rozproszenia światła, urządzenia	2B006d
Niezależne od powietrza silniki pracujące według obiegu Rankina	8A002j
Niezależne od powietrza silniki pracujące według obiegu Stirlinga	8A002j
Niezależne od powietrza systemy napędowe	8A002j
Niezależne od powietrza układy energetyczne na ogniwach paliwowych	8A002j
Nikiel, glinki	1C002a.1.a
Nikiel metaliczny (wykonany ze sproszkowanych metali/stopów/proszków)	0C006b
Nikiel metaliczny, porowaty	0C006b
Nikiel metaliczny, proszki	0C006a
Nikiel, stopy	1C002a.1.a
Nikiel, stopy	1C002a.2.a
Nikiel, stopy, proszki	1C002a.1.a
Nikiel, stopy, proszki	1C002a.2.a
Nikiel, stopy, proszki	1C002b.1.a
Niob, stopy	1C002a.2.b
Niob, stopy, proszki	1C002a.2.b
Niob, stopy, proszki	1C002b.1.b
2-Nitrodifenyloamina	1C115c.3

Obrabiarki do kół zębatych	2B003
Obrabiarki do obróbki powierzchni o jakości optycznej	2B002
Obrabiarki do obróbki wykańczającej kół zębatych	2B003
Obrabiarki do obróbki za pomocą dysz wodnych lub dysz z innymi cieczami roboczymi (CNC)	2B001c.4.a.1
Obrabiarki do obróbki za pomocą wiązki elektronów (CNC)	2B001c.4.a.2
Obrabiarki do obróbki za pomocą wiązki laserowej (CNC)	2B001c.4.a.3
Obrabiarki do obróbki za pomocą wiązki elektronów	2B001
Obrabiarki do szlifowania (CNC)	2B001c
Obrabiarki elektroerozyjne	2B001
Obrabiarki elektroerozyjne (EDM) (CNC)	2B001c.2
Obrabiarki elektroerozyjne (EDM) (CNC) nie drutowe	2B001c.3
Obrabiarki elektroerozyjne sterowane numerycznie (CNC)	2B001c.3
Obrabiarki hydrodynamiczne	2B001
Obrabiarki laserowe	2B001
Obrabiarki sterowane numerycznie	2B001c
Obrabiarki sterowane numerycznie (CNC)	2B001c.1
Obrabiarki sterowane numerycznie (CNC), karty z obwodami drukowanymi i oprogramowaniem	2B009
Obrabiarki strumieniowe (wodne lub z innymi cieczami roboczymi) (CNC)	2B001c.4.a.1
Obrabiarki, wrzecienniki	2B008a
Obróbka w stanie nadplastycznym stopów aluminium, stopów tytanu lub nadstopów, technologie	2E003b.2.a
Obróbka w stanie nadplastycznym, technologie	2E003b.1.a
Obudowy biologiczne	2B352a
Obudowy modułów rozdzielających, źródła par uranu metalicznego	0B001g.4
Obudowy modułów rozdzielających, źródła plazmy uranu metalicznego	0B001i.6
Oceaniczne urządzenia ratunkowe	8A001e
Ochrona impulsów elektromagnetycznych (EMP), czujniki	6A102
Ochrona informacji, systemy/urządzenia/zespoły	5A002
Ochrona informacji, technologie	5E002
Ochrona urządzeń awionicznych przed zakłóceniami elektromagnetycznymi	7E102
Oczyszczanie i przechowywanie izotopów wodoru, instalacje	1B231
Oczyszczanie UF(6), urządzenia destylacyjne	0B003b.2
Odbiorniki mikrofalowe, do testowania	3A002f
Odbiorniki radiowe	5A001b.5-11
Odbiorniki radiowe ze sterowaniem cyfrowym	5A001b.9
Odbiorniki satelitarne	7A005
Odbiorniki satelitarne, różne od wymienionych w pozycji 7A005	7A105
Odgazowywanie, urządzenia	2B350
Odlewanie/przetapianie, piece łukowe	2B227a
Odporne na promieniowanie jonizujące kamery TV	6A203c
Odporne na promieniowanie jonizujące komputery, urządzenia elektroniczne, podzespoły	4A001a.2
Odporne na uszkodzenia komputery cyfrowe	4A003a
Odśrodkowe instalacje do rozdzielania izotopów, urządzenia pomocnicze	0B002
Odśrodkowe instalacje do separacji izotopów, urządzenia/podzespoły	0B001c
Odśrodkowe instalacje do separacji izotopów, urządzenia/podzespoły	"b001a.2
Ogniwa do elektrolizy amalgamatów litu	0B007c
Ogniwa elektrolityczne do produkcji fluoru	1B225
Ogniwa lub akumulatory (wysokoenergetyczne), ładowalne	3A001e.1.b
Ogniwa lub akumulatory (wysokoenergetyczne), podstawowe	3A001e.1.a
Ogniwa Pockela lub Kerra, migawki elektrooptyczne	6A203b.3.c
Ogniwa redukcyjne, elektrochemiczne	0B001e.3
Ogniwa słoneczne, klasy kosmicznej lub odporne na promieniowanie jonizujące	3A001e.1.c
Okna ochronne, szklane, osłony antyradiacyjne	1A227
Okrętowe silniki turbogazowe i akcesoria do nich	9A002
Okręty wojenne	8A001
Oleje krzemowęglowodorowe	1C006a.1
Oleje węglowodorowe, syntetyczne	1C006
Oprogramowanie antywirusowe do ochrony oprogramowania do celów informacyjnych	5D002c.3
Oprogramowanie, dane, do izostatycznego prasowania na gorąco stopów Al, Ti, nadstopów	2E003b.2.d
Oprogramowanie do aktywnej kompensacji luzów wierzchołkowych łopatek wirników	9D004f
Oprogramowanie do analizy obiektów o zmniejszonej wykrywalności	1D103
Oprogramowanie do cyfrowego, elektronicznego sterowania silnikami	9D003a
Oprogramowanie do cyfrowych systemów komutacyjnych	5D001c.1
Oprogramowanie do grawimetrów (czujników do pomiaru gradientu grawitacji)	6D003c
Oprogramowanie do instalacji/systemów komutacyjnych (Telekomunikacyjnych)	5D001c.1
Oprogramowanie do komputerów cyfrowych	4D
Oprogramowanie do kontroli ruchu powietrznego	6D003d
Oprogramowanie do kształtowania wiązek akustycznych	6D003a.1
Oprogramowanie do łopatek wirnikowych	9D004f
Oprogramowanie do maszyn do nawijania włókien	1D001
Oprogramowanie, do maszyn do nawijania włókien	1D201
Oprogramowanie do modelowania/symulacji działania instalacji do naprowadzania	7D103
Oprogramowanie do modelowania/testowania przepływu w turbinach gazowych	9D004b
Oprogramowanie do obróbki danych po zakończeniu lotu	6D103
Oprogramowanie do obsługi urządzeń do testowania wibracji	9D004a
Oprogramowanie do ochrony informacji	5D002
Oprogramowanie do projektowania kopuł anten radiolokacyjnych	6D003d
Oprogramowanie do projektowania, produkcji i napraw śrub napędowych	8D002
Oprogramowanie do przetwarzania kodów źródłowych	4D003a
Oprogramowanie do rozwoju działających w czasie rzeczywistym, całkowicie autonomicznych układów sterowania silnikami lotniczymi	9D004c
Oprogramowanie do rozwoju materiałów kompozytowych	1D002
Oprogramowanie do rozwoju, produkcji i użytkowania materiałów	1D001
Oprogramowanie do rozwoju sztucznej inteligencji	4D003b
Oprogramowanie do scalania instalacji do naprowadzania(7D103
Oprogramowanie do scalania modelowania i symulacji rakiet	9D103
Oprogramowanie do sterowania adaptacyjnego	2D002a
Oprogramowanie do sterowania numerycznego	2D002b
Oprogramowanie do sterowania produkcją pojedynczych kryształów	9D004e
Oprogramowanie do sterowania ukierunkowanym krzepnięciem kryształów	9D004e
Oprogramowanie do systemów eksperckich	4D003b
Oprogramowanie do systemów operacyjnych, programy narzędziowe do rozwoju oprogramowania	4D003a
Oprogramowanie do testowania, kontroli i produkcji pojazdów kosmicznych	9D101
Oprogramowanie do testowania, kontroli i produkcji systemów napędowych	9D101
Oprogramowanie do testowania, kontroli i produkcji rakiet meteorologicznych	9D101
Oprogramowanie do testowania lotniczych turbin gazowych, silników, zespołów i podzespołów	9D004d
Oprogramowanie do tłumienia hałasu generowanego przez śruby	8D002
Oprogramowanie do tłumienia hałasu śrub napędowych (rozwój/produkcja)	8D002
Oprogramowanie do tłumienia hałasu śrub napędowych (naprawy/remonty/przebudowy)	8D002
Oprogramowanie do uniwersalnych jednostek produkcyjnych	2D002a.1
Oprogramowanie do urządzeń do testowania wibracji, produkcyjnych	2D101
Oprogramowanie do urządzeń do wielostrumieniowego przetwarzania danych	4D003a
Oprogramowanie do urządzeń półprzewodnikowych, CAD	3D003
Oprogramowanie do urządzeń/systemów telekomunikacyjnych	5D001c.3
Oprogramowanie do uwierzytelnienia oprogramowania do ochrony informacji	5D002c.2
Oprogramowanie do użytkowania pieców metalurgicznych i odlewniczych	2D201
Oprogramowanie do użytkowania pras izostatycznych do pracy na gorąco	2D201
Oprogramowanie do użytkowania urządzeń do formowania kształtowego/wyoblania	2D201
Oprogramowanie do użytkowania urządzeń do formowania kształtowego/wyoblania	2D101
Oprogramowanie do użytkowania urządzeń do pirolizy	2D101
Oprogramowanie do użytkowania urządzeń lub systemów łączności radiowej działających w układzie komórkowym	5D001c.2
Oprogramowanie do użytkowania wyważarek wielopłaszczyznowych	2D201
Oprogramowanie do wspomaganego komputerowo projektowania (CAD) układów scalonych	3D003
Oprogramowanie do wspomagania technik ochrony informacji	5D002b
Oprogramowanie do wykrywania anomalii magnetycznych	6D003b.2
Oprogramowanie do zastosowań kryptograficznych	5D002
Oprogramowanie instalacji całkowicie autonomicznych	9D003
Oprogramowanie, kod źródłowy	4D003a
Oprogramowanie, kompilatory do urządzeń do wielostrumieniowego przetwarzania danych	4D003a
Oprogramowanie, materiały kompozytowe (na matrycy organicznej, metalowej, węglowej)	1D002
Oprogramowanie narzędziowe do kodów źródłowych	4D003a
Oprogramowanie narzędziowe do rozwoju systemów operacyjnych/kompilatory do kodu źródłowego	4D003a
Oprogramowanie, patrz podkategoria D w każdej kategorii
Oprogramowanie poprawiające parametry techniczne systemów nawigacyjnych	7D003a
Oprogramowanie przeciwwirusowe, oprogramowanie zabezpieczające komputery przed działaniem na ich szkodę	5D002c.3
Oprogramowanie scalające do systemów nawigacji inercyjnej	7D102
Oprogramowanie systemów do kompensacji magnetycznej	6D003b.1
Oprogramowanie systemów FADEC	9D003
Oprogramowanie systemów FADEC odporne na uszkodzenia	9D003b
Oprogramowanie systemów nawigacji inercyjnej, kod źródłowy	7D002
Oprogramowanie systemów operacyjnych, do wielostrumieniowego przetwarzania danych	4D003a
Oprogramowanie, systemy operacyjne do urządzeń do przetwarzania w czasie rzeczywistym	4D003d
Oprogramowanie, urządzenia do produkcji kompozytów z materiałów według pozycji 1B101	1D101
Oprogramowanie uwzględniające lepkość, do dwu- i trójwymiarowego modelowania przepływu w silnikach	9D004b
Oprzyrządowanie do obsługi turbin gazowych	9B002
Oprzyrządowanie do wiercenia otworów w łopatkach turbin gazowych	9B001b
Oprzyrządowanie do wytwarzania z proszków metali łopatek wirników	9B009
Oprzyrządowanie tuneli aerodynamicznych	9B005
Optyczne (podczerwone) radary do śledzenia torów obiektów	6A108b.2
Optyczne komputery	4A004c
Optyczne podzespoły klasy kosmicznej	6A004c
Optyczne układy scalone	3A001a.6
Optyczne zwierciadła	6A004a
Optyka, akcesoria optyczne	6A004
Organizmy chorobotwórcze	1C351
Organizmy patogenne człowieka	1C351a-c
Organizmy patogenne człowieka (izolowane żywe kultury)	1C351a-c
Organizmy patogenne, mikroorganizmy zmodyfikowane genetycznie	1C353a
Organizmy patogenne roślin	1C354
Organizmy patogenne roślin, bakterie lub grzyby	1C354
Organizmy patogenne zwierząt	1C352
Osadzanie chemiczne metodą rozkładu termicznego z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), urządzenia	2B005a.1.b
Osadzanie pirolityczne, dysze	1B116
Oscyloskopy analogowe	3A202a-c
Oscyloskopy, analogowe, analogowe próbkujące i cyfrowe	3A202
Oscyloskopy cyfrowe	3A202d
Oscyloskopy, zespoły łączników do urządzeń z pozycji 3A202b,c	3A202
Osłony ablacyjne do statków kosmicznych lądujących na ziemi	9A116a
Osłony ablacyjne silników rakietowych na paliwo stałe	9A108a
Osłony ciepłochronne/podzespoły, do statków kosmicznych lądujących na ziemi	9A116b
Osłony silników rakietowych, na paliwo stałe	9A108a
Osłony silników rakietowych na paliwo stałe	9A008b

PABX - prywatne automatyczne centrale telefoniczne	5A001c
Pakiety danych, komutacja, urządzenia	5A001c.8
Pałeczka duru	1C351c.10
Pałeczka dżumy	1C351c.13
Pałeczka maltańska	1C351c.3
Pałeczka melioidozy (nosacizny rzekomej)	1C351c.9
Pałeczka nosacizny	1C351c.8
Pałeczka ronienia bydła	1C351c.2
Pałeczka ronienia świń	1C351c.4
Pałeczka tularemii	1C351c.7
Paliwa, cyrkon metaliczny lub stopy	1C115a.2.f
Paliwa jądrowe, rozpuszczanie, urządzenia	0B006b
Paliwa, magnez metaliczny lub proszki ze stopów magnezu	1C115a.2.d
Paliwa, magnez metaliczny lub proszki ze stopów magnezu (materiały o wysokiej wytrzymałości mechanicznej)	1C002b.1.e
Paliwa, magnez metaliczny lub proszki ze stopów magnezu (materiały o wysokiej wytrzymałości mechanicznej)	1C002a.2.e
Paliwa napędowe, dodatki i środki, do statków kosmicznych	1C115
Paliwa, proszek metalowy, przemysłowy	1C115a.1
Paliwa, proszek metalowy, przemysłowy	1C115a.2
Paliwa rakietowe	1C115
Paliwa rakietowe, stałe, przemysłowe	1C115
Paliwa, urządzenia do produkcji	1B115
Paliwo jądrowe, instalacje do przetwarzania	0B006
Palniki katalityczne do konwersji deuteru w ciężką wodę	0B004b.4.c
Pamięci statyczne o dostępie swobodnym SRAM	3A001a.4
Pamięci wymazywalne elektrycznie, programowane, tylko do odczytu, EEPROM	3A001a.4
Pamięciowe układy scalone	3A001a.4
Papuzica, zarazek	1C351c.5
Pary uranu, urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych	0B001i.1
Pary uranu, urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych	0B001g.3
Pasywne czujniki do określania namiaru, systemy	7A115
PBAA - kopolimer butadienu z kwasem akrylowym	1C115b.3
PBAN - kopolimer butadienu z kwasem akrylowym i akrylonitrylem	1C115b.4
PCM - modulacja kodowo-impulsowa, testery	5B001b
Pędniki śrubowe, śruby	8A002o.1
PEEK poliketon eterowo-eterowy	1C008c.1
PEK poliketon eterowy	1C008c.3
PEKEKK poliketon eterowo-ketonowo-eterowo-ketonowy	1C008c.4
PEKK poliketon eterowo-ketonowy	1C008c.2
Penetratory do kadłubów/łączniki, światłowodowe	8A002c
Penetratory światłowodowe do kadłubów lub łączniki	8A002c
Pentachlorek fosforu	1C350a.38
Pentasiarczek difosforu	1C350a.47
Pentatlenek diazotu	1C115a.3.c
Pianka syntaktyczna (porowata) do prac podwodnych	8C001
Piece, chemiczne osadzanie par pierwiastków (CVD)	2B104b
Piece do przetapiania	2B227b
Piece do przetapiania i odlewania, z regulowaną atmosferą	2B227
Piece do spalania (niszczenia) substancji chemicznych	2B350j
Piece to topienia wiązką elektronów	2B227b
Piece indukcyjne, próżniowe	2B226
Piece indukcyjne z gazem obojętnym	2B226
Piece indukcyjne z regulowaną atmosferą (próżnią lub z gazem obojętnym)	2B226
Piece łukowe do przetapiania/odlewania	2B227a
Piece metalurgiczne i odlewnicze	2B227
Piece metalurgiczne i odlewnicze, oprogramowanie	2D201
Piece metalurgiczne i odlewnicze, urządzenia sterujące	2B227
Piece odlewnicze	2B227a
Piece plazmowe, do atomizacji	2B227b
Piece plazmowe do atomizacji i wytapiania	2B227b
Piece próżniowe do wytapiania, przetapiania i odlewania	2B227
Pięciofluorek uranu (UF(5)), kolektory filtracyjne	0B001h.2
Pierścieniowe giroskopy laserowe i akcesoria do nich	7A002
Pierścieniowe giroskopy laserowe, urządzenia do testowania	7B002
Pierścieniowe giroskopy laserowe, urządzenia do wyznaczania charakterystyk zwierciadeł	7B002
Piezoelektryczne polimery, kopolimery, komponenty	1A001b
Pinakolon	1C350a.39
Pirolityczne osadzanie materiałów, dysze rakiet, krawędzie natarcia pojazdów kosmicznych lądujących na ziemi, urządzenia	2B104b
Piroliza, urządzenia do sterowania	2B104b
PLA - programowane tablice logiczne	3A001a.8
Płaskie zespoły ogniskujące, o działaniu bezpośrednim	6A002c.2
Płaskie zestawy ogniskujące, liniowe i dwuwymiarowe	6A002a.3
Płaty wodne	8A002m
Platynowe katalizatory	0B001a.8
Plazmowe piece, do atomizacji	2B227b
Plazmowa separacja izotopów, urządzenia i zespoły	0B001i
Plazmowe spektrometry masowe ze sprzężeniem indukcyjnym (ICP/MS)	3A233a
Plazmowe urządzenia do suchego trawienia	3B003
Plazmowo wspomagane chemiczne osadzanie par pierwiastków (CVD), urządzenia produkcyjne	2B005a.1.c
Plazmowo wspomagane urządzenia CVD	3B004
Pluton-238 w dowolnej postaci, z udziałem powyżej 50 %	0C003a
Pluton, azotan, instalacje do przetwarzania	0B006f
Pluton, izotopy (z wyjątkiem plutonu-238) i zawierające je materiały	0C002
Pluton metaliczny, instalacje produkcyjne	0B006g
Płyny hydrauliczne, przenoszenie ciśnienia	1C006a
Płyny silikonowe, fluorowane	1C006b.2
Płyny zwilżające lub flotacyjne na bazie polichlorotrifluoroetylenu	1C006c.2
Płytki epitaksjalne z tellurku kadmowo-cynkowego	6C002b
Płytki epitaksjalne z tellurku kadmu (CdTe)	6C002b
Płytki półprzewodnikowe, instalacje do manipulowania	3B005
Płytki półprzewodnikowe wykonane techniką epitaksjalnego osadzania warstw	3C001
Płytki półprzewodnikowe z określonymi funkcjami	3A001a
Płytkowe kolektory jonów, odporne na fluorek uranu	0B001k.2
Płyty z ogniwami fotoelektrycznymi klasy kosmicznej i odporne na promieniowanie)	3A001e.1.c
Płyty z ogniwami fotoelektrycznymi klasy kosmicznej lub odpornej na promieniowanie jonizujące	3A001e.1
Pływające jednostki nawodne, przemysłowe	8A001
Pochłaniacze fal elektromagnetycznych	1C001
Pochłaniacze planarne	1C001a
Pochłaniacze, planarne i nieplanarne	1C001a
Pochłaniacze, typu włosowego	1C001a
Podczerwone analizatory absorpcyjne, on-line	0B004b.4.d
Podczerwone czujniki, przemysłowe	6A002a
Podkawitacyjne płaty wodne	88A002m
Podkrytyczne zbiorniki, przetwórstwo paliw jądrowych	0B006b
Podkrytyczne zbiorniki technologiczne lub magazynowe	0B006e
Podłoża folii diamentowych do podzespołów elektronicznych, technologia rozwoju/produkcji	3E002d
Podłoża, półprzewodniki z powłoką ochronną	3C002
Podłoża wielowarstwowe wytwarzane techniką heteroepitaksjalnego nakładania warstw	3C001
Podłoża ze związków III/V galu lub indu	3C001c
Poduszka gazowa, łożyska	2A004
Poduszkowce	8A001
Poduszkowce, fartuchy, uszczelnienia i podobne akcesoria	8A002k
Podwodne aparaty fotograficzne	8A002e
Podwodne, elektroniczne systemy tworzenia obrazów	8A002f
Podwodne kable telekomunikacyjne	5A001e.3
Podwodne kamery telewizyjne	8A002d.1b
Podwodne pojazdy lub urządzenia	8A002a
Podwodne światłowody i akcesoria	5A001e.3
Podwodne systemy łączności	5A001b.11
Podwodne systemy oświetlenia	8A002d.2
Podwodne systemy oświetlenia	8A002g
Podwodne systemy wizyjne	8A002d
Podzespoły do mierników gradientu pola magnetycznego, grawitacja	6A107
Podzespoły do mierników gradientu pola magnetycznego	6A107
Podzespoły obrabiarek do urządzeń z pozycji 2B006 i 2B007	2B008
Podzespoły optyczne do laserów	6A005f
Podzespoły optyczne do laserów, z selenku cynku lub siarczku cynku	6A004b
Podzespoły optyczne, klasy kosmicznej	6A004c
Podzespoły turbin gazowych, urządzenia do zgrzewania dyfuzyjnego	9B004
Pojazdy do obsługi wyrzutni rakiet, statków kosmicznych i innych obiektów kosmicznych	9A115b
Pojazdy kosmiczne	9A004
Pojazdy kosmiczne lądujące na ziemi, urządzenia produkcyjne	9B115
Pojazdy lub urządzenia podwodne	8A001
Pojazdy na poduszce powietrznej (odmiana z pełnym fartuchem bocznym)	8A001f
Pojazdy na poduszce powietrznej (odmiana ze sztywnymi burtami), urządzenia	8A001g
Pojazdy podwodne, przemysłowe	8A001
Pojemniki biologiczne, izolowane	2B352f.2
Pojemniki kriogeniczne	9A006b
Pokładowe pojemniki Dewara	9A006a
Pokrywy, wirówka gazowa	0B001c.8
Poliamidoimidy	1C008a.2
Poliamidoimidy aromatyczne	1C008a.2
Poliamidy aromatyczne, włókna, technologia produkcji	1E002d
Polianilina	1C001c
Polibenzoksazole, rozwój, technologia produkcji	1E002a
Polibenzotiazole, rozwój, technologia produkcji	1E002a
Polibromutrifluoroetylen, płyny zwilżające lub flotacyjne	1C006c.3
Polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą hydroksylową (HTPB)	1C115b.2
Polibutadien o łańcuchach zakończonych grupą karboksylową (CTPB)	1C115b.1
Polichlorotrifluoroetylen, płyny zwilżające lub flotacyjne	1C006c.2
Polidiorganosilany, prekursory do produkcji węglika krzemu	1C007e.1
Polieteroimidy	1C008a.4
Polieteroimidy aromatyczne	1C008a.4
Polifenylenowinylen	1C001c
Poliimidy aromatyczne	1C008a.3
Poliimidy fluorowane	1C009b
Poliimidy, fluorowane	1C009a
Polikarbosilazany, prekursory do produkcji materiałów ceramicznych zawierających Si/C/N	1C007e.3
Poliketon eterowo-eterowy (PEEK)	1C008c.1
Poliketon eterowo-ketonowo-eterowo-ketonowy PEKEKK	1C008c.4
Poliketon eterowo-ketonowy PEKK	1C008c.2
Poliketon eterowy PEK	1C008c.3
Poliketony aryleno eterowe (PEEK, PEKK, PEK, PEKEKK)	1C008c
Poliketony arylenowe	1C008d
Polimery, fluorowane, substancje	1C009
Polimery, niefluorowane, substancje	1C008
Polimery, niefluorowane, wyroby	1A003
Polimery, piezoelektryczne	1A001
Polimery przewodzące	1C001
Polimery, substancje, materiały pędne	1C115b
Polimery węglowodorowe, fluorowane	0C201
Polipirol	1C001c
Polisiarczki arylenowe	1C008e
Polisilazany, prekursory do produkcji azotka krzemu	1C007e.2
Polisulfon bifenylenoeterowy	1C008f
Politiofen	1C001c
Półkowe wymienniki wieżowe, siarkowodór-woda	0B004b.1.a
Położenie liniowe i kątowe półpowłok, równoczesny pomiar, urządzenia	2B006c
Półprodukty podłoży osadzanych typu beryl-beryl (Be/Be)	6C004d
Półprodukty podłoży z selenku cynkowego (ZnSe)	6C004a
Półprodukty podłoży z siarczku cynkowego (ZnS)	6C004a
Półprodukty podłoży z węglika krzemu (SiC)	6C004d
Półprodukty włókien optycznych o wysokim współczynniku podwójnego załamania	6C002
Półprodukty ze szkła, do produkcji włókien optycznych	5C001
Półprzewodnikowe urządzenia do tworzenia obrazów	6A002
Półprzewodnikowe urządzenia do tworzenia obrazów	6A203b.3
Półprzewodnikowe wzmacniacze mikrofalowe	3A001b.4

Pomiar ciśnień, aparatura z czujnikami odpornymi na korozję	2B230
Pomiar kąta, przyrządy	2B006b.2
Pomiar nieregularności powierzchni, urządzenia, instrumenty	2B006d
Pomiar prędkości podwodą, urządzenia	6A001c
Pomiar wymiarów, urządzenia, układy, instrumenty	2B006b
Pomiar wymiarów, urządzenia, układy, instrumenty	2B006d
Pomiar wymiarów, urządzenia, układy, liniowe	2B006a
Pomiar wymiarów, urządzenia, układy, półpowłoki	2B006c
Pomiary liniowe, urządzenia, instrumenty	2B006b.2
Pomiary liniowe, urządzenia, instrumenty	2B006b.1
Pompy do amalgamatów litu	0B007b
Pompy do chłodziwa do reaktorów jądrowych	0A001g
Pompy do płynnego paliwa	9A106d
Pompy do przetłaczania roztworu amidku potasowego w ciekłym amoniaku	1B230
Pompy mieszkowe	2B350i
Pompy molekularne	0B001c.9
Pompy odśrodkowe	2B350i
Pompy próżniowe	0B002f
Pompy próżniowe	2B231
Pompy próżniowe do pracy w atmosferze UF(6)	0B002f
Pompy próżniowe do UF(6)	0B002f
Pompy przeponowe	2B350i
Pompy, stopniowe, zanurzeniowe, recyrkulacyjne	0B004b.2.c
Pompy turbinowe do instalacji napędowych	9A006d
Pompy wielokrotnie uszczelnione	2B350i
Pompy z napędem magnetycznym	2B350i
Pompy z napędem obudowanym	2B350i
Porowaty nikiel metaliczny	0C006b
pośrednie urządzenia wzmacniające	5A001b.1
Powierzchnie optyczne, technologia powlekania/obróbki	6E003a.1
Powlekanie i przetwarzanie, podłoża nieelektroniczne, urządzenia	2B005
Powlekanie jonowe, urządzenia produkcyjne	2B005g
Powłoki ceramiczne do łopatek wirujących i statycznych	9B001d
Powłoki nieorganiczne, nakładanie, technologie	2E003d
Powłoki zmniejszające widzialność obiektu w zakresie widma elektromagnetycznego	1C101
Pozytywne materiały ochronne do litografii półprzewodnikowej	3C002a
Prasowanie hydrauliczne, technologie	2E003b
Prasy izostatyczne do pracy na gorąco (oprogramowanie)	2D201
Prasy izostatyczne do pracy na gorąco (HIPS)	2B204
Prasy izostatyczne pracujące na gorąco (HIPS)	2B004
Prasy izostatyczne pracujące na gorąco (HIPS)	2B004a
Prasy izostatyczne pracujące na gorąco	2B104a
Prasy izostatyczne pracujące na gorąco	2B204
Precyzyjne systemy śledzenia torów obiektów, do pocisków rakietowych	6A108b
Prędkościomierze sonarowe	6A001c
Preformy, materiały włókniste lub włókienkowe	1C101e
Preformy, materiały włókniste lub włókienkowe	9A110
Preformy, urządzenia do produkcji	1B101e
Preformy włókien optycznych	5C001
Preformy włókien powlekanych metalami, do instalacji napędowych	9A110
Preformy włókien powlekanych metalami do systemów napędowych	9A110
Prekursory do produkcji toksycznych środków chemicznych	1C350
Prekursory do wyrobu bojowych środków chemicznych(CW)	1C350
Pręty regulacyjne do reaktorów jądrowych	0A001c
Procesory do obróbki sygnałów metodą szybkiej transformaty Fcuriera, przetwarzanie sygnałów akustycznych	6A001c
Procesory do obróbki sygnałów metodą szybkiej transformaty Fouriera (FFT)	3A001a.12
Procesory logiczne/zespoły	4A003
Procesory tablic, zespoły	4A003
Procesory tablic/zespoły	4A004
Procesory wektor(w/urządzenia	4A003
Produkcja materiałów włóknistych lub włókienkowych	1B001
Produkcja materiałów włóknistych lub włókienkowych	1B001
Produkcja UF(6), wieże płomieniowe	0B003b.1
Promieniowanie, roboty zaprojektowane lub przystosowane do prac w środowisku promieniotwórczym	2B007c
Proszek aluminiowy, sferoidalny	1C115a.1
Proszek metalowy, przemysłowy, paliwa	1C115a.1
Proszek metalowy, urządzenia produkcyjne	1B002
Proszek z miszmetalu	1C115a.2.g
Proszki metalowe i stopniowe, urządzenia produkcyjne	1B002
Proszki z tlenku glinu, drobnoziarniste	0C201
Proszki ze stopów metali	1C115a
Proszki ze stopów metali	1C002b
Prowadnice do obrabiarek	2B008d
Próżniowe piece indukcyjne	2B226
Próżniowe piece indukcyjne, zasilacze	2B226
Próżniowe urządzenia mikroelektroniczne, technologia	3E002a
Przecinkowiec cholery	1C351c.12
Przeciwbieżne śruby napędowe	8A002o.1.b
Przeciwprądowe ekstraktory do rozpuszczalników	0B006c
Przekładnie redukcyjne, lekkie, do napędów okrętowych	8A002o.1.d
Przekształtniki na parawodorze działające w paśmie Ramana	6A205e
Przełączanie cyfrowe, telekomunikacja	5A001c
Przełącznice cyfrowe ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci	5A001b.2
Przełącznice z możliwością ustalania i zmieniania wielopoziomowego priorytetu przełączania	5A001c.3
Przełącznice ze sterowaniem zaprogramowanym w pamięci (SPC)	5A001c
Przełączniki półprzewodnikowe	3A228
Przełączniki przezroczystości optycznej (filtry)	6A004d.3
Przemienniki częstotliwości	0B001c.11
Przemienniki częstotliwości (konwertory lub inwertory)	0B001c.11
Przemienniki częstotliwości (konwertory lub inwertory)	3A225
Przeniesienie napędu w śmigłowcach, systemy, technologia	9E003d
Przeponowe zawory	2B350g
Przepony do układów paliwowych do samolotów/statków kosmicznych/rakiet	1A001c
Przepony do układów paliwowych do samolot(w/statków kosmicznych/rakiet	1A001a
Przepony, ze związków fluorowych	1A001a
Przestrajalne filtry przepustowo-zaporowe	3A001b.5
Przestrajane filtry optyczne	6A004d.2
Przesycane materiały pirolityczne	1A102
Przetworniki analogowo-cyfrowe (ADC), do pocisków rakietowych	3A101a
Przetworniki analogowo-cyfrowe (ADC), układy	3A001a.5
Przetworniki analogowo-cyfrowe, ADC	3A001a.5
Przetworniki analogowo-cyfrowe, ADC	3A001a
Przetworniki analogowo-cyfrowe, ADC	4A003e
Przetworniki cyfrowo-analogowe (DAC)	3A001a.5
Przetworniki do pomiarów tarcia w warstwie przyściennej	9B008
Przetworniki, hydrofony	6A001a.2.a
Przetworniki na układach scalonych	3A001a.5
Przetworniki, projektory akustyczne	6A100a.1.c
Przetworniki sygnałów akustycznych	6A001a.2.a
Przetworniki sygnałów sonarowych	6A001c
Przetwórstwo paliw jądrowych, zbiorniki podkrytyczne	0B006b
Przewodniki kompozytowe, nadprzewodzące	1C005
Przewodniki kompozytowe, nadprzewodzące	1C005
Przewody ciśnieniowe, do elementów paliwowych i chłodziwa w reaktorze jądrowym	0A001e
Przezroczystość optyczna, przełączniki, filtry	6A004d.3
Przyrządy do pomiaru kąta	2B006b.2
Przyspieszeniomierze i akcesoria do nich	7A001
Puccinia graminis (synonim Puccinia graminis f. sp. tritci)	1C354b.4
Puccinia striiformis (synonim Puccinia glumarum)	1C354b.5
Pulsacyjne silniki odrzutowe, podzespoły	9A111
Pulsacyjne silniki odrzutowe, systemy	9A111
Pulsujące urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków, produkcyjne	2B005a.1.a
Pyricularia grisea/oryzae (Magnaporthe grisea)	1C354b.6

QAM - kwadraturowa modulacja amplitudowa	5A001b.6.a
Rad-226	1C237
Radar działający na zasadzie syntezy apertury (SAR)	6A008d
Radarowe radiolokatory podkładowe obserwacji bocznej (SLAR)	6A008d
Radarowy przekrój czynny, pomiar impulsowy, systemy,urządzenia	6B008
Radarowy przekrój czynny, pomiary, do pocisków rakietowych	6B108
Radary do automatycznego śledzenia obiektów	6A008l.1
Radary działające w systemie z odwróconą syntezą apertury (ISAR)	6A008d
Radary kontroli obszaru powietrznego	6A108b.2
Radary laserowe lub urządzenia do wykrywania obiektów w zakresie promieniowania widzialnego i radiowego (LIDARŐy)	6A008j
Radionuklidy emitujące cząstki alfa	1C236
Radiowe sieci telekomunikacyjne w układzie komórkowym, technologie rozwoju/produkcji	5E001b.7
Radiowe systemy satelitarne	5E001b.1
Rakietowe silniki na paliwa ciekłe	9A005
Rakietowe silniki na paliwa ciekłe, inne od wymienionych w pozycji 9A005	9A105
Rakietowe silniki na paliwa stałe	9A107
Rakietowe silniki na paliwa stałe, podzespoły	9A108
Rakietowe systemy napędowe	9A005
Rakietowe systemy napędowe na paliwo ciekłe	9A119
Rakietowe systemy napędowe na paliwo ciekłe, inne od wymienionych w pozycji 9A005	9A105
Rakietowe systemy napędowe na paliwo stałe i akcesoria do nich	9A108
Rakiety, do pojazdów kosmicznych	9A004
Rakiety meteorologiczne	9A104
Rakiety paliwa	1C115
Rakiety, silniki rakietowe, stoiska i stanowiska do testowania	9B117
Ratunkowe urządzenia, oceaniczne	8A001e
Rdzenie ceramiczne do łopatek wirujących i statycznych	9B001d
Rdzenie ceramiczne, urządzenia do wypalania lub płomieniowego formowania	9B001h
Reaktor jądrowy, przewody ciśnieniowe do elementów paliwowych i chłodziwa	0A001e
Reaktory do osadzania z par lotnych związków metaloorganicznych (MOCVD)	3B001b
Reaktory fluidalne do fluorowania i hydrofluorowania, produkcja UF(6)	0B003b.1
Reaktory fluidalne, produkcja UF(6)	0B003b.1
Reaktory jądrowe	0A001
Reaktory jądrowe, chłodziwo, pompy	0A001g
Reaktory jądrowe, cywilne	0A001
Reaktory jądrowe, cywilne	0A002
Reaktory jądrowe, elektroniczne urządzenia sterujące	0A001d
Reaktory jądrowe, elementy paliwowe, instalacje do przetwarzania/urządzenia/zespoły	0B006
Reaktory jądrowe, elementy paliwowe, przetwarzanie, instalacje, urządzenia	0B006
Reaktory jądrowe, elementy paliwowe, szczelność, badania/kontrola, urządzenia	0B005c
Reaktory jądrowe, elementy paliwowe, urządzenia do uszczelniania	0B005b
Reaktory jądrowe, elementy paliwowe, wytwarzanie, instalacje, urządzenia	0B005a
Reaktory jądrowe, generatory energii	0A002
Reaktory jądrowe i zespoły reaktorów	0A001
Reaktory jądrowe, magnetoindukcyjna aparatura kontrolna	0B008b
Reaktory jądrowe, symulatory	0B008a
Reaktory jądrowe, ultradźwiękowa aparatura kontrolna	0B008b
Reaktory jądrowe, urządzenia	0B008
Reaktory jądrowe, urządzenia napędowe	0A002
Reaktory jądrowe, zbiorniki ciśnieniowe	0A001a
Reaktory jądrowe, zespoły wewnętrzne	0A001h
Reaktory ślimakowe do produkcji UF(6)	0B003b.1
Reflektometry do wyznaczania charakterystyk zwierciadeł	7B102
Reflektometry do wyznaczania charakterystyk zwierciadeł do giroskopów laserowych	7B102
Reflektory (zwierciadła), optyczne	6A004a.1
Reflektory akustyczne	6A001a.1.c
Regeneratory/urządzenia powielające	5A001b.1
Regulacja spalania w silnikach odrzutowych, urządzenia	9A118
Rejestratory	3A002a
Rejestratory przebiegów przejściowych	3A002a.5
Rejestratory przebiegów przejściowych	3A202d
Rejestratory stanów przejściowych	3A202d
Rentgenowskie (nieplanarne) urządzenia kontrolne do silników rakietowych	9B007
Rentgenowskie generatory, impulsowe	3A001e.5
Riketsja duru wysypkowego	1C351b.3
Riketsja gorączki Gór Skalistych	1C351b.4
Riketsja gorączki wołyńskiej	1C351b.2
Riketsje	1C351b
Riketsje, kultury	1C351b

Roboty (manipulatory) podwodne, sterowane komputerowo	8A002h
Roboty do manipulowania materiałami wybuchowymi, mechanizmy robocze	2B207
Roboty do prac podwodnych	8A002h
Roboty do prac w warunkach zagrożenia wybuchowego, w otoczeniu wybuchowych środków bojowych	2B007b
Roboty i mechanizmy wykonawcze, oprogramowanie do użytkowania	2D201
Roboty, mechanizmy robocze	2B007
Roboty, mechanizmy robocze	2B007
Roboty odporne na promieniowanie	2B007c
Roboty, sterowniki	2B007
Roboty, sterowniki do manipulowania materiałami wybuchowymi	2B207
Roboty, sterowniki, przemysłowe	2B007
Roboty z możliwością przetwarzania w czasie rzeczywistym obrazów trójwymiarowych lub analizy sytuacji	2B007a
Roboty zaprojektowane lub przystosowane do prac w środowisku promieniotwórczym	2B007c
Rozdzielanie aerodynamiczne, wymienniki ciepła	0B001d.5
Rozdzielanie atomów izotopów, instalacje	0B001a
Rozdzielanie izotopów, aerodynamiczne, dysze	0B001d.1
Rozdzielanie izotopów, aerodynamiczne, instalacje	0B001a
Rozdzielanie izotopów, aerodynamiczne, rurki wirowe	0B001d.2
Rozdzielanie izotopów, aerodynamiczne, rury do rozdzielania	0B001d.2
Rozdzielanie izotopów, instalacje, systemy, urządzenia i zespoły	0B001
Rozdzielanie izotopów metodą dyfuzji gazowej, zawory	0B001b.1
Rozdzielanie izotopów metodą elektromagnetyczną, urządzenia i podzespoły	0B001k
Rozdzielanie izotopów metodą wymiany jonów, urządzenia i zespoły	0B001f
Rozdzielanie izotopów uranu, lasery lub instalacje laserowe	0B001h.6
Rozdzielanie izotopów uranu, lasery lub instalacje laserowe	0B001g.5
Rozdzielanie izotopów uranu, lasery lub systemy laserowe	0B001g.5
Rozdzielanie izotopów uranu, lasery lub systemy laserowe	0B001h.6
Rozdzielanie izotopów za pomocą laserów, instalacje, systemy, urządzenia i zespoły	0B001a
Rozdzielanie izotopów za pomocą laserów, instalacje, systemy, urządzenia i zespoły	0B001h
Rozdzielanie izotopów za pomocą laserów molekularnych, instalacje	0B001a.7
Rozdzielanie izotopów za pomocą laserów, urządzenia	0B001g
Rozdzielanie metodą wymiany jonów	0B006c
Rozdzielanie UF(6) od gazu nośnego, instalacje	0B001d.7
Rozdzielanie UF(6) od gazu nośnego, instalacje	0B001h.5
Rozdzielanie UF(6) od gazu nośnego, zespoły rurek wirowych	0B001d.7.c
Rozkład termiczny z regulowanym zarodkowaniem (CNTD), osadzanie chemiczne par pierwiastków, urządzenia	2B005a.1.b
Rurki wirowe, aerodynamiczna separacja izotopów	0B001d.2
Rurociągi, instalacje próżniowe	0B002f
Rurociągi próżniowe do reaktorów jądrowych	0B002f
Rury kompozytowe	1A202
Rury wielościankowe wyposażone w okna do wykrywania nieszczelności	2B350h
Rycyna (toksyczne białko pochodzenia roślinnego)	1C351d.4
S-parametr - urządzenia testująco-pomiarowe	3B008a
Samolotowe systemy nawigacji inercyjnej, urządzenia/podzespoły	7A003
Samoloty z odchylanymi wirnikami lub skrzydłami, technologia przeniesienia napędu	9E003d
Samoregulujące się minichłodnice JouleŐa-Thomsona	6A002d.2.b
Sanie do obrabiarek	2B008d
SAR - radar działający na zasadzie syntezy apertury	6A008d
Satelitarne stacje naziemne	5E001b.5
Satelitarne systemy radiowe	5E001b.6
Satelity	9A004
Saxitoksyna	1C351d.5
Scalanie systemów zarządzania lotem	7E104
SDH - synchroniczna hierarchia cyfrowa	5E001b.4
Selenek cynku (ZnSe), półprodukty podłoży	6C004a
Selenek srebro-galowy (AgGaSe(2))	6C004b.2
Selenek talowo-arsenowy (Tl(3)AsSe(3) lub TAS)	6C004b.3
Separacja aerodynamiczna, wymienniki ciepła	0B001d.5
Separacja atomów izotopów, instalacje	0B001a
Separacja izotopów, aerodynamiczne, dysze	0B001d.1
Separacja izotopów, aerodynamiczne, instalacje	0B001a
Separacja izotopów, aerodynamiczne, rurki wirowe	0B001d.2
Separacja izotopów, aerodynamiczne, rury do rozdzielania	0B001d.2
Separacja izotopów, instalacje, systemy, urządzenia i zespoły	0B001
Separacja izotopów metodą dyfuzji gazowej, zawory	0B001b.1
Separacja izotopów metodą elektromagnetyczną, urządzenia i podzespoły	0B001k
Separacja izotopów metodą wymiany jonów, urządzenia i zespoły	0B001f
Separacja izotopów uranu, lasery lub instalacje laserowe	0B001h.6
Separacja izotopów uranu, lasery lub instalacje laserowe	0B001g.5
Separacja izotopów uranu, lasery lub systemy laserowe	0B001g.5
Separacja izotopów uranu, lasery lub systemy laserowe	0B001h.6
Separacja izotopów za pomocą laserów, instalacje, systemy, urządzenia i zespoły	0B001a
Separacja izotopów za pomocą laserów, instalacje, systemy, urządzenia i zespoły	0B001h
Separacja izotopów za pomocą laserów molekularnych, instalacje	0B001a.7
Separacja izotopów za pomocą laserów, urządzenia	0B001g
Separacja metodą wymiany jonów	0B006c
Separacja UF(6) od gazu nośnego, instalacje	0B001d.7
Separacja UF(6) od gazu nośnego, instalacje	0B001h.5
Separacja UF(6) od gazu nośnego, zespoły rurek wirowych	0B001d.7.c
Separatory izotopów, elektromagnetyczne	1B226
Separatory izotopów, elektromagnetyczne	0B001a.9
Separatory kriogeniczne	0B001d.7.a
Separatory odśrodkowe	2B352c
Separatory odśrodkowe (biologiczne)	2B352c
Separatory uranu, elektromagnetyczne, obudowy próżniowe	0B001k.3
Serwozawory do systemów sterowania przepływem paliwa	9A106d
Sferoidalny proszek aluminiowy	1C115a.1
Siarczek cynku (ZnS), półprodukty podłoży	6C004a
Siarczek sodu	1C350a.50
Siatki z brązu fosforowego lub miedzi, jako wkłady	1A226
Sieć cyfrowa z integracją usług (ISDN), technologie rozwoju/produkcji	5E001b.8
Sieci, analizatory	3A002e
Sieci bramek programowalne przez użytkownika (FPGA)	3A001a.7
Sieci zintegrowane, technologie	5E001b.8
Siliatowane materiały ochronne do litograficznego wytwarzania półprzewodników	3C002d
Silniki kombinowane turboodrzutowo-wentylatorowe	9A101
Silniki niezależne od powietrza pracujące w obiegu Braytona	8A002j
Silniki o cyklu kombinowanym/podzespoły	9A011
Silniki prądu zmiennego, pierścieniowe, wielofazowe, stojany	0B001b.10
Silniki rakietowe, hybrydowe	9A009
Silniki rakietowe, hybrydowe, inne od wymienionych w pozycji 9A009	9A109
Silniki rakietowe na paliwo ciekłe	9A005
Silniki rakietowe na paliwo ciekłe, dysze	9A006e
Silniki rakietowe na paliwo ciekłe, inne od wymienionych wp pozycji 9A005	9A105
Silniki rakietowe na paliwo stałe	9A007
Silniki rakietowe na paliwo stałe, dysze	9A008c
Silniki strumieniowe/podzespoły	9A011
Silniki turbinowe i podzespoły do nich, technologia	9E003a
Silniki turbinowe, podzespoły, technologia	9E003c
Silniki turbogazowe i akcesoria do nich, cywilne, bez certyfikatów/naddźwiękowe	9A001
Silniki turbogazowe, okrętowe	9A002
Silniki turbogazowe, rozwój, systemy, aparatura	9B002
Silniki wysokoprężne dużej mocy, systemy lub podzespoły, technologia
Silniki wysokoprężne niezależne od powietrza	8A002j
Silniki wysokoprężne, technologia smarowania ścianek cylindrów	9E003e.3
Skaningowe kamery i systemy	6A003b.2
Skraplacze lub wymienniki ciepła	0A001i
Skraplacze lub wymienniki ciepła	2B350d
Skraplacze lub wymienniki ciepła (rozdzielanie metodą aerodynamiczną)	0B001d.5
SLAR - radarowe radiolokatory pokładowe obserwacji bocznej	6A008d
Smarowanie ścianek cylindrów silników wysokoprężnych, technologie	9E003e.3
Smugowe lampy elektroniczne do kamer	6A203b.1
Sonary do pomiaru prędkości	6A001c
Sonary z korelacją prędkościową	6A001c
Sondy kosmiczne	9A004
SONET - synchroniczne sieci optyczne	5E001b.4
SPC - sterowanie zaprogramowane w pamięci, przełącznice	5A001c
Spektrometry masowe, i źródła jonów (instalacje do wzbogacania UF(6))	0B002g
Spektrometry masowe i źródła jonów	3A233
Spektrometry masowe z wiązką molekularną	3A233e
Spektrometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami	3A233d
Sprężarki	0B001h.4
Sprężarki, dmuchawy, uszczelnienia wirujących wałów, odporne na UF(6)	0B001b.2.b
Sprężarki, osiowe/odśrodkowe/wyporowe/turbinowe	0B001b.2
Sprężarki, osiowe/odśrodkowe/wyporowe/turbinowe	0B001d.3
Sprężarki, turbinowe/odśrodkowe/osiowe	0B001b.2
Sprężarki, wyporowe/odśrodkowe/osiowe, UF(6)	0B001d.3
Sprytrony, lampy próżniowe	3A228a
Sprzęt lotniczy, technologie rozwoju i produkcji	7E004a
Sprzęt radiowy	5A001b.5-11
SQUID - interferencja kwantowa w warunkach nadprzewodnictwa, urządzenia	6A006h
SRAM - pamięci statyczne o dostępie swobodnym	3A001a.4
Stacje robocze, jako komputery z CTP powyżej 260 Mtops	4A003b
Stal maraging	1C116
Stal maraging	1C216
Stałe paliwa rakietowe, przemysłowe	1C115
Stanowiska do dynamicznego wyważania giroskopów	7B003b
Stanowiska do regulacji giroskopów	7B003a
Stanowiska do regulacji pozycji osi przyspieszeniomierzy	7B003f
Stanowiska do testowania silniczków do giroskopów	7B003c
Stanowiska do ewakuacji powietrza i napełniania giroskopów	7B003d
Statki kosmiczne	9A004
Statki kosmiczne zdolne do lądowania na ziemi oraz akcesoria do nich	9A116
Sterowanie adaptacyjne, oprogramowanie	2D002a
Sterowanie cyfrowe, oprogramowanie	2D002b
Sterowanie procesem przetwarzania, instrumenty, instalacje przetwórcze	0B006d
Sterowanie wektorem ciągu, podzespoły	9A108c
Sterowanie wektorem ciągu poprzez odchylanie strumienia gazów wylotowych za pomocą łopatek lub sond strumieniowych	9A108c
Sterowanie wektorem ciągu, systemy, rakietowe silniki napędowe na paliwo ciekłe	9A106d
Sterowanie wektorem ciągu w silnikach rakietowych na paliwo stałe, podzespoły	9A108c
Sterowanie wiązką, zwierciadła	6A004a.4
Sterowanie wysokością, urządzenia	7A116
Sterowniki do obrabiarek sterowanych numerycznie (CNC)	2B001a
Sterowniki do robotów	2B007
Sterowniki do robotów do manipulacji materiałami wybuchowymi	2B207
Sterowniki do robotów, przemysłowe	2B007
Sterowniki dostępu do sieci, stanowiące wyposażenie urządzeń komputerowych	4A003f
Sterowniki dostępu do sieci znajdujące się na wyposażeniu urządzeń telekomunikacyjnych	5A001b.3.c
Sterowniki kanałów komunikacyjnych	5A001b.3.b
Sterowniki zwierciadeł, fazowane/segmentowe	6A004e.4
Sterylizowane parą wodną urządzenia do liofilizacji	2B352e
Stężanie ciężkiej wody, urządzenia	0B004b.4
Stoiska do testowania rakiet i silników rakietowych	9B117
Stojany pierścieniowe (silniki do wirówek)	0B001c.10
Stojany pierścieniowych wielofazowych silników prądu zmiennego	0B001b.10
Stojany silników, pierścieniowe	0B001c.10
Stoły obrotowo-przechylne	2B009
Stopy hafnu	1C231
Stopy magnetostrykcyjne	1C003b
Stopy metali	1C002a
Stopy metali	1C226
Stopy metali	1C216
Stopy metali	1C202
Stopy metali	1C233
Stopy metali	1C117
Stopy metali	1C231
Stopy metali	1C230
Stopy metali	1C234
Stopy metali	1C003
Stopy metali	1C002c
Stopy metali	1C002b
Stopy metali	1C004
Stopy metali	1C116
Stopy metali	1C115a.2.f
Stopy molibdenu z wolframem	1C117
Stopy niklu, proszki	1C002a.1.a
Stopy niobu	1C002a.2.b
Stopy uranu z tytanem	1C004
Strugowodne układy napędowe	8A002p
Struktury przełączające, technologie rozwoju/produkcji	5E001b.5
Substancje i proszki odporne na sześciofluorek uranu (UF(6))	0C201
Substancje i proszki odporne na sześciofluorek uranu (UF(6))	0C006
Substancje i proszki odporne na UF(6))	0C201
Superkawitacyjne płaty wodne	8A002m
Superkawitacyjne śruby napędowe	8A002o.1.a
Superkomputery	patrz Komputery
Symulatory danych telekomunikacyjnych, radiowe	5B001b.3
Symulatory do reaktorów jądrowych	0B008a
Symulatory propagacji fal radiowych/estymatory kanałów	5B001b.3
Synchroniczna hierarchia cyfrowa (SDH), technologia	5E001b.4
Synchroniczne sieci optyczne (SONET), technologie	5E001b.4
Synataktyczna pianka do prac podwodnych	8C001
Syntetyczny materiał diamentowy	6C004g
Syntetyzatory częstotliwości, zespoły elektroniczne	3A002b
System sterowania aktywną kompensacją luzów wierzchołkowych łopatek wirników	9D004f
Systemy akustyczne, morskie	6A001
Systemy automatycznego sterowania pojazdami podwodnymi	8A002b
Systemy batymetryczne, badawcze	6A001a.1.b
Systemy do impulsowego pomiaru radarowego przekroju czynnego	6B008
Systemy do pomiaru radarowego przekroju czynnego, do pocisków rakietowych	6B108
Systemy do wykrywania i lokalizacji obiektów	6A001a.1.b
Systemy eksperckie, technologia rozwoju oprogramowania integracyjnego	2E003a.3
Systemy eksperckie, technologia sterowania numerycznego	2E003a
Systemy gromadzenia danych dla rozwoju turbin gazowych	9B002
Systemy i akcesoria rakietowych systemów napędowych na paliwo ciekłe	9A006
Systemy i podzespoły rakietowych układów napędowych na paliwo ciekłe	9A106
Systemy i urządzenia do silników rakietowych na paliwo ciekłe	9A005
Systemy i urządzenia do sterowania wektorem ciągu, ruchome dysze do rakiet	9A008d
Systemy i zespoły radarowe, przemysłowe	6A008
Systemy kompensacji magnetycznej do czujników magnetycznych	6A006g
Systemy komputerów cyfrowych	4A004
Systemy komputerów cyfrowych	4A003b
Systemy komputerów cyfrowych	4A003c
Systemy lub oprzyrządowanie do sterowania rozwojem turbin gazowych	9B002
Systemy magnetometrów	6A006
Systemy namiarowe, czujniki pasywne	7A115
Systemy napędowe do pojazdów powietrznych	9A010
Systemy napędowe do rakiet	9A009
Systemy napędowe do rakiet	9A119
Systemy napędowe do rakiet, elementy i struktury kompozytowe	9A010
Systemy napędowe do rakiet na paliwo stałe, do pojedynczych członów (stopni)	9A119
Systemy napędowe niezależne od powietrza	8A002j
Systemy napędowe turbin do generatorów gazów	9A006d
Systemy o szerokim zakresie przeszukiwania przeznaczone do badań batymetrycznych	6A001a.1
Systemy operacyjne do urządzeń do przetwarzania informacji w czasie rzeczywistym, oprogramowanie	4D003d
Systemy oświetlenia, podwodne	8A002d.2
Systemy/podzespoły napędowe, urządzenia do produkcji	9B115
Systemy radarów laserowych	6A108
Systemy radarowe, do pocisków rakietowych	6A108
Systemy śledzenia torów obiektów, dokładnie	6A108b.1
Systemy sterowania do silników turbogazowych	9B002
Systemy sterowaniA sieciami scentralizowanymi, technologie do rozwoju/produkcji	5E001b.6
Systemy sterowania silnikami na paliwo ciekłe	9A106b
Systemy sterowania z wtryskiem dodatkowego płynu lub gazu pomocniczego	9A108c
Systemy telewizyjne, podwodne	8A002d.3
Systemy wizyjne, podwodne	8A002d
Systemy z regulacją częstotliwości	5A002e
Szafir domieszkowany tytanem, lasery, półprodukty	6C005a
Szczelność, badania/kontrola, urządzenia, reaktory jądrowe, elementy paliwowe	0B005c
Sześciofluorek uranu (UF(6)), instalacja produkcyjna, urządzenia i zespoły	0B003b
Sześciofluorek uranu (UF(6)), instalacja produkcyjna, urządzenia i zespoły	0B003a
Szklane materiały włókniste lub włókienkowe	1C210b
Szklane okna ochronne, szklane, osłony antyradiacyjne	1A227
Szkło fluorofosforanowe	6C004f
Szkło fosforanowe	6C004f
Szkło o niskiej zawartości wtrąceń	6C004f
Szkło o wysokiej jednorodności oraz niskim stężeniu jonów hydroksylowych i wtrąceń metalicznych	6C004f
Szkło z fluorków luzem, o niskim współczynniku pochłaniania	6C004e.2
Szkło z fluorku cyrkonu (ZrF(4))	6C004f
Szkło z fluorku hafnu (HfF(4))	6C004f
Szlifierki do kół zębatych	2B003
Szlifierki sterowane numerycznie (CNC)	2B001c.1
Szyfratory (transkodery)	5A001b.1
Śmigłowce, systemy przeniesienia napędu, technologia	9E003d
Środki chemiczne, prekursory do wyrobu chemicznych substancji toksycznych	1C350
Śruby napędowe	8A002o.1
Śruby napędowe o regulowanym skoku	8A002o.2.a
Śruby napędowe przeciwbieżne	8A002o.1.b
Śruby napędowe superkawitacyjne	8A002o.1.a
Śruby napędowe superwentylowane	8A002o.1.a
Światłowodowe penetratory do kadłubów lub łączniki, do prac podwodnych	8A002c
Światłowody	5A001e.1
Światłowody i akcesoria, telekomunikacyjne	5A001e.1
Światłowody i akcesoria, zastosowania podwodne	5A001e.2
Światłowody i kable do jednego rodzaju fal elektromagnetycznych	5A001e.1.a
Światłowody i kable do wielu rodzajów fal elektromagnetycznych, o wysokiej wytrzymałości na rozciąganie	5A001e.1.b
Światłowody, łączniki	5A001e.2
Światłowody, urządzenia produkcyjne	5A101

Tablice logiczne, programowalne przez użytkownika (FPLA)	3A001a.8
Tarcie w warstwie przyściennej, przetworniki pomiarowe	9B008
TAS - Selenek talowo-arsenowy (TI3AsSe3)	6C004b.3
Taśmy do testowania urządzeń do rejestrowania wymienionych w pozycji 3A002a	3A002a
Taśmy do urządzeń rejestrujących wymienionych w pozycji 3A002a	3A002a
Taśmy ze stopów amorficznych	1C003
Taśmy ze stopów, magnetyczne	1C003c
TCSEC - Kryteria Oszacowania Poufnych Systemów Komputerowych	5A002f
Technika regulacji autoklawów	1E103
Technika regulacji hydroklawów	1E103
Techniki kształtowania wiązki akustycznej	6A001a.2.c.2
Technologia kompozytowych łopatek turbin lub wentylatorów	9E003b.2
Technologia modeli lotniczych do tuneli aerodynamicznych	9E003b.1
Technologia, patrz podkategoria E w każdej kategorii
Technologia powlekania/obróbki powierzchni optycznych	6E003a.1
Technologia produkcji materiałów pirolitycznych	1E104
Technologia produkcji nadprzewodnikowych urządzeń elektronicznych	3E002c
Technologia przeniesienia napędu w samolotach z odchylanymi wirnikami lub skrzydłami	9E003d
Technologia regulacji temperatur/ciśnień i składu atmosfery w produkcji kompozytów	1E103
Technologia rozwoju heterostrukturalnych urządzeń półprzewodnikowych	3E002b
Technologia rozwoju podzespołów do silników wysokoprężnych	9E003e.2
Technologia rozwoju/produkcji magnetycznych dysków twardych	4E002b
Technologia rozwoju/produkcji podzespołów silników wysokoprężnych	9E003e.2
Technologia rozwoju/produkcji podłoży folii diamentowych do podzespołów elektronicznych	3E002d
Technologia rozwoju/produkcji próżniowych urządzeń mikroelektronicznych	3E002a
Technologia silników turbinowych i podzespołów do nich	9E003a
Technologia silników wysokoprężnych dużej mocy, systemów lub podzespołów	9E003e
Technologia smarowania ścianek cylindrów w silnikach wysokoprężnych	9E003e.3
Technologia systemów przeniesienia napędu w śmigłowcach	9E003d
Technologia tłumienia hałasu pod wodą	8E002
Technologia urządzeń dla telekomunikacji satelitarnej	5E001b.1
Technologia urządzenia do przetwarzania materiałów	2E001
Technologia, urządzenia do wielostrumieniowego przetwarzania danych	4E002a
Technologia do nakładania powłok na podłoża nieelektroniczne	2E003d
Technologie do rozwoju lub produkcji obciągarek hydraulicznych	2E003c
Technologie nakładania powłok nieorganicznych	2E003d
Technologie napraw, remontów, modernizacji śrub napędowych pod kątem zmniejszenia generowanego przez nie hałasu	8E002a
Technologie obróbki w stanie nadplastycznym	2E003b.1.a
Technologie obróbki w stanie nadplastycznym stopów aluminium, stopów tytanu lub nadstopów	2E003b.2.a
Technologie ochrony informacji	5E002
Technologie ochrony urządzeń awionicznych przed impulsami elektromagnetycznymi i groźbą zakłóceń elektromagnetycznych (EMP/EMI)	7E102
Technologie optymalizacji trajektorii pocisków rakietowych	7E104
Technologie powlekania i przetwarzania włókien optycznych	5E001b.3
Technologie projektowania narzędzi, form lub uchwytów	2E003b.1
Technologie rozwoju elektronicznych systemów sterowania lotem (FBW)	7E004b
Technologie rozwoju instrukcji do obrabiarek sterowanych	2E003a
Technologie rozwoju systemów aktywnego sterowania lotem	7E004b
Technologie rozwoju systemów śmigłowcowych	7E004c
Technologie rozwoju systemów sterowania lotem	7E004b
Technologie rozwoju technik QAM	5E001b.9
Technologie rozwoju zintegrowanego oprogramowania do systemów eksperckich	2E003a.3
Technologie scalania zarządzania lotem	7E104
Technologie sterowania numerycznego	2E003a
Technologie użytkowania urządzeń do przetwarzania materiałów	2E101
Technologie użytkowania urządzeń do przetwarzania materiałów	2E201
Technologie użytkowania urządzeń do przetwarzania materiałów	2E301
Technologie wytwarzania elementów optycznych	6E003a.2
Technologie zgrzewania dyfuzyjnego metali	2E003b.1.b
TEGDN - diazotan glikolu trietylenowego (diazotan 3,6 dioksaoktano-1,8-diolu (dodatek do paliw)	1C115c.2
Telekomunikacja, przełączanie	5A001c
Telekomunikacja satelitarna, urządzenia, technologia	5E001b.1
Telemetria i zdalne sterowanie, urządzenia	5A101
Telemetria, urządzenia/systemy	5A101
Teleskopy projekcyjne, diagnostyka laserowa	6A005g.4
Tellur (Te) o czystości 99 % lub większej	6C002a
Tellurek kadmowo-cynkowy (CdZnTe) - pojedyncze kryształy	6C002b
Tellurek kadmowo-rtęciowy (HgCdTe), kryształy i płytki epitaksjalne	6C002b
Tellurek kadmowy (CdTe), pojedyncze kryształy/płytki epitaksjalne	6C002b
Terminalowe instalacje interfejsowe, sieciowe	4A003f
Terminalowe urządzenia interfejsowe, komputery cyfrowe	4A003f
Termojonizacyjne spektrometry masowe (TIMS)	3A233c
Testery danych telekomunikacyjnych	5B001b.2
Testery PCM	5B001b
Testowanie półprzewodników, urządzenia	3B008d
Testowanie urządzeń półprzewodnikowych, urządzenia laserowe i elektronowe	3B008d
Tetrodotoksyna	1C351d.8
TIMS - termojonizacyjne spektrometry masowe	3A233c
Tiodiglikol (sulfid di (2-hydroksyetylowy))	1C350a.1
Tioetery, składniki płynów smarnych	1C006b.1
Tlenek glinu, proszki drobnoziarniste	0C201
Tlenochlorek fosforu	1C350a.2
Tłoczenie kształtowe, maszyny z więcej niż dwiema osiami równocześnie synchronizowanymi	2B115
Tłumienie hałasu śrub napędowych (naprawy/remonty/przebudowy)	8E002a
Tłumienie hałasu śrub napędowych (rozwój/produkcja), technologia)	8E002a
Tokarki	2B001c
Tokarki (CNC)	2B001c
Tokarki do obróbki powierzchni klasy optycznej	2B002a
Toksyczne gazy, instalacje do monitorowania	2B351
Toksyna shiga	1C351d.6
Toksyny gronkowca złocistego	1C351d.7
Toksyny jadu kiełbasianego	1C351d.1
Toksyny laseczki zgorzeli gazowej	1C351d.2
Toksyny naturalne	1C351d
Tor metaliczny, stopy, mieszanki, koncentraty	0C001
Torbielka (cyanginosin))	1C351d.10
Transkodery (szyfratory)	5A001b.1
Transmultipleksery	5A001b.1
Tranzystorowe urządzenia testujące, pomiary parametru S	3B008a
Tranzystory mikrofalowe	3AS001b.3
Trichlorek arsenu	1C350a.31
Trichlorek fosforu	1C350a.7
Trietanoloamina	1C350a.46
Triflourek chloru (CIF3)	1C238
Triody, z zimną katodą do przełączników wysokoprądowych, wysokonapięciowych	3A228a
Tritlenek diazotu	1C115a.3.a
Tryt, instalacje do produkcji	1B231
Tryt, substancje i mieszaniny	1C235
Trzpienie do formowania mieszków	2B228c
Trzpienie do formowania mieszków zespołów wirników	2B228a
Trzpienie do precyzyjnego formowania wirników	2B215
Tunele aerodynamiczne, do pocisków rakietowych	9B105
Tunele aerodynamiczne, systemy sterowania	9B005
Tunele wodne do pomiaru pól akustycznych wytwarzanych przez przepływ cieczy	8B001
Turbinowe układy napędowe i akcesoria do nich	9A003
Turbosprężarki lub turborozprężarko-sprężarki (destylacja wodoru)	0B004b.3.b
Turbowentylatorowe i turboodrzutowe silniki, lekkie	9A101
TWT - lampy z falą bieżącą, przemysłowe	3A001b.1.a
Tygle odporne na działanie stopionego uranu	0B001g.2
Tygle odporne na działanie stopionego uranu	0B001i.5
Tygle odporne na płynne związki aktynowców	2A225
Tygle wykonane z azotowanego stopu niobu z tytanem i wolframem lub nim powlekane	2A225a.7
Tygle wykonane z cyrkonianu wapnia (metacyrkonianu) (Ca(2)ZrO(3)) lub nim powlekane	2A225a.2
Tygle wykonane z fluorku wapniowego (CaF(2)) lub nim powlekane	2A225a.1
Tygle wykonane z siarczku ceru (Ce(2)S(3)) lub nim powlekane	2A225a.3
Tygle wykonane z tantalu lub nim powlekane	2A225b
Tygle wykonane z tantalu, powlekane węglikiem, azotkiem lub borkiem tantalu	2A225c
Tygle wykonane z tlenku cyrkonowego (ZrO(2)) lub nim powlekane	2A225a.9
Tygle wykonane z tlenku erbowego (ER(2)O(3)) lub nim powlekane	2A225a.4
Tygle wykonane z tlenku hafnowego (HfO(2)) lub nim powlekane	2A225a.5
Tygle wykonane z tlenku itrowego (Y(2)O(3)) lub nim powlekane	2A225a.8
Tygle wykonane z tlenku magnezowego (MgO) lub nim powlekane	2A225a.6
Tygle z tantalu	2A225b.c
Tytan, glinki	1C002a.1.b
Tytan, stopy	1C002a.2.c
Tytan, stopy	1C202b
Tytan, stopy, dyfuzyjne zgrzewanie, technologie/dane	2E003b.2.b
Tytan, stopy, proszki, odkuwki, wyroby	1C002a.2.c
Tytan, stopy, proszki, odkuwki, wyroby	1C002b.1.c
Tytan, stopy, w postaci rur, elementów litych, dokuwek	1C202

Ubrania ochronne	2B352f.2
Uchwyty do wiercenia otworów w łopatkach turbin gazowych	9B001b
Uchwyty odśrodkowe do łożysk do giroskopów	7B003e
Udoskonalanie obrazów, cyfrowe	4A003
UF(6), desublimatory	0B002b
UF(6), dyfuzja gazowa, przegrody, obudowy	0B001b.3,4
UF(6), instalacje do produktu i frakcji końcowych	0B002c
UF(6), instalacje do skraplania	0B002d
UF(6)- izotopy, separacja, wzbogacanie, urządzenia pomocnicze	0B002
UF(6), łopatki do ekstrahowania, wirówki gazowe	0B001c.13
UF(6), produkcja, fluorowanie i hydrofluorowanie, reaktory fluidalne	0B003b.1
UF(6), produkcja, reaktory fluidalne	0B003b.1
UF(6), produkcja, reaktory ślimakowe	0B003b.1
UF(6), rozdzielanie od gazu nośnego, dysze	0B001d.7.c
UF(6), rurociągi i urządzenia do manipulowania	0B002e
UF(6), spektrometry masowe/źródła jonów	0B002g
UF(6), wymrażarki	0B001d.7.d
UF(6), wymrażarki	0B002b
UF(6), wzbogacanie, instalacje, jony, źródła, spektrometry masowe	0B002g
Układanie taśm z włókien, maszyny	1B001b
Układanie taśm z włókien, maszyny	1B101b
Układy antenowe, fazowane	5A001f
Układy chłodzenia pracujące w obiegu zamkniętym	9A006b
Układy do tłumienia szumów dla jednostek pływających, akustyczne	8A002o.3.a
Układy informujące o położeniu i kursie (AHRS), oprogramowanie w postaci kodu źródłowego	7D002
Układy izolacyjne i wiążące paliwo, do silników rakietowych	9A008a
Układy napędowe, strugowodne	8A002p
Układy napędowe turbinowe i akcesoria do nich	9A003
Układy scalone, cyfrowe, półprzewodnikowe, przemysłowe	3A001a.11
Układy scalone do przetworników cyfrowo-analogowych (DAC)	3A001a.5
Układy scalone, elektrooptyczne	3A001a.6
Układy scalone, maski	3B007a
Układy scalone, maski	3B007b
Układy scalone, mikrofalowe	3A001b.2
Układy scalone, monolityczne, przemysłowe	3A001a
Układy scalone na sieciach neuronowych	3A001a.9
Układy scalone odporne na promieniowanie, przemysłowe	3A001a.1
Układy scalone ogólnego przeznaczenia, przemysłowe	3A001a
Układy scalone, półprzewodnikowe, GaAs, przemysłowe	3A001a.11
Układy scalone typu krzem na szafirze	3A001a
Układy scalone, warstwowe, przemysłowe	3A001a
Układy scalone, wielowarstwowe	3B007a
Układy scalone wykonywane na zamówienie, przemysłowe	3A001a.10
Układy sterowanie dyszami ruchomymi do rakiet	9A008d
Uran (wzbogacony) lub zawierające go materiały	0C002
Uran-233, uran-235 lub zawierające go materiały	0C002
Uran, instalacje do utleniania	0B001e.6
Uran, instalacje do wytwarzania plazmy uranowej	0B001i.4
Uran, instalacje i urządzenia do przetwarzania	0B009
Uran metaliczny, pary, źródła, obudowy modułów rozdzielających	0B001g.4
Uran metaliczny, plazma, źródła, obudowy modułów rozdzielających	0B001i.6
Uran metaliczny, płynny, urządzenia do manipulowania (chłodzone tygle)	0B001i.5
Uran metaliczny, stopy, związki i koncentraty lub zawierające go materiały	0C001
Uran naturalny lub zawierające go materiały	0C001
Uran, obudowy separatorów elektromagnetycznych (próżniowe)	0B001k.3
Uran, pary, urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych	0B001i.1
Uran, pary, urządzenia do gromadzenia produktów lub frakcji końcowych	0B001g.3
Uran, tytan, stopy	1C004
Uran, urządzenia do chłodzenia	0B001g.2
Uran wzbogacony w uran-233 lub uran-235	0C002
Uran zubożony	0C001
Urządzenia do przetwarzania sygnałów z sonarów	6A001a.2.b
Urządzenia CVD z zamknięciem magnetycznym	3B004a.1
Urządzenia CVD z zastosowaniem elektronowego rezonansu cyklotronowego	3B004a.2
Urządzenia destylacyjne, oczyszczanie UF(6)	0B003b.2
Urządzenia destylacyjne, wodór	0B004b.3.a
Urządzenia dla sieci cyfrowej z integracją usług (ISDN)	5A001c.2
Urządzenia do asynchronicznego przesyłania danych (ATM)	5A001c.5
Urządzenia do asynchronicznego przesyłania danych (ATM)	5A001c.4
Urządzenia do badań nieniszczących (NDT) do silników rakietowych	9B007
Urządzenia do badań nieniszczących NDT (w trzech wymiarach)	1B001f
Urządzenia do badania właściwości włókien optycznych	5B001a.3
Urządzenia do bezpośredniego tworzenia obrazów wizualnych	6A002c
Urządzenia do chemicznego osadzania par (CVD), produkcja włókien	1B001d
Urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków (CVD) intensyfikowanego plazmowo	3B004
Urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków, (CVD) produkcyjne	2B005a
Urządzenia do chemicznego osadzania par pierwiastków, (CVD), warstwy epitaksjalne	3B001
Urządzenia do chłodzenia helu	1B231
Urządzenia do chłodzenia stopionego uranu	0B001g.2
Urządzenia do cyfrowego zapisu na taśmie magnetycznej	3A002a.3
Urządzenia do dynamicznego kształtowania czoła fali	6A005g
Urządzenia typu cross-flow do filtrowania	2B352d
Urządzenia do fluorowania UF(5) do UF(6)	0B001h.3
Urządzenia do impregnacji jonów	3B002
Urządzenia do implantacji jonów, produkcyjne	2B005b
Urządzenia do komutacji pakietów	A5001c.8
Urządzenia do komutacji wezwań w sieci telefonicznej łączności radiowej (komórkowej)	5A001c.7
Urządzenia do kontroli silników	9B007
Urządzenia do kontroli/testowania koszulek do elementów paliwowych reaktorów	0B005c
Urządzenia do kryptograficznego generowania kodu rozpraszającego dla widma rozproszonego	5A002e
Urządzenia do ługowania rdzeni ceramicznych	9B001f
Urządzenia do manipulowania i sterowania rakietami	9A115a
Urządzenia do manipulowania płynnym uranem metalicznym chłodzone tygle)	0B001i.5
Urządzenia do mieszania z regulacją podciśnienia i temperatury	1B115
Urządzenia do mokrego przędzenia ogniotrwałych materiałów ceramicznych	1B001d
Urządzenia do montażu wirników wirówek	2B228a
Urządzenia do naprężania włókien prasowanych/preform	1B101d
Urządzenia do napylania jonowego, produkcyjne	2B005e
Urządzenia do napylania katodowego, urządzenia	2B005f
Urządzenia do napylania plazmowego, z regulacją atmosfery	2B005d
Urządzenia do obróbki powierzchniowej włókien	1B101d
Urządzenia do ochrony informacji	5A002
Urządzenia do odgazowywania	2B350
Urządzenia do osadzania pirolitycznego, dysze rakiet, krawędzie natarcia pojazdów kosmicznych lądujących na ziemi	2B104b
Urządzenia do osadzania warstwy epitaksjalnej	3B001
Urządzenia do pojazdów na poduszce powietrznej	8A002k
Urządzenia do pomiarów grubości profili łopatek turbinowych	9B001a
Urządzenia do pomiaru absolutnego współczynnika odbicia	6B004
Urządzenia do pomiaru nieregularności powierzchni poprzez pomiar rozproszenia światła	2B006d
Urządzenia do pomiaru prędkości obiektów podwodą	6A001c
Urządzenia do powlekania i przetwarzania, do podłoży nieelektronicznych	2B005
Urządzenia do powlekania jonowego, produkcyjne	2B005g
Urządzenia do prasowania laminatów zbrojonych, urządzenia	1B001e
Urządzenia do produkcji elementów instalacji telekomunikacyjnych	5B001a.2
Urządzenia do produkcji grawimetrów lądowych	6B007
Urządzenia do produkcji lub testowania uszczelnień szczotkowanych w turbinach gazowych	9B003
Urządzenia do produkcji preform	1B101e
Urządzenia do produkcji środków chemicznych	2B350
Urządzenia do produkcji światłowodów	5B001a.2
Urządzenia do produkcji systemów i podzespołów napędowych	9B115
Urządzenia do przechowywania wodoru w formie mieszaniny fazy ciekłej ze stałą (zawiesiny)	9A006c
Urządzenia do przetwarzania analogowo-cyfrowego (ADC)	4A003e
Urządzenia do przetwarzania i korelacji w funkcji czasu lub częstotliwości	6A001a.2.c
Urządzenia do przetwarzania materiałów, technologia	2E001
Urządzenia do przetwarzania sygnałów akustyczno-optycznych	3A001c.3
Urządzenia do przetwarzania sygnałów, ogólnego przeznaczenia, cyfrowe	4A003
Urządzenia do przetwarzania sygnałów optyczno-akustycznych	3A001c.3
Urządzenia do przetwarzania sygnałów sonarowych	6A001c
Urządzenia do przetwarzania sygnałów,- zestawy hydrofonów	6A001a.2.c
Urządzenia do przygotowywania woskowych modeli powłok ceramicznych	9B001g
Urządzenia do przygotowywania woskowych modeli rdzeni ceramicznych	9B001g
Urządzenia do regulacji spalania w silnikach	9A118
Urządzenia do rozdzielania izotopów za pomocą laserów na parach metali	0B001g
Urządzenia do rozpuszczania, do paliw jądrowych	0B006b
Urządzenia do sporządzania półproduktów do produkcji chlorku uranu	0B001e.5
Urządzenia do sterowania elementami optycznymi	6A004e
Urządzenia do sterowania numerycznego, CNC (computer numerical control)	2B001a
Urządzenia do sterowania pirolozą	2B104b
Urządzenia do sterowania systemami/segmentami układów fazowanych zwierciadeł	6A004e.4
Urządzenia do suchego trawienia z magnetycznym trzymaniem plazmy	3B003a.1
Urządzenia do suchego trawienia z zastosowaniem elektronowego rezonansu magnetycznego (ECR)	3B003a.2
Urządzenia do suchego trawienia za pomocą plazmy anizotropowej	3B003
Urządzenia do testowania bitowej stopy błędów (BER)	5B001b.1
Urządzenia do testowania elementów instalacji telekomunikacyjnych	5B001a.3
Urządzenia do testowania mikrofalowych układów scalonych	3B008c
Urządzenia do testowania, półprzewodnikowe	3B008
Urządzenia do testowania układów scalonych/mikrofalowych	3B008b
Urządzenia do testowania wibracji akustycznych	9B006
Urządzenia do testowania wibracji z zastosowaniem technik sterowania cyfrowego	2B116
Urządzenia do transportu wodoru w formie mieszaniny fazy ciekłej ze stałą (zawiesiny)	9A006c
Urządzenia do tworzenia obrazów	6A203b.3
Urządzenia do tworzenia obrazów termicznych	6A002c
Urządzenia do tworzenia obrazów, w zakresie widzialnym i w podczerwieni	6A002c
Urządzenia do ustalania położenia, satelitarne	7A105
Urządzenia do wielopoziomowego zabezpieczania informacji	5A002f
Urządzenia do montażu wirników wirówek gazowych	2B228a
Urządzenia do wygaszania przypadkowego przekazywania sygnałów przenoszących informacje	5A002d
Urządzenia do wypalania lub płomieniowego formowania powłok ceramicznych	9B001h
Urządzenia do wytwarzania elementów z proszków metali	9B009
Urządzenia do wytwarzania pojedynczych kryształów	9B001c
Urządzenia do wytwarzania powłok ceramicznych	9B001e
Urządzenia do wytwarzania rdzeni ceramicznych	9B001e
Urządzenia do wytwarzania warstw epitaksjalnych z surowca gazowego za pomocą wiązki molekularnej	3B001c
Urządzenia do wyważania wirników wirówek	2B229
Urządzenia działające na zasadzie efektu Josephsona	6A006h
Urządzenia działające na zasadzie interferencji kwantowej (SQUID)	6A006h
Urządzenia elektroniczne do statków kosmicznych lądujących na ziemi	9A116c
Urządzenia elektroniczne, wysokoprądowe/wysokonapięciowe	3A228
Urządzenia fotoinicjujące do laserów na swobodnych elektronach	6B005a.2
Urządzenia i aparatura do sterowania wyrzutniami rakiet	9A115a
Urządzenia i instalacje biologiczne, produkcyjne,	2B352
Urządzenia końcowe linii telekomunikacyjnych	5A001b.1
Urządzenia litograficzne, wytwarzanie masek do produkcji płytek półprzewodnikowych	3B006
Urządzenia lub czujniki ze sprzężeniem zwrotnym położenia liniowego	2B008b
Urządzenia lub zespoły do analizy kryptograficznej, cyfrowe	5A002b
Urządzenia lub zespoły kryptograficzne, cyfrowe	5A002a
Urządzenia multipleksowe, światłowodowe	5A001b.4
Urządzenia na fale milimetrowe	3A001b.1
Urządzenia napędowe do reaktorów jądrowych	0A002
Urządzenia napełniające, zdalnie sterowane	2B350f
Urządzenia optyczne	6A005g
Urządzenia pomiarowe, do równoczesnej kontroli położenia liniowego i kątowego półpowłok	2B006c
Urządzenia próbkujące do oscyloskopów z pozycji 3A202a,b,c	3A202
Urządzenia produkcyjne do wytwarzania pojazdów kosmicznych lądujących na ziemi	9B115
Urządzenia radiograficzne	3A101b
Urządzenia radiowe działające na zasadzie kwadraturowej modulacji amplitudowej (QAM)	5A001b.6
Urządzenia radiowe, nadajniki, odbiorniki	5A001b.5-11
Urządzenia radiowe QAM pracujące w zakresie powyżej poziomu 4	5A001b.6.b
Urządzenia radiowe, w których zastosowano techniki widma rozproszonego	5A001b.8
Urządzenia radiowe, w których zastosowano techniki regulacji częstotliwości (rozrzucanie częstotliwości)	5A001b.8
Urządzenia rentgenowskie, radiograficzne	3A101b
Urządzenia rentgenowskie typu impulsowego	3A001e.5
Urządzenia rozszerzające pasmo częstotliwości, miksery, przemienniki	3A001b.7
Urządzenia sterujące do pieców metalurgicznych i odlewniczych	2B227
Urządzenia sterujące do reaktorów jądrowych, elektroniczne	0A001d
Urządzenia/systemy do komutacji łączy	5A001c.8
Urządzenia/systemy do scentralizowanego sterowania siecią	5A001d
Urządzenia"systemy do wybierania marszruty i przesyłania pakietów	5A001c.9
Urządzenia/systemy do wybierania trasy, komutacji pakietu danych	5A001c.5
Urządzenia/systemy do zwykłej łączności kanałowej	5A001c.1
Urządzenia telekomunikacyjne	5A001
Urządzenia telemetryczne do pocisków rakietowych, zdalnie sterowane	5A101
Urządzenia umożliwiające kierunkowe krzepnięcie materiałów	9B001c
Urządzenia umożliwiające przekształcanie cyfrowych rejestratorów obrazów na taśmie magnetycznej w cyfrowe rejestratory danych	3A002a.4
Urządzenia ustalające położenie w systemie nawigacji globalnej	7A005
Urządzenia wykorzystujące akustyczne fale powierzchniowe	3A001c.1
Urządzenia wykorzystujące fale akustyczne	3A001c
Urządzenia wykorzystujące przestrzenne fale akustyczne	3A001c.2
Urządzenia ze sprzężeniem zwrotnym do obrabiarek	2B008b
Urządzenia ze sprzężeniem zwrotnym położenia obrotowego	2B008c
Urządzenia/zespoły do wymiany typu amoniak-wodór	0B004b.2.b
Urządzenia/zespoły do wymiany typu amoniak-wodór	0B004b.2.a
Urządzenia/zespoły do wymiany typu amoniak-wodór	0B004b.2.a
Urządzenia zmniejszające widzialność obiektu w zakresie widma elektromagnetycznego	1C101
Urządzenie do testowania funkcjonalnego układów scalonych	3B008b
Urządzenie lub zespoły do kryptografii, analogowe	5A002c
Urządzenie synchronizujące, naświetlające i powielające do produkcji płytek elektronicznych	3B006
Urządzenie z wiązką jonów do wytwarzania masek, elementów półprzewodnikowych	3B006
Usuwanie UF(6) desublimatory	0B002b
Uszczelki	1A001a
Uszczelnienia, dla przemysłu lotniczego i kosmicznego	1A001a
Uszczelnienia do poduszkowców	8A002k
Uszczelnienia do zaworów	1A001a
Uszczelnienia wirujących wałów (do sprężarek/dmuchaw), odporne na UF(6)	0B001b.2.b
Utleniacze płynne, różne tlenki azotu	1C115a.3
Verotoksyna	1C351d.9
VISARŐy - interferometry do pomiaru prędkości	6A225

Wałowe kodery (z wejściem obrotowym)	3A001f
Wałowe układy przeniesienia napędu, okrętowe	8A002o.1.e
Wapń	1C227
Warstwa przyścienna, tarcie, przetworniki pomiarowe	9B008
Warunki otoczenia	9B106a
Węgiel-węgiel, materiały	1A102
Węglik krzemu (SiC), półprodukty podłoży	6C004d
Węglik wolframu, jako części	1C226
Wektorowe procesory, urządzenia	4A003
Wentylowane śruby napędowe	8A002o.1.a
Wiązka akustyczna, techniki kształtowania	6A001a.2.c.2
Wiązki akustyczne, oprogramowanie do kształtowania	6D003a.1
Wibracje akustyczne, urządzenia do sterowania	9B006
Wibracje, urządzenia do testowania z zastosowaniem technik sterowania cyfrowego	2B116
Wieloelementowe zestawy czujników	6A002a.3
Wielokomorowe, sterowane centralnie instalacje do manipulowania płytkami półprzewodnikowymi	3B005
Wielopunktowe instalacje zapłonowe	3A232b
Wielospektralne czujniki obrazowe	6A002b
Wielostopniowe wyrzutnie gazowe	2B232
Wiertarki sterowane numerycznie (CNC)	2B001c
Wieże destylacyjne, wkłady	1A226
Wieże do destylacji amoniaku	0B004b.4.b
Wieże do destylacji wody, ciężkie	0B004b.4.a
Wieże kriogeniczne i zimne komory, destylacyjne	0B004b.3.a
Wieże płomieniowe, produkcja UF(6)	0B003b.1
Wirniki do wirówek, urządzenia do montażu	2B228a
Wirniki podatne, wirówki odśrodkowe, wyważarki	2B229a
Wirniki, produkcja, urządzenia do montażu	2B228a
Wirniki, trzpienie do precyzyjnego formowania	2B215
Wirniki, urządzenia lub układy do prostowania	2B228b
Wirówka gazowa, cylindryczne zespoły wirników	0B001c.3
Wirówka gazowa, deflektory	0B001c.7
Wirówka gazowa, deflektory, pierścienie, pokrywy, mieszki	0B001c.6
Wirówka gazowa, instalacja, urządzenia pomocnicze	0B002
Wirówka gazowa, łożyska	0B001c.4
Wirówka gazowa, łożyska	0B001c.5
Wirówka gazowa, pokrywy	0B001c.8
Wirówka gazowa, zespoły wirujące	0B001c.2
Wirówki gazowe	0B001c.1
Wirówki gazowe, wirniki, urządzenia	2B228a
Wirówki, silniki, stojany pierścieniowe	0B001c.10
Wirus "peste des petits ruminants"	1C352a.10
Wirus cholery świń	1C352a.7
Wirus choroby cieszyńskiej	1C352a.14
Wirus choroby Newcastle (wirus ptasiego zapalenia płuc i mózgu)	1C352a.9
Wirus choroby niebieskiego języka owiec	1C352a.3
Wirus dengi (arbowirus grupy B)	1C351a.3
Wirus Ebola	1C351a.5
Wirus gorączki Chikungunya (organizm patogenny człowieka)	1C351a.1
Wirus gorączki doliny Rift	1C351.a.13
Wirus gorączki krwotocznej kongijsko-krymskiej	1C351a.2
Wirus gorączki Lassa (wirus Lassa)	1C351a.8
Wirus Hantaan	1C351a.6
Wirus japońskiego zapalenia mózgu	1C351a.20
Wirus Junin (wirus argentyńskiej gorączki krwotocznej)	1C351a.7
Wirus limfocytowego zapalenia opon mózgowych	1C351a.9
Wirus Machupo (wirus boliwijskiej gorączki krwotocznej)	1C351a.10
Wirus Marburg	1C351a.11
Wirus opryszczki (rzekomej wścieklizny świń)	1C352a.6
Wirus ospówki	1C351a.18
Wirus ospy	1C351a.15
Wirus ospy kóz	1C352a.5
Wirus ospy małp	1C351a.12
Wirus ospy owczej	1C352a.13
Wirus pryszczycy	1C352a.15
Wirus pryszczycy (wirus choroby pyska i racic)	1C352a.4
Wirus wenezuelskiego końskiego zapalenia mózgu i rdzenia	1C351a.16
Wirus wschodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu	1C351a.4
Wirus zachodnioamerykańskiego końskiego zapalenia mózgu i rdzenia	1C351a.17
Wirus zapalenia mózgu przenoszony przez kleszcze (wirus kleszczowego rosyjskiego zapalenia mózgu)	1C351a.14
Wirus zarazy bydła (wirus księgosuszu)	1C352a.12
Wirus żółtej gorączki	1C351a.19
Wirusy, afrykański wirus cholery świń (organizmy patogenne zwierząt)	1C352a.1
Wirusy grypy ptaków	1C352a.2
Wirusy, kultury	1C351a
Wirusy, organizmy patogenne człowieka	1C351a
Wirusy, organizmy patogenne zwierząt	1C352a
Wkładki diamentowe do narzędzi jednoostrzowych	2B008e
Wkłady z siatek miedzianych lub z brązu fosforowego	1A226
Włókna i włókienka organiczne, materiały	1C010a
Włókna i włókienka węglowe, materiały	1C010b
Włókna i włókienka węglowe, materiały	1C210
Włókna lub włókienka szklane materiały	1C210b
Włókna, maszyny do nawijania	1B001a
Włókna, maszyny do nawijania, oprogramowanie	1D001
Włókna, maszyny do nawijania, oprogramowanie	1D201
Włókna, maszyny do nawijania, oprogramowanie	1D101
Włókna, maszyny tkackie	1B001c
Włókna, obróbka powierzchniowa, urządzenia	1B101d
Włókna optyczne o wysokim współczynniku podwójnego załamania	6A002d.3.b
Włókna optyczne, półprodukty wysokim współczynniku podwójnego załamania	6C002c
Włókna optyczne, półprodukty, włókna z fluorków	6C004h
Włókna optyczne, półprodukty, włókna z fluorków	6C004h
Włókna optyczne, powlekanie, produkcja, technologie	5E001b.3
Włókna optyczne, światłowody, do czujników	6A002d.3
Włókna optyczne, szklane, preformy	5C001
Włókna, produkcja, urządzenia do chemicznego osadzania par	1B001d
Włókna, przeplatanie, maszyny	1B101c
Włókna szklane, do telekomunikacji światłowodowej	5A001e.1
Włókna węglowe lub aluminiowe, urządzenia do przetwarzania	1B001d
Włókna węglowe lub aluminiowe, urządzenia do przetwarzania	1B001d
Włókna, włókienka, materiały produkcja	1B001
Wodoloty	8A001h
Wodorki antymonu	3C004
Wodorki arsenu	3C004
Wodorki fosforu	3C004
Wodorki fosforu, arsenu, antymonu lub indu	3C004
Wodorodifluorek amonu	1C350a.42
Wodorodifluorek potasu	1C350a.41
Wodorodifluorek sodu	1C350a.44
Wodorotlenek lotu, stężone roztwory, aparaty wyparne	0B007d
Wodór, destylacja, turborozprężarki lub turborozprężarko-sprężarki	0B004b.3.b
Wodór, instalacja do destylacji (produkcja deuteru)	0B004a.3
Wodór, instalacje do odzyskiwania, ekstrahowania i stężania	1B231
Wodór, izotopy, instalacje do przechowywania i oczyszczania	1B231
Wodór, urządzenia destylacyjne	0B004b.3.a
Wodór, urządzenia do chłodzenia	1B231
Wolfram, jako części	1C226
Wolfram, stopy	1C004
Wolfram, stopy, jako części	1C226
Wolfram, stopy z molibdenem	1C117
Wolfram, węglik, jako części	1C226
Wrzecienniki do obrabiarek	2B008a
Wrzeciono wychylne	2B009
Współczynnik odbicia, absolutny, urządzenia pomiarowe	6B004a
Wspomagane komputerowo projektowanie (CAD) układów scalonych i półprzewodników	3D003
Wybieraki marszruty, telekomunikacja	5A001c.8
Wybór trasy albo komutacja pakietów szybko-dostępnych, urządzenia	5A001c.6
Wybuchowe warunki, roboty	2B007b
Wykładziny wewnętrznych powierzchni osłon silników rakietowych	9A108a
Wykładziny wiążące paliwo	9A008a
Wykrywalność obiektów, zmniejszona, oprogramowanie do analizy obiektów	1D103
Wykrywalność za pomocą fal elektromagnetycznych, zmniejszanie, materiały i urządzenia	1C101
Wykrywanie i lokalizacja obiektów, systemy	6A001a.1.b
Wymiana chemiczna, szybka, cieczowo-cieczowe kolumny impulsowe	0B001e.2
Wymiana siarkowodór-woda, instalacja/urządzenia/podzespoły	0B004a.1
Wymiana siarkowodór-woda, instalacje, urządzenia	1B229
Wymiana siarkowodór-woda, instalacje/urządzenia	0B004b.1.b
Wymiana typu amoniak-wodór, urządzenia/zespoły	0B004b.2.a
Wymiana woda-siarkowodór, kolumny półkowe	1B229
Wymienniki ciepła (dyfuzja gazowa)	0B001b.5
Wymienniki ciepła	2B350d
Wymienniki ciepła rozdzielanie aerodynamiczne)	0B001d.5
Wymienniki ciepła do oddzielania UF(6) od gazu nośnego, kriogeniczne	0B001d.7.a
Wymienniki ciepła, grafitowe	2B350d
Wymienniki ciepła i skraplacze	0A001i
Wymienniki wieżowe, półkowe, siarkowodór-woda	0B004b.1.a
Wymrażarki/desublimatory do oddzielania UF(6) od gazu nośnego	0B001d.7.d
Wymrażarki/desublimatory do oddzielania UF(6) od gazu nośnego	0B002b
Wymrażarki UF(6)	0B001d.7.d
Wymrażarki UF(6)	0B002b
Wyparne aparaty do stężonych roztworów wodorotlenku litu	0B007d
Wyroby kompozytowe/laminatowe do rakiet	9A110
Wyrzutne gazowe, wielostopniowe	2B232
Wyrzutnie obiektów z dużą prędkością	2B232
Wyrzutnie pocisków	2B232
Wyrzutnie startowe do pocisków rakietowych	9A115a
Wysokociśnieniowe komory ciągu	9A006e
Wysokociśnieniowe pompy i akcesoria do nich	9A006d
Wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące	3A001e.2
Wysokoenergetyczne kondensatory magazynujące	3A201a
Wysokoimpulsowe generatory	3A230
Wysokoimpulsowe generatory	3A230
Wysokonapięciowe zasilacze do źródeł jonów	0B001k.5
Wysokoprężne silniki tłokowe, technologia rozwoju/produkcji	9E003e.1
Wysokościomierze (altimetry) lotnicze	6A006
Wyważarki do wielopłaszczyznowego wyważania wirówek	2B229
Wyważarki do wyważania wirników wirówek gazowych	2B229
Wyważarki odśrodkowe do wyważania cylindrycznych zespołów wirników	2B229b
Wyważarki odśrodkowe do wyważania wirników podatnych	2B229a
Wzbogacanie izotopów, instalacja	0B001
Wzbogacony uran lub zawierające go materiały	0C002
Wzmacnianie elektromagnetyczne, urządzenia/układy nadprzewodzące	3A001d.1
Wzmacniacze lampowe o skrzyżowanych polach	3A001b.1.b
Wzmacniacze mikrofalowe	3A001b.4
Wzmacniacze mikrofalowe, półprzewodnikowe	3A001b.4
Wzmacniacze pośrednie	5A001b.1
Wzmacniacze zewnętrzne, do oscyloskopów	3A202
Wzorce częstotliwości, atomowe	3A002g

Zabezpieczanie instalacji telekomunikacyjnych	5A002g
Załogowe, autonomiczne pojazdy podwodne	8A001b
Załogowe pojazdy podwodne na uwięzi	8A001a
Zamrażarki kriogeniczne	0B001d.7.b
Zamrażarki kriogeniczne	9A006a
Zapłonniki do materiałów wybuchowych, elektryczne	3A232a
Zapłonniki drutowe (EBW)	3A232a.2
Zapłonniki foliowe (EFI)	3A232a.4
Zapłonniki mostkowe (EB)	3A232a.1
Zapłonniki udarowe, elektryczne	3A232a.3
Zarazek papuzicy	1C351c.5
Zasilacze do próżniowych pieców indukcyjnych	2B226
Zasilacze magnesów, o wysokiej mocy (prąd stały)	0B001k.6
Zasilacze prądu stałego (wysokoprądowe, wysokonapięciowe, wysokiej mocy)	0B001k.6
Zasilacze prądu stałego, wysokoenergetyczne	3A226
Zasilacze prądu stałego, wysokonapięciowe	3A227
Zasilacze wysokiej mocy (wysokoprądowe, wysokonapięciowe	0B001k.5
Zasobniki do środków chemicznych	2B350e
Zawieszenia kardanowe do ustalania położenia zwierciadeł	6A004e.3
Zawieszenia kardanowe, sterowanie elementami optycznymi	6A004e.3
Zawieszenie na łożyskach na poduszce magnetycznej	0B001c.4
Zawory mieszkowe	0B001b.1
Zawory mieszkowe	0B001d.6
Zawory przeponowe	2B350g
Zawory, separacja izotopów metodą dyfuzji gazowej	0B001b.1
Zawory, uszczelnienia	1A001a
Zawory wielokrotnie uszczelnione	2B350g
Zawory z uszczelnieniami mieszkowymi	2A226
Zawory z uszczelnieniami mieszkowymi	2B350g
Zawory z uszczelnieniami mieszkowymi	2A226
Zawory z uszczelnieniem wielokrotnym wyposażone w okna do wykrywania nieszczelności	2B350g
Zawory z wielokrotnym uszczelnieniem wyposażone w okno do wykrywania przecieków	2B350g
Zawory zwrotne	2B350g
Zbiorniki ciśnieniowe do reaktorów jądrowych	0A001a
Zbiorniki i zasobniki do przetrzymywania środków chemicznych	2B350c
Zbiorniki podkrytyczne, przetwórstwo paliw jądrowych	0B006b
Zbiorniki reakcyjne, na środki chemiczne	2B350a
Zbiorniki składowe, na środki chemiczne (pojemność powyżej 100 L)	2B350c
Zbiorniki technologiczne lub magazynowe, podkrytyczne	0B006e
Zdalne manipulatory	2B225
Zdalnie sterowane urządzenia napełniające	2B350f
Zdalnie sterowane manipulatory, do pojazdów podwodnych	8A002i
Zegary atomowe, wzorce częstotliwości	3A002g
Zespoły do grawimetrów	6A107
Zespoły elektroniczne	3A001
Zespoły elektroniczne	3A101
Zespoły elektroniczne	3A201
Zespoły elektroniczne do komputerów cyfrowych, do przetwarzania równoległego	4A003c
Zespoły obrabiarek do urządzeń z pozycji 2B006 i 2B007	2B008
Zespoły podłączeniowe do oscyloskopów z pozycji 3A202b,c	3A202
Zespoły rurek wirowych, rozdzielanie UF(6) od gazu nośnego	0B001d.7.c
Zespoły/segmenty zwierciadeł, klasy kosmicznej	6A004c.3
Zespoły sterowane numerycznie, do obrabiarek sterowanych numerycznie	2B001a
Zespoły wewnętrzne w reaktorach jądrowych	0A001h
Zespoły wirujące, wirówka gazowa	0B001c.2
Zestawy hydrofonów, holowane, akustyczne	6A001a.2.b
Zgrzewanie dyfuzyjne, narzędzia, matryce, formy lub osprzęt	1B003
Zgrzewanie dyfuzyjne podzespołów turbin gazowych, urządzenia	9B004
Zimne komory, destylacja wodoru	0B004b.3.a
Zintegrowane przyrządy do pilotażu, systemy/urządzenia	7A103
Zmniejszające hałas instalacje do statków, aktywne	8A002o.3.b
Zmniejszanie widzialności obiektów, urządzenia i technologie obróbki	1C001
Źródła jonów do mikrofluoryzacji	3A233f
Źródła jonów, jarzeniowe spektrometry masowe (GDMS)	3A233b
Źródła jonów, pojedyncze lub wielokrotne	0B001k.1
Źródła jonów, spektrometry masowe (instalacja do wzbogacania UF(6))	0B002g
Źródła jonów, spektrometry masowe ICP/MS	3A233a
Źródła jonów, spektrometry masowe z wiązką molekularną	3A233e
Źródła jonów, spektrometry masowe z zespołami do bombardowania elektronami	3A233d
Źródła mikrofal (częstotliwość powyżej 30 Ghz)	0B001i.3
Zubożony uran	0C001
Związki deuteru (np. deuterowane parafiny)	0C004
Związki fluorowe	1C009
Związki fluorowe, składniki	1A001
Związki glinoorganiczne	3C003
Związki metaloorganiczne	3C003
Związki metaloorganiczne galu	3C003
Związki metaloorganiczne glinu, galu, indu	3C003
Związki metaloorganiczne indu	3C003
Zwierciadła chłodzone czynnie	6A005f.i
Zwierciadła do kierowania wiązką	6A004a.4
Zwierciadła monolityczne, lekkie	6A004a.1
Zwierciadła o lekkiej konstrukcji, typu piankowego lub kompozytowego	6A004a.3
Zwierciadła odkształcalne	6A004a.1
Zwierciadła optyczne	6A005f.2
Zwierciadła optyczne (reflektory)	6A004a
Zwierciadła optyczne (reflektory)	6A005f.2
Zwierciadła, reflektometry do wyznaczania charakterystyk	7B102
Zwierciadła segmentowe, montowane w przestrzeni kosmicznej	6A004c.3
Zwierciadła, z aktywnym chłodzeniem lub z chłodzeniem rurką cieplną	6A005f.1
Zwierciadło piankowe, lekkie	6A004a.3
Żywice jonowymienne, szybko reagujące	0B001f.1

Zmiany w prawie

ZUS: Renta wdowia - wnioski od stycznia 2025 r.

Od Nowego Roku będzie można składać wnioski o tzw. rentę wdowią, która dotyczy ustalenia zbiegu świadczeń z rentą rodzinną. Renta wdowia jest przeznaczona dla wdów i wdowców, którzy mają prawo do co najmniej dwóch świadczeń emerytalno-rentowych, z których jedno stanowi renta rodzinna po zmarłym małżonku. Aby móc ją pobierać, należy jednak spełnić określone warunki.

Grażyna J. Leśniak 20.11.2024

Zmiany w składce zdrowotnej od 1 stycznia 2026 r. Rząd przedstawił założenia

Przedsiębiorcy rozliczający się według zasad ogólnych i skali podatkowej oraz liniowcy będą od 1 stycznia 2026 r. płacić składkę zdrowotną w wysokości 9 proc. od 75 proc. minimalnego wynagrodzenia, jeśli będą osiągali w danym miesiącu dochód do wysokości 1,5-krotności przeciętnego wynagrodzenia w sektorze przedsiębiorstw w czwartym kwartale roku poprzedniego, włącznie z wypłatami z zysku, ogłaszanego przez prezesa GUS. Będzie też dodatkowa składka w wysokości 4,9 proc. od nadwyżki ponad 1,5-krotność przeciętnego wynagrodzenia, a liniowcy stracą możliwość rozliczenia zapłaconych składek w podatku dochodowym.

Grażyna J. Leśniak 18.11.2024

Prezydent podpisał nowelę ustawy o rozwoju lokalnym z udziałem lokalnej społeczności

Usprawnienie i zwiększenie efektywności systemu wdrażania Rozwoju Lokalnego Kierowanego przez Społeczność (RLKS) przewiduje ustawa z dnia 11 października 2024 r. o zmianie ustawy o rozwoju lokalnym z udziałem lokalnej społeczności. Jak poinformowała w czwartek Kancelaria Prezydenta, Andrzej Duda podpisał ją w środę, 13 listopada. Ustawa wejdzie w życie z dniem następującym po dniu ogłoszenia.

Grażyna J. Leśniak 14.11.2024

Do poprawki nie tylko emerytury czerwcowe, ale i wcześniejsze

Problem osób, które w latach 2009-2019 przeszły na emeryturę w czerwcu, przez co - na skutek niekorzystnych zasad waloryzacji - ich świadczenia były nawet o kilkaset złotych niższe od tych, jakie otrzymywały te, które przeszły na emeryturę w kwietniu lub w maju, w końcu zostanie rozwiązany. Emerytura lub renta rodzinna ma - na ich wniosek złożony do ZUS - podlegać ponownemu ustaleniu wysokości. Zdaniem prawników to dobra regulacja, ale równie ważna i paląca jest sprawa wcześniejszych emerytur. Obie powinny zostać załatwione.

Grażyna J. Leśniak 06.11.2024

Bez konsultacji społecznych nie będzie nowego prawa

Już od jutra rządowi trudniej będzie, przy tworzeniu nowego prawa, omijać proces konsultacji publicznych, wykorzystując w tym celu projekty poselskie. W czwartek, 31 października, wchodzą w życie zmienione przepisy regulaminu Sejmu, które nakazują marszałkowi Sejmu kierowanie projektów poselskich do konsultacji publicznych i wymagają sporządzenia do nich oceny skutków regulacji. Każdy obywatel będzie mógł odtąd zgłosić własne uwagi do projektów poselskich, korzystając z Systemu Informacyjnego Sejmu.

Grażyna J. Leśniak 30.10.2024

Nowy urlop dla rodziców wcześniaków coraz bliżej - rząd przyjął projekt ustawy

Rada Ministrów przyjęła we wtorek przygotowany w Ministerstwie Rodziny, Pracy i Polityki Społecznej projekt ustawy wprowadzający nowe uprawnienie – uzupełniający urlop macierzyński dla rodziców wcześniaków i rodziców dzieci urodzonych w terminie, ale wymagających dłuższej hospitalizacji po urodzeniu. Wymiar uzupełniającego urlopu macierzyńskiego będzie wynosił odpowiednio do 8 albo do 15 tygodni.

Grażyna J. Leśniak 29.10.2024

Identyfikator:	M.P.1996.15.206
Rodzaj:	Zarządzenie
Tytuł:	Ustalenie wykazów towarów i technologii objętych szczególną kontrolą obrotu z zagranicą.
Data aktu:	21/12/1995
Data ogłoszenia:	05/03/1996
Data wejścia w życie:	20/03/1996

Ustalenie wykazów towarów i technologii objętych szczególną kontrolą obrotu z zagranicą.

ZARZĄDZENIE MINISTRA WSPÓŁPRACY GOSPODARCZEJ Z ZAGRANICĄ z dnia 21 grudnia 1995 r. w sprawie ustalenia wykazów towarów i technologii objętych szczególną kontrolą obrotu z zagranicą.

ZAŁĄCZNIKI

ZAŁĄCZNIK Nr 1 WYKAZ TOWARÓW I TECHNOLOGII OBJĘTYCH SZCZEGÓLNĄ KONTROLĄ OBROTU Z ZAGRANICĄ W ZWIĄZKU Z POROZUMIENIAMI I ZOBOWIĄZANIAMI MIĘDZYNARODOWYMI WYWOŻONYCH ZA GRANICĘ I PRZEWOŻONYCH PRZEZ TERYTORIUM RZECZYPOSPOLITEJ POLSKIEJ

KATEGORIA 0 - MATERIAŁY, INSTALACJE I URZĄDZENIA JĄDROWE

0A Urządzenia, zespoły i podzespoły

0B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

0C Materiały

0D Oprogramowanie

0E Technologia

KATEGORIA 1 - MATERIAŁY, SUBSTANCJE CHEMICZNE, "MIKROORGANIZMY" I "TOKSYNY"

1A Urządzenia, zespoły i elementy

1B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

1C Materiały

1D Oprogramowanie

1E Technologia

KATEGORIA 2 - PRZETWÓRSTWO MATERIAŁÓW

2A Urządzenia, zespoły i części

2B Urządzenia testowe, kontrolne i produkcyjne

2C Materiały

2D Oprogramowanie

2E Technologia

UWAGI DO TABELI TECHNIK NAPYLANIA

KATEGORIA 3 - ELEKTRONIKA

3A Urządzenia, zespoły i części

3B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

3C Materiały

3D Oprogramowanie

3E Technologie

KATEGORIA 4 - KOMPUTERY

4A Urządzenia, zespoły i części

4B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

4C Materiały

4D Oprogramowanie

4E Technologia

4. UWAGA TECHNICZNA

KATEGORIA 5 - URZĄDZENIA TELEKOMUNIKACYJNE I "OCHRONA INFORMACJI"

CZĘŚĆ 1 URZĄDZENIA TELEKOMUNIKACYJNE

5A1 Urządzenia, zespoły i elementy

5B1 Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

5C1 Materiały

5D1 Oprogramowanie

5E1 Technologie

CZĘŚĆ 2 "OCHRONA INFORMACJI"

5A2 Urządzenia, zespoły i elementy

5B2 Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

5C2 Materiały

5D2 Oprogramowanie

5E2 Technologia

KATEGORIA 6 - CZUJNIKI I LASERY

6A Urządzenia, zespoły elementy

6B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

6C Materiały

6D Oprogramowanie

6E Technologia

KATEGORIA 7 - NAWIGACJA I AWIONIKA

7A Urządzenia, zespoły i elementy

7B Urządzenia testujące, kontrolne i produkcyjne

7C Materiały

7D Oprogramowanie

KATEGORIA 8 - URZĄDZENIA OKRĘTOWE

8A Urządzenia, zespoły i elementy

8B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

8C Materiały

8D Oprogramowanie

8E Technologie

KATEGORIA 9 - UKŁADY NAPĘDOWE, POJAZDY KOSMICZNE I ICH WYPOSAŻENIE

9A Urządzenia, zespoły i elementy

9B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

9C Materiały

9D Oprogramowanie

9E Technologia

ZAŁĄCZNIK Nr 2 WYKAZ TOWARÓW I TECHNOLOGII OBJĘTYCH SZCZEGÓLNĄ KONTROLĄ OBROTU Z ZAGRANICĄ W ZWIĄZKU Z POROZUMIENIAMI I ZOBOWIĄZANIAMI MIĘDZYNARODOWYMI PRZYWOŻONYCH NA TERYTORIUM RZECZYPOSPOLITEJ POLSKIEJ

KATEGORIA 0 MATERIAŁY, INSTALACJE, URZĄDZENIA JĄDROWE

0B Urządzenia do testowania, kontroli i produkcji

0C Materiały

0D Oprogramowanie

0E Technologia

KATEGORIA 1 MATERIAŁY, SUBSTANCJE CHEMICZNE, "MIKROORGANIZMY" I "TOKSYNY"

1A Urządzenia, zespoły i elementy

ZARZĄDZENIE

MINISTRA WSPÓŁPRACY GOSPODARCZEJ Z ZAGRANICĄ

z dnia 21 grudnia 1995 r.

w sprawie ustalenia wykazów towarów i technologii objętych szczególną kontrolą obrotu z zagranicą.

ZAŁĄCZNIK Nr 1

WYKAZ TOWARÓW I TECHNOLOGII OBJĘTYCH SZCZEGÓLNĄ KONTROLĄ OBROTU Z ZAGRANICĄ W ZWIĄZKU Z POROZUMIENIAMI I ZOBOWIĄZANIAMI MIĘDZYNARODOWYMI WYWOŻONYCH ZA GRANICĘ I PRZEWOŻONYCH PRZEZ TERYTORIUM RZECZYPOSPOLITEJ POLSKIEJ

4.

UWAGA TECHNICZNA

CZĘŚĆ 1

URZĄDZENIA TELEKOMUNIKACYJNE

CZĘŚĆ 2

"OCHRONA INFORMACJI"

ZAŁĄCZNIK Nr 2

WYKAZ TOWARÓW I TECHNOLOGII OBJĘTYCH SZCZEGÓLNĄ KONTROLĄ OBROTU Z ZAGRANICĄ W ZWIĄZKU Z POROZUMIENIAMI I ZOBOWIĄZANIAMI MIĘDZYNARODOWYMI PRZYWOŻONYCH NA TERYTORIUM RZECZYPOSPOLITEJ POLSKIEJ

CZĘŚĆ 1

URZĄDZENIA TELEKOMUNIKACYJNE

CZĘŚĆ 2

"OCHRONA INFORMACJI"