(Dziennik Urzędowy Unii Europejskiej L 338 z dnia 30 grudnia 2019 r.)(Dz.U.UE L z dnia 25 lutego 2020 r.)
Strona 129, lit. f) otrzymuje brzmienie:
"f. następujący sprzęt litograficzny:
1. sprzęt do wytwarzania płytek elektronicznych poprzez pozycjonowanie, naświetlanie oraz powielanie (bezpośredni krok na płytkę) lub skanowanie (skaner), z wykorzystaniem metody fotooptycznej lub promieni rentgenowskich, spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:
a. źródło światła o długości fali krótszej niż 193 nm; lub
b. zdolny do wytwarzania wzorów o 'rozmiarze minimalnej rozdzielczości wymiarowej' (MRF) 45 nm lub mniejszej;
Uwaga techniczna:
'Rozmiar minimalnej rozdzielczości wymiarowej' (MRF) obliczany jest według poniższego wzoru:
(MRF) = (długość fali źródła światła napromieniowującego w nm) x (współczynnik K)
apertura liczbowa
gdzie współczynnik K = 0,35
2. urządzenia do litografii nanodrukowej zdolne do drukowania elementów o wielkości 45 nm lub mniejszych;
Uwaga: Pozycja 3B001.f.2 obejmuje:
- narzędzia do mikrodruku kontaktowego,
- narzędzia do wytłaczania na gorąco,
- narzędzia do litografii nanodrukowej,
- narzędzia do litografii "step-and-flash" (S-FIL).
3. sprzęt specjalnie zaprojektowany do wytwarzania masek, spełniający wszystkie poniższe kryteria:
a. posiadający odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów, jonów lub wiązkę "laserową"; oraz
b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:
1. apertura plamki dla szerokości piku w połowie jego wysokości poniżej 65 nm i umiejscowienie obrazu poniżej 17 nm (średnia + 3 sigma); lub
2. nieużywane;
3. błąd nakładania drugiej warstwy mniejszy niż 23 nm (średnia + 3 sigma) na maskę;
4. sprzęt zaprojektowany do wytwarzania przyrządów wykorzystujący metody bezpośredniego nadruku i spełniający wszystkie poniższe kryteria:
a. wykorzystujący odchylaną, zogniskowaną wiązkę elektronów; oraz
b. spełniający którekolwiek z poniższych kryteriów:
1. minimalny rozmiar wiązki równy lub mniejszy niż 15 nm; lub
2. błąd nakładania warstwy mniejszy niż 27 nm (średnia + 3 sigma);".
